В Петербурге установлен памятник Жоресу Алферову
Оценка 4.9

В Петербурге установлен памятник Жоресу Алферову

Оценка 4.9
11.06.2021
В Петербурге установлен памятник Жоресу Алферову

В Санкт-Петербургском национальном исследовательском Академическом университете РАН открыт памятник ученому, лауреату Нобелевской премии по физике Жоресу Алферову.

Во вторник, 16 марта, в здании Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета РАН состоялось торжественное открытие памятника ученому, лауреату Нобелевской премии по физике Жоресу Алферову.

Бронзовый памятник расположен на небольшом постаменте в холле университета. Он был изготовлен в авторской мастерской народного художника СССР Зураба Церетели. Гостями церемонии открытия памятника стали вдова ученого, его друзья и коллеги, также присутствовали представители городской администрации.

Установить памятник Жоресу Алферову в здании Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета РАН было решено, так как лауреат Нобелевской премии, почетный гражданин Санкт-Петербурга, депутат Государственной думы являлся ещё и основателем Академического университета.

 Жорес Алферов родился 15 марта 1930 года в Витебске. В 1952 году он стал выпускником факультета электронной техники действующего Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» имени Ульянова (Ленина). С 1953 года Жорес начал свою карьеру в Физико-техническом институте имени А.Ф. Иоффе с должности младшего научного сотрудника. В 1987 году ученый возглавил пост директора учебного заведения. В период с 1991 до 2017 года Жорес Алферов был вице-президентом Российской академии наук.

В 2002 году ученый возглавил Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, который в 2015 году был переименован в Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН.

Нобелевская премия Жоресу Алферову была присуждена в 2000 году за проведенные совместно с Гербертом Кремером фундаментальные работы в области современных информационных технологий на основе создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в сверхвысокочастотной и оптической электронике.

Ушел из жизни ученый в начале марта 2019 года на 89-м году жизни.

11.06.2021