Презентация "Исследование процессов роста твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x"

Презентации учебные
ppt
28.04.2019

Публикация педагогических разработок

Бесплатное участие. Свидетельство автора сразу.
Мгновенные 10 документов в портфолио.

Добавить материал

Презентация "Исследование процессов роста твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x"•разработать новые методы получения карбида кремния и твердых растворов на его основе с помощью электронно-лучевой эпитаксии •подобрать оптимальные условия для выращивания эпитаксиальных слоёв (SiC)1-x(AlN)x методами электронно-лучевой эпитаксии Основные цели работы разработать новые методы получения карбида кремния и твердых растворов на его основе с помощью электронно-лучевой эпитаксии подобрать оптимальные условия для выращивания эпитаксиальных слоёв (SiC)1-x(AlN)x методами электронно-лучевой эпитаксии

00186bcf-ddc257e6.ppt

Физический факультет Физический факультет Исследование процессов роста твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x

Основные цели работы • разработать новые методы получения карбида кремния и твердых растворов на его основе с помощью электронно-лучевой эпитаксии • подобрать оптимальные условия для выращивания эпитаксиальных слоёв (SiC)1- x(AlN)x методами электронно-лучевой эпитаксии

Установка электронно – лучевого нагрева УВН – РЭ

Схематическое изображение устройства для нагрева подложек 1 – катод; 2 – пластина; 3 – анод; 4 – фольга для основание закрепления подложки; 5 – кольцо для концентрации тепла; 6 – диэлектрическое

Блок-схема установки для катодолюминесценции измерения спектров монохроматор МДР-2; 4 – фотоумножитель; 5 – импульсный усилитель; 6 – дискриминатор; 7 – измеритель скорости счета; 1- колонна микроскопа ЭММА-2; 2 – кварцевая линза; 3- 8 –самописец.

Измерительн ый комплекс на базе АСМ «NTEGRA»

Дифрактограмма от структуры 2H-(SiC)0,36(AlN)0,64/6H-SiC

поглощения пленок (SiC)1-x(AlN)x при х=0,21 (1) х=0,64 (2) от энергии Зависимость коэффициента падающей волны

АСМ поверхности пленок (SiC)1- x(AlN)x при использовании составной мишени SiC+Al c соотношением площадей 1 к 3 Температура выращивания (а)1000К,(b)1100К,(c)1350К

Благодарю за внимание!

Материалы на данной страницы взяты из открытых источников либо размещены пользователем в соответствии с договором-офертой сайта. Вы можете сообщить о нарушении.

Посмотрите также