Тест "Электрический ток в разных средах" 10 класс

Токи в разных средах Носители свободных электрических зарядов в металлах, жидкостях, газах и вакууме А1. Ток в металлах создаётся движением 1)электронов       2) только «+» ионов       3) «­» и «+» ионов       4) только «­» ионов А2.  На   рис   показаны   два   сосуда   с   раствором   медного   купороса,   соединённые   последовательно   с источником тока, напряжение на выходных клеммах которого и полярность клемм заданы. На каких из угольных электродов, опущенных в сосуды, будет выделяться медь при пропускании тока через раствор?    1) только на 1       2) только на 4       3) только на 2 и 3       4) только на 2 и 4 А3.  Электронная   пушка   создаёт   пучок   электронов   в   стеклянной   вакуумированной   камере.   Все   электроны,   покинувшие раскалённый катод пушки, покидают катод и ударяются в экран ЭЛТ. Если увеличить ускоряющее напряжение в пушке в 2 раза, то сила тока идущего в вакууме через трубку    1) не изменится       2) возрастёт   в 2 раза       4) возрастёт   в √2       3) возрастёт  ≈  в 4 раза  ≈ ≈ А4. Источник тока присоединили к двум пластинам, опущенным в раствор поваренной соли. Сила тока в цепи 0,2 А. Какой заряд проходит между пластинами в ванне за 2 мин?    1) 0,4 Кл       2) 24 Кл       3) 10 Кл       4) 600 Кл Полупроводники. Собственная проводимость полупроводников. А5. Какими носителями эл заряда создаётся ток в полупроводниках, не содержащих примесей?    1) только электронами       2) только ионами       3) электронами и ионами       4) электронами и дырками А6.  Какой   из   приведённых   графиков   зависимости   удельного   сопротивления   материала   от   температуры относится к полупроводникам?    1) 1       2) 2       3) 3       4) 4 А7. Стержни из металла и полупроводника нагревают на ∆Т0 каждый. При этом    1)сопротивление обоих стержней уменьшается    2) сопротивление обоих стержней увеличивается    3)сопротивление металлического стержня уменьшается, а из полупроводника увеличивается    4) сопротивление металлического стержня увеличится, а из полупроводника уменьшится А8.  При   нагревании   на   несколько   градусов   сопротивление   полупроводника   без   примесей   уменьшилось   в   100   раз.   Это объясняется тем, что    1)примерно в 100 раз увеличилась скорость направленного движения свободных носителей заряда    2)примерно в 100 раз увеличилась концентрация свободных носителей заряда    3) примерно в 100 раз увеличились и концентрация свободных носителей заряда и скорость их направленного движения      4)   примерно  в  100  раз  увеличилась  концентрация   свободных   носителей   заряда  и  в 10  раз  уменьшилась   скорость  их направленного движения Примесная проводимость полупроводников А9. В 4­х валентный кремний добавили в первом опыте 4­х валентный химический элемент, а во втором случае ­   5­ти валентный элемент. Каким типом проводимости будет обладать полупроводник в каждом случае?    1)в первом – дырочной, во втором ­ электронной                      3)в обоих случаях электронной    2) в первом –электронной, во втором – дырочной                      4)в обоих случаях дырочной А10.  На   рис   показана   схема   полупроводникового   диода,   который   изготавливают.   Капая расплавленный   3­х   валентный   индий   на   примесный   кремниевый   полупроводник.   В   котором содержится небольшая примесь 5­ти валентного фосфора. В какой из зон основными носителями заряда являются дырки?    1)1       2) 2      3) 3       4) 4 А11. Концентрацию донорной примеси в полупроводнике увеличивают в 2 раза. При этом примерно в 2 раза    1)увеличивается электронная проводимость                         3)увеличивается дырочная проводимость    2)уменьшается электронная проводимость                            4)уменьшается дырочная проводимость P   –     N    – переход. Полупроводниковый диодА 12.  p­n  – переход присоединён через металлические   контакты к источнику тока так, что к  p  – зоне присоединена «­» клемма источника. Если током неосновных носителей зарядов пренебречь ток    1)в р­зоне перехода обеспечивается в основном движением дырок, в n­зоне – электронов    2)в р­зоне перехода обеспечивается в основном движением электронов, в n­зоне – дырок    3)в р­зоне и n­зоне перехода обеспечивается в равной степени движением дырок и электронов    4)в р­зоне и n­зоне не идёт А13.  Какой из графиков на рис соответствует вольт­амперной характеристике   полупроводникового диода, включённого в прямом направлении?                     1)                                                   2)                                                       3)                                                         40   А14.  К источнику тока присоединены резистор и параллельно ему полупроводниковый диод. У источника можно менять полярность   напряжения.   При   одной  полярности   напряжения   сила   тока   в   источнике  равна  I,   при   другой  I/4.     Сравните сопротивление   резистора  R    и   внутреннее   сопротивление   источника  r.   Сопротивление   диода,   включённого   в   прямом направлении, считать равным нулю.    1) R/r = 4             2) R/r = 1/4             3) R/r = 3             4) R/r = 1/3