Собственная проводимость полупроводников явно недостаточна для их технического применения.
Поэтому для увеличение проводимости в чистые полупроводники внедряют примеси, которые бывают донорные и акцепторные
Примесная проводимость полупроводников
Донорные примеси
Si
Si
As
Si
Si
-
-
-
-
-
-
-
При наличие примесей, например, атомов мышьяка As, число свободных электронов возрастает во много раз: атомы мышьяка имеют 5 валентных электронов, 4 из них участвует в создании ковалентной связи данного атома с окружающими, например, с атомами кремния Si. Один из 5 электронов мышьяка становится свободным.
-
-
Такой полупроводник называется полупроводником n-типа, основными носителями заряда являются электроны, а примесь мышьяка называется донорной.
Акцепторные примеси
Si
Si
In
Si
Si
-
-
-
-
-
+
-
-
Такой полупроводник называется полупроводником p-типа, основными носителями заряда являются дырки, а примесь индия, дающая дырки, называется акцепторной.
Если в качестве примеси использовать индий In, атомы которого 3-валентны, то характер проводимости полупроводника меняется. Для образования парноэлектронных связей атому индия недостаёт электрона. В результате образуется дырка.
Электрическая проводимость полупроводников
при наличии примесей
ПРИМЕСИ
ДОНОРНЫЕ
АКЦЕПТОРНЫЕ
Примеси, легко отдающие
электроны, увеличивающие количество свободных электронов.
Атом мышьяка имеет 5 валентных
электронов, 4 из которых участвуют
в образовании парноэлектронных
связей, а пятый становится свободным.
Полупроводники , содержащие
донорные примеси, называются
полупроводниками п – типа
от слова negative – отрицательный
Примеси, легко принимающие
электроны, увеличивающие количество дырок.
Атом индия имеет 3 валентных
электрона, которые участвуют
в образовании парноэлектронных
связей, а для образования четвертой электрона недостает,
в результате образуется дырка.
Полупроводники , содержащие
акцепторные примеси, называются
полупроводниками р – типа
от слова positive – положительный
© ООО «Знанио»
С вами с 2009 года.