Объединение юридических лиц в форме ассоциации

«Общенациональное движение «Вобек»

Конгресс ученых Казахстана

ISSN 2664-2271

             вбвг-к     

«GLOBAL SCIENCE AND INNOVAT10NS 2019:

CENTRAL ASIA»

№ 2(3). Сентябрь-октябрь 2019

СЕРИЯ «ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ» Журнал основан в 2018 г.

Издание включено в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, выпускаемых в Казахстанской Республики, в которых публикуются основные научные результаты ученых и педагогов.

ГЛАВНЫЙ РЕДАКТОР:

ЕЕ. Кумеков, академик НАН РК, д.ф.н.; Маслов Х.Б., PhD; Заместители главного редактора:

Е. E111iM, Е. Абиев (Казахстан), Лю Дэмин (Китай),

ЕЛ. Стычева, Т.Е. Борисов (Россия)

 ОКОЛ в форме ассоциации

НУРСУЛТАН - 2019                                      «Общенациональное движение «Бобек», 2019

удк 541.135.4:543.272.1

ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ РЕГУЛИРОВАНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ КИСЛОРОДА СУПЕРИОНИКОМ

Рахымбеков Айтбай Жапарович

к.ф-м.н., доцент, профессор,

Сарбасов Ерназар Каспаевич

к.т.н., доцент, профессор,

Канагатова Алин Уахитовна спрший преподаватель, Жетысуский государственный университет им. И. Жансугурова, г Талдыкорган, Казахстан

Аннотация: Исследованы возиожности электролитической очистки кислорода, растворенного в распшве и полупровоДниках с помощью ткерДьи оксиДных суперионных прозоДников на основе стабилизированной Двуокиси циркония. ПривеДены уравнения феноменологических зависимостей измеряемых физических величин, как электроДвилущая сила, парциачьное Даатение кислорода, скорость выходного потока газа.

Ключевые слова: кисиороД, тектрошт, примесь, Дозирование, анион, катион,

температура, раствор, ионы, модификация,

Введение. В полупроводниках кислород присутствует либо как неконтролируемая примесь, либо как легирующая добавка, либо, в случае оксидов, входит в состав соединения. Кислород влияет на свойства полупроводников: в первых двух случаях это њлияние определяется количеством и состоянием примесей, в третьем составом, или стехиометрией оксидного соединения. В кремний кислород попадает из кварцевого тигля при выращивании . является злеюронейтральной примесью, но участвует в образовании термодоноров. Поэтому свойства кремния зависят от условий термообработки.

В арсениде галлия GaAS кислород • является глубокой донорной примесью и отрицательно влияет на характеристики. Однако при выращивании GaAS в камеру добавляют некоторое количество кислорода, чтобы подавить диссоциацию материала кварцевой ампулы и избежать загрязнения GaAS кремнием. По

отношению к оксидным полупроводникам понятие «содержание кислопола» связано с синесгвованием нескольких оксидов у металлов переменной валентности, а также с отклонением от стехиометрии, которое сильно влияет на свойства, Синтез таких материалов особенно чувствителен к содержанию кислорода в атмосфере технологической камеры.

Уровень существующих методов определения кислорода в полупроводниках не удовлетворяет требованиям современной полупроводниковой технологии. Поэтому актуальны поиски новых методов дозирования и определения содержания кислорода в полупроводниковые материалы .

Методика и материалы.

В этом отношении перспективны

материалы на основе оксидов Менделеевской таблицы IV В примесные твердые оксидные суперионные проводники (тост,

называемые   также высокотемпературными или твердыми оксидными электролитами. Они отличаются исключительно кислородноионным переносом в шиппком лиапазоне темпепат•ип Т и