КИМ "Электронная техника" для специальности 15.02.07 "Автоматизация технологических процессов и производств"

Дятьковский филиал  государственного автономного  профессионального образовательного Департамент образования и науки  Брянской области  «Брянский техникум энергомашиностроения и радиоэлектроники имени Героя Советского учреждения                                                                                       Союза М.А. Афанасьева»           КОНТРОЛЬНО­ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ  МАТЕРИАЛОВ  КОМПЛЕКТ           Дисциплина ________ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА_________ (наименование   дисциплины) Специальность 15.02.07  «Автоматизация технологических процессов и  производств». (код, наименование специальности) Форма обучения:  очная 1Дятьково, 2017 г Комплект контрольно­измерительных материалов (КИМов) по учебной дисциплине  «__     ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА_________________»  разработан   на   основе   Федерального   государственного   образовательного   стандарта   по специальности  среднего профессионального образования:  (наименование дисциплины) 15.02.07 АВТОМАТИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И ПРОИЗВОДСТВ    _ (код,   наименование  специальности) Организация­разработчик: профессионального образовательного учреждения    Дятьковский   филиал     государственного   автономного   «Брянский   техникум   энергомашиностроения   и   радиоэлектроники   имени   Героя   Советского Союза М.А. Афанасьева» Разработчики: _____________Короткова Елена Николаевна­ преподаватель_ Ф.И.О., должность _________________________________________________ Ф.И.О., должность Рекомендован  Методическим  советом  ДФ БГПОУ «БТЭиР» №____________  от «____»__________20__ г.              номер   Зам. директора  по УР  ______________________ В.В. Грибачёва 21.  Пояснительная записка        Комплект контрольно­измерительных материалов (КИМов) для выявления знаний   и   умений,   уровня   подготовки   студентов  учебной   дисциплины   _____ ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА                 (наименование дисциплины) разработан на основе Федерального государственного образовательного стандарта по специальности  среднего профессионального образования:  15.02.07  АВТОМАТИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И ПРОИЗВОДСТВ (код,   наименование  специальности) и  является частью основной профессиональной образовательной программы.   Цели и задачи учебной дисциплины  – требования к результатам освоения учебной дисциплины: В результате освоения дисциплины обучающийся должен уметь: ­определять   и   анализировать   основные   параметры   электронных   схем   и устанавливать по ним работоспособность устройств электронной техники; ­производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам.  В результате освоения дисциплины обучающийся должен знать: ­сущность   физических   процессов,   протекающих   в   электронных   приборах   и устройствах; ­принципы включения электронных приборов и построения электронных схем; ­типовые узлы и устройства электронной техники. Объем учебной дисциплины и виды учебной работы Вид учебной работы Объем часов Максимальная учебная нагрузка (всего) Обязательная аудиторная учебная нагрузка (всего)  в том числе:      лабораторные  работы      практические занятия      контрольные работы      курсовая работа (проект) (если предусмотрено) Самостоятельная работа обучающегося (всего) 154 100 34 14 54 3в том числе:           самостоятельная   работа   над   курсовой   работой   (проектом)  (если предусмотрено) Решение задач по пройденному материалу. Работа с учебниками Оформление   и   подготовка     лабораторных   и   практических   работ   к защите. Рефераты, доклады по темам, презентации. Итоговая аттестация в форме ЭКЗАМЕНА   2. Модель  контроля 54 Учебная  дисциплина     ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА                                                  (наименование дисциплины) на _2_ семестр 2017_ /2018__ уч.    Год  Фонд учебного времени: ____100__________ Наим енова ние  разде лов  тем     и м и г у р д   с   е е   ь з я в с   и » а к и н х е т   я а н н о р т к е л Э « ы н и л п и ц с и д й о н б е ч у       е и н а ж р е д о с   и   е и н е ч а н З   . . 1 1   а м е Т   я и н е н е м и р п     и     я и т и в з а р     я и н е л в а р п а н     е ы н в о н с о       и р о з б о   й и к т а р К . . а л к и ц   о г о н ь л а н о и с с е ф о р п и м а н и л п и ц с и д     к а к   н о р т к е л э   , в о н о р т к е л э   а в т с й о в с   е и к с е ч и з и Ф   ? у к и н о р т к е л э   ь т а ч у з и к а К     . и к и н о р т к е л э   й о н н е л ш ы м о р п Раздел 1  Полупроводниковые приборы   , в о к и н д о в о р п у л о п   ь т с о м и д о в о р п о т о ф   , х а к и н д о в о р п у л о п   в   е т к е ф ф э о т о ф о     я и н е д е в с   е и щ б О   . 4 1 .   а м е Т . х а к и н д о в о р п у л о п   в   е и н е ч у л з и   , т к е ф ф э   й и к с е ч и н а в ь л а г о т о ф   , я и с с и м э   я а н н о р т к е л э о т о ф . а д я р а з   й е л е т и с о н   я и ц к а р т с к э   и   я и ц к е ж н и   , и и н е ж я р п а н   м е н ш е н в     . а д о х е р е п о г о в о к и н д о в о р п у л о п   е и н а в о з а р б о   , х а к и н д о в о р п у л о п   в   х а д о х е р е п о     я и н е д е в с   е и щ б О   . . 3 1   а м е Т   , а р е ь р а б   о г о н ь л а и ц н е т о п   е и н е в о н к и н з о в   , я и н е ж я р п а н   о г е н ш е н в   и и в т с т у с т о   и р п     д о х е р е п й ы н ч о р ы д ­ о н н о р т к е л Э           м о н т а р б о и м о м я р п и р п д о х е р е п й ы н ч о р ы д ­ о н н о р т к е л Э     . в о л а и ц н е т о п   ь т с о н з а р   я а н т к а т н о к   , а р е ь р а б   а т о с ы в       . в о к и н д о в о р п у л о п й е т с о м и д о в о р п х ы н с е м и р п   я и н а в о з а р б о ы б о с о п с   и   ь т с о м и д о в о р п   я а н н е в т с б о С     . 2 1 .   а м е Т   . и т с о м и д о в о р п     я а н с е м и р п   я а н ч о р ы д и   я а н н о р т к е л э   , в о к и н д о в о р п у л о п   а р у т к у р т с   и   а в т с й о в С   в   в о н о р т к е л э   е и н е ж и в Д     . е л о п м о н т и н г а м м о н д о р о н д о     в   в о н о р т к е л э   е и н е ж и в Д   . а ц и т с а ч   я а н р а т н е м е л э и и с с и м э   й о н н о р т к е л э   ы д и В   .   х я л о п х ы н д о р о н д о е н   , а т о б а р   , я и ц к у р т с н о к   ,   ы р о т с и з о п и ы р о т с и р а В     . х а р о т с и з е р   х ы в о к и н д о в о р п у л о п о     я и н е д е в с   е и щ б О   . . 5 1   . и к и т с и р е т к а р а х   , а т о б а р   , я и ц к у р т с н о к   , ы р о т с и з е р о з н е т   и   ­ о м р е Т   . и к и т с и р е т к а р а х   , а т о б а р   , я и ц к у р т с н о к   , ы т н е м е л э о м р е т   е ы в о к и н д о в о р п у л о П   . С Д Э –     о м р е т   е и н е в о н к и н з о В . 5 1 .   а м е Т . я и н е ч ю л к в   а м е х с   , и к и т с и р е т к а р а х   , а т о б а р   , я и ц к у р т с н о к   , ы р о т с и з е р о т о Ф   . и к и т с и р е т к а р а х а м е Т 4Виды конт­ роля Наим енова ние  разде лов  тем   е и н е ч а н з о б о   и   а к в о р и к р а М     . в о д о и д х ы в о к и н д о в о р п у л о п   я и ц а к и ф и с с а л К   . 6 . 1   а м е Т ТК Виды конт­ роля Наим енова ТК ТК ТК ТК ТК ТК Раздел 1 Полупроводниковые приборы   и и ц к у р т с н о к и т с о н н е б о с о       , в о д о и д о г о н ч е ч о т     и о г о н в а л п с   о в т с й о р т с У     . в о д о и д х ы в о к и н д о в о р п у л о п   ,   Х А В и в т е в   й о н т а р б о       и й о м я р п ы р т е м а р а п   , а д о и д   а к и т с и р е т к а р а х   я а н р е п м а   –   т ь л о В   . в о д о и д   . е и н е н е м и р п и ы р т е м а р а п       . в о д о и д ы р т е м а р а П   . х а д о и д   в   й о б о р п   , и и ц к у р т с н о к и т с о н н е б о с о     , ы д о и д   е ы н ь л е т и м я р п ы В   . 6 1 .   а м е Т   .     ы р т е м а р а п и ы т о б а р ы м м а р г а и д     , а т о б а р   , х а д о и д   а н   я и н е л м я р п ы в   а м е х с   я а н д о и р е п у л о п о н д О .     ы р т е м а р а п и ы т о б а р ы м м а р г а и д     , а т о б а р   , х а д о и д   а н   ь л е т и м я р п ы в   й о в о т с о м й ы н з а ф о н д О     и   я и ц а к и ф и с с а л К   .   х а р о б и р п х ы в о к и н д о в о р п у л о п х и щ ю а ч ю л к е р е п о       я и н е д е в с   е и щ б О   . 7 . 1   а м е Т ТК ТК . я и н е ч ю л к в   а м е х с   , а р о т с и р и т   я и ц к у р т с н о К   . в о р о т с и р и т   е и н е ч а н з о б о   –   т ь л о В   . а т о б а р   о г е   и   я и н е ч ю л к в   а м е х с   , а р о т с и н и д и к и т с и р е т к а р а х     я а н р е п м а   –   т ь л о В   . 7 . 1   а м е Т ТК   е ы н в о н с О   . а р о т с и р и т   м е и н е ч ю л к в   е и н е л в а р п у   , а т о б а р   о г е   и   а р о т с и р и т   и к и т с и р е т к а р а х   я а н р е п м а   р о т а р е н е Г   . а р о т с и м и с   а т о б а р   , я и н е ч ю л к в   а м е х с   , ы р о т с и р и т   е ы н ч и р т е м м и С   . в о р о т с и р и т   ы р т е м а р а п . я и в т с й е д п и ц н и р п     ,   ы т о б а р ы м м а р г а и д   , я и н е ч ю л к в   а м е х с   , е р о т с и р и т   а н   ы л и п   . в о р о т с и з н а р т   х ы н р я л о п и б     е и н е ч а н з о б о и о в т с й о р т с У     . х а р о т с и з н а р т   о   я и н е д е в с   е и щ б О   . 8 . 1   а м е Т ТК     и о г о н в а л п с   о в т с й о р т с У   . в о р о т с и з н а р т   а к в о р и к р а М   . в о р о т с и з н а р т   х ы н р я л о п и б   я и ц а к и ф и с с а л К . в о р о т с и з н а р т   х ы н щ о м о л а м   я и ц к у р т с н о К   . а р о т с и з н а р т   о г о н н о и з у ф ф и д Раздел 1 Полупроводниковые приборы     . е м и ж е р м о н ь л е т и л и с у     в   я и н а т и п и к и н ч о т с и   а н   в о р о т с и з н а р т   я и н е ч ю л к в   ы м е х С   . 8 . 1   а м е Т ТК 5ние  разде лов  тем   м и щ б о   с   а р о т с и з н а р т   я и н е ч ю л к в   а м е х С   . в о р о т с и з н а р т   я и н е ч ю л к в   х а м е х с   о   я и н е д е в с   е и щ б О     . 8 1 .   а м е Т ТК Виды конт­ роля Наим енова ние  .   й о з а б й е щ б о   с   е м е х с   в   а р о т с и з н а р т   и к и т с и р е т к а р а Х   . в о р о т с и з н а р т   к и т с и р е т к а р а х   с   а р о т с и з н а р т   я и н е ч ю л к в   а м е х С   .   й о з а б й е щ б о   с   а р о т с и з н а р т   я и н е ч ю л к в   а м е х С   . ы р т е м а р а п   е е   и м о р е т т и м э   . м о р о т к е л л о к м и щ б о   . м о р е т т и м э   м и щ б о   с   е м е х с   в   в о р о т с и з н а р т   и к и т с и р е т к а р а х   е ы н д о х ы В   . м о р е т т и м э   м и щ б о   с   е м е х с   в   а р о т с и з н а р т   и к и т с и р е т к а р а х   е ы н д о х В   . в о р о т с и з н а р т   х а к и т с и р е т к а р а х   о   я и н е д е в с   е и щ б О   . 9 1 .   а м е Т ТК     х ы н д о х ы в   и х ы н д о х в   з и л а н а   й ы н ь л е т и н в а р С   . в о р о т с и з н а р т     х ы н щ о м о л а м и к и т с и р е т к а р а Х   . 9 1 .   а м е Т ТК . в о р о т с и з н а р т   а в т с й о в с   е ы н т о т с а Ч   . в о р о т с и з н а р т   а в т с й о в с   е ы н р у т а р е п м е Т   . в о р о т с и з н а р т   ы р т е м а р а п   е ы н ч о в а р п с м е л е т и л е д   с   а р о т с и з н а р т   ы з а б   я и н е щ е м с   а м е х С   . м о р о т с и з е р м и н д о     с   а р о т с и з н а р т   ы з а б   я и н е щ е м с   а м е х С   е и к с е ч и р т к е л Э   . ы р т е м а р а п h     , а л а н г и с     о г о л а м ы р т е м а р а П   . я и н е д е в с   е и щ б о   , в о р о т с и з н а р т   ы р т е м а р а П   . 9 1 .   а м е Т ТК   . а р о т с и з н а р т   о г о в е л о п   я и ц к у р т с н о К   . в о р о т с и з н а р т   х ы в е л о п   я и н е ч а н з о б о   и   я и н е д е в с   е и щ б О   . 0 1 . 1   а м е Т ТК   м ы н н а в о р и л о з и   с   а р о т с и з н а р т   о г о в е л о п   я и ц к у р т с н о К   . м о л а н а к ­ n   с   а р о т с и з н а р т     о г о в е л о п ы т о б а р п и ц н и р П   . м о р о в т а з   м ы н н а в о р и л о з и   с   а р о т с и з н а р т   а т о б а Р   . м о р о в т а з   ) я а в о к о т с (   я а н д о х ы В   . м о р о в т а з   м ы н н а в о р и л о з и   с   а р о т с и з н а р т     о г о в е л о п и к и т с и р е т к а р а Х 1 . 4   а м е Т ТК   . а р о т с и з н а р т     о г о в е л о п и к и т с и р е т к а р а х   я а н р о в т а з   –   о к о т С   . а р о т с и з н а р т   о г о в е л о п   а к и т с и р е т к а р а х   . а р о т с и з н а р т   а т о б а р и   я и н е ч ю л к в   а м е х с   , я и ц к у р т с н о к   , р о т с и з н а р т   й ы н д о х е р е п о н д О Раздел 2 Раздел 3 Электровакуумные приборы Микроэлектроника РК 6. п м а л   а в т с й о р т с у   и т с о н н е б о с О   . я и с с и м э   я а н н о р т к е л Э   . ы д о т а к   е ы н д о р т к е л э о м р е Т к о т е с   и   в о д о н а   , в о д о т а к о в т с й о р т с У     . п м а л   х ы н н о р т к е л э   я и ц к у р т с н о К   . п м а л   х ы н н о р т к е л э   е и н е ч а н з о б О     . в о р о б и р п х ы н м у у к а в о р т к е л э   я и ц а к и ф и с с а л к   и   я и н е д е в с   е и щ б О   . 1 . 2   а м е Т ТК разде лов  тем Виды конт­ роля   .   м а р о т а к и д н и о п   я и н е л е д е р п о   , в о р о т а к и д н и   я и ц а к и ф и с с а л к   , х а р о т а к и д н и б о     я и н е д е в с   е и щ б О   . 2 2 .   а м е Т   ,   р о т а к и д н и й ы н м у у к а в   й ы н ь л а к а н   ,   р о т а к и д н и й о в о р ф и ц   й ы н д о и д о т е в с   , ы р о т а к и д н и   е и щ ю у р и з е т н и с о к а н З . ы р о т а к и д н и   е и к с е ч и л л а т с и р к о к д и ж   , ы р о т а к и д н и   е ы н т н е ц с е н и м ю л о р т к е л э . в о д о и д   е и н е н е м и р п и ы п и т   е ы н в о н с О       .   и к и т с и р е т к а р а х й о н д о н а   а н з и т у р К   . а д о и д   а к и т с и р е т к а р а х   я а н д о н А   . х а д о и д   а н   я и н е л м я р п ы в   а м е х с   я а н д о и р е п у л о п х у в Д     . в о д о и д   я и в т с й е д п и ц н и р п и   я и н е ч ю л к в   а м е х С     . 1 . 2   а м е Т ТК ТК   , а д я р з а р   о г е щ ю е л т   ы р о б и р П   . а д я р з а р Х А В     ,   д я р з а р й о в о г у д   ,   д я р з а р й и щ ю е л т   , х а з а г   в   д я р з а р   й и к с е ч и р т к е л Э   . 2 . 2   а м е Т . и е л п с и д   е ы н з е р о ф о р т к е л э   и   е ы н н о р т к е л э   , х я е л п с и д о     я и н е д е в с   е и щ б О ы н о р т а р и т . . ы р у т а р а п п а   й о н н о р т к е л э   и т с о н ж е д а н   я и н е ш ы в о п и     и и ц а з и р ю т а и н и м й е ш й е н ь л а д     а в т с д е р с     – ы м е х с   е ы н ь л а р г е т н И . 1 . 3   а м е Т ТК РК   е ы н д и р б и г   и   е ы н ч о н е л П   . й и н е ч а н з о б о   а м е т с и с   ,   м е х с о р к и м х ы н ь л а р г е т н и   я и ц а к и ф и с с а л к   , я и н е д е в с   е и щ б О   . 1 3 .   а м е Т . м е х с о р к и м   а р у т к у р т С   . и к ш у т а к   , ы р о т а с н е д н о к   , ы р о т с и з е р   , ы м е х с   е ы н ь л а р г е т н и . ы р о т а н о з е р   е ы в е ц р а в к   , ы м е х с   е и ш й е т с о р п   , и к и н о р т к е л э о з е ь п ы р о б и р п     , и к и н о р т к е л э о з е ь п ы в о н с о     е и к с е ч и з и Ф   . 2 3 .   а м е Т ТК ТК РК Промежуточная аттестация – Э Примечание: ТК – текущий контроль РК – рубежный контроль ПА  (Э, З, ДЗ) – промежуточная аттестация (экзамен, зачет, дифференцированный  зачет) 7Формы текущего и рубежного контроля:  тесты, устный опрос, письменные задания,   лабораторные работы, практические работы,  контрольные работы, лабораторные, расчетно­графическая и т.п. работа;   эссе и иные творческие работы и др. Достоинства: систематичность, непосредственно коррелирующаяся с требованием постоянного и непрерывного мониторинга качества обучения.   Типы контрольного задания, номер Уметь: ­определять и анализировать основные параметры электронных схем и устанавливать по ним работоспособность устройств электронной техники; Знать:  ­сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах Уметь: ­производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам. Знать: ­принципы включения электронных приборов и построения электронных схем; ­типовые узлы и устройства электронной техники. ПЗ №1 ПЗ №2   ПЗ №3 ПЗ №4 ЛР №1, №3. ЛР №2, №4. 8 Тема 1.1. Значение и содержание учебной дисциплины  «Электронная техника» и связь ее с другими дисциплинами  профессионального цикла.  Краткий обзор и  основные   направления  развития  и  применения промышленной  электроники. Как изучать электронику? Физические  свойства электронов, электрон как элементарная частица.  Движение электронов в однородном магнитном поле.  Движение электронов в неоднородных полях. Виды  электронной эмиссии. Тема 1.2. Собственная проводимость и способы  образования примесных проводимостей полупроводников.  Свойства и структура полупроводников, электронная и  дырочная примесная проводимости. Тема 1.3. Общие сведения о переходах в полупроводниках, образование полупроводникового перехода. Электронно­ дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения,  возникновение потенциального барьера, высота барьера,  контактная разность потенциалов. Электронно­дырочный  переход при прямом и обратном внешнем напряжении,  инжекция и экстракция носителей заряда. Тема 1.4. Общие сведения о фотоэффекте в  полупроводниках, фотопроводимость полупроводников,  фотоэлектронная эмиссия, фотогальванический эффект,  излучение в полупроводниках. Тема   1.5.  Общие   сведения   о   полупроводниковых резисторах.  Варисторы и позисторы,  конструкция, работа,характеристики.   Термо­   и   тензорезисторы,   конструкция, работа, характеристики. Тема 1.5. Возникновение термо – ЭДС. Полупроводниковые термоэлементы,   конструкция,   работа,   характеристики. Фоторезисторы,   конструкция,   работа,   характеристики, схема включения Тема   1.6.  Классификация   полупроводниковых   диодов. Маркировка   и   обозначение   полупроводниковых   диодов. Устройство   сплавного   и   точечного   диодов,   особенности конструкции   диодов.   Вольт   –   амперная   характеристика диода, параметры прямой и обратной ветви ВАХ, пробой в диодах. Параметры диодов.  Выпрямительные   диоды, Тема   1.6.   особенности конструкции, параметры и применение. Однополупериодная схема выпрямления на диодах, работа, диаграммы работы и параметры. Однофазный мостовой выпрямитель на диодах, работа, диаграммы работы и параметры  Общие   сведения   о   переключающих Тема   1.7.   Классификация   и полупроводниковых   приборах. обозначение   тиристоров.   Конструкция   тиристора,   схема включения. Тема   1.7.  Вольт   –   амперная   характеристики   динистора, схема   включения   и   его   работа.   Вольт   –   амперная характеристики   тиристора   и   его   работа,   управление включением   тиристора.   Основные   параметры   тиристоров. Симметричные   тиристоры,   схема   включения,   работа симистора. Генератор пилы на тиристоре, схема включения, диаграммы работы, принцип действия. Тема 1.8.  Общие   сведения   о транзисторах.   Устройство   и обозначение   биполярных   транзисторов.   Классификация биполярных   транзисторов.   Маркировка   транзисторов. Устройство   сплавного   и   диффузионного   транзистора. Конструкция маломощных транзисторов. Тема   1.8.  Схемы   включения   транзисторов   на   источники питания в усилительном режиме. Физические процессы при работе   транзистора   Схема подключения транзистора n­p­n проводимости на источники питания. проводимости.  n­p­n  Тема   1.8.  Общие   сведения   о   схемах   включения транзисторов.   Схема   включения   транзистора   с   общим эмиттером и ее параметры. Схема включения транзистора с общей   базой.   Схема   включения   транзистора   с   общим коллектором. Тема 1.9. Общие сведения о характеристиках транзисторов. Входные характеристики транзистора в схеме с общим  эмиттером. Выходные характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером. ЛР №5, №6, №7. ЛР №9, №11. Тест №1 (рубежный контроль) ПЗ №5, №6. ЛР №8, №10. Тест №2 (рубежный контроль) ЛР №13. ЛР №12. Тест №4 (рубежный контроль) Текущий, фронтальный устный опрос Текущий, фронтальный устный опрос Текущий, фронтальный устный опрос ЛР №14 9ЛР №15 Тема   1.9.  Характеристики   маломощных   транзисторов. Сравнительный анализ входных и выходных характеристик транзисторов. Характеристики транзистора в схеме с общей базой. Тема   1.9.  Параметры   транзисторов,   общие   сведения. Параметры   малого   сигнала,  h  параметры.   Электрические справочные   параметры   транзисторов.   Температурные свойства   транзисторов.   Частотные   свойства   транзисторов. Схема   смещения   базы   транзистора   с   одним   резистором. Схема смещения базы транзистора с делителем Тема   1.10.  Общие   сведения   и   обозначения   полевых транзисторов. Конструкция полевого транзистора. Принцип работы   полевого   транзистора   с  n­каналом.   Конструкция полевого   транзистора   с   изолированным   затвором.   Работа транзистора с изолированным затвором. Устный опрос ЛР №16 затвором.  Характеристики   полевого   транзистора   с Тема   1.10. изолированным   (стоковая) характеристика   полевого   транзистора.   Стоко   –   затворная характеристики   полевого   транзистора.   Однопереходный транзистор,   конструкция,   схема   включения   и   работа транзистора   Выходная   Тема   2.1.  Общие   сведения   и   классификация электровакуумных   приборов.   Обозначение   электронных ламп. Конструкция электронных ламп. Устройство катодов, анодов   и   сеток.   Электронная   эмиссия.   Особенности устройства ламп. Термоэлектродные катоды. Тема  2.1.  Схема   включения   и   принцип   действия   диодов. Двухполупериодная схема выпрямления на диодах. Анодная характеристика  диода.   Крутизна  анодной  характеристики. Основные типы и применение диодов. Тема   2.2.  Общие   сведения   об   индикаторах, классификация индикаторов, определения по индикаторам. Знакосинтезирующие индикаторы, светодиодный цифровой индикатор, индикатор, электролюминесцентные   индикаторы, жидкокристаллические индикаторы. вакуумный     накальный   Тема 2.2. Электрический разряд в газах, тлеющий разряд, дуговой разряд, ВАХ разряда. Приборы тлеющего разряда, тиратроны.   Общие   сведения   о   дисплеях,   электронные   и электрофорезные дисплеи Тема   3.1.  Интегральные   схемы   –   средства   дальнейшей миниатюризации   и   повышения   надежности   электронной аппаратуры. Тема   3.1.  Общие   сведения,   классификация   интегральных микросхем, система обозначений. Пленочные и гибридные интегральные   схемы,   резисторы,   конденсаторы,   катушки. Структура микросхем. Тема  4.1.  Физические   основы   пьезоэлектроники,   приборы   кварцевые пьезоэлектроники,   простейшие   схемы, ЛР №17 Тест №3 (рубежный контроль) Текущий, фронтальный устный опрос Текущий, фронтальный устный опрос Текущий, фронтальный устный опрос ПЗ №8. ПЗ №7. Тест №5 (рубежный контроль) ПЗ №9, №10. Тест №6 (рубежный 10резонаторы. контроль) Промежуточная аттестация Э Формы промежуточной  аттестации:  экзамен. Осуществляется   в   конце   семестра   и   может   завершать   изучение   как   отдельной дисциплины, так и ее раздела (разделов).  Достоинства: помогает оценить более крупные совокупности знаний и умений.  3. Кодификатор  (спецификация)  содержания  теста  учебной дисциплины_______Электронная техника___                                      (наименование учебной дисциплины) № п/п Название дидактических единиц   физических электронных    по учебной дисциплине (из ФГОС знать и уметь) Уметь:  ­определять   и   анализировать   основные параметры   схем   и устанавливать   по   ним   работоспособность устройств электронной техники; Знать: ­сущность процессов, протекающих   в   электронных   приборах   и устройствах; Уметь: ­производить элементов электронной   аппаратуры   по   заданным параметрам. Знать: ­методы расчета электрических цепей; ­типовые   узлы   и   устройства   электронной техники.       подбор Номер  Тестового задания (№ ) Номера заданий Тестового задания №1 №2 №3 №4 №5 №2 №1­18 №1­27 №1­13 №1­12 №1­15 №1­5 4. Материалы контроля ТЕСТОВЫЕ ЗАДАНИЯ: ИНСТРУКЦИЯ К ТЕСТАМ: Выберите один или несколько правильных ответов  Примеры тестов: 11Тест №1. Раздел 1. «Полупроводники». 1. Какими носителями электрического заряда создается ток в  полупроводниках? 1. электронами и дырками 2. только дырками 3. только электронами 2. Каким типом проводимости обладают полупроводники с акцепторной  примесью? 1. в основном дырочной 2. в основном электронной 3. электронной и дырочной 3. К полупроводнику р­n­типа подключен источник тока, как показано на рис. Будет ли амперметр регистрировать ток в цепи? 1. нет 2. да 3. определенного ответа дать нельзя 4. На представлены три варианта включения полупроводниковых диодов в  электрическую цепь с одним и тем же источником тока. В каком случае сила  тока в цепи будет иметь максимальное значение? 1. в случае А 2. в случае Б 3. в случае В 5. Каким типом проводимости обладают чистые полупроводники? 121. электронной и дырочной 2. только электронной 3. только дырочной 6. Каким типом проводимости обладают полупроводники с донорной  примесью? 1. в основном дырочной 2. в основном электронной 3. электронной и дырочной 7. К полупроводнику р­n­типа подключен источник тока, как показано на.  Будет ли амперметр регистрировать ток в цепи? 1. да 2. нет 3. определенного ответа дать нельзя  8. На представлены три варианта включения полупроводниковых диодов в  электрическую цепь с одним и тем же источником тока. В каком случае сила  тока в цепи будет иметь минимальное значение? 1. В случае А. 2. В случае Б. 3. В случае В. 9. Чем объясняется малая толщина базы в транзисторе? 1. необходимо, чтобы попадающие в базу с эмиттера основные носители  зарядов не успевали рекомбинировать 2. необходимо, чтобы попадающие в базу с эмиттера основные носители  зарядов успели рекомбинировать 133. необходимо, чтобы база не создавала большого сопротивления 10. Элемент какой группы следует ввести в полупроводник, относящийся к IV группе, чтобы получить в нем проводимость n­типа? 1. VI. 2. II. 3. III. 4. IV. 5. V. 11. Элемент какой группы следует ввести в полупроводник, относящийся к IV группе, чтобы получить проводимость р­типа? 1. III. 2. V. 3. II. 4. IV. 5. VI. 12. Добавление элемента V группы привело к возникновению проводимости  n­типа. К какой группе относится полупроводник? 1. V. 2. IV. 3. II. 4. III. 5. VI. 13. Какие носители тока являются основными в полупроводниках р­типа? 1. Дырки. 2. Электроны. 14. Какие носители тока являются неосновными в полупроводниках n­типа? 1. Электроны. 2. Дырки. 1415. В полупроводнике ток, переносимый электронами ­ Iэ, и ток, переносимый дырками ­ Iд. Если полупроводник обладает собственной проводимостью, то  какое соотношение токов будет верным? 1. Iэ = Iд 2. Iэ > Iд 3. Iэ < Iд 16. В полупроводнике ток, переносимый электронами ­ Iэ, и ток, переносимый дырками ­ Iд. Если полупроводник обладает проводимостью p­типа, то какое  соотношение токов будет верным? 1. Iэ < Iд 2. Iэ = Iд 3. Iэ > Iд 17. В полупроводнике ток, переносимый электронами ­ Iэ, и ток, переносимый дырками ­ Iд. Если полупроводник обладает проводимостью n­типа, то какое  соотношение токов будет верным? 1. Iэ > Iд 2. Iэ < Iд 3. Iэ = Iд 18. На рисунке показаны оба возможных включения р­n­перехода. Укажите, в  каком случае р­n­переход включен в прямом направлении. 1. Рисунок 1 ­ прямое включение, рисунок 2 ­ обратное. 2. Рисунок 1 ­ обратное включение, рисунок 2 ­ прямое. Ключ к тесту Вопрос 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 Ответ  1 1 1 1 2 1 2 1 1 1 5 1 2 1 1 1 1 1 Критерии оценки тестовых заданий. Оценка 5(отлично) Число правильных ответов 17­18 154(хорошо) 3(удовлетворительно) 2(неудовлетворительно) 14­16 10­13 9 и менее Тест №2. Раздел 1. «Полупроводники». 1. Выберете правильный ответ: электронная техника  ­ это  a) область науки и техники, связанная с изучением физических свойств,  методов исследования и практики применения устройств, основанных на  взаимодействии электронов с электрическим и магнитным полями в  вакууме или в твёрдом теле b)  область науки, связанная с изучением химических свойств, методов  исследования и практики применения устройств, основанных на  взаимодействии электронов с электрическим и магнитным полями в  вакууме или в твёрдом теле c) область, связанная с изучением методов исследования и практики  применения устройств 2. Полупроводник n – типа получают a) в результате внесения дополнительных электронов в кристаллическую  решётку, основными носителями являются электроны b) в результате недостатка электронов в его внешней оболочке, т.е.  образование дырок c) в результате внесения дополнительных электронов и дырок в  кристаллическую решётку d) в результате внесения атомов в кристаллическую решётку 3. Кристаллическая решётка имеет вид а) b) с) d) 4. К каким приборам относятся транзисторы? a) измерительным b) фотоэлектрическим c) полупроводниковым 16d)  ионным 5. Укажите правильный тип перехода транзистора? a) p­n­p b)  p­n c) n­p d)  p­p­n 6. Как иначе называется транзистор? a) диод b) тиратрон c) триггер d) триод 7. В качестве чего применяются транзисторы a) выпрямители фильтры b) c) усилители датчики d) 8. Основными параметрами выпрямителей являются a) b) c) d) e) f) среднее значение выпрямленного тока и напряжения мощность нагрузочного устройства  амплитуда основной гармоники выпрямленного напряжения коэффициент пульсации  КПД все вышеперечисленные 9. Выпрямители какой мощности работают на активную и активно­ емкостную нагрузку? a) средней мощности b) малой мощности c) большой мощности 10. Полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость  электрического сопротивления полупроводника от температуры a) терморезистор b) фоторезистор c) резистор 11. Полупроводниковый резистор, в котором сопротивление уменьшается  при повышении приложенного напряжения сверх определённого  значения a) ионистор 17b) фоторезистор c) варистор d) негистор 12.  Укажите условное графическое изображение стабилитрона а) b) с) d) 13.  Изображение, какого полупроводника изображено на рисунке a) диод b) тиристор c) транзистор d) резистор 14.  Выберете определение электронно – дырочного перехода это область контакта двух полупроводников с разными типами  это область контакта трёх полупроводников с разными типами  это хаотичное, беспорядочное перемещение электронов и дырок в  a) проводимости b) проводимости c) полупроводнике d) проводимости это область контакта разных полупроводников с одним типом  15.  Приборы которые обладают промежуточной проводимостью между  проводниками и диэлектриками a) аналоговые приборы b) полупроводниковые приборы c) цифровые приборы 16. Чем объясняется малая толщина базы в транзисторе? a) необходимо, чтобы попадающие в базу с эмиттера основные носители  зарядов не успевали рекомбинировать b) необходимо, чтобы попадающие в базу с эмиттера основные носители  зарядов успели рекомбинировать c) необходимо, чтобы база не создавала большого сопротивления 17.  Какой  пробой опасен для p­n­ перехода? 18a)  тепловой                                  с) тот и другой                                           b)  электрический                         d)  пробой  любого  вида неопасен 18.   В   каком   направлении   включается   коллекторный  p­n–переход   в транзисторе: a)  в обратном b)  в прямом c) это зависит от типа кристалла d)  это зависит от схемы включения транзистора 19.  По вольт­амперной характеристике  определите тип  полупроводникового диода  a) стабилитрон  b) варикап  c) туннельный  d) выпрямительный  e) 20.  Какие диоды используются для генерации электрических колебаний:  a)  туннельные; b)  импульсные; c)  стабилитроны. d)  для генерации электрических колебаний диоды не используются. 21.  Полупроводниковый диод, используемый в качестве электрически  управляемой емкости с достаточно высокой добротностью в диапазоне  рабочих частот a) стабилитрон b) фотодиод c) варикап d) светодиод 22.  Движением каких носителей заряда обусловлен ток биполярных  транзисторах? a) одной полярности b) обеих полярностей 23.  В каких полупроводниковых приборах используется управляемая  барьерная ёмкость? a) в стабилитронах b) в туннельных диодах c) в варикапах d) в выпрямительных диодах 1924.   Для вольт­амперной характеристики каких полупроводниковых  приборов характерно наличие участка с отрицательным  сопротивлением? a) светодиодов b) варикапов c) тунельных диодов d) фотодиодов 25.  Движение каких носителей заряда обусловлен ток в полевых  транзисторах? a) одной полярности b) обеих полярностей 26.  Какая схема включения транзистора обладает наибольшим  коэффициентом по мощности? a) с общим эмиттером b) с общей базой c) с общим коллектором 27.  Укажите УГО биполярного транзистора p­n­p перехода   Ключ к тесту Вопрос Ответ  Вопрос 2 a 4 1 а с 24 25 26 27 3 а 5 a 6 d 7 c 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 с f b b b b b с b a а a а с с а Ответ  с a а 4 Критерии оценки тестовых заданий. Оценка 5(отлично) 4(хорошо) 3(удовлетворительно) 2(неудовлетворительно) Число правильных ответов 24­27 17­23 12­16 11 и менее Самостоятельная работа студентов по теме «Полупроводниковые приборы» 1. Дополните схему классификации полупроводниковых приборов, данную на рис. 1 20Рис. 1. Классификация полупроводниковых приборов Допишите классификацию транзисторов в схеме рис. 2. 2. Рис. 2.  Классификация транзисторов 3. По названию полупроводниковых диодов в схеме «Классификация  полупроводниковых диодов» в отведённых квадратах нарисуйте услов­ но­графическое обозначение соответствующих диодов (рис. 3). 21Рис. 3. Классификация полупроводниковых приборов Тест №3. Раздел 1. «Транзисторы» 1. Какое из приведенных соотношений токов в биполярном транзисторе  является правильным? a) Iэ=Iб+Iк b) Iк=Iэ+Iб c) Iб=Iэ+Iк 2. В каком направлении включаются эмиттерный и коллекторный p­n  переходы биполярного транзистора? a) Это зависит от типа транзистора b) Оба перехода в прямом направлении c) Эмиттерный – в обратном, коллекторный – в прямом d) Эмиттерный – в прямом, коллекторный – в обратном 3. Транзистор VТ включён по схеме с общей базой (рис. 1.4.) Могут ли  превышать единицу коэффициент усиления по току КI и коэффициент  усиления по напряжению КU?  a) Оба коэффициента могут b) КI может, КU не может c) КI не может, КU может 4. При включении биполярного транзистора VТ по схеме с общей базой коэффициент усиления по току равен 0,95. Чему будет равен коэффициент  усиления по току биполярного транзистора если его включить по схеме с  общим эмиттером как показано на рисунке. 22a) b) c) d) 0, 95 0,05 19 20 5. В транзисторе марки КТ315А, включенном по схеме с общим эмиттером, ток базы изменился н 0,1мА. Как при этом изменится ток эмиттера если коэффициент усиления  a) 4 мА b) 0,4 мА c) 40 мА На рисунке приведена схема усилительного каскада с общим  6. эмиттером. В каком направлении смещены эмиттерный и коллекторный  переходы транзистора VТ, работающего в режиме отсечки? a) оба перехода смещены в обратном направлении b) оба перехода смещены в прямом направлении c) эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный в  обратном d) эмиттерный переход смещён в обратном направлении, а коллекторный в  прямом В каком направлении смещены эмиттерный и коллекторный переходы 7. транзистора VТ на рисунке, если он находится в активном режиме? a) оба перехода смещены в обратном направлении b) оба перехода смещены в прямом направлении c) эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный в  обратном d) эмиттерный переход смещён в обратном направлении, а коллекторный в  прямом В каком направлении смещены эмиттерный и коллекторный переходы 8. транзистора VТ на рисунке, если он находится в режиме насыщения? a) оба перехода смещены в обратном направлении b) оба перехода смещены в прямом направлении c) эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный в  обратном d) эмиттерный переход смещён в обратном направлении, а коллекторный в  прямом 9. усиление входного сигнала Uвх до уровня выходного сигнала Uвых? В каком режиме работы транзистора VТ на рисунке происходит  23a) в режиме отсечки b) в активном режиме c) в режиме насыщения 10. Среди перечисленных высказываний о полевых транзисторах (ПТ)  найдите неправильное a) Сток, исток и затвор ПТ не являются аналогами коллектора, эмиттера и базы биполярного транзистора b) В качестве аналоговых переключателей и усилителей со сверхвысоким  входным сопротивлением ПТ не имеют себе равных c) ПТ целесообразно использовать в качестве резисторов, управляемых  напряжением (нелинейных резисторов) и источников тока d)  ПТ особенно полезны в интегральных микросхемах, для создания больших  интегральных схем, применяемых в микрокалькуляторах, микропроцессорах В каком направлении включены p­n переходы затвора полевого  11. транзистора показанного на рисунке a) b) c) не изменится увеличится уменьшится Какая из передаточных 12. характеристик Ic=f(Uзи) принадлежит полевому МОП – транзистора с  индуцированным каналом? a) I b) II c) III d) a) биполярные транзисторы b) полевые транзисторы c) тиристоры Какие элементы целесообразно использовать для преобразования  13. электрической энергии больших мощностей? Ключ к тесту Вопрос 1 2 3 4 5 6 7 Ответ а d c c a a c 8 b 9 10 11 12 13 b а с с с Критерии оценки тестовых заданий. Оценка Число правильных 245(отлично) 4(хорошо) 3(удовлетворительно) 2(неудовлетворительно) ответов 12­13 10­11 8­9 7 и менее Тест №4. Раздел 1. «Тиристоры» 1. Четырёхслойный полупроводниковый прибор, состоящий из  последовательно чередующихся областей p и n типов проводимости a) транзистор b)диод c) тиристор d)ионистор 2. К группе тиристоров относятся: a) динисторы b) тринисторы c) симисторы d) все выше перечисленные 3. Какие тиристоры симметричные, т.е. имеют симметричную ВАХ? a) динисторы b) тринисторы c) запираемые тиристоры d) симисторы 4. Как называются внутренние p и n области динистора? a) эмиттером b)базой c) коллектором 5. По вольт­амперным характеристикам  определите тип тринистора: a) 25b) c) 6. Как называется средний p­n переход в динисторе? a) коллекорный b)эмиттерный c) базовый 7. Укажите УГО тринистора с управлением по катоду. a) b) c) d) 8. Изображение какого тиристора изображено на рисунке? 26a) динистор b)тринистор  c) симистор 9. Выберете основные параметры тиристоров: a) напряжение (U вкл, Uост) b)ток (Iвкл, Iвыкл) c) ток утечки (Iу) d)время (tвкл, tвыкл) e) все выше перечисленные 10. В результате чего происходит лавинный пробой коллекторного  перехода в динисторе? a) если к аноду «+», а к катоду «­» напряжение b)если к аноду min «­», а к катоду min «+» напряжение c) если к аноду max «­», а к катоду max «+» напряжение 11. Какой способ используется на практике для перевода триодного  тиристора из закрытого состояния в открытое? a) повышение анодного напряжения b) изменение полярности напряжения на управляющем электроде c) подача положительного напряжения на управляющий электрод d) изменение полярности анодного напряжения 12. Какой способ используется на практике для перевода триодного  тиристора из открытого состояния в закрытое? a) изменение полярности анодного напряжения b) установление анодного тока ниже тока удержания c) подач отрицательного напряжения на управляющий электрод Ключ к тесту Вопрос 1 2 3 4 5 6 7 Ответ c d d b b a c 8 b 9 10 11 12 е c с а Критерии оценки тестовых заданий. Оценка 5(отлично) 4(хорошо) 3(удовлетворительно) Число правильных ответов 11­12 9­10 7­8 272(неудовлетворительно) 6 и менее Тест №5. Раздел 2. «Электровакуумные приборы». 1. Выберите правильное определение: электровакуумным прибором называют, электронные приборы принцип  электровакуумным прибором называют, электронные приборы принцип  a) действия которых основан на движении электронов в вакууме при работе в  различных электрических полях b) действия которых основан на движении дырок в вакууме при работе в различных  электрических полях c) действия которых основан на движении электронов и дырок при работе в  различных электрических полях электровакуумным прибором называют, электронные приборы принцип  2. Принцип действия всех электровакуумных приборов основан на: a) термоэлектронной эмиссии b) фотоэлектронной эмиссии c) электронной эмиссии d) вторичной эмиссии 3. Выберете основное устройство электровакуумной лампы: a) анод, катод b) анод, катод и управляющий электрод c) анод, катод и управляющая сетка d) анод, катод, управляющая сетка и управляющий электрод 4. Катод в электронной лампе служит источником.. a) дырок b) электронов c) положительного и отрицательного потенциала 5. Из какого материала выполняется управляющая сетка? a) меди, алюминия b) германия, кремния c) никеля, молибдена 6. Укажите УГО тетрода 287. Выберете ВАХ электровакуумного триода: a) a) b) c) d) b) с) 8. УГО какого электровакуумного прибора изображенно на схеме  a) диода b) триода c) тетрода d) пентода 9. Электровакуумный прибор с тремя сетками: управляющей,  экранной и антидинатронной диод триод тетрод пентод 10. Что обозначает вторая буква электровакуумного диода (6Д20П) a) порядковый номер b) напряжение накала c) конструктивное выполнение d) тип электровакуумного прибора 11.Выберете катод с косвенным накалом a)  катоды, у которых напряжение накала подаётся непосредственно на катод b) катоды, у которых напряжение накала подаётся непосредственно на анод c)  катоды выполняются в виде трубки, внутри которой расположена спираль  (нить накала) 12. Отличие электровакуумных диодов от полупроводниковых a) обратный ток в них полностью отсутствует, выдерживают более высокое  напряжение b) обратный ток в них полностью присутствует, выдерживают более высокое  напряжение c) не способны выдерживать большие перегрузки 2913. Выберите из представленных формул – формулу крутизны ВАХ  электровакуумного диода a) b)  с)  d)  14. Какая ёмкость влияет на частотные свойства триода? a) входная b) выходная c) проходная d) все выше перечисленные 15. Напряжение на сетке, при котором ток анода становится равным нулю a) напряжение утечки b) напряжение отсечки c) напряжение сетки Ключ к тесту Вопрос 1 2 3 4 5 6 7 Ответ a c c b c в b 8 a 9 10 11 12 13 14 15 d d с а b с b Критерии оценки тестовых заданий. Оценка 5(отлично) 4(хорошо) 3(удовлетворительно) 2(неудовлетворительно) Число правильных ответов 14­15 11­13 8­10 7 и менее Тест №6. Раздел 3. «Интегральные микросхемы». 1. Выберете определение интегральной микросхемы a) микроэлектронное устройство выполняющее функции целой электрической  схемы и выполненное как единое целое b) монолитное изделие, предназначенное для выполнения функций заданного  каскада или целой системы, компоненты которой соединена между собой  определённым образом c) совокупность большого количества взаимосвязанных  компонентов(транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов), изготовленная  в едином технологическом цикле на одной несущей конструкции (подложке) и  выполняющая определенную функцию преобразования информации d) все выше перечисленные 30По технологии изготовления интегральные микросхемы  2. классифицируются по следующим признакам: a) клеёночные, гибридные, проводниковые b) плёночные, гибридные, полупроводниковые c) плёночные, аналоговые, полупроводниковые 3. Выберете определение гибридных интегральных микросхем a)  ИМС, у которых пассивные элементы выполнены по тонкоплёночной  технологии, а активные элементы выполненные как отдельные, навесные,  бескорпусные b) ИМС, у которых все элементы выполнены в виде тонких плёнок, нанесённых на диэлектрическое основание c)  ИМС, у которых все элементы выполнены в кристалле полупроводника 4. Выберете аналоговый процесс преобразования и обработки информации a) b) 5. Функциональную сложность ИС характеризуют степенью интеграции, т. е. количеством элементов на кристалле, если N  105   a) интегральная схема (ИС) b) интегральная схема средней степени интеграции (СИС) c) большая интегральная схема (БИС) d) сверхбольшая интегральная схема (СБИС) Ключ к тесту Вопрос 1 2 3 4 5 Ответ d b а а c Критерии оценки тестовых заданий. Оценка 5(отлично) 4(хорошо) 3(удовлетворительно) 2(неудовлетворительно) Число правильных ответов все 4 3 2 и менее 31Требования к объему тестовых заданий:  к промежуточной аттестации (зачет, дифференцированный зачет, А)  от 32 ­ 80 часов по дисциплине:   30 ­ 40 заданий. Б) от 80 и больше часов  –  больше заданий. экзамен)  текущий   и   рубежный   контроль  –   количество   заданий   по   усмотрению преподавателя. 4.1. Тестовые задания Структура тестового задания  Инструкция Устанавливает необходимое действие испытуемого  («правила игры»)  Например: Выберите один правильный ответ.   Дополнительная инструкция  Служит для концентрации внимания испытуемых на графической и (или)  текстовой части задания. Например: Рассмотрите рисунок и прочитайте пояснение под ним, чтобы решить  поставленную задачу.  Тестовые  задания включают: 4.1. 2. Примерный тест 4.1. 3. Ключ к Примерному тесту. 4.1. 4. Критерии оценки тестовых заданий. 4.2.   Задания к промежуточной аттестации. 4.2.1. Экзаменационные вопросы: 1. Значение и содержание учебной дисциплины "Электронная техника" и  связь ее с другими дисциплинами профессионального цикла. 2.  Краткий обзор и  основные  направления  развития  и  применения  промышленной электроники. Как изучать электронику?  3. Физические свойства электронов, электрон как элементарная частица.  Движение электронов в магнитном поле. Виды электронной эмиссии. 4. 5. Определение и классификация электронных приборов. Собственная проводимость и способы образования примесных  проводимостей полупроводников. Дрейфовый ток в полупроводниках. 326.  Свойства и структура полупроводников, электронная и дырочная  примесная проводимости. Дрейфовый ток в полупроводниках. 7. 8. Перечислите достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Общие сведения о переходах в полупроводниках, образование  полупроводникового перехода. Электронно­дырочный переход при отсутствии  внешнего напряжения. 9. Возникновение потенциального барьера, высота барьера, контактная  разность потенциалов.  10. Ёмкости перехода в полупроводниках. Пробой p­n перехода:  электрический, тепловой. 11. Электронно­дырочный переход при прямом и обратном включении p­n  перехода, инжекция и экстракция носителей заряда. 12. Общие сведения о фотоэффекте в полупроводниках,  фотопроводимость полупроводников. 13. Фотоэлектронная эмиссия, фотогальванический эффект, излучение в  полупроводниках. 14. Общие сведения о простейших полупроводниковых приборах:   резисторы, конденсаторы ­ конструкция, работа, характеристики. 15.  Общие сведения о простейших полупроводниковых приборах:   варисторы и негисторы, конструкция, работа, характеристики.  16. Общие сведения о простейших полупроводниковых приборах:   терморезисторы и позисторы, ионисторы ­  конструкция, работа,  характеристики. 17. Возникновение термо ­ ЭДС. Полупроводниковые термоэлементы,  конструкция, работа, характеристики. 18.  Основные сведения о фоторезисторах, конструкция, работа,  характеристики, схема включения. 19. Классификация полупроводниковых диодов. Маркировка и  обозначение полупроводниковых диодов. Устройство  диодов, особенности  конструкции диодов.  20. Вольт – амперная характеристика диода, параметры прямой и  обратной ветви ВАХ, пробой в диодах. Параметры диодов. 21. Выпрямительные диоды, особенности конструкции, параметры и  применение. Однополупериодная схема выпрямления на диодах, работа,  диаграммы работы и параметры.  22. Классификация диодов по функциональному назначению: импульсные  диоды, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды. ВАХ диодов. 23. Общие сведения о переключающих полупроводниковых приборах.  Классификация и обозначение тиристоров. Конструкция тиристора, схема  включения.  Вольт – амперная характеристики динистора, схема включения и его  24. работа.  3325. Вольт – амперная характеристики тринистора и его работа, управление включением тринистора. Основные параметры тринисторов. 26.  Вольт – амперная характеристика симистора схема включения, работа симистора. Основные параметры. 27. Общие сведения о транзисторах. Устройство и обозначение  биполярных транзисторов. 28.  Классификация биполярных транзисторов. Маркировка транзисторов.  Устройство сплавного и диффузионного транзистора. Достоинства и  недостатки транзисторов. 29. Схемы включения транзисторов на источники питания в усилительном  режиме. Физические процессы при работе транзистора n­p­n проводимости.  Схема подключения транзистора n­p­n проводимости на источники питания. 30. Общие сведения о схемах включения транзисторов. Схема включения  транзистора с общим эмиттером и ее параметры.  31. Общие сведения о схемах включения транзисторов. Схема включения  транзистора с общей базой.  32. Общие сведения о схемах включения транзисторов. Схема включения  транзистора с общим коллектором. 33. Характеристики маломощных транзисторов. Сравнительный анализ  входных и выходных характеристик транзисторов. Характеристики  транзистора в схеме с общей базой. 34. Параметры транзисторов, общие сведения. Температурные свойства  транзисторов.  35. Параметры транзисторов, общие сведения. Частотные свойства  транзисторов.  36. Общие сведения и обозначения полевых транзисторов. Конструкция  полевого транзистора. Принцип работы полевого транзистора с n­каналом.  37. Конструкция полевого транзистора с изолированным затвором. Работа  транзистора с изолированным затвором. 38. Характеристики полевого транзистора с изолированным затвором.  Выходная (стоковая) характеристика полевого транзистора. Стоко – затворная  характеристики полевого транзистора.  39. Конструкция полевого транзистора со встроенным каналом. Работа  транзистора со встроенным каналом. 40. Общие сведения и классификация электровакуумных приборов. 41.  Обозначение электронных ламп. Конструкция электронных ламп.  Устройство катодов, анодов и сеток.  42. Электронная эмиссия. Особенности устройства ламп.  Термоэлектродные катоды. 43. Схема включения и принцип действия диодов. Двухполупериодная  схема выпрямления на диодах.  3444. Анодная характеристика диода. Крутизна анодной характеристики.  Основные типы и применение диодов. Знакосинтезирующие индикаторы, светодиодный цифровой индикатор, 45. Общие сведения об индикаторах, классификация индикаторов,  определения по индикаторам. 46. накальный вакуумный индикатор, электролюминесцентные индикаторы,  жидкокристаллические индикаторы. 47. Электрический разряд в газах, тлеющий разряд, дуговой разряд, ВАХ  разряда.  48. Приборы тлеющего разряда, тиратроны. 49. Общие сведения о дисплеях, электронные и электрофорезные дисплеи. 50. Интегральные схемы – средства дальнейшей миниатюризации и  повышения надежности электронной аппаратуры. 51. Общие сведения, классификация интегральных микросхем, система  обозначений. Пленочные и гибридные интегральные схемы, резисторы,  конденсаторы, катушки. Структура микросхем. 52. Физические основы пьезоэлектроники, приборы пьезоэлектроники,  простейшие схемы, кварцевые резонаторы.                                                                                                     (наименование учебной дисциплины) Учебная дисциплина ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА_ ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 1 Значение и содержание учебной дисциплины "Электронная техника" и  1. связь ее с другими дисциплинами профессионального цикла. 2. входных и выходных характеристик транзисторов. Характеристики транзистора  в схеме с общей базой. Характеристики маломощных транзисторов. Сравнительный анализ  Составитель                                Е.Н. Короткова_                                                                                                                                                                   (подпись)                      Председатель МО                                  Е.Н. Короткова                                                                                                                                                                                                       (подпись)                      «____»__________________20____ г 35Примечание   *   Практическая   (ое)   задача/задание   включается   по   усмотрению преподавателя. К  комплекту  экзаменационных  билетов  прилагаются   разработанные  преподавателем   и утвержденные на заседании рабочей группы критерии оценки по учебной дисциплине.  Критерии оценки: ­ оценка   «отлично»  выставляется   студенту,   если   дан   правильный   ответ   на     два теоретических вопроса и решена правильно задача; ­ оценка «хорошо» если дан один правильный ответ на теоретический вопрос и решена правильно задача или только если даны два правильных ответа на теоретические вопросы; ­ оценка «удовлетворительно»  если дан правильный ответ на один из теоретических вопросов или решена задача; ­ оценка «неудовлетворительно» если  не дан правильный ответ на теоретический  вопрос и  не решена задача      Примеры задач к экзаменационным билетам №   1 По   вольт­амперной     характеристике   кремниевого   выпрямительного     диода КД103А  при  t = 20 °С (рис. 1.1) определить сопротивление постоянному току при прямом включении для напряжений  Uпр = 0,4; 0,6; 0,8 В. Построить график зависимости R0 = f (Uпр) . №  2 Используя вольт­амперную характеристику диода КД103А при t = 20 °С (рис. 1.1), определить сопротивление постоянному току при обратном включении для напряжений Uобр = – 50; –100; – 200 В.   Построить график зависимости R0 = f (Uобр).  36Рис. 1.1. Вольт­амперная характеристика диода № 3  Построить зависимость сопротивления постоянному току диода КД103А при прямом   включении   от   температуры   окружающей   среды,   используя характеристики, представленные на рис. 1.1, для прямого напряжения Uпр  = 0,4; 0,6; 0,8 В. № 4 Построить   график   зависимости   сопротивления   постоянному   току   диода КД103А при обратном включении от температуры окружающей  среды, используя вольт­амперные характеристики рис. 1.1, для обратного напряжения Uобр= – 50; – 100 В. № 5 По   вольт­амперным   характеристикам   диода   КД103А   (рис.   1.1)   определить изменения прямого тока при изменении температуры   от – 60 до + 120 °С для значений прямого напряжения Uпр = 0,4; 0,6; 0,8; 1 В. 4.2.2.  Критерии оценки к экзамену ­ оценка   «отлично»  выставляется   обучающемуся,   если   дан   правильный ответ на 2 теоретических вопроса и выполнена правильно практическая задача; ­ оценка «хорошо» если дан правильный ответ на 1 теоретический вопрос и выполнена правильно практическая задача или если даны правильные ответы на два теоретических вопроса; ­ оценка   «удовлетворительно»  если   дан   правильный   ответ   на   1 теоретический вопрос или выполнена правильна практическая задача; оценка   «неудовлетворительно»    если     не   дан   правильный   ответ   на   2 теоретических вопроса и не выполнена правильно практическая задача. 37