Электрический ток через контакт полупроводников р- и n-типов

Рассмотрим другой вариант перехода носителей заряда. Подключим p-n переход к источнику тока следующим образом: p-область соединим с положительным полюсом, а n-область - с отрицательным полюсом. В результате действия электрического поля появляется движение основных носителей зарядов через контактный слой. Такой способ подключения называют включением в прямом направлении. Если поменяем полюса, то ширина запирающего слоя увеличивается, и движение основных носителей зарядов через контактный слой прекращается, но возможно движение неосновных зарядов через контактный слой. Этот способ подключения называют обратным. Зависимость силы тока от напряжения или, говоря другими словами, вольт-амперная характеристика полупроводникового диода выражена кривой АОВ(Бэ). Причем ветвь ОВ соответствует пропускному направлению тока, когда ток создается основными носителями зарядов, т.е. при прямом подключении, и при увеличении напряжения сила тока возрастает. Ветвь АО соответствует току, созданному неосновными носителями зарядов, т.е. обратное подключение, и значения силы тока невелики. Свойства р-п-перехода. 1. Образуется запирающий слой шириной Дэ равный 10 в минус седьмой степени метра, образованный зарядами ионов примеси, потенциал изменения напряжения которых изменяется от ноль целых 4 десятых, до ноль целых восьми десятых вольт, т.е. включением в обратном направлении. Напряженность будет равна отношению разности потенциалов к ширине запирающего слоя. Подставив данные найдем, что потенциал будет равен 4 на 10 в шестой степени вольт на метр. 2. Направление внешнего поля (источника) совпадает с направлением контактного поля. Ток у основных носителей заряда отсутствует. Существует слабый ток неосновных носителей заряда. Такое включение называется обратным. 3. Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда. 4. p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении – это свойство односторонней проводимости.