Материалы к урокам физики

  • docx
  • 23.10.2021
Публикация в СМИ для учителей

Публикация в СМИ для учителей

Бесплатное участие. Свидетельство СМИ сразу.
Мгновенные 10 документов в портфолио.

Иконка файла материала ОСНОВЫ СОВРЕМЕННОЙ ФИЗИКИ.docx

Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики

 

 

 

 

Ю.Д. Корнюшкин

 

ОСНОВЫ СОВРЕМЕННОЙ ФИЗИКИ

(Квантовая механика, физика атомов и молекул, физика твердого тела, ядерная физика)

 

Учебное пособие

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

Санкт-Петербург

2005


Корнюшкин Ю.Д. Основы современной физики (квантовая механика, физика атомов и молекул, физика твердого тела, ядерная физика) / Учебное пособие. СПб: СПбГУ ИТМО, 2005. 326 с.

 

Пособие составлено в соответствии с программой по физике для технических вузов. В нем в доступной форме изложены ос- новы квантовой механики, атомной физики, физики твердого тела, физики атомного ядра. Автор, по возможности, стремился изложить основные достижения физики двадцатого века.

В основе пособия лежат лекции, прочитанные автором в тече- ние ряда лет для студентов СПбГУ ИТМО. Главное внимание в пособии уделено обсуждению физического смысла и содержа- ния основных законов природы в области микромира, а также физике твердотельного состояния.

Учебное пособие предназначено, в первую очередь, для сту- дентов младших курсов. Однако оно может быть полезным и студентам старших курсов, а также аспирантам и преподавате- лям различных специальностей.

 

Рецензент – Е.П. Григорьев, профессор Санкт-Петербургского государственного университета

 

© Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики,

2005

© Корнюшкин Ю.Д.,

2005


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Юрий Дмитриевич Корнюшкин

 

ОСНОВЫ СОВРЕМЕННОЙ ФИЗИКИ

(квантовая механика, физика атомов

и молекул, физика твердого тела, ядерная физика)

 

Учебное пособие

 

Редакторы К.К. Боярский, А.В. Сечкарев, С.К. Стафеев, Н.А. Ярышев

 

Редакционно-издательский отдел Санкт-Петербургского университета информационных технологий, механики и оптики

Лицензия № 00408 от 05.11.99.

Зав. РИО Н.Ф. Гусарова Подписано к печати 05.02.2005.

 

Заказ № 806.

 

Тираж 100 экз.


 


Содержание


ПРЕДИСЛОВИЕ....................................................................................................... 6

ПРЕДИСЛОВИЕ АВТОРА........................................................................................ 7

ГЛАВА 1.  ЗАКОНЫ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ                                    9

           ВОЛНА ДЕ БРОЙЛЯ......................................................................................... 9

           ОПЫТ ДЭВИССОНА - ДЖЕРМЕРА............................................................... 13

           ВОЛНОВАЯ ФУНКЦИЯ.................................................................................. 19

           ФИЗИЧЕСКИЙ СМЫСЛ ВОЛНОВОЙ ФУНКЦИИ.......................................... 21

           СООТНОШЕНИЯ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТЕЙ................................................... 26

           УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА......................................................................... 34

           ЭЛЕКТРОН В ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ЯМЕ......................................................... 40

                 Линейный гармонический осциллятор......................................... 41

а) Классический осциллятор....................................................................... 41

б). Квантовый осциллятор........................................................................... 44

                 Движение электрона в потенциальной яме с плоским дном...... 47

                 Движение электрона над потенциальной ямой............................. 54

                 Движение электрона над потенциальным барьером.................. 57

1.7.5 Движение электрона в направлении потенциального

барьера конечной толщины............................................................................ 60

1.7.6. Автоэлектронная эмиссия................................................................... 64

ГЛАВА 2. ФИЗИКА АТОМОВ И МОЛЕКУЛ                                           66

            ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ.................................................................................. 66

           ОПЕРАТОР МОМЕНТА ИМПУЛЬСА............................................................. 67

           АТОМ ВОДОРОДА......................................................................................... 71

           СНЯТИЕ ВЫРОЖДЕНИЙ СОСТОЯНИЙ В АТОМЕ ВОДОРОДА................... 75

4.1. Снятие вырождения состояний по магнитному

квантовому числу.......................................................................................... 75

4.2 Снятие вырождений по орбитальному квантовому числу........ 78

           СПЕКТРАЛЬНЫЕ СЕРИИ АТОМА ВОДОРОДА............................................ 81

           СПЕКТРАЛЬНЫЕ СЕРИИ АТОМОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ.................... 83

            ФИЗИЧЕСКАЯ ПРИЧИНА ВОЗНИКНОВЕНИЯ ТОНКОЙ СТРУКТУРЫ В СПЕКТРЕ АТОМОВ ЩЕЛОЧНЫХ И ЩЕЛОЧНОЗЕМЕЛЬНЫХ

ЭЛЕМЕНТОВ.................................................................................................. 89

           ЭНЕРГИЯ СПИН-ОРБИТАЛЬНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ............................ 96

           РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В АТОМЕ ПО СЛОЯМ

И СОСТОЯНИЯМ.......................................................................................... 100

               ДВУХАТОМНАЯ МОЛЕКУЛА.................................................................. 102

ГЛАВА 3. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА                              114

            КЛАССИФИКАЦИЯ ТВЕРДЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕЛ....................... 114

                 Ионные кристаллы.......................................................................... 117

                 Ковалентные кристаллы.............................................................. 118

                 Металлические кристаллы........................................................... 119

                 Молекулярные кристаллы............................................................. 120

            ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ КЛАССИЧЕСКОЙ И КВАНТОВОЙ СТАТИСТИКИ....................................................................... 120

           ФУНКЦИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФЕРМИИРАКА...................................... 125

           КВАЗИЧАСТИЦЫ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ ТВЕРДОМ ТЕЛЕ.................... 131

               Фононы кристаллической решетки............................................. 131

               Квазиэлектроны кристаллической решетки............................ 137

           РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ПО ЭНЕРГИЯМ............. 139

           ЯВЛЕНИЕ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ........................................................... 145

           СВОБОДНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКЕ

ТВЕРДОГО ТЕЛА......................................................................................... 152

               Адиабатическое приближение..................................................... 152

               Приближение самосогласованного поля.................................... 153

               Приближение почти свободных электронов............................ 154

               Приближение сильной связи.......................................................... 155

           ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ............................................................... 156

            ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА КВАЗИЭЛЕКТРОНА В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ............ 161

               ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ................................................................. 164

             ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ В СОБСТВЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ............................................................................... 167

               ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ......................................................... 171

               ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ................................... 175

                   Собственный полупроводник...................................................... 176

                   Примесные полупроводники........................................................ 178

               КОНТАКТ ДВУХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.................................................. 179

               ФИЗИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ КОНТАКНОГО СЛОЯ

В p-n ПОЛУПРОВОДНИКЕ.......................................................................... 182

               КОНТАКТ МЕТАЛЛ - ПОЛУПРОВОДНИК................................................ 187

               СООТНОШЕНИЕ ЭЙНШТЕЙНА............................................................... 191

               ВЫПРЯМЛЯЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ p-n ПЕРЕХОДА..................................... 193

               ТРАНЗИСТОРЫ......................................................................................... 199

               ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ........................ 203

                   Фоторезисторы (фотосопротивления).................................. 204

                   Фотодиоды, фотоэлементы....................................................... 206

               ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ЛАЗЕРОВ........................................... 211

                   Время жизни атома в возбужденном состоянии................. 211

                   Принцип детального равновесия............................................... 214

                   Основные принципы работы лазеров....................................... 217

                   Гелий -неоновый лазер................................................................... 218

                   Полупроводниковые лазеры......................................................... 221

               ЭМИССИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ..................................................................... 229

                   Термоэлектронная эмиссия из металлов................................. 230

                   Полевая электронная эмиссия.................................................... 236

                   Фотоэлектронная эмиссия......................................................... 237

Фотоэлектронная эмиссия из металлов                   239

Фотоэлектронная эмиссия из полупроводников     241

ГЛАВА 4.  ОСНОВЫ ФИЗИКИ АТОМНОГО ЯДРА                           242

            ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ЧАСТИЦЫ..................................................................... 242

              Основные свойства элементарных частиц............................... 244

               Кварковая структура адронов..................................................... 247

           СТРОЕНИЕ АТОМНОГО ЯДРА................................................................... 250

           ЭНЕРГИЯ СВЯЗИ ЯДРА............................................................................... 251

           ЯДЕРНЫЕ СИЛЫ......................................................................................... 255

           СТРОЕНИЕ АТОМНЫХ ЯДЕР..................................................................... 261

               Модель жидкой капли..................................................................... 265

           ФОРМУЛА ВЕЙЦЗЕККЕРА......................................................................... 265

           МЕЗОННАЯ ТЕОРИЯ ЯДЕРНЫХ СИЛ......................................................... 268

           МОДЕЛЬ ЯДЕРНЫХ ОБОЛОЧЕК................................................................. 272

           НАПРАВЛЕННОСТЬ РАДИОАКТИВНЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ....................... 278

               РАДИОАКТИВНОСТЬ............................................................................... 283

                   Закон радиоактивного распада................................................. 284

                   a- распад.......................................................................................... 288

                   b- распад........................................................................................... 296

               ЯДЕРНЫЕ РЕАКЦИИ................................................................................. 299

               ЭФФЕКТИВНОЕ СЕЧЕНИЕ ЯДЕРНОЙ РЕАКЦИИ.................................... 303

               ДЕЛЕНИЕ ТЯЖЕЛЫХ ЯДЕР ПРИ ЗАХВАТЕ НЕЙТРОНА......................... 304

            ПРОДУКТЫ ДЕЛЕНИЯ УРАНА ПОД ДЕЙСТВИЕМ ТЕПЛОВЫХ НЕЙТРОНОВ............................................................................ 311

               ЦЕПНАЯ ЯДЕРНАЯ РЕАКЦИЯ.................................................................. 314

               РЕАКЦИИ СИНТЕЗА ЛЕГКИХ ЯДЕР......................................................... 319

                   Термоядерные реакции................................................................. 319

                   Термоядерные источники энергии Солнца.............................. 324


Предисловие

 

Автор предлагаемого учебного пособия, кандидат технических наук, доцент Юрий Дмитриевич Корнюшкин более полувека проработал на кафедре физики СПБГУ ИТМО. Все годы Великой Отечественной войны вплоть до Победы он провел на фронте, выполнял тяжелые во- енные обязанности рядового, автоматчика, артиллериста, а после войны закончил инженерно-физический факультет и аспирантуру. В течение многих лет он проводил все виды занятий, включая полный лекционный цикл по курсу общей физики, участвовал в составлении ряда учебно-методических пособий.

Ю.Д. Корнюшкиным написан и опубликован обширный цикл работ по физической электронике.

До последнего времени он проявлял неизменный интерес к совер- шенствованию учебно-лабораторного практикума, постановке новых современных лабораторных работ.

Предлагаемая читателю книга – последний труд Ю.Д. Корнюшкина, закончить который помешала его внезапная кончина в канун 80- летнего юбилея.

Сотрудники кафедры, ознакомившись с содержанием рукописи (проф. А.В. Сечкарев – гл. 1, 2; проф. С.К. Стафеев и доц. К.К. Бояр- ский – гл. 3; проф. Н.А Ярышев – гл. 4), считают, что данное учебное пособие по своему содержанию значительно превышает тот объем заключительной части лекционного курса физики, который читается в последние годы на инженерных факультетах нашего университета. Рецензенты кафедры не пытались вносить в содержание и структуру пособия существенные дополнения, о которых сказано в авторском предисловии, а ограничились лишь исправлением замеченных неточ- ностей, сохраняя авторский стиль изложения. Учтено также большин- ство замечаний, сделанных рецензентом рукописи д.ф.-м.н., профес- сором Е.Г. Григорьевым.

Считаем, что данное пособие будет полезным дополнением к имеющимся учебникам и позволит студентам младших и старших курсов расширить кругозор в области современной физики.

 

Зав. кафедрой физики,

д.т.н., профессор                                             С.К. Стафеев


Предисловие автора

 

Одна из главных задач преподавания физики в вузе состоит в том, чтобы объяснить студенту основные законы природы, развить у него навыки использования полученных знаний, а также выработать осно- вы логики физического мышления, особенностью которого является умение не только оперировать идеальными моделями изучаемого яв- ления, но и соотносить эти модели с реальной действительностью.

Физика - быстро развивающаяся наука. И то, что ранее казалось ее новыми достижениями, через некоторое время на поверку оказывается либо устаревшими, либо общепринятыми представлениями. При  этом, однако, старые достижения не становятся неверными: развитие физики лишь определяет границы их применимости.

Настоящее учебное пособие предназначено для студентов, обучаю- щихся по программе 2-го курса технического университета, но, тем не менее, некоторые его разделы могут быть полезными студентам стар- ших курсов, аспирантам и преподавателям.

В главе 1 формулируются основные законы квантовой механики в наиболее доступной для понимания студентами 2-го курса форме. В ней рассмотрено движение электрона в потенциальной яме конечной глубины. В результате полная энергия электрона оказывается завися- щей от ширины и глубины потенциальной ямы, плотность уровней полных энергий в пределах потенциальной ямы распределена нерав- номерно.

Глава 2 посвящена физике атомов и молекул. В ней, в частности, объясняется физическая причина вырождения состояний в атоме во- дорода по орбитальному и магнитному квантовым числам. При анали- зе двухатомной молекулы вводится понятие обменного взаимодейст- вия. Обсуждается физическая природа спин-орбитального взаимодей- ствия и влияния его на особенности спектров атомов щелочных ме- таллов.

В главе 3 излагаются основы физики твердого тела. Значительный акцент сделан на физике сверхпроводников 2-го рода как наиболее перспективных в настоящее время сверхпроводников. Подробно об- суждается внутренний фотоэффект в полупроводниках. Объясняются физические принципы работы фотосопротивлений, фотодиодов, фото- элементов, оптронной пары. Сформулированы физические принципы создания гетеропереходов. Объяснена физика лазерного излучения.


В главе 4 обсуждаются основы физики атомного ядра. В отличие от общепринятого подхода, изложение основ физики атомного ядра на- чинается с обзора физических свойств элементарных частиц. Теория α-распада доводится до количественного расчета энергии вылетевших из ядра α-частиц.

Следует заметить, что распределение изложения по отдельным гла- вам довольно неравномерно. Наибольший объем приходится на 3-ю главу, и это не случайно: именно этот раздел физики во второй поло- вине 20 века получил наибольшее развитие, именно в этой области были сделаны наиболее выдающие достижения и открытия.

Основой учебного пособия являлись лекции, прочитанные автором в течение многих лет в Ленинградском институте точной механики и оптики на дневном отделении. Пособие охватывает все основные раз- делы современной физики, а именно, элементы квантовой механики, физики атомов и молекул, физики твердого тела, физики атомного ядра и элементарных частиц. Автор по возможности пытался на дос- тупном для студентов уровне изложить основные идеи современной физики, объяснить явления и законы в области микромира.

Как правило, изложение ведется с использованием математического аппарата, известного студентам 2-го и старших курсов.

Автор в пособии сознательно широко использовал математику, счи- тая, что только на ее основе можно строго объяснить основные законы природы. Это, в первую очередь, относится к применению теории дифференциальных уравнений, используемых при анализе некоторых конкретных задач с целью выявления количественных физических закономерностей в изучаемых явлениях природы.

Применение доступного для студентов математического аппарата имеет несомненное достоинство, так как позволяет описать законы природы не только качественно, но и количественно. В тех же случа- ях, когда для описания физического процесса необходимо применять специальный математический аппарат, выходящий за пределы сту- денческой программы, используется лишь качественный подход с ука- занием основных идей в проводимых физических рассуждениях. Та- кой подход, в частности, осуществлен при описании явления сверх- проводимости.

Пособие называется "Основы современной физики". Оправданием такому названию является то, что в нем фактически охвачены важ- нейшие открытия в физике, начиная с 1923 года по 2000 год. Не все разделы физики в пособии в равной степени отражены достаточно подробно, некоторые из них вообще опущены. Это связано с тем, что


одни находятся в стадии интенсивного формирования, другие – из-за того, что их содержание выходит за пределы программы 2-го  курса, по которой автор составлял настоящее пособие. Автор при отборе ма- териала был ограничен объемом учебного пособия, и поэтому некото- рые важные разделы физики, такие, как явление сверхтекучести, эф- фекты Мессбауэра, Джозефсона и некоторые другие, не нашли своего отражения.

Автор надеется, что учащийся, изучивший настоящее пособие, бу- дет хорошо ознакомлен с основами современной физики, с ее дости- жениями и проблемами. Автор уверен, что знание основ современной физики в дальнейшем позволит студенту, уже находясь на старших курсах, более успешно овладевать многими специальными техниче- скими дисциплинами.


Глава 1. ЗАКОНЫ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ

 

             Волна де Бройля

 

Из предыдущих разделов физики нам известно, что такие процессы природы, как тепловое и рентгеновское излучения, фотоэффект и др., хорошо объясняются на основе использования корпускулярных пред- ставлений. С другой стороны, интерференция, дифракция, поляриза- ция света объясняются на основе волновых представлений, согласно которым свет есть электромагнитные волны. Таким образом, свет, в широком понимании этого слова, представляет своеобразное сочета- ние волновых и корпускулярных свойств материи. В одних условиях эта материя наиболее четко проявляет волновые свойства, в других – корпускулярные. Одним из критериев применимости того или иного подхода является величина поперечного сечения цуга волн: если по- перечное сечение цуга волны сравнимо с размерами частиц вещества, то свет, электромагнитная волна проявляют корпускулярные свойства и электромагнитное излучение можно рассматривать как поток свето- вых частиц, если же поперечное сечение цуга волн значительно боль- ше размера частиц, то свет следует рассматривать как поток электро- магнитной волны.

Таким образом, свет как материя обладает двойственной природой. Пусть на границу раздела двух сред падает плоская электромагнит-

ная волна.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 1.1.1. Изменение скорости частицы у поверхности раздела сред без учета преобразования полей

Из рис. 1.1.1 следует, что v1x = v2x или


 

v sin i


= v sin i ;


n = c , n


= c ;


sin i 1


= v=  n 1 . = 1 ,

 


1              1           2


2              1                       2

1                        2


sin 2     v n 2                  n


v

 

v

 
где v – фазовая скорость, c – скорость света в вакууме,


n = n 2 – абсо-

n 1


лютный показатель преломления, i1, i2 – углы падения и преломления. Применив корпускулярный подход, мы получили закон, обратный закону преломления. Таким образом, хотя для оптических явлений корпускулярный подход применим, но он дает неверный результат. Причина несоответствия корпускулярной теории опыту состоит в том, что для описания этого процесса необходим иной подход, при кото- ром учитываются взаимодействия множества световых частиц с ато- мами вещества. Математической основой описания такого процесса

является кинетическое уравнение переноса.

В 1923 г. французский ученый де Бройль высказал предположение, что двойственная природа материи должна проявляться не только у электромагнитного излучения. Он предположил, что электроны при определенных условиях должны проявлять волновые свойства. Он писал: "В оптике в течение столетия слишком пренебрегали корпус- кулярным способом рассмотрения явлений по сравнению с волновым. Не делалось ли в теории материи обратной ошибки? Не думали ли мы слишком много о картине частиц и не пренебрегали ли чрезмерно кар- тиной волн?" В 1929 г за эту работу ему была присуждена Нобелев- ская премия.

Де Бройлю было 30 лет, когда он высказал свою гипотезу о волно- вых свойствах материи и вывел формулу, с помощью которой можно вычислить длину волны, связанную с движущимся электроном. К мысли о том, что электрон должен обладать волновыми свойствами, де Бройля привели следующие факты и соображения. В природе су- ществует аналогия между геометрической оптикой и механикой. Ос- новные законы этих двух разделов физики можно сформулировать в тождественно математической форме. Это значит, что вместо того чтобы рассматривать движение заряженной частицы в электрическом


поле с потенциалом


j(r ) , можно рассматривать распространение по-


тока частиц в пространстве с абсолютным показателем n(r ) .

Заметим, что рассматриваемая аналогия в настоящее время охва- тывает все разделы физики и в ряде случаев бывает очень полезной. Покажем это на конкретном примере.

Допустим, имеется две контактирующие между собой среды. По- тенциал электрического поля в верхней среде φ1, а потенциал в ниж-


ней среде φ2. На границе раздела происходит постепенное изменение потенциала. Тогда напряженность электрического поля в пограничном слое можно представить в виде (см. рис. 1.1.2):

r      dj r       r


 

Если φ1> φ2 ,


E = -

dy


j = Ey j.


dj <


r      r,


0,   E ­­ j

dy

и в пределах пограничного слоя на электрон будет действовать сила


Fy = eE,


e < 0,


направленная вниз, а в направлении координатной оси 0Х сила дейст- вовать не будет, так как Ex=0. Следовательно,


F1= F2 = 0,

sin i1

sin i2

y


v1x = v2 x ;

= v2 .

v1


Fy ­¯ j.


(1.1.1.)


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 1.1.2. Изменение скорости частицы у поверхности раздела сред с учетом преобразования полей

Электрон, проникая в пространство с потенциалом φ1, приобретает кинетическую энергию

m v2

k1 = e 1 = eDj1

2

Тогда в пространстве с потенциалом φ2 его кинетическая энергия будет


 

 

Значит,


m v2

k2 = e 2 = eDj 2.

2


1

v2 Dj2 2

 

                   


(1.1.2)


 

1

 

1

 
v   =  Dj  

Подставляя полученное выражение (1.1.2) в (11.1.), имеем:

1


sin i1

sin i 2


       

Dj 2 2

 
= 

Dj 1


(1.1.3)


       

Формула (1.1.3) является математической записью закона прелом- ления в электронной оптике.

Закон преломления в геометрической оптике формулируется в виде


n   = n 2 = sin i 1 .

 


(1.1.4)


n

 
21

1


sin i 2


Из сравнения выражений (1.1.3) и (1.1.4) можно получить относи- тельный показатель преломления в электронной оптике:

1


 

 Dj2  2

 


(1.1.5)


n21 =  Dj 

     1

В случае электромагнитных волн плоская электромагнитная волна представляет собой пучок параллельных лучей, для которых волновой фронт – плоскость, перпендикулярная направлению распространения лучей, а волновая поверхность – система параллельных поверхностей

с колебаниями векторов E и H в одной и той же фазе


r                            r     r


r          2p  r    r


E = E0 cos(wt - k x) × j ,


H = H 0 cos(wt - k x) × k ,


k = l , k = r .


Однако, если принять корпускулярную точку зрения, то плоскую электромагнитную волну можно рассматривать как поток световых частиц, перемещающихся в пространстве параллельно (рис. 1.1.3) или даже связать ее с отдельно движущимся фотоном.

Если в пространстве существует поток свободных, не взаимодей- ствующих между собой электронов (на эти электроны не действуют внешние силы), то в таком потоке электроны должны перемещаться параллельно. Эта картина верна, если пользоваться корпускулярными представлениями. Но если воспользоваться волновыми представле- ниями, т.е. применить понятие волны материи, то с таким потоком частиц можно связать некий волновой процесс, и описание движения электронов с волновой точки зрения должно быть аналогично описа- нию плоской электромагнитной волны. Следовательно, такой волно- вой процесс также можно изобразить в виде плоской волны. Поэтому де Бройль предположил, что между волновыми и корпускулярными


характеристиками электрона должна существовать точно такая же взаимосвязь, как и между соответствующими характеристиками фо- тона. И, кроме того, де Бройль предположил, что корпускулярное опи- сание движения свободного электрона должно быть подобно корпус- кулярному описанию фотона, волновое описание свободного электро- на должно быть подобно волновому описанию потока фотонов в элек- тромагнитной волне (рис. 1.1.3).

 


 

 

mф   c

mф   c

mф   c

 

фотоны


y                                                                 y

 

E E E

фронт                                                                                                                               x

волны


E = E0 cos(w t - k x) × j


j = j0 cos(wt - k x)


а                                                    б

Рис. 1.1.3. Модель плоской волны для фотонов (а)

и для электронов (б)

По определению импульс фотона и энергия фотона соответственно равны


 

 

Значит,


pф = mф c,


e = mф


c2 = pф с,


e = hn,


ν = c .

l


p      e    hn     h             h

 

     


(1.1.6)


ф = c =  c   =  l ;    pф  = l ,

где λ – длина электромагнитной волны, h – постоянная Планка, pф – импульс фотона. Таким образом, уравнение (1.1.6) связывает между собой как корпускулярные, так и волновые характеристики света во- едино, а коэффициентом связи является постоянная Планка.

Де Бройль предположил, что уравнение (1.1.6) можно применять не только для фотонов, но и для электронов. А так как импульс элек- трона pe=p=mev, то длина волны некоторого волнового процесса, свя- занного с движущимся электроном, будет определяться из уравнения

p = = m v.

l       e

Отсюда


 

 

И если


l =

 

mev2

 


h .

mev


K =         = eU £ 10 кэВ, 2

то масса электрона me = m0, т.е. практически не отличается от массы покоя. Тогда в соответствии с законом сохранения энергии можем за- писать:


mev2


1

 2eU  2

 


(1.1.7)


eU =


;   v =          . 2                me


После подстановки найденного выражения для скорости имеем


1

 
l =        h

 2eU  2


 

или


m       

  me


1

 
l = 12,3 ×10-10

U 2


м = 12,3 Å, [U]=В.

1

 
U 2


Пусть U = 100 B. Тогда  λ = 0,12  нм.  Если  же  U = 10000  B,  то  λ= 0,012 нм.

Таким образом, длина волны свободного электрона, двигающегося со скоростью v, соответствует длине волны рентгеновского излучения. На это обстоятельство мы обратим внимание в дальнейшем. Такое совпадение, разумеется, носит случайный характер.

 

             Опыт Дэвиссона - Джермера

 

Любая гипотеза, как бы она ни была привлекательна и правдопо- добна, остается гипотезой до тех пор, пока она не подтвердится опы- том. Только прямые опыты, в которых отчетливо проявлялись бы вол- новые свойства частиц, могли бы подтвердить правильность идеи де Бройля.

В 1922 г. по заказу американской фирмы "Белл-телефон" Клинтон Джозеф Дэвиссон (1881–1958) и его сотрудник Кансмен изучали от- ражение электронов от поверхности металла и при этом обнаружили какие-то аномалии. В 1925 г. Дэвиссон, находясь в Европе, показал


свои графики Максу Борну, Джеймсу Франку (аспиранту Борна) в Геттингене и Дугласу Хартри в Оксфорде.

Все они признали, что аномалии на графиках свидетельствуют о проявлении волновых свойств электронов, т.е. волн де Бройля, хотя и не убедили в этом Дэвиссона. Вскоре после возвращения в Америку в экспериментальной установке Дэвиссона во время работы случилась авария: треснула вакуумная трубка, и нагретый в это время поликри- сталлический Ni под действием кислорода воздуха окислился. После восстановления установки и прокаливания образца в вакууме иссле- дования совместно с Лестером Альбертом Джермером (1896–1971) были продолжены. Вскоре выяснилось, что спектр отраженных элек- тронов имеет отчетливо выраженные интерференционные максиму- мы. В результате к концу 1927 г. они убедились в реальности сущест- вования волн материи. Но еще в 1925 г. студент М. Борна Вальтер Эльзассер, получив задание разобраться с этим явлением, предполо- жил, что аномалии на графиках Дэвиссона объясняются электронны- ми волнами де Бройля. Он послал в журнал краткую заметку, в кото- рой объяснил результаты опытов Дэвиссона и Кансмана дифракцией волн материи. Однако на эту заметку тогда никто не обратил внима- ние.

Схема экспериментальной установки Дэвиссона представлена на рис. 1.2.1.


Что же произошло в установке Дэвиссона после прокаливания? В результате прокаливания и дальнейшего остывания на поверхности поликристаллического Ni возникли отдельные монокристаллы. При попадании электронов на монокристалл Ni число электронов в на- правлении угла скольжения меняется в зависимости от энергии элек- тронов. Оказалось, что существуют такие значения энергии, при кото- рых отражение электронов максимально, и существуют такие значе- ния энергии, при которых число отраженных электронов минимально. В результате на экспериментальном графике наблюдаются чередую- щиеся максимумы и минимумы интерференции электронных волн.

Рис. 1.2.1. Схема установки Девиссона


Если теперь при заданном значении угла скольжения θ и полярно- го угла менять энергию первичных электронов, то график должен иметь вид, изображенный на рис.2.2.2.

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U 2

 
x1             x2            x3           x4          1

Рис. 1.2.2. Интерференция картины электронов

1         2

 


 

 


 

               

 

Рис. 1.2.3. Модель интерференции волн в кристалле

Известно, что монокристалл Ni можно представить в виде сис- темы кристаллографических плоскостей. Если принять, что отражение волн материи происходит от кристаллографических плоскостей, то в результате интерференции волн максимум отраженной волны будет возникать в случае разности хода лучей, кратной длине волны (рис. 1.2.3). Из рис. 1.2.3 следует, что разность хода у интерферирующих лучей 1 и 2

D = 2d sin q .

Отсюда

2d sin q = ml,    m = 1, 2, 3, ... ,                 (1.2.1)

где d – межплоскостное расстояние, θ – угол скольжения. Если счи- тать, что гипотеза де Бройля правильна, то длина волны


м

 
l = 12,3 ×10-10 ,

и после подстановки в (1.2.1) получаем:

12,3 ×10-10


 

 

12,3 ×10-10


2d sin q = m

 


1

 U 2  2

 


;

 

1

 

 U3  2

 


= mc1 ,

1

 

 U 4  2

 


c1 =


2d sin q ;


    

U1


= 2 ;


    

U1


= 3 ;


    

U1


= 4 .


Таким образом, возникновение максимумов на экспериментальных графиках следует рассматривать как результат интерференции волн неизвестной пока природы, которые связаны с движущимся электро- ном в пространстве. Значит, движение электронов в пределах кри- сталлической решетки можно рассматривать как волновой процесс.

Наличие экспериментально наблюдаемых максимумов и миниму- мов и их правдоподобное объяснение является доказательством пра- вильности гипотезы де Бройля о наличии в природе волн материи. Как оказалось впоследствии, волновыми свойствами обладают не только электроны, но и любые микрочастицы.

 

             Волновая функция

 

Итак, несомненно, поток электронов обладает и волновыми, и корпускулярными свойствами. Это значит, что двигающемуся элек- трону соответствует какой-то волновой процесс неизвестной пока природы. Де Бройль также не понимал физическую природу этого волнового процесса и поэтому предложил описать его с помощью функции, которую он назвал волновой функцией, т.е. функцией, кото- рая описывает движение частиц с волновой точки зрения. Но при этом он считал, что при таком описании должна сохраниться аналогия с описанием волнового процесса в оптике.

Мы знаем, что движение фотонов в виде пучка параллельных лу- чей описывается плоской электромагнитной волной. Следовательно, и движение свободных электронов, перемещающихся в пространстве параллельно и прямолинейно, также должно описываться в виде пло- ской волны, образованной волновой функцией.

Введение волновой функции, ее конкретный вид проще всего вы- яснить на примере использования знакомых нам явлений.

Уравнение плоской электромагнитной волны имеет вид

E = E0 cos(wt - k x),    H = H 0 cos(wt - k x).


Запишем теперь это же уравнение так, чтобы в него вошли как корпускулярные, так и волновые характеристики материи. Для этого перейдем от ω и k, характеризующих процесс с волновой точки зре- ния, к энергии кванта ε и импульсу кванта p, характеризующим тот же процесс с корпускулярной точки зрения:

w = 2pν = 2p hn =  2p e = e ;   h =   h ;

                                                                                          

h           h       h           2p

k = 2p = 2p = 2p p =  ;

   

l      h  l     h        h

здесь p – импульс фотона. Тогда, заменив ω и k в уравнении плоской электромагнитной на ε и p, получим:


E = E cos 1 (e t - px),    H = H cos 1 (e t - px).

0                                         0                    

h

 

h

 
                                                  

Аналогичное выражение получается, если плоскую волну выразить не через косинус, а через синус. Поэтому в общем случае эти две три- гонометрические функции можно объединить и записать уравнение плоской электромагнитной волны в более общем виде:


E = E0 e


- i (e t - p x )

h              ,


H = H0 e


- i (e t - p x )

h             .


При такой форме записи мы видим, что в уравнении плоской элек- тромагнитной волны отображаются и волновые, и корпускулярные свойства материи. Волновые свойства здесь проявляются в том, что эти уравнения записаны в виде волны, а корпускулярные свойства проявляются в том, что параметрами электромагнитной волны явля- ются энергия фотона e и импульс p фотона, причем под e здесь пони- мается полная энергия фотона или других микрочастиц, если подоб- ные рассуждения проводить для них. Если же движение фотона про- исходит в произвольном направлении, то в общем случае уравнение плоской электромагнитной волны с учетом корпускулярных свойств материи будет


- i (e t - r r)                        - i (e t - r r)


E = E e h


p r                                                        p r

,    = H e  h                   ,


0                                                  r  0  r       r      r

E0 = const, H 0 = const, r = x i  + y j + z k .

Де Бройль в своих физических рассуждениях исходил из предвзя- той, но очень плодотворной идеи. Он считал, что законы природы и уравнения, при помощи которых описываются эти законы как с вол- новой, так и с корпускулярной точек зрения, во всех физических явле- ниях должны быть едины и поэтому должны иметь тождественный


вид. Поэтому де Бройль предложил воспользоваться аналогичным вы- ражением для описания волновых свойств электрона, только вместо векторов E и H , имеющих ясный физический смысл в случае свето- вого потока, ввести некоторую волновую функции ψ, записав с помо-

щью этой функции уравнение плоской волны:

- i (e t - px)


y = y0e h                 ,


(1.3.1)


где в случае плоской волны ψ0 = const.

Не надо думать, что волновая функция, которая здесь была введе- на по аналогии, является характеристикой только электрона. Нет! При помощи этой функции можно также описать распространение света в пространстве как с волновой, так и с корпускулярной точек зрения. Но только физический смысл волны де Бройля будет отличаться от физи- ческого смысла электромагнитной волны. Введение волновой функ- ции ψ есть новая математическая формулировка одного из законов природы, который проявляет свое действие в микромире.

На приведенном примере мы вновь убеждаемся в том, что матема- тическая формулировка основных законов природы не выводится, а постулируется, о них догадываются. Поскольку введенная волновая функция есть закон природы, отображающий объективную реаль- ность, и поскольку ее аналитическое выражение получено путем ис- пользования аналогии, т.е. по существу по догадке, то все рассужде- ния, связанные с постулированием вида волновой функции, являются яркой иллюстрацией того, что, как правило, фундаментальные законы природы являются обобщением результатов эксперимента в виде кон- кретных аналитических формул.

Итак, на примере волновой функции ψ мы проследили все этапы открытия волновой функции для свободного электрона, мы как бы проанатомировали само открытие волновой функции, при помощи которой можно описать движение электрона с волновой точки зрения. Де Бройль считал, что уравнение (1.3.1) описывает движение сво- бодного электрона с полной энергией e = mec2 и импульсом p = mev. Предположим, что в пространстве существуют такие точки и такие моменты времени, для которых фаза колебаний всегда постоянная.

Тогда для свободного электрона, у которого e = const, p = const,


e                                dx

 


dx     e     c2



t - px = const,


e - p     = 0;

dt


vфаз = dt = p = v


> c.


Следовательно, фазовая скорость волны де Бройля не совпадает со скоростью движения частицы, поскольку она больше скорости света в вакууме. Поэтому фазовая скорость определяет всего лишь скорость


перемещения фазы в пространстве некоторого колебательного про- цесса, описывающего движение электрона с волновой точки зрения и не больше. Это указывает на то, что волновая функция не может непо- средственно описать движение электронов в пространстве, она имеет иной более сложный физический смысл.

Итак, оказывается, что фазовая скорость свободного электрона больше скорости света в вакууме. С этой скоростью частицы в про- странстве перемещаться не могут. Если же ввести в рассмотрение та- кие гипотетические частицы, как тахионы, то окажется, что они в про- странстве могут перемещаться со скоростью больше скорости света в вакууме, но это уже будут не реально существующие в природе час- тицы. Нечто подобное имеет место в оптике, когда при рассмотрении распространения света в анизотропных средах мы вынуждены приме- нять такие понятия, как фазовая и лучевая скорости, имеющих разный физический смысл.

Иначе обстоит дело с групповой скоростью волн де Бройля. Из- вестно, что для любого волнового процесса

v       = dw =  de .

               

груп    dk       dp

mv2


Подставляя сюда


e = e0 +

2


и p = mv, где e0 – энергия покоя, m


– масса, v – скорость частицы (полагаем v<<с), получим

vгруп= v.

То есть движению частицы в пространстве отвечает групповая ско- рость волны, иными словами – скорость перемещения волнового па- кета.

 

             Физический смысл волновой функции

 

Физический смысл волновой функции раскроем на примере опти- ческого явления, последовательно рассматривая его с волновой и кор- пускулярной точек зрения.

Допустим, что экран освещается пучком параллельных лучей мо- нохроматического света. Площадь поверхности экрана равна S. Пусть на поверхность экрана за 1 с попадает N квантов.

Из уравнений Максвелла для электромагнитных волн следует, что энергия электромагнитных волн в равной степени определяется вели- чиной электрической и магнитной составляющей волны. Но при энер- гетическом взаимодействии потока электромагнитной волны с веще-


ством существенную роль играет лишь ее электрическая составляю- щая. Поэтому уравнение плоской электромагнитной волны будет иметь вид


E = E0e


- i (e t - p x)

h                  .


0

 
Известно, что энергетический поток излучения Ф для поверхности S пропорционален E02 , где E0 – амплитуда колебаний напряженности электрического поля в электромагнитной волне, падающей на поверх- ность S. Но так как, по определению, поток электромагнитной волны есть мощность электромагнитной энергии (энергии облучения по- верхности за 1с), то тот же поток равен числу квантов N, попадающих на поверхность S за 1с. Каждый квант несет энергию h , поэтому полная энергия, переносимая N квантами за 1с, будет N h . Следова- тельно,


Ф = a


1E 2 = N × hn.


(1.4.1)


0i

 
Выделим теперь в пределах поверхности экрана S его элемент площади ∆si. На выделенный элемент площади ∆si будет падать энер- гетический поток ∆Фi, он пропорционален E0i2 и ni, где E0i – амплитуда колебаний напряженности электрического поля той части электромаг- нитной волны, которая падает на выделенный элемент площади экра- на, ni – число квантов, которые падают на тот же выделенный элемент площади за 1с. Тогда имеем


 

Разделим (2) на (1):


DФi = a i E 2


= n i hn.


(1.4.2)


DФ    a E 2   n  hn      n


=   1    0i  =    i          = i .


(1.4.3)


Ф      N hn     N hn     N

Отношение ni/N есть отношение числа благоприятных случаев, со- стоящих в попадании ni квантов за 1с на выделенный элемент площа- ди ∆si, к общему числу наблюдаемых случаев, состоящих в том, что на всю поверхность экрана S за 1с попадает N квантов. Как известно из курса  высшей  математики,   это   отношение   (строго   говоря,   при ni ® 0 ) представляет собой вероятность осуществления данного со-

N

бытия. Так как ni << N, то это отношение обозначим

dw = n<< 1.

N

Тогда с учетом (1.4.3) имеем


dw = a E 2 ,

2     0i

a   =    a.

2 N hn

Отсюда видно, что квадрат напряженности электрического поля в электромагнитной волне пропорционален вероятности попадания n i квантов за 1 с на выделенный участок поверхности ∆si, т.е. мы при- шли к новой физической интерпретации амплитуды напряженности электрического поля электромагнитной волны.

Теперь воспользуемся понятием волновой функции. Вспомним, как мы ввели это понятие. Это понятие нами было введено на основе ана- логии, существующей между оптическими и электрическими явле- ниями, на основе существующей аналогии движения между потоком фотонов в пучке параллельных лучей и потоком свободных электро- нов. Для фотонов можем записать:


Ei = E0ie


-  i (e t - p x )

h                  ,


y = y0e


-  i (e t - p x )

h                  .


Из  сравнения  этих  двух  функций  мы  можем  заключить,  что ψ0

0

 

0i

 
аналогично E0i , ψ 2 аналогично 2. Так как волновую функцию  мож-

но применить не только к электронам, но и к фотонам, то примени- тельно к фотону E0i2 также аналогична ψ02. Исходя из сказанного, мо- жем записать E0i = a3ψ0 .

Тогда для фотонов имеем:

dw = a E 2 = ay 2 .


Но, кроме того, dω = a4ds.


2    0i                 0


Заметим, амплитуда волновой функции ранее никак не была опре- делена, поэтому можно перейти от знака пропорциональности к знаку равенства, записав dω = ψ02 ds.

2

 
Волновая функция – комплексная величина, следовательно,


 

 

0

 
Отсюда


y = yy* = y0e


-  i (e t - px)

h


× y0e


-  i (e t - p x )

h


= y2.


y 2 = dw.

ds

Итак, квадрат модуля волновой функции пропорционален вероят- ности попадания одного фотона на единицу площади участка облу- чаемой поверхности.

Очевидно, точно такой же физический смысл должна иметь волно- вая функция не только при описании потока фотонов, но и при описа- нии потока электронов и других микрочастиц. Подобное статистиче-


ское толкование волновой функции было предложено М. Борном (1882–1970) в 1926 г. И лишь в 1954 г. за статистическую интерпрета- цию волновой функции ему была присуждена Нобелевская премия.

Если теперь провести подобные рассуждения для пространствен- ного случая, т.е. поставить вопрос о том, какое число фотонов или других микрочастиц может находиться в микрообъеме dV в течение какого-то промежутка времени, то вероятность местонахождения микрочастицы в указанном микрообъеме dV будет определяться вы- ражением


dw = y 2dV ,


(1.1.4)


где dV = dxdydz, этот объем охватывает изменение координат от x до

x+dx, от y до y+dy, от z до z+dz.

Следовательно, в общем случае,


y 2 = dw .

dV


(1.1.5)


Таким образом, |ψ|2 есть плотность вероятности распределения микрочастиц в пространстве, это есть вероятность местонахождения микрочастицы в единице объема геометрического пространства. |ψ|2 есть плотность вероятности.

Тогда вероятность найти микрочастицу в объеме V, как следует из

(1.4.5), равна

V

w = ò y 2 dV .                              (1.1.6)

0

И если известна ψ-функция, соответствующая данному состоянию частицы, то вероятности различных процессов определяются одно- значно, что дает возможность судить о поведении множества частиц с вероятностной точки зрения, т.е. описать их поведение методами тео- рии вероятности.

Если считать, что местонахождение микрочастицы в пространстве

- событие достоверное, т. е.  частица все время находится в объеме V,

то вероятность такого события всегда равна единице. Поэтому

V


ò y 2 dV = 1.

0


(1.1.7)


Условие (1.1.7) называется условием нормировки, поскольку это условие накладывает определенные ограничения на величину ампли- туды волновой функции ψ0 . Условие нормировки по существу есть иная форма записи закона сохранения полного числа микрочастиц в пространстве. Так как ψ=ψ(x, y, z, t), то условие нормировки должно


выполняться для любого момента времени, в противном случае оно не имеет физического смысла.

Знание волновой функции позволяет описать процессы природы вероятностным способом, а также позволяет определить средние зна- чения физических величин, например, среднее значение координаты, среднее значение скорости и др.:

При определении средних значений других физических величин часто используют операторную форму записи:


V

e  = òy*eˆ ydV ,

0


V

òy2dV = 1.

0


V

 

p

 
r = òy

0

ˆ


r

* ˆ

 
pydV ,

r


где e – оператор полной энергии, p – оператор импульса.

Среднее значение энергии при переходе из состояния m в состоя- ние n тогда записывается следующим образом (рис. 2):

V

ò m         n

                         

e  =  y* eˆy dV =  m eˆ n .

0

 

 

 

0

 

em

en

 

Рис. 2. Квантовый переход между двумя скачками

Допустим, микрочастица некоторое время находится в объеме

V=hs. Тогда

V

ò y 2 dV < 1.

0

Это обстоятельство следует учитывать, например, при определе- нии вероятности взаимодействия электронов с веществом в процессе облучения вещества потоком электронов. Допустим, облучаемое ве- щество представляет собой металлическую пленку.


 

Рис. 1.4.2. Модель облучения пленки электроном

Объем облучаемой пленки   изображен на   рис. 1.4.2. А так как часть потока электронов проходит через пленку, то

V1

ò y 2 dV < 1.

0

Следовательно, условие нормировки для волновой функции в этом конкретном случае должно иметь вид:


0

ò y1


h

2

 
2 dx + ò y

0


¥

2 dx + ò

h


y 2dx = 1.


3

 
Тогда знаменатель в выражении для среднего значения физической величины не будет равен единице. Например, теперь среднее значение энергии в пределах металлической пленки следует вычислять по фор- муле


 h *


    h


2 .


e  = òy eˆy


ò y


dx


0

Обобщим сказанное.


                   

    0                 


1.  Волновая функция сама по себе не выражает физического смыс- ла, физический смысл имеет лишь ее квадрат модуля – он равен плот- ности вероятности местонахождения микрочастицы в единице объема геометрического пространства в пределах выделенного микрообъема dV .

2.   В квантовой механике параметры состояния микрочастицы, на-

пример,  e, p , определяются вероятностным способом, точное  значе-

ние полной энергии и импульса, а также других параметров опреде- лить невозможно, точно можно определить лишь их средние значения.

 

             Соотношения неопределенностей

 

Итак, мы видели, что свет можно рассматривать и как поток свето- вых частиц, фотонов, и как электромагнитную волну. То же самое можно сказать и об электронах и других микрочастицах. Например, в


опыте по отражению от монокристалла Ni поток электронов проявля- ет волновые свойства; однако во всех типах электроннолучевых тру- бок, например, в кинескопах телевизоров, поток электронов проявляет корпускулярные свойства, ведет себя как поток отрицательно заря- женных частиц. Подчеркнем еще раз, что подобная двойственность имеет место и у других микрочастиц, а именно, всегда в природе имеются явления, в которых частицы проявляют волновые свойства, и имеются явления, в которых эти же частицы проявляют корпускуляр- ные свойства.

Из анализа многочисленных опытов с микрочастицами с учетом волновых и корпускулярных свойств вытекает принцип неопределен- ности Гейзенберга, который, в сущности, представляет один из фун- даментальных законов природы в микромире. С одной стороны, этот принцип имеет большое философское значение, а с другой – он нахо- дит практическое применение при выполнении некоторых конкретных расчетов. Физическая причина наличия этого закона заключается в двойственной природе материи.

Открытие закона соотношения неопределенностей связано с име- нем Вернера Гейзенберга. Весной 1925 г. по приглашению Н. Бора из города Геттинген (Германия) в город Копенгаген прибыл В. Гейзен- берг. Там он сразу попал в обстановку научных споров, в среду лю- дей, для которых физика была главным делом их жизни. Основной вопрос, который обсуждал Гейзенберг, состоял в следующем: почему в атоме электрон не подчиняется законам электродинамики, почему в процессе движения электрон не падает на ядро и даже не излучает, если атом не возбужден? В конце концов, после многих раздумий и обсуждений со своими коллегами по работе он пришел к выводу, что понятие траектории электрона в атоме не имеет физического смысла, оно к электрону в атоме неприменимо.

Рассмотрим на примере наиболее понятных нам световых явлений физическую причину возникновения соотношения неопределенности.

Пусть в пространстве на плоский экран I со щелью падает пучок параллельных лучей. После экрана поместим линзу, в фокальной плоскости которой расположен другой экран (рис. 1.5.1).

Тогда, как мы знаем, на втором экране будет возникать интерфе- ренционная картина, соответствующая дифракции от одной щели. Дифракционная картина будет особенно четко видна, если ширина входной щели сравнима с длиной волны света.

Условие минимума в случае дифракции от одной щели

a sin j = kl,


где a – ширина щели, k = 1, 2, 3, . . . , l – длина волны,  Тогда угловая ширина дифракционного максимума


k < a / l .


Dj =


l

 

a cos j


, Dk = 1.


И если


a >> l , то


Dj << 1 , если


a << l , то


Dj > 90° , и дифракция


как в первом, так и во втором случаях наблюдаться не будет. Значит, для наблюдения четкой дифракционной картины необходимо, чтобы  a » l . Это обстоятельство мы используем в дальнейшем, когда будем более подробно рассматривать физическую причину возникновения соотношений неопределенностей.

 

a

 

 

 

 

 

 

 

II

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 1.5.1. Возможная схема наблюдения интерференции волн при рассеянии на щели

Если к анализу результата опыта применить корпускулярный под- ход, то можно считать, что после прохождения через щель поток све- товых частиц, фотонов, отклоняется от первоначального направления на величину угла дифракции j . Причину такого отклонения можно

видеть во взаимодействии фотонов с веществом экрана I и возникаю- щем в результате этого рассеянии.

Положение одного фотона в потоке световых частиц в направлении оси Оx можно определить лишь с точностью, равной ширине щели a . Таким образом, неточность в определении координаты x любого из падающих фотонов будет Dx = a , поскольку в нашем распоряжении нет приборов, при помощи которых без нарушения условий исходного


опыта можно более точно определить координату фотона x. Наряду с этим существует еще и неопределенность положения фотона в преде- лах дифракционного максимума, который образован потоком рассе- янных фотонов. Вероятность углового распределения дифрагирован- ных фотонов не одинакова для различных углов дифракции: имеются направления, в которых фотоны отклоняются с большей вероятно- стью, и имеются направления, в которых фотоны практически не от- клоняются, т.е. вероятность их дифракции в этом направлении прак- тически равна нулю. Этим и объясняется наличие на экране II участ- ков с максимальной и минимальной освещенностями. Стало быть, не- определенность в определении направлении движения фотона обу- словлена конечной шириной максимума, величину которого обозна- чим Dj .


Итак, фотон в пространстве летит где-то в пределах угла


Dj , но


где именно – мы не знаем, у нас нет способа, при помощи которого можно уточнить положение фотона без нарушения условий исходного опыта. Стало быть, неопределенность углового положения фотона бу- дет равна Dj .

Фотон распространяется со скоростью света  c . Масса покоя фото-

на  m0ф = 0 , это означает, что в природе нет такой системы отсчета,  в

e

 
которой фотон был бы неподвижен. Однако масса движущегося фото- на – так называемая релятивистская масса – всегда отлична от нуля и может быть вычислена по формуле:

с

 
mф =   .

Заметим, что понятие релятивистской массы не является общепри- нятым. Однако "безмассовость" фотона не противоречит наличию у


него импульса


pф = e / c


Импульс фотона ось Ох будет равна


p = mфc , а проекция импульса на координатную

 

px = mфcx .


Тогда неточность в определении проекции импульса на ось Ох бу- дет равна

Dpx = mфDcx .

Из рис. 1.5.1 видно, что cx = c sin j, Dcx = c cosjDj , поэтому

D= m c cos jDj = h cos jDj .

x             ф                                   l


Таким образом, угловой неопределенности движения фотона Dj

соответствует неопределенность величины проекции импульса Dpx .

Составим теперь произведение

DDx = h cos jDj × a = h a cosjDj .                   (1.5.1)

                                                                            

x                l                    l

До сих пор мы использовали корпускулярный подход к объясне- нию явления дифракции от одной щели. Применим теперь волновые представления о свете.

Известно, что условие минимума дифракции от одной щели имеет вид:

a sin j = kl,     k = 1,2,3,... < a / l .

Тогда разность углов между двумя соседними минимумами, кото- рая, собственно, и определяет угловую ширину максимума, может быть найдена из выражения:


a cosjDj = lDk = l,

и после подстановки в (1.5.1) получаем


k = 1,


DpxDx = h .                                 (1.5.2)

Из (1.5.2) следует: чем точнее задана координата фотона, т.е. чем меньше ∆x, чем меньше ширина входной щели a , тем менее точно


можно определить проекцию импульса


Dpx . И наоборот, чем точнее


известна проекция импульса, т.е. чем меньше угловая ширина макси- мума, тем менее точно может быть определена координата микрочас- тицы. Это предельная точность определения координаты, ее величина не зависит от особенностей постановки опыта, так как она вытекает из закона природы.

Полученное в результате проведенных рассуждений уравнение (1.5.2) соответствует идеальному случаю, когда измерение отдельных параметров движения микрочастицы проводилось без учета ошибок эксперимента и побочных дифракционных механизмов. На самом деле


погрешность опыта всегда увеличивает как


Dpx , так и


Dx . Поэтому


уравнение (1.5.2) следует заменить неравенством

DpxDx > h .                                 (1.5.3)

Далее, можно показать, что для направления вдоль оси Оy

Rl3

Dpy Dy = a4 cos j h,

где R – радиус дуги окружности экрана II . Но

a » l,cosj » 1, R >> a,

Поэтому


DpyDy > h .                                 (1.5.4)

Итак, в общем случае с учетом (1.5.3) и (1.5.4) имеем:

DpxDx > h ,

DpyDy > h ,                                 (1.5.5)

DpzDz > h .

Система неравенств (1.5.5) и представляет собой соотношения не- определенностей Гейзенберга. Мы получили их на примере дифрак- ции света, однако они выполняются для любых микрочастиц. Соот- ношения неопределенностей, записанные в виде системы неравенств (1.5.5), выполняются только для проекций импульсов и координат на одноименные координатные оси. Поэтому для проекций на разно- именные координатные оси правая часть неравенств (1.5.5), в частно- сти, может быть равна нулю, например,

DpxDy ³ 0, DpzDx ³ 0.

В этом случае проекцию импульса и координату вдоль разноимен- ных направлений в мысленном опыте можно определить одновремен- но с любой точностью. Так, можно совершенно точно определить и


проекцию импульса на ось Оx и координату y. В этом случае

Dy = 0 .


Dpx = 0 ,


Из системы неравенств (1.5.5) для проекций импульса и радиуса вектора на соответствующие координатные оси можно получить еще одно неравенство, связывающее между собой неопределенность вели- чины полной энергии микрочастицы с неопределенностью момента времени, когда частица имеет указанную полную энергию. Покажем это на примере фотона.

Пусть r есть направление, вдоль которого фотон движется со скоро- стью c . Для направления r запишем соотношение неопределенности:


 

Энергия фотона


DpDr > h, DpDr > h.

 

eф = mфc2 = pc.


(1.5.6)


Импульс и координата фотона в момент времени t :

p = e , r = ct.

c

Тогда неопределенность значения импульса и неопределенность значения координаты фотона соответственно равны

Dp = De , Dr = cDt.

c


и после подстановки найденных значений в (1.5.6) получаем

DeDt > h .                                     (1.5.7)

Установленное неравенство (1.5.7) справедливо не только для фо- тонов, но и для иных микрочастиц.

Физический смысл неравенства (1.5.7) следующий: чем точнее из- вестен момент времени, когда была определена энергия микрочасти- цы, тем менее точно может быть определена ее полная энергия, и на- оборот. А применительно к свойствам самой системы его можно сформулировать так: чем меньше длительность некоторого энергети- ческого состояния системы, тем больше неопределенность в знании ее полной энергии.

Так как

px = mvx ,

то

Du  Dx > h .                                 (1.5.8)

x                m

Неравенство (1.5.8) позволяет установить границу применения классической и квантовой механик. Так, если координата микрочас-

тицы определяется настолько  точно,  что неопределенность  Dx ее по-

ложения в пространстве меньше характерного линейного размера час- тицы, то при анализе ее движения можно применять корпускулярный подход, если же эта неопределенность больше ее характерного разме- ра, то для описания движения необходимо использовать волновую функцию. (Характерным размером может быть, например, размер атома или молекулы).

Допустим, нам известен способ, с помощью которого можно опре-


делить скорость электрона в атоме с точностью


Dvx = 1мм/с. Тогда из


(1.5.8) следует, что


Dx » 0,7м. В этом случае


Dx >> R, где R – радиус


ядра атома. Такой электрон в процессе движения проявляет только волновые свойства. Если же эта скорость определена, допустим, в ки- нескопе телевизора, то электрон следует рассматривать как частицу.

Таким образом, движение электрона в атоме, в кристаллической решетке твердого тела может быть описано с помощью волновой функции, его положение в пространстве определяется величиной плотности вероятности.

Соотношение неопределенностей не отрицает возможность одно- временного определения координаты и импульса микрочастицы, их одновременное измерение возможно лишь с определенной точностью. В этом утверждении заключается отказ от некоторых представлений, укоренившихся в физике того времени. Так, в классической физике


широко пользуются понятием траектории движения материальной точки, траектории движения частицы, причем под траекторией пони- мается зависимость координаты, определяющей положение матери- альной точки в пространстве, от времени. Знание траектории предпо- лагает знание с любой точностью и координаты, и скорости (коорди- наты и импульса). В классической механике координата и скорость материальной точки в любой момент времени в принципе могут быть определены одновременно с любой точностью, это значит, что движе- ние материальной точки, движение центра масс в пространстве проис- ходит по определенной траектории. В квантовой механике одновре- менное абсолютно точное определение координаты и импульса мик- рочастицы в принципе невозможно. Поэтому понятие траектории движения отсутствует, оно не имеет физического смысла. Мы, конеч- но, можем указать путь, пройденный электроном, но тогда ничего не можем сказать о том, в какой момент времени электрон будет зани- мать то или иное положение в пространстве. В классической механике всегда имеется возможность однозначно предсказать будущее по прошедшему. В квантовой механике однозначность предсказания за- меняется вероятностью предсказания.

Из соотношений неопределенности вытекает принцип дополни- тельности. Он был сформулирован Н. Бором в виде следующего ут- верждения: координату и импульс микрочастицы нельзя абсолютно точно измерить не только одновременно, но и с помощью одного и того же прибора.

В самом деле, чтобы измерить импульс атома и при этом не очень сильно его изменить в результате воздействия на атом самого прибо- ра, необходим очень легкий подвижный датчик, способный переме- щаться вместе с атомом в процессе измерения. Но такая подвижность приведет к тому, что его положение в пространстве окажется весьма неопределенным. Для измерения координаты необходим прибор с очень большой массой датчика. Поэтому при попадании частицы в такой датчик положение датчика в пространстве меняться не будет. Таким образом, в природе всегда существуют две сопряженные физи- ческие величины, одновременное измерение которых в принципе не- возможно. Такими сопряженными величинами, в частности, являются координата и импульс частицы, потенциальная и кинетическая энер- гии и т.д. Гносеологическая причина несовместимости дополнитель- ных понятий заключается в двойственной природе материи. Этот за- кон является универсальным и охватывает все без исключения явле- ния природы.


             Уравнение Шредингера

 

Уравнение Шредингера является основным законом квантовой ме- ханики, его роль является такой же, какую второй закон Ньютона иг- рает в классической механике.

Эрвин Шредингер (1887–1961) в 1911 г. окончил Венский универ- ситет. В 1925 г. он стал профессором Цюрихского университета. Шредингер знал, что в природе существует оптико-механическая ана- логия, которую впервые установил Гельмгольц. Но Гельмгольц дока- зал ее лишь для геометрической оптики, в которой не учитываются волновые свойства света. Шредингер же предположил, что оптико- механическая аналогия сохраняется и в волновой оптике. Это значит, что любое движение частиц можно рассматривать как распростране- ние некоторой волны.

Квантовая механика – это раздел физики, описывающий движение микрочастиц в пространстве с учетом волновых и корпускулярных свойств материи. Квантовая механика рассматривает движение только тех объектов, которые в процессе движения проявляют волновые свойства. Поэтому квантовая механика движение макротел вообще не описывает. Критерий, с помощью которого можно указать границу применимости квантовой механики, определяют соотношения неоп- ределенностей.


Если


Dx ³ z


или


Dvx ³ vx , где z – характерный размер частицы, то


для решения задачи следует применять квантовую механику. Если же


Dx << z


или


Dvx << vx , то движение микрочастицы можно рассматри-


вать без учета ее волновых свойств, и следует применять классиче- скую механику.

Слово "механика" в термине "квантовая механика" как бы подчер- кивает, что эта наука изучает законы движения микрочастиц, а не их природу. Подобно тому, как классическая механика занимается изу- чением движения объектов, не вдаваясь в объяснение природы этих объектов, так и квантовая механика объясняет движение электронов вокруг ядер атомов на основе тех и только тех свойств ядер и электро- нов, которые важны для решения данной конкретной задачи.

Теоретическое объяснение законов теплового излучения, явления фотоэффекта, природы и свойств рентгеновских лучей, гипотеза де Бройля о волнах материи – все это были важнейшие этапы в развитии теоретических основ физики атома, молекул, твердого тела. Однако эти результаты явились лишь предварительным этапами при обосно- вании уравнения, описывающего движение электрона с учетом его


двойственной природы – волновой и корпускулярной. Решающий шаг в этом направлении сделал Шредингер в 1926 г., когда получил урав- нение, с помощью которого оказалось возможным описать движение электрона и других микрочастиц с учетом волновых и корпускуляр- ных свойств. Это уравнение отображает один из основных законов природы в области микромира. И подобно тому, как все основные за- коны природы не выводятся, а постулируются, устанавливаются по догадке, так и это уравнение не выводится, а постулируется, устанав- ливается на основе физической аналогии с использованием некоторой доли физической интуиции.

В физике до сих пор мы знали два закона природы, отображающих корпускулярные и волновые свойства материи.

1.  Второй закон Ньютона:

F = m

 
d 2x .                                (1.6.1)

dt 2

Решением уравнения (1.6.1) является уравнение траектории мате- риальной точки в пространстве. Ограничимся пока одномерным дви- жением вдоль координаты x.

2.  Волновое уравнение для напряженности электрического поля:


2E =

x2


1  2E .                           (1.6.2)

u

 

ф

 
2 t 2


Решением уравнения (1.6.2) является уравнение электромагнитной волны



E = E exp[- i(wt - kx)] = E exp- i (et - px).


(1.6.3)


0                                           0                            h             

Если теперь сравнивать между собой уравнения (1.6.1) и (1.6.2), то уравнение Шредингера является как бы промежуточным уравнением, в котором учтены и волновые, и корпускулярные свойства микрочас- тиц, оно играет точно такую же роль, какую в классической играет второй закон Ньютона, а в электродинамике – волновое уравнение.

Отметим, что в квантовой механике понятия силы, кинетической энергии, траектории не используются, так как здесь они не имеют фи- зического смысла. Объясняется это тем, что наличие силы позволяет из (1.6.1) определить траекторию движения микрочастицы. Но само понятие траектории в квантовой механике отсутствует, поэтому должно отсутствовать и понятие силы.

Рассмотрим теперь те соображения, которые могут привести к ус- тановлению уравнения Шредингера. Наши рассуждения проведем на примере свободного электрона. Как и раньше, будем исходить из того,


что волновые свойства электрона описываются волновой функцией y в виде плоской волны, введенной по аналогии с плоской электромаг- нитной волной (3).

Волновая функция свободного электрона по своей структуре по-

добна уравнению плоской электромагнитной волны, поэтому Шре- дингер предположил, что в природе должно существовать такое вол- новое уравнение, решением которого является волновая функция y :


2y =

x2


1  2y ,                             (1.6.4)

v

 

ф

 
2 t 2


где vф – фазовая скорость волны, описывающая движение свободного электрона с вероятностной точки зрения.

Таким образом, Шредингер, как и де Бройль, при формулировке

основного уравнения квантовой механики использовал метод анало- гии. Так как исходное уравнение (1.6.4) является волновым, то и сама квантовая механика также еще называется волновой механикой.

Однако уравнение (1.6.4) не является окончательным, а представ- ляет лишь некоторый промежуточный результат в процессе формули- ровки основного уравнения, поскольку в записанном виде это уравне- ние характеризует движение микрочастицы лишь с волновой точки зрения.

Учтем теперь ее корпускулярные свойства. Ранее мы нашли выра- жение для фазовой скорости волновой функции, описывающей дви- жение свободного электрона в пространстве:

v   = dx  =  e ,

            

ф     dt       p

Здесь ε полная энергия электрона, p – импульс электрона. Вол- новая функция свободного электрона

-  i (et - px)


 

Поэтому


 

2y

 


y = y0e h

 

p2     e2

 

                 


.

 

       p2


 

.                    (1.6.5)


e2 

 
x2 =


-

 h2


y = -     y

2

 
      h


Кинетическая энергия свободного электрона

p2

K =

2m

или

p2 = 2mK.


Подставим полученное выражение для квадрата импульса в (1.6.5):


2y = - 2m

 

                      


(1.6.6)


x2


h Ky.


Уравнение (1.6.6) справедливо лишь для частного случая движения свободного электрона. Попробуем теперь уравнение (1.6.6) видоизме- нить так, чтобы оно было справедливым не только для свободного электрона, но и для электрона в поле других консервативных сил. В этом случае кинетическая энергия электрона


K = e - U (x),

где U (x) – потенциальная энергия электрона.

Следовательно, в общем случае,

p2 = 2mK = 2m(e - U (x)).

Подставим найденное выражение в (1.6.6):


(1.6.7)



2y = - 2m (e -        )y


 

или


x2


U (x)

h2



2y + 2m (e -


)y =


.                         (1.6.8)


x2     h2


U (x)        0


Уравнение 1.6.8) и есть основное уравнение квантовой механики для микрочастицы в поле внешних консервативных сил, причем в случае свободного электрона потенциальная энергия электрона U = 0 . Так как в уравнение (1.6.8) время явным образом не входит, то его решение будет одним и тем же для любого момента времени. Поэтому

уравнение (1.6.8) называется стационарным уравнением Шредингера.

При выводе уравнения Шредингера была допущена физическая неточность: в (1.6.7) кинетическая энергия K была выражена через потенциальную энергию U, что противоречит соотношению неопре- деленности. Действительно, из физического смысла уравнения (1.6.7) следует, что в одном и том же опыте одновременно известны две фи- зически сопряженные величины – кинетическая и потенциальная энергии, т.е. в одном и том же опыте можно определить и точное зна- чение импульса, и точное значение координаты, что в принципе не- возможно. Единственным оправданием для Шредингера является то, что при составлении своего уравнения Шредингер не знал закона – соотношения неопределенности, этот закон был опубликован позднее. В общем случае, для реального пространства трех измерений, ста-

U (r ) y = 0

 
ционарное уравнение будет иметь следующий вид:


Dy + 2m (e -

h2


r )       ,                         (1.6.9)


где D – оператор Лапласа,

D =


2

x2


+  2

y2


2

+ z2 .


Перейдем к формулировке нестационарного уравнения Шрединге- ра. Так как волновая функция свободного электрона

- i (et - px)

y = y0e h                 ,

i

 
то


 

 

или


¶y = -

t


h ey0e


- i (et - px)

h


= - i ey

h


 

Из (1.6.9) находим εψ :


ih ¶y = ey.

t


(1.6.10)


ey = - h2 Dy +

2m

Тогда с учетом (1.6.10) имеем:


r

U (r )y


ψ       h2              r


ih      = -      D +


(1.6.11)


t        2m ψ


U (r )ψ,


Уравнение (1.6.11) – нестационарное уравнение Шредингера. За- пишем его в иной форме:


¶y       h2            r

 


(1.6.12)


ih t


= -     D + U (r ) y.

2m


                     

В квантовой механике каждой физической величине соответствует свой оператор. При этом для операторов физических величин в кван- товой механике обычно сохраняются соотношения, характерные для самих величин в классической механике. В уравнении (1.6.12) выра- жение в круглых скобках есть математическая операция, она называ- ется оператором Гамильтона:


Hˆ  = -


h2 D + uˆ

,

 
2m


(1.6.13)


U (r )

 
uˆ  =     r – оператор потенциальной энергии. Тогда нестационарное


уравнение Шредингера в операторной форме записи:

ihy = Hˆy.

t


(1.6.14)


Из (1.6.10) и (1.6.14) получаем стационарное уравнение Шредин- гера в операторной форме записи:


Hˆy = ey,


(1.6.15)


где e – собственное значение, ψ – собственная функция оператора H .

i

 

i

 
Введем оператор импульса для трех его проекций. Так как


¶y =

x

то


h pxy0e


- i (et - px)

h


= h pxy,



 

 
- ih  y = p y; p y = p y, p = -ih  .

      x         x               x                 x              x                    x


Аналогично получаем

 


 , r


  r


   r    r


py = -ihy , pz = -ihz

r


p = -i, Ñ = x i + y j + z k ,


где p – оператор импульса.

Кинетическая энергия электрона



= p2 =


1 ( r× r)

 


 

а ее оператор


K                    p p ,

2m    2m


K

 

,

 
ˆ = 1 (- h2ÑÑ)= - h2 D


D = Ñ ×Ñ.


2m                    2m

Тогда с учетом (1.6.13) оператор Гамильтона

Hˆ  = Kˆ + uˆ.

Если оператор физической величины имеет собственное значение, т.е. в результате действия оператора на волновую функцию перед ней в каче- стве коэффициента появляется некоторая вещественная физическая ве- личина (импульс, полная энергия и др.), то такой оператор называется эрмитовым, коэффициент перед волновой функцией называется собст- венным значением оператора, а сама волновая функция собственной функцией оператора. Средние значения физических величин можно вы- числить только при использовании эрмитовых операторов. Например,

V

e  =   y* Hˆy  dV =   n Hˆ n .

ò  n           n

0

В общем случае, оператор, действующий на волновую функцию ψ ,

обозначим L . Тогда

Lˆy = Ly,

где L – собственное значение оператора (число), ψ – собственная функция оператора Lˆ .


             Электрон в потенциальной яме

 

Задача о движении электрона в потенциальной яме представляет большой интерес с познавательной точки зрения, поскольку потенци- альная яма является первым приближением к модели того силового поля, которое удерживает электроны в атоме, в твердом теле. Конеч- но, реальная задача всегда намного сложнее той, которую мы будем рассматривать здесь. Тем не менее, общие закономерности, которые нами будут установлены, в общих чертах проявляются и в реальных условиях, т.е. отражают реально существующие в природе физиче- ские закономерности.

Прежде всего, что называется потенциальной ямой? Потенциаль- ной ямой называется зависимость потенциальной энергии микрочас- тицы от ее координаты, имеющая минимум.

Если в потенциальной яме находится частица и ее полная энергия равна ε , то в процессе движения она в основном будет находиться в пределах потенциальной ямы. При этом частица будет испытывать непрерывные столкновения с ее стенкой, т.е. при таком движении в пространстве возникает некий колебательный процесс.

Рассматриваемый здесь вопрос о движении электрона в потенци- альной яме является важнейшим из тех, что изучались нами до сих пор. В самом деле, нам потребуются результаты анализа законов дви- жения электрона в потенциальной яме при изложении физики твердо- го тела, в частности, физики полупроводников, при изложении физики атомов, молекул, при изложении физики атомного ядра.

Итак, область применения результатов такого анализа оказывается весьма обширной. Кроме того, результаты рассматриваемой теории позволят предсказать новое физическое явление, которое имеет не- обычное, парадоксальное проявление, которое даже противоречит "здравому" физическому смыслу, но, тем не менее, оно наблюдается в природе и даже нашло практическое применение. Здесь имеются в виду так называемые барьерные эффекты на границе потенциальных ям, в частности, туннельный эффект.

Любая одномерная потенциальная яма характеризуется двумя ос- новными параметрами: функциональной зависимостью потенциаль- ной энергии от координаты  U = U (x) и шириной потенциальной  ямы l . Оказывается, этих данных вполне достаточно для описания в ней

движения электронов на основе решения уравнения Шредингера. Так как точный контур реальной ямы всегда оказывается достаточно сложным, а во многих случаях даже и неизвестным, то для решения


задачи реальную модель потенциальной ямы заменим ее упрощенной зависимостью U(x), имеющей вид прямоугольной потенциальной ямы. В этом случае можно решить уравнение Шредингера, причем решения получаются достаточно простыми и аналитическими, и, что в данном случае особенно важно, они достаточно хорошо соответствуют опыту.

 

               Линейный гармонический осциллятор

Осциллятором называется любая совершающая колебания физиче- ская система. Если колебания совершаются по гармоническому зако- ну, то осциллятор называется гармоническим. Различают классиче- ский и квантовый осцилляторы. Классическим осциллятором называ- ют любую механическую систему, совершающую колебания около положения равновесия в соответствии с законами классической меха- ники. Понятие осциллятора применяется также и к немеханическим колебательным системам, например, к колебаниям электронов в ато- мах, в твердом теле и т. д. Квантовым осциллятором называется сис- тема колеблющихся частиц, движение которых подчиняется кванто- вым законам.

а) Классический осциллятор

В качестве примера рассмотрим гармонический осциллятор в виде груза, подвешенного на пружине (рис. 1.7.1.1).

 

0

i

 

 

 

х0

 

 

 

 

х1

 

 

 

 

 

Рис. 1.7.1.1. Пружинный гармонический осциллятор


Пусть


x0 – координата центра тяжести груза в положении равнове-


сия,


x1 – координата в момент времени t. Тогда отклонение от поло-


жения равновесия в любой момент времени будет


x = x1 - x0 . Как


следует из рис. 1.7.1.1, на груз массой m будут действовать сила упру-

гости Fу и сила тяжести FТ .

Если отклонение от положения равновесия груза незначительно, то


Fy = -kxi ,


(1.7.1.1)


где x – отклонение от положения равновесия, k – коэффициент упру- гой силы, i – единичный направляющий вектор. Сила тяжести груза равна


 

где m – масса груза.


FT = mgi ,


Груз, выведенный из положения равновесия, будет совершать ко- лебания относительно положения равновесия. В отсутствии действия сил трения и сил сопротивления среды колебания будут незатухаю-


щими. Так как сила Fy


консервативна, то


r        dU r

 


(1.7.1.2)


Fy = - dx i ,

где U – потенциальная энергия сжатой или растянутой пружины.

В уравнениях (1.7.1.1) и (1.7.1.2) левые части равенства одинако- вы, поэтому

dU = kxdx..                                (1.7.1.3)

После интегрирования (1.7.1.3) получаем:

kx2 .                                 (1.7.1.4)


U =

2

Так как груз совершает колебательные движения, то в любой мо- мент времени под действием этих сил груз перемещается с ускорени-

ем  &x&. По  второму закону Ньютона произведение массы на ускорение

равно векторной сумме действующих на тело сил:

Fy + FT  = m&x&i


или


m&x&= -kx + mg.


(1.7.1.5)


Решением уравнения (1.7.1.5), удовлетворяющим начальному ус- ловию x=x0 при t=0, является выражение


x = 1 (g + (w2x - g )cos w t ),


(1.7.1.6)


w

 
2                       0                              0

0

гдеw 2 = k , w0 - собственная круговая частота колебаний.

0 m

Из (1.7.1.4) следует, что потенциальная энергия меняется по пара- болическому закону, а так как полная энергия в процессе движения постоянна, то и зависимость кинетической энергии от координаты также меняется по параболическому закону, хотя во времени кинети- ческая энергия при выбранных начальных условиях меняется по зако-

ну, пропорциональному sin 2 w0t .

Рассмотрим теперь движение электрона в атоме водорода, находя- щегося в основном (невозбужденном) состоянии. Находясь в этом со- стоянии, электрон вращается вокруг ядра, с наибольшей вероятностью двигаясь по сферической поверхности. Если теперь провести сечение поверхности, то движение электрона можно рассматривать как дви- жение по окружности (рис. 1.7.1.2).

Так как начало координат находится в центре ядра, то в процес-  се движения радиус-вектор r электрона будет непрерывно вра- щаться. Система отсчета, связанная с электроном, является неинер- циальной. Запишем второй закон Ньютоны в неинерциальной сис-


теме отсчета:

 

где


r

ma = F + Fи ,


(1.7.1.7)


r = -    q2 r F = mw2 r

 


r = r


0

 
F       4pe r 2 er ,        u


0rer , er r ;


r – расстояние между электроном и ядром в атоме водорода, находя-


щегося в основном состоянии,


Fu – центробежная сила инерции, a -


ускорение электрона в собственной системе отсчета, равное нулю, er

  единичный направляющий вектор.

После подстановки найденных значений в (1.7.1.7) получаем:


-        q2


+ w2 =


4pe0r 2


m  0r    0.


 

u

 

 

 

q < 0

m

 

 

 

 

 

Рис. 1.7.1.2. Модель кругового движения электрона Отсюда


w2 =      q2               n = w0 ,

T


= 1 ; q = e;

 

0

 


(1.7.1.8)


0

 
0 4pe mr3 , 0


2p    0 n


где n 0 – частота вращения электрона вокруг ядра, T0 – период, e – за-

0

 
ряд электрона. После подстановки табличных значений в (1.7.1.8) име- ем


n0 = 6,56 ×1015 Гц,

б). Квантовый осциллятор


Т = 1,5 ×10-16 с.


Особенности физических свойств квантового осциллятора изучим на примере параболической зависимости потенциальной энергии от координаты, как это имело место в классическом осцилляторе. В от- личие от классической механики, в квантовой механике понятие силы отсутствует. Поэтому нецелесообразно в выражении для потенциаль- ной энергии использовать коэффициент упругости, как коэффициент пропорциональности между силой и отклонением микрочастицы от положения равновесия.

0

 
Так как k = mw2 , то после его подстановки в (1.7.1.4) получаем


mw2 2


(1.7.1.9)


U = 0 x .

2

На рис. 1.7.1.3 приведен график потенциальной энергии микрочас- тицы, построенный по формуле (1.7.1.9).


 

 

Рис. 1.7.1.3. Потенциальная функция и уровни энергии гармонического осциллятора

В одномерном случае стационарное уравнение Шредингера



2y + 2m (e -


)y =


(1.7.1.10)


x2     h2


U (x)        0


Решениями уравнения (1.7.1.10) являются собственные волновые функции вида

n

 

n

 
y  (x) ~ (x)e-ax2 ,

где n = 0, 1, 2, 3, ...; a = const ; Pn (x) – полиномы Чебышева-Эрмита.


По определению, каждой собственной волновой функции


ψn (x)


соответствует собственное значение полной энергии оператора Га-


мильтона


εn ; можно показать, что дифференциальное уравнение


(1.7.1.10) имеет решение, удовлетворяющее так называемым стан- дартным физическим условиям, только в том случае, если полная энергия колеблющейся микрочастицы, в частности электрона, дис- кретна и равна


ε = hw  n + 1 .

 


(1.7.1.11)


2

 
n

 

Введем новую переменную


0

z = x


. Тогда полиномы


Pn (x)


имеют достаточно простое выражение, особенно при малых значениях

n. В табл. 1.7.1. приводятся некоторые значения полиномов Чебыше- ва–Эрмита ( a1, a2, a3, a4 – вещественные числа).

 

n

0

1

2

3

4


 

Pn (z)

1

a1z

a  z2 - 1

2        2

          

a  z3 - 3 z

3         2  

            

a  z4 - 3z2 + 3

4                  4

                   

Таблица 1.7.1. Значения полиномов Чебышева–Эрмита

Как следует из (1.7.1.11), значения полной энергии квантованы (дискретны), каждое из них определяет величину полной энергии ко- лебательного движения микрочастицы. Так как различным значениям n соответствуют определенные значения энергии колебаний, то n - называется колебательным квантовым числом.

На рис. 1.7.1.3 приводятся различные значения n и соответст-


вующие им уровни колебательной энергии


εn . Существенно, что


уровни гармонического осциллятора эквидистантны: Den = hw0.

Из (1.7.1.11) следует, что наименьшему значению полной энергии соответствует n = 0 . Это значит, что микрочастицы вещества не могут находиться в состоянии покоя даже при T = 0 K . Даже при абсолют-

ном нуле температуры они совершают непрерывные колебания. Такие колебания называются нулевыми. Их существование, также как вели- чина нулевой энергии, является прямым следствием соотношений не- определенности Гейзенберга.

В качестве примера вычислим полную энергию основного состоя- ния электрона в атоме водорода, полученную в результате решения уравнения Шредингера (1.7.1.10), и сравним с результатом вычисле- ний по формуле (1.7.1.11) при n = 0 .

Как будет показано в дальнейшем, энергия электрона в основном состоянии

e0 = hcR ,                                      (1.7.1.12)

где h – постоянная Планка, c – скорость света в вакууме, R – посто- янная Ридберга. Подставив в (1.7.1.12) табличные значения, получим


ε0 = 13,6


эВ. Тот же результат получится, если в тождество (11) под-


ставить значения


n = 0


и периода колебаний


Т0 = 1,5 ×10-16с , вычис-


ленного ранее в пункте а).

Аналогичный результат можно получить, используя уравнение (1.7.1.10) при рассмотрении движения иона в кристаллической решет- ке твердого тела. Оказывается, что и в этом случае даже при темпера- туре абсолютного нуля ионы совершают непрерывные колебания око- ло положения равновесия. Таким образом, в природе не существует неподвижных микрочастиц (электронов, атомов и других микрочас-


тиц), микрочастицы любого физического происхождения всегда, при любой температуре находятся в непрерывном движении.

 

               Движение электрона в потенциальной яме с плоским дном

Как уже отмечалось ранее, график зависимости потенциальной


энергии


U (x)


от координаты x может иметь достаточно сложный


вид. В частности, он может иметь вид, изображенный на рис.1.7.2.1. Но уравнение Шредингера для таких потенциальных энергий в общем случае трудно поддается расчету. Поэтому  для  дальнейшего  анализа

заменим реальную функцию U (xее упрощенным графическим пред-

ставлением в виде потенциальной ямы с плоским дном (рис. 1.7.2.2). В этом случае уравнение Шредингера решается достаточно просто.

 

x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 1.7.2.1 Потенциальная яма    Рис. 1.7.2.2. Потенциальная яма со сложным профилем дна                                                                  с плоским дном

Из   рис.   1.7.2.2   видно,   что   в   пределах   потенциальной   ямы

U (x) = const , F = - dU  = 0 . Следовательно, на электрон в этой области

dx

сила не действует, сила возникает только на границах областей 1–2 и 2–3. Таким образом, движение электрона в пределах потенциальной ямы происходит по инерции с постоянной скоростью, его кинетиче- ская энергия К постоянна.

Рассмотрим первоначально движение электрона с полной энергией ε < 0 . Все пространство разделим на три физически различных облас- ти 1, 2, 3. В областях 1 и 3:  = 0, e = K + < 0 , значит, кинетическая

энергия получает отрицательное значение, и скорость становится мнимой величиной. И то, и другое в классической механике не имеет физического смысла и не может реализоваться. В кантовой же меха- нике возникает своеобразная статистическая трактовка. В области 2


ε > U < 0 . Кинетическая энергия положительная, скорость электрона

– постоянная величина.

Запишем теперь нестационарное уравнение Шредингера:


Hˆy = ih y ,

t


(1.7.2.1)


Hˆ  = -


h2

2me


 2

x 2


+ U (x).


В нашем случае потенциальная энергия не зависит от времени, по- этому для решения (1.7.2.1) можно применить метод разделения пере- менных Фурье, записав волновую функцию в виде произведения двух функций, одна из которых зависит только от координаты x , другая – только от времени t :

y(x, t) = y(x)y(t).                             (1.7.2.2)

Найденное выражение (1.7.2.2) для волновой функции подставим в уравнение (1.7.2.1), при этом учтем, что оператор Гамильтона на вре- менную часть волновой функции не действует:

y(t)Hˆy(x) = ihy(x) × y&(t).

Разделим переменные:

Hˆy(x) = ih y&(t) = C  .                          (1.7.2.3)

y(x)         y(t)      1

Левая часть уравнения (1.7.2.3) зависит только от координаты, пра- вая часть – только от времени. Это возможно, если каждая из частей уравнения (1.7.2.3) равна постоянной величине C1 .

Итак, имеем:


Hˆy(x) = C1y(x).

Но ранее было показано, что

Hˆy(x) = ey(x),


 

(1.7.2.4)


где e – собственное значение оператора Гамильтона. Следовательно,


С1 = e. Подставив значение С1 в (1.7.2.3), после сокращения на получим дифференциальное уравнение


ψ(x)



dy(t) = -  e


y(t)

решением которого является функция


i h dt,

- i εt


y(t) = y0e h .


(1.7.2.5)


Тогда общее решение дифференциального уравнения (1.7.2.1) с учетом условия (1.7.2.2) будет иметь вид


y(x, t) = y(x)0 e


-  i εt

h .


(1.7.2.6)


Здесь постоянная интегрирования ψ0


вошла в функцию


ψ(x) , это


возможно, поскольку вид волновой функции


ψ(x,t)


нами еще не был


определен. Заметим, если U = U (x, t) , т.е. потенциальная энергия за-

висит еще от времени, то метод разделения переменных Фурье при- менять нельзя, и представление волновой функции в виде произведе- ния двух волновых функций будет неправомерным.

Теперь займемся координатной частью дифференциального урав- нения (1.7.2.4), для чего запишем его в развернутом виде:


-  h2

2me


d 2y(x) +

dx2


Uy(x)


= εy


(x),



d 2y(x) + 2me (e -    )y       =


(1.7.2.7)


dx2


U    (x)    0,

h2


Уравнение (1.7.2.7) – стационарное уравнение Шредингера. При- меним его для различных областей пространства.

Для простоты дальнейших вычислений введем новые обозначения:


a2 = - 2me > 0,     a2 = 2me (e - U ).

                                                                            


(1.7.2.8)


1                 h2                                2           h2

Тогда в новых обозначениях дифференциальное уравнение (1.7.2.7)

в различных областях пространства будет иметь разный вид.

В области 1

y¢ (x) - a2y (x) = 0.


Его решение


1                   1 1


y (x) = y


ea x + y


e- a x ,


x £ - l .


1

1                      01


1                             

02                                      2


Так как электрон в область 1 глубоко проникнуть не может, то

y1(x) x =-¥ = 0, y02 = 0;

ψ1(x) = ψ01eia1x .            (1.7.2.9)


В области 2


y¢ (x) + a2y  (x) = 0.


Его решение


2                    2 2


 

В области 3


y2 (x) = y03eia2 x + y04e-ia2 x.

y¢ (x) - a2y  (x) = 0.


(1.7.2.10)


Его решение


3                   1 3


y3(x) = y


ea1 x + y


- a1 x

e     ,

 
06


x ³ l .

2


05

 
Так как электрон и в область 3 глубоко проникнуть не может, то

y3(x) x  = 0, y05 = 0;


или


3                       06

 
y  (x) = y   e- a1x.


(1.7.2.11)


После подстановки в (1.7.2.6) найденных решений (1.7.2.9)– (1.7.2.11) получим волновые функции для различных областей про- странства:


y1(x, t) = y01e


-  i (εt + iha x )

1

 
h                      ,


y2 (x, t) = y03e


-  i (εt -ha x )

2

 
h


+ y04e


-  i (εt +ha x )

2

 
h                      ,


y3 (x, t) = y06e


-  i (εt -iha x )

1

 
h                      ,


Из анализа вида волновых функций следует, что в 1-й и 3-й облас- тях фазовые скорости имеют мнимую величину, хотя сами волновые функции отличны от нуля. Это означает, что квантовая механика предсказывает возможность прохождения через потенциальный барь- ер, но не объясняет физическую природу возможности прохождения. Парадоксальность ситуации состоит в том, что в этом случае наруша- ется закон сохранения энергии. В области 2 фазовая скорость – веще- ственная величина, волновая функция состоит из двух плоских волн, распространяющихся в противоположных направлениях.

Для определения постоянных интегрирования ψ01, ψ03, ψ04, ψ06 вос- пользуемся граничными условиями для волновых функций и их про- изводных:


ψ1(x) = ψ2(x)


ψ2(x) = ψ3(x)


(1.7.2.12)


ψ '(x) = ψ


'(x)


                       

ψ '(x) = ψ '(x)


 1                       2


x =l / 2  2


3           x =l / 2


После подстановки значений в граничные условия решений соот- ветствующих дифференциальных уравнений находим постоянные ин- тегрирования, при этом в зависимости от четности волновой функции в области 2 получаем различные постоянные интегрирования. Кроме того, в зависимости от четности волновой функции получаем различ- ные уравнения, определяющие условия квантования полной энергии электрона:

для четной волновой функции в области 2


a1 = a2


tg a2l , 2


для нечетной волновой функции в области 2


a2 = -a2


ctg a2l .

2


В дальнейшем для анализа будем использовать только четную волновую функцию. В результате проведенных преобразований полу- чаем следующие выражения для волновых функций в областях 1, 2, 3:


y1(x) = y0 e


a1 ( x + l )

2 ,


- ¥ £ x £ - l ;

2


y  (x) =    y0     × cos a x ,      - l £ x £ l ;

                                                                                                                       


(1.7.2.13)


2                 cos a2l           2                      2          2

2

- a1 ( x - l )                                     l


y3 (x) = y0 e         2 ,


£ x £ ¥.

2


Для определения постоянной ψ0 воспользуемся условием норми- ровки волновой функции:


-l


2 2a ( x+ l )


l

2 cos2 (a x)


¥    -2a ( x- l )                    -

 


ò e 1


dx + ò  2      dx + ò e            1


2 dx = y 2

Надпись: 0


 

 

Отсюда имеем:


- cos2 ( a2l )        l

2                     2          2

 

                 2


Надпись: 0

 

 

-1



y2 = 2  2


+ 1 +  a1 

 


+ 2a1 

 


.         (1.7.2.14)


 

0 l  a l


a


a2l


  1                    2         2  

Из решений (1.7.2.13) видно: если электрон находится в области 2, то всегда существует некоторая вероятность проникновения вглубь стенки потенциальной ямы, хотя по законам классической физики это невозможно.

Рассмотрим более подробно причину квантования полной энергии электрона, находящегося в потенциальной яме конечной глубины.

Из (1.7.2.8) следует, что величина полной энергии ε электрона в области 2


h2

e = U +

2me


a2.


(1.7.2.15)


2

 
Следовательно, возможные значения полной энергии определяются возможными значениями параметра a2 и величиной потенциальной энергии U, причем


a2 + a2 = - 2me U .


(1.7.2.16)


2           1                h2


После подстановки в (1.7.2.16) значений a1 и a2 из (1.7.2.8) и по- следующих преобразований получаем трансцендентное уравнение



a2 = - 2me U cos2  a2l


(1.7.2.17)


2

 
2                h2


     .

    


В табл. 2 приведены значения a2 для различных значений n. Знание корней a2 позволяет по формуле (1.7.2.15) вычислить полную энергию электрона в потенциальной яме.

С целью определения возможных значений полной энергии элек- трона в качестве примера, используя (1.7.2.16) и (1.7.2.17), выполним конкретный расчет при  следующих  исходных  условиях:  =  2  нм, U = -10 эВ. Результаты вычислений представлены в табл. 1.7.2, в ко- торой n – квантовое число.

 

n

1

2

3

4

5

6

7

8

9

a2·109

1,48

1,67

4,44

5,03

7,38

8,40

10,3

13,2

15,9

- ε , эВ

9,92

9,89

9,25

9,04

7,92

7,33

5,9

5

3,37

0,35

 

Таблица 1.7.2. Результаты вычислений по (1.7.2.16) и (1.7.2.17)

 

На рис. 1.7.2.3 изображена потенциальная яма и расположение уровней полной энергии при заданных параметрах a2 и U. Разумеется, при иных параметрах потенциальной ямы число и расположение уровней полных энергий в ней будет иным. Если глубина потенциаль- ной ямы при заданной ее ширине l невелика, то число уровней в ней ограничено, и электрон в потенциальной яме по-прежнему обладает дискретными значениями полной энергии. Но чем больше ширина потенциальной ямы, тем большее число уровней будет находиться в ней, что непосредственно следует из решений уравнений. Если же провести подобный расчет для макроскопического тела (металла), то окажется, что число уровней в нем станет настолько большим, а энер- гетический интервал между соседними уровнями будет настолько мал, что отдельные уровни окажутся физически неразличимыми. Таким образом, в металле возникнет зона разрешенных значений энергии. И если она, допустим, частично заполнена, то такая зона разрешенных значений энергии называется зоной проводимости.


n       ,u

 

 

o

x, A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 1.7.2.3. Потенциальная функция и уровни энергии частицы в потенциальной яме с плоским дном

 

Итак, чем больше l, тем больше будет квантовых чисел n, тем большее число волновых функций будут описывать движение элек- тронов в потенциальной яме, поскольку каждой волновой функции должно соответствовать собственное значение полной энергии. В на- шем примере число волновых функций 9.


-1.0                                                                                        1.0

 

Рис. 1.7.2.4. Графики плотности вероятности для частицы в потенциальной яме


 

На рис. 1.7.2.4 изображены графики плотности вероятностей для первых трех квантовых чисел. Из рис. 1.7.2.4 видно, что с ростом n понижается высота максимума плотности вероятности, кроме того, число максимумов для заданного n равно числу n. Если ширина по- тенциальной ямы достаточно велика, то n будет велико, и для элек- трона, обладающего достаточно большой энергией, число максимумов будет столь велико, что они окажутся физически неразличимыми. Та- ким образом, в этом случае положение электрона можно определить лишь с точностью до ширины потенциальной ямы. Электрон теперь как бы "размазан" по всей ширине потенциальной ямы.

 

               Движение электрона над потенциальной ямой

Пусть энергия электрона ε > 0. Тогда при движении на его пути не встречается потенциальный барьер (рис. 1.7.3.1).

Классическая механика показывает, что никаких препятствий для движения частицы в прямом направлении не возникает, отражение от потенциального барьера не происходит.

Рассмотрим ту же задачу, применив для ее решения уравнение Шредингера


Hˆy = i h y .

t


(1.7.3.1)


 

 

 

 

 

 

 

x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 1.7.2.5. Схема движения электрона над потенциальной ямой


Его решение представим в виде произведения двух волновых функ- ций:


 

где


y(x, t ) = y(x) y(t ),

-  i ε t


(1.7.3.2)


y(t) = y0h  .

Запишем стационарное уравнение Шредингера

y¢¢(x) + 2me (e - U ) y(x) = 0 .          (1.7.3.3)

h2

Так как всюду полная энергия ε > 0, то решения уравнения (3) бу- дут отличаться от полученных в п. 1.7.2. Как и раньше, все геометри- ческое пространство разделим на три области.

В областях 1 и 3


U = 0,


a2 = 2me e > 0 .


 

В области 2


1            h2


U < 0,       a2 = 2me (e - U ) > 0 .

2            h2

Решениями уравнения (3) будут: в области 1

ψ1(x) =ψ01eia1x +ψ02e-ia1x,

-i (εt-ha1x)                                               -i (εt+ha1x)

                                                                             


 

в области 2


ψ1(x,t) =ψ01e h                 +  ψ02e h                ;


y2 (x) = y03eia2 x + y04e-ia2 x ,

-  i t -ha2 x)


-  i t +ha2 x)


 

в области 3


y2 (x, t) = y03e h


+    y04e  h                       ;


y3 (x) = y05eia1x + y06e-ia1x ,

- i t -ha1x)                            - i t +ha1x)

                                                                                                  

y3 (x, t) = y05e h                        +    y06e h                      ;

Из полученных решений видно, что каждое из них содержит пря- мую и отраженную волну. Но так как в области 3 нет физических ус- ловий для возникновения отраженной волны при движении электрона в прямом направлении, то естественно положить ψ06 = 0.

Коэффициенты отражения и прохождения можно выразить через отношения соответствующих значений плотности вероятности:


 y  2                                y   2


R =  02  ,

y01


D =  05   .

y01


(1.7.3.4)


Для определения постоянных интегрирования ψ010205 исполь- зуем граничные условия, согласно которым на границе раздела сосед- них областей пространства должны быть равны не только волновые функции, но и их первые производные:


ψ1(x) = ψ2(x)


ψ01 + ψ02 = ψ03 + ψ04


ψ '(x) = ψ


'(x)


 ia (ψ   - ψ ) = ia (ψ


-  ψ )


 1                       2


x =0


1        01            02


2        03            04


(1.7.3.6)


ψ2(x) = ψ3(x)


ψ03eia2l + ψ02e-ia2l = ψ05eia2l


                      

ψ '(x) = ψ '(x)


; ia (ψ


eia2l - ψ


e-ia2l )= ia ψ


eia2l


 2                       3


x =l


2       03                        04


1 05


Для вычисления R и D необходимо знать Ψ010205. Их значения можно найти из совместного решения системы уравнений (1.7.3.5):


ia l


i(a2 + a2 ) sin a l


D = 4e 1 cos a2l - 1   2            2    y01   ,


Dy   = y


2eia1l


( 2 -


2a1a2                

2 )


1

 

2

 
02             01 a a


i a2


a sin a2l     ,


 

Тогда


Dy05 = y01 × 4 .


y02


= Dy02 ,

D


y05


= Dy05

D


(1.7.3.6)


где ∆, ∆ψ02 , ∆ψ05 – значения соответствующих определителей систе- мы уравнений.

Значения из (1.7.3.6) подставляем в (1.7.3.4). В результате получа- ем:

2

 
   2     


2

 
a2

a1


-1


sin2 a l


(1.7.3.7)


2

 
R =  ⎝                                     ,

    2       2     


2

 
4 a2

a1


+  a2

 
a1

 a


-1

2


sin2 a l


4  2 

D =                   a1


.         (1.7.3.8)


2

 
    2       2     


2

 
4 a2

a1


+  a2

 
a1


-1


sin 2 a l


Из (1.7.3.7) следует, что существует определенная вероятность от- ражения электрона от правой границы потенциальной ямы, что не имеет места в классической физике. Электрон, пролетая над потенци- альной ямой, как бы "чувствует" ее влияние, что и приводит к возник- новению некоторой вероятности отражения от нее.

Рассмотрим конкретный пример. Пусть U= -10 эВ, ε = 5 эВ, l=2нм. Расчет, выполненный по формулам (1.7.3.7) и (1.7.3.8), дает следую- щие результаты:

R = 0,22, D = 0,78.

Из формулы (1.7.3.7) следует, что при sin a2l = 0 коэффициент от- ражения R = 0. Следовательно, условие a2l = κπ соответствует усло- вию квантования полной энергии электрона:


e = U


+ k2


h2

,

8mel 2


(1.7.3.9)


k = 1, 2, 3, ...

Условие (1.7.3.9) накладывает определенные ограничения на вели- чину полной энергии. Если электрон, пролетая над потенциальной ямой, не чувствует ее влияния, sin a2l = 0, R = 0, то его полная энергия должна быть дискретна, т.е. квантована.

 

               Движение электрона над потенциальным барьером

Пусть на пути движения электрона расположен потенциальный барь- ер бесконечно большой толщины. Полная энергия электрона всюду больше потенциальной, ε > U0 > 0 (рис. 1). Рассмотрим влияние такого потенциального барьера на движений электрона. Для этого все простран- ство разобьем на две области. В области 1 U = 0, в области 2 U=const.

U

 

 


 

 

 

 

x

0

Рис. 1.7.4.1. Схема движения электрона над потенциальным барьером


Для каждой из областей пространства запишем стационарное урав- нение Шредингера.

Область 1


y¢ (x) + a2y (x) = 0 .


(1.7.4.1)


Область 2


1                   1 1


y¢ (x) + a2y


(x) = 0 ,


(1.7.4.2)


где


2                    2 2

 

a2 = 2me e,        a2 = 2me (e - U ) .

                                                                  


1            h2                           2           h2

Решениями дифференциальных уравнений (1.7.4.1) и (1.7.4.2) яв- ляются


ψ1(x) = ψ01eia1x + ψ02e-ia1x ,

y2 (x) = y03eia1x + y04e-ia1x.


(1.7.4.3)

(1.7.4.4)


Тогда с учетом временной составляющей волновой функции полу- чаем:

для области 1


y1(x, t) = y01e


- i (e t -ha x)

1

 
h


+ y02e


- i (e t +ha x)

1

 
h                      ,


(1.7.4.5)


 

для области 2


y1(x, t) = y1пад (x, t) + y1отр (x, t) .


y2 (x,t) = y03e


- i (e t -ha x)

2

 
h


+ y04e


- i (e t +ha x)

2

 
h                       ,


(1.7.4.6)


y2 (x,t) = y2пад (x,t) + y2отр (x,t) .

где ψ1пад( x ,t), ψ2пад( x ,t), ψ1отр( x ,t), ψ2отр( x ,t) – соответственно падаю- щая и отраженная волны де Бройля.

Из постановки задачи следует, что в области 2 отраженная волна возникать не может, поэтому

y2отр (x, t) = 0 ,       y04 = 0 .

Тогда волновая функция в области 2 будет иметь вид:

- i (e t -ha2 x)


y2 (x,t) = y03e h                        .


(1.7.4.7)


Для определения постоянных интегрирования ψ01, ψ02, ψ03 запишем граничные условия для уравнений (1.7.4.5) и (1.7.4.7)?

y1(x) = y2 (x)

y¢(x) = y¢ (x)      .

 1                      2     x=0

Тогда после подстановки соответствующих значений в граничные условия имеем:


y01 + y02 = y03


 .          (1.7.4.8)


a1y01


- a1y02


= a2y


03


Решив систему уравнений (1.7.4.8) совместно, получим


y02


= a1 - a2 y ,

a + a     01


y03 =


2a1

a + a


y01.


(1.7.4.9)


1           2                                                   1           2

При движении в пространстве электрон обладает импульсом

p=ħa1,2 . Поэтому

p1 = ha1,        p= ha2.

Так как при движении электрона в пространстве вместе с ним пе- реносится импульс, то плотность вероятности переноса импульса в области 1:

в прямом направлении


w2пад = p y2


= ha y2 ,


в обратном направлении


1 01


1 01


1

 

02

 
w2обр = p y2


= ha y2


1

 

02

 

1

 

03

 
Плотность вероятности переноса импульса в области 2


1

 

03

 
w2пад = p y2


= ha y2 .


По определению, коэффициент отражения электрона от потенци- ального барьера

w           y   2


R = 1отр =  02 


,          (1.7.5.10)


w2пад    y02

коэффициент прохождения в область 2

w          a   y    2


D = 2пад = 2  03


.          (1.7.5.11)


w1пад      a1 y01

Подставив в (1.7.5.10) и (1.7.5.11) найденные в (1.7.5.9) значения, получим


 a - a 2


4a a


R =   2           1  ,    D =


 2    ,               (1.7.5.12)

2


a2 + a1

причем, как видно из (11) и (12),

R + D = 1.


(a2 + a1)


Рассмотрим конкретный пример. Пусть ε = 10 эВ, U = 5эВ. После вычислений по (1.7.5.12) имеем: R = 0, 0294, D = 0, 9706. Если же ε = 10 эВ, U = 9 эВ, то R = 0,270, D = 0,730, т.е. с увеличением высоты потенциального барьера коэффициент отражения возрастает, и при условии U0³ε электрон потенциальный барьер преодолеть не может.


В заключение сделаем следующее замечание. В настоящем пара- графе рассматривалось движение электрона с использованием плотно- сти вероятности переноса импульса. Этот подход к решению задачи является более общим по сравнению с решениями в разделах 1.7.2 и 1.7.3.

Может возникнуть вопрос: "Почему же в тех разделах был полу- чен физически правильный результат?" Причина заключается в том, что потенциальная энергия электрона в 1-ой и 3-ей областях про- странства там была одинаковой, поэтому импульсы электрона в об- ластях 1 и 3 также одинаковы:

p= ha1 ,        p= ha2 .

В результате при вычислении коэффициентов отражения и прохо- ждения импульсы электрона сокращаются. Но если потенциальные энергии в областях 1 и 3 разные, то следует вычислять плотности ве- роятности переноса импульсов как в прямом, так и в обратном на- правлениях.

 

               Движение электрона в направлении потенциального барьера конечной толщины

Пусть на пути движения свободного электрона находится потен- циальный барьер высотой U конечной толщины l. Полная энергия электрона e < U (рис. 1.7.5.1) Как и ранее, все координатное простран- ство разделим на три области. В областях 1 и 3 потенциальная энергия электрона U = 0, в области 2 U > e > 0.

Вычислим коэффициент отражения электрона R от потенциально- го барьера и коэффициент прохождения электрона D сквозь потенци- альный барьер.

Запишем уравнение Шредингера и их решения для каждой из об- ластей в отдельности.

Область 1:

y'' + a2y (x) = 0 .                 (1.7.5.1)

1           1    1


Решение дифференциального уравнения

y1(x) = y01eia1+ y02e-ia1 ,

- i (e t -ha1x)


 

- i (e t +ha1x)


 

где


y1(x, t) = y01e h


+ y02e  h                              ,


a2 = 2me e > 0.

1            h2


 

 

 

 

  

 

 

 

 

 

0                           l

Рис. 1.7.5.1. Схема движения электрона к барьеру конечной ширины

 


Область 2:


y'' + a2y


(x) = 0 .                             (1.7.5.2)


2           2    2

Решение дифференциального уравнения

2                      03                       04                          03                      04

 
y  (x) = y   eia2x + y   e-ia2x  = y   ea3x + y   e-a3x ,


где


a2 = 2me (e - ) < 0,        a   = ia ,       a2 = 2me (U - e) > 0.

                                                                                                                                                                                                            


2            h2                      0                                  2             3                    3            h2

Так как ширина потенциального барьера может быть достаточно большой, то при ψ03 ≠ 0 первое слагаемое с ростом может неограни- ченно возрастать, что не имеет физического смысла. Для исключения этого противоречия необходимо положить ψ03 = 0. Тогда решением дифференциального уравнения (1.7.5.2) является

y2 (x) = y04e-a3 x ,


 

 

Область 3:


y2 (x, t) = y


- i (e t -iha3 x)

04e  h                          = y


- i (e t -iha2 x) 04e  h                   .


(1.7.5.3)


1

 
y¢3¢(x) + a2y3


(x) = 0.


Решение дифференциального уравнения

y3 (x) = y05eia1x + y06e-ia1x ,

- i (e t -iha1x)


 

- i (e t +iha1x)


y3 (x, t) = y05e  h                         + y06h                       .

Поскольку физических условий для отражения электрона в области

3 не существует, то ψ06 = 0 . Тогда


y3 (x) = y05eia1x .


(1.7.5.4)


Для определения амплитуд волновых функций ψ01, ψ02, ψ05 исполь- зуем граничные условия:


y1(x) = y2 (x)

y¢(x) = y¢ (x)        ;


y2 (x) = y3 (x)

y¢ (x) = y¢ (x)


 1                     2


 x=0          2


3  x=l


Таким образом, формально результаты вычислений в настоящем параграфе полностью совпадают с результатами вычислений в разделе 1.7.3, в котором рассматривалось движение электрона над потенци- альной ямой. Различие состоит в том, что в разделе 1.7.3 a2 – действи- тельная величина, здесь же a2 – мнимая величина. На основании этого все промежуточные вычисления можно опустить, записав сразу выра- жения для R и D, полученные в разделе 1.7.3:

2

 
   2     


2

 
a2

a1


-1


sin2 a l


(1.7.5.5)


2

 
R =  ⎝                                     ,

    2       2     


2

 
4 a2

a1


+  a2

 
a1


-1


sin2 a l


 2


4 2 

D =                   a1


.        (1.7.5.6)


2

 
          2      


2

 
4 a2

a1


+  a2

 
a1


- 1


sin2 a l


Так как a2 = ia3 – мнимая величина, то

sin(a2l) = sin(ia3l) = sh(a3l) =


ea3l - e-a3l

.

2


Найденное выражение для подставим в (1.7.5.5) и (1.7.5.6):

2

 
   2      


 
a3

a1


-1


sh2(a3l)


(1.7.5.7)


2

 
R =  ⎝                                      ,

    2        2    


4 a3

a1


+  a3

 
a1


- 1 sh2(a3l)

 


 2


4  2 

D =                  a1


.         (1.7.5.8)


2

 
     2       2    


4 a2

a1


+  a2

 
a1


-1

 


sh 2a2l


Выражение для коэффициента прохождения электрона через барь- ер может быть представлено в виде

D = D exp- 2   2m (U   - e) × l

 

 
0               h       e         0                   

где величина D0 близка к единице. При этом R=1-D.

Из физического смысла формул (1.7.5.7) и (1.7.5.8) следует, что здесь отсутствуют условия квантования, причина состоит в том, что sh(a3l) не является периодической функцией. Следовательно, при лю- бых значениях ε, U, l имеется определенная вероятность для электрона преодолеть потенциальный барьер без изменения полной энергии; электрон, сталкиваясь с потенциальным барьером, с определенной вероятностью может пройти через него как через туннель. Поэтому это явление, этот эффект еще называется туннельным эффектом. Опыт подтверждает предсказание теории.

Оценим теперь вероятность туннельного эффекта для слоев раз- личной толщины. Расчет выполним для U = 5 эВ и двух значений пол- ной энергии: 3 эВ и 4, 8 эВ. Результаты вычислений по формулам (1.7.5.7) и (1.7.5.8) сведены в табл. 1.7.3.

 

ε,

эВ

R

D

l, A

l, A

0,1

0,2

0,3

0,4

0,1

0,2

0,3

0,4

3

0,395

0,810

0,952

0,989

0,605

0,190

0,048

0,011

4,8

0,259

0,596

0,783

0,879

0,741

0,404

0,217

0,121

Таблица 1.7.3. Вероятность туннельного эффекта для слоев различной толщины

Как следует из табл. 1.7.3, туннельный эффект может проявляться лишь на расстояниях, сравнимых с размерами атомов. В последние годы туннельный эффект неожиданно нашел практическое примене- ние: на основе использования этого эффекта были разработаны и ус- пешно применяются туннельные микроскопы, с помощью которых


можно исследовать и визуализировать изучаемую поверхность на атомно-молекулярном уровне. Для этого используется микроскопиче- ский зонд, который перемещается вдоль поверхности в непосредст- венной близости от нее. Регистрируемый сигнал усиливается, и на эк- ране осциллографа или телевизора наблюдается профиль изучаемой поверхности, что, в свою очередь, является экспериментальным дока- зательством существования этого эффекта.

На основе использования представлений о туннельном эффекте объясняются некоторые физические явления, такие как автоэлектрон- ная эмиссия или α-распад. При помощи туннельного эффекта можно объяснить принцип работы туннельных диодов и других тонкопле- ночных элементов, разработанных в начале 60-х годов. Эти элементы в настоящее время промышленностью выпускаются серийно. Нако- нец, с помощью туннельного эффекта можно объяснить механизм проводимости тонких диспергированных пленок, ибо в очень тонких пленках толщиной в моноатомный слой механизм проводимости иной, нежели в массивном образце: там не выполняется закон Ома и наблюдается ряд особенностей, вызванных тем, что средняя длина свободного пробега электрона сравнима с расстоянием между отдель- ными атомными образованиями (кластерами), существующими на по- верхности твердого тела.

 

               Автоэлектронная эмиссия

Возможность прохождения электрона или другой микрочастицы (нуклон в ядре атома, α-частица) через потенциальный барьер конеч- ной толщины впервые получила экспериментальное подтверждение в явлении эмиссии электронов из металлов, возникающей под действи- ем внешнего электрического поля. Это явление называется автоэлек- тронной эмиссией.

Сущность явления следующая. Действие внешнего электрического поля напряженностью Е приводит к тому, что на границе металл– вакуум возникает потенциальный барьер конечной толщины вместо существовавшего ранее потенциального барьера бесконечно большой толщины. Этот барьер в сильных полях оказывается достаточно тон- ким, и электрон за счет туннельного эффекта может вылететь за пре- делы металла. В результате эмиссия электронов начинается при зна- чительно меньших значениях напряженности электрического поля Е по сравнению с классической оценкой явления. Так как эта эмиссия электронов возникает при любой температуре, в том числе и комнат- ной, то явление называется холодной эмиссией электронов.


Внешнее электрическое поле в металл практически не проникает, оно лишь действует на электроны поверхностного слоя, на пути дви- жения которых теперь расположен достаточно узкий потенциальный барьер. Поэтому имеется определенная вероятность преодолеть такой потенциальный барьер туннельным эффектом.

В настоящее время явление автоэлектронной эмиссии нашло прак- тическое применение. В частности, оно используется в электронных проекторах, у которых увеличение изображения объекта достигает величины 2·106. При таком увеличении изображения отдельных уча- стков поверхности острия вольфрамового катода получаются такой величины, что можно отчетливо наблюдать на экране проектора по- верхность кристаллической решетки, а также отдельные поверхност- ные атомные скопления – кластеры.

Для получения большой величины напряженности электрического поля вблизи поверхности катода он должен быть очень тонким, ради- ус кривизны поверхности катода должен быть порядка 1 мкм. Только в этом случае можно получить сильное электрическое поле вблизи поверхности катода (рис. 1.7.6.1).

Рис. 1.7.6.1. Схема применения игольчатого катода

Явление автоэлектронной эмиссии нашло широкое применение в промышленности. Речь идет о следующем. В 70-х–90-х гг. ХХ века на основе использования явления автоэлектронной эмиссии были разра- ботаны катоды для целого ряда электронно-лучевых приборов. Ис- пользование таких катодов позволило резко увеличить ток эмиссии электронов, сделать сильноточные установки более надежными и ком- пактными. Сильное электрическое поле позволяет туннельным эффек- том вырывать электроны не только с поверхности металла и жидко- сти, но и из отдельных атомов и молекул. Это явление называется ав- тоионизацией. В настоящее время явление автоионизации использует- ся в ионных источниках масс-спектрометров. Достоинством таких ис- точников является отсутствие у них накаленных электродов, а также отсутствие диссоциации анализируемых молекул.


Глава 2. ФИЗИКА АТОМОВ И МОЛЕКУЛ

 

             Основные понятия

 

Как известно, атом – наименьшая составная часть вещества, в ко- торой сохраняется индивидуальность химического элемента. Сам хи- мический элемент – это совокупность атомов одного сорта. Взаимо- действие между атомами при наличии достаточно сильной связи мо- жет приводить к образованию молекул. Каждый атом состоит из по- ложительно заряженного ядра и вращающихся вокруг него электро- нов. Таким образом, ядро атома окружено облаком электронов, обра- зующих электронные оболочки. Размеры атома определяются разме- рами его электронной оболочки, строго говоря, не имеющей опреде- ленной границы. В нормальном состоянии атомы электрически ней- тральны. Но существуют условия, при которых атом может потерять или присоединить дополнительные электроны, превращаясь соответ- ственно в положительный или отрицательный ион. Строение элек- тронных оболочек атома определяется электромагнитными взаимо- действиями электронов оболочки с ядром и между собой. Электро- магнитное взаимодействие в веществе на порядки превышает грави- тационное взаимодействие, поэтому все силы, действующие между частицами и приводящие к образованию атомов, молекул, жидкого и твердого состояния вещества, имеют только электромагнитное проис- хождение.

Попытки перенести в атомную физику понятия и законы физики макроскопических тел показали неприменимость многих понятий классической физики в физике микромира. Это можно проиллюстри- ровать на примере системы, состоящей из двух частиц – протона и электрона (атом водорода). В процессе движения между электроном и протоном существует электромагнитное взаимодействие. Классиче- ское решение задачи приводит к планетарной модели атома, согласно которой электрон вокруг ядра движется по круговой или эллиптиче- ской орбите. Но согласно классической электродинамике вращаю- щийся вокруг ядра электрон должен непрерывно излучать электро- магнитные волны и при этом непрерывно терять энергию. В результа- те через некоторое время электрон должен упасть на ядро. Опыт не подтверждает этот теоретический результат. Решение той же задачи с использованием уравнения Шредингера приводит к результату, пол- ностью соответствующему опыту.


Так как процесс решения реальных задач с использованием урав- нения Шредингера – очень непростая с математической точки зрения процедура, то в квантовой механике определенные математические действия символически отображаются в виде операторов. С некото- рыми из них мы познакомились ранее. Тогда на языке операторов лю- бую сложную математическую задачу можно достаточно просто фор- мализовать, проще проследить за отдельными этапами ее решения, легче сделать определенные физические выводы.

 

             Оператор момента импульса

 

Физические особенности атомов, молекул, твердых тел хорошо объясняются особенностями строения электронной оболочки отдель- ных атомов. Атомные электроны, образующие электронную оболочку, непрерывно находятся в движении вокруг ядра. Движение это криво- линейное, и его важнейшей динамической характеристикой является

момент импульса L . Момент импульса в квантовой теории играет значительно более важную роль, чем в классической физике, посколь- ку в микромире существует деление частиц на фермионы и бозоны, коллективное поведение которых существенно различается между со- бой. Кроме того, с формальной точки зрения поля с различными спи- новыми квантовыми числами s представляются различными матема- тическими объектами: так, частицам, у которых s = 0, соответствует скалярная волновая функция, частицам, у которых s = 1/2, соответст- вует спинорная волновая функция, а частицам, у которых s = 1, соот- ветствует векторная волновая функция.

В классической механике момент импульса электрона в принципе может быть определен совершенно точно, так как никаких ограниче- ний на точность определения координаты и импульса там не наклады-

вается:                                             r r

L = r ´ p .                                   (2.2.1)

В квантовой механике на одновременное определение r и p соот- ношениями неопределенностей накладывается определенное ограни- чение, а именно

Dr Dp > h .                                  (2.2.2)

Поэтому точное определение момента импульса, например, путем задания трех его проекций, в квантовой механике не имеет физическо- го смысла. Тем не менее, исходя из определения момента импульса, выражение для оператора момента импульса составить можно:


r= r


r = (y p -


r+ (z p -


r+ (z p -


r

(2.2.3)


 

где


L    r ´ p


z z py ) i


x x pz ) j


y y pz ) k,


rˆ = r      r      r      r  ˆ


     ˆ


     ˆ           


r    r = x i + y j + z k ; px = -i hx , py = -i hy , pz = -i hz ;


ypˆz - zpˆ y = Lˆx ,  zpˆx - xpˆz = Lˆy ,  zpˆ y - ypˆz = Lˆz.


(2.2.4)


Используя результаты (2.2.3) и (2.2.4), составим разность произве- дений разноименных проекций моментов импульса на координатные оси. После некоторых математических преобразований получаем сле- дующий результат:


LˆxLˆy


-  Lˆy Lˆx


= i hLˆz     

 


LˆxLˆz


-  Lˆz Lˆx


= - i hLˆy


 .               (2.2.5)


Lˆy Lˆz


-  Lˆz Lˆy


= - i hLˆx  

rˆ


Предположим, что оператор момента импульса L имеет собствен-

ное значение. Тогда         r


rˆ     ˆ  r


ˆ  r    ˆ       ˆ                ˆ                 ˆ


L = Lxi + Ly j + Lzk , Lxy = Lxy, Lyy = Lyy, Lzy = Lzy.

Операторы (5) умножим справа на волновые функции:

Lˆx (Lˆy y) - Lˆy (Lˆxy) = i h Lˆz y  .         (2.2.6)

Но  Lˆx (Lˆy y) = Lˆx (Ly y) = Lˆy (Lˆx y) = Ly Lx y.

Аналогично имеем:

Lˆy (Lˆx y) = Lˆy (Lx y) = Lx (Lˆy y) = Lx Ly y.

Найденные значения подставим в (2.2.6):


i h Lz y = (Ly Lx - Lx Ly ) y = 0,

Аналогично доказывается, что

Lx = Ly = 0.


Lz = 0.


ˆ

 
Таким образом, собственные значения проекций оператора момен- та импульса равны нулю, значит, и собственное значение оператора момента импульса также равно нулю. Физически это означает, что в


отсутствие действия внешнего поля оператор


r

L в пространстве не оп-


ределен, вектор L в пространстве в процессе движения может иметь любое, произвольное направление. Это эквивалентно тому, что у него нет собственного значения. Однако в определенные моменты времени его проекции на координатные оси все-таки существуют.


Движение электрона в атоме вокруг ядра происходит по криволи- нейной траектории. Поэтому для описания движения электрона в про- странстве, естественно, следует использовать сферическую систему координат (рис. 2.2.1).

Рис. 2.2.1. Сферическая система координат

Запишем операторы проекций импульсов в сферической системе координат:


Lˆx


= i h(sin j

¶q


+ ctg qcosj  ),

¶j


Lˆy

Lˆz


= i h(-cosj

¶q

= - i h  .

¶j


+ ctg qsin j  ),

¶j


Из уравнения (2.2.1) следует, что величина вектора момента им- пульса L зависит от выбора начала отсчета r . В то же время проек-


ции операторов моментов импульса


Lˆx , Lˆy , Lˆz


на соответствующие ко-


ординатные оси не зависят от выбора начала отсчета и поэтому на- правления координатных осей для них может быть выбрано произ-

вольно.                                                                                              rˆ

Так как собственное значение оператора момента импульса L в

принципе определить невозможно, это означает, что одновременное определение трех и даже двух значений проекций моментов импульса невозможно. Однако любое собственное значение хотя бы одной про- екции оператора все-таки определить возможно.

Расчет показывает, что оператор квадрата момента импульса


rˆ2


2   1    


        1     2 



= -h sin q +

sin q ¶q          ¶q


sin 2 q ¶j2


 

           

 

.

 
Тогда


           

ˆ2                2

 
r

y = L y   ,


 

L2 = h2l(l+ 1),


 

(2.2.7)


где – так называемое орбитальное квантовое число, = 0, 1, 2, … .

Иными словами, несмотря на то, что направление вектора L в про- странстве не определено, а потому

ˆ

 
r

Ly  ¹ Ly,

rˆ2

собственное значение оператора L все-таки определить можно.

Из всех операторов проекций момента импульса на координатные оси X, Y, Z наиболее простое выражение имеет оператор проекции на

ось 0Z. Определим собственное значение проекции Lz :


Lˆ y = L y, - i h¶y = L y.


(2.2.8)


z                  z                             ¶j      z

Отсюда после разделения переменных и последующего интегриро- вания получаем:



z

 
i L j


i Lz (j- 2 p)+ 2 p m


 

или


y = y0 e h


                                    

h

 
= y0 e                                     


Lz (j - 2 p)+ 2 p m = Lz j.

                                                                                                       

h                             h


Тогда после сокращения на величину (Lzφ)/ћ получаем

Lz (j - 2 p)+ 2 p m = Lz j.

                                                                                                     


(2.2.9)


 

Отсюда


h                            h

 

Lz = hm ,


где m – магнитное квантовое число, m = 0,±1,±2, …,±, – орбиталь- ное квантовое число.

Итак, в отсутствие внешних полей направление оси 0Z в простран- стве никак не определено. Наличие внешнего магнитного поля позво- ляет однозначно определить направление оси 0Z в пространстве. В этом случае принято, что координатная ось 0Z направлена вдоль век- тора внешнего магнитного поля.

В качестве примера вычислим кинетическую энергию электрона, вращающегося вокруг ядра атома


e к вр


Iw2

=

 
,

2


(2.2.10)


где I – момент инерции электрона, ω – угловая скорость вращения. Угловую скорость выразим через момент импульса


w = L .

I


(2.2.11)


Тогда после подстановки в (2.2.11) и (2.2.10) значения L из (2.2.7)

получаем



e     = h2 l l+


(2.2.12)


к вр 2 I (


1).


Из (2.2.12) следует, что кинетическая энергия вращательного дви- жения электрона вокруг ядра атома – всегда дискретная величина, она не может принимать любые непрерывные значения. Опыт подтвер- ждает этот результат.

 

             Атом водорода

 

Точное аналитическое решение допускают лишь немногие задачи квантовой механики. К ним относится задача об атоме водорода. На примере атома водорода можно в общих чертах понять методы реше- ния подобных задач для многоэлектронных атомов. В этом состоит большая познавательная ценность такого анализа.

Атом водорода – простейший из атомов вещества, он состоит из ядра (протон) и вращающегося вокруг него электрона. Считаем, что центр инерции атома совпадает с центром инерции ядра. Это допуще- ние достаточно обосновано, так как масса ядра значительно больше массы электрона.

Движение электрона происходит вокруг силового центра в поле кулоновских сил. Поле таких сил обладает сферической симметрией.

В квантовой механике понятие траектории отсутствует. С помо- щью волновой функции можно определить лишь вероятность положе- ния электрона в атоме и тем самым составить представление о харак- тере его движения.

Электрическое поле протона, в котором находится электрон, опре- деляет потенциальную энергию электрона


U = -


e2

 

4 pe0 r


< 0.


(2.3.1)


Запишем стационарное уравнение Шредингера в сферической сис- теме координат:


Dy(r, q, j) + 2 me (e - U ) y(r, q, j) = 0,

h2


(2.3.2)


где ∆ – оператор Лапласа; ε – собственная энергия оператора Гамиль- тона (полная энергия электрона в атоме).

 
Оператор Лапласа в сферической системе координат имеет вид:


1   

 

 

1

 

 


D =          r 2     +         


sin q  + 1

 

                            


2

 

 

 
.


 

 
r 2  r


r    sin q  ¶q


¶q    sin q ¶j2


Отсюда следует, что его можно представить в виде двух слагае- мых, одно из которых зависит только от координаты r, а другое – от углов θ и φ:


 

 

где


D =  1 (D

r 2         r


+ Dq,j ),


(2.3.3)


2

 


1  

 


       1    2 



Dr = r r


r ,


Dq,j = sin


q  ¶q


sin q     +              .

¶q    sin q ¶j2


Тогда уравнение (2.3.2) можно записать по-иному:


1 (D

r 2         r


+ Dq,j


) y(r, q, j) + 2m e (e - U )y(r, q, j) = 0.

h2


(2.3.4)


Для решения уравнения (2.3.4) применим метод разделения пере- менных Фурье, согласно которому волновую функцию ψ(r,θ,φ) можно представить в виде произведения двух волновых функций, причем каждая из них зависит либо от координаты r, либо от углов θ и φ:

y(r, q, j) = y(r)y(q, j).                               (2.3.5)

Заметим, что применение метода Фурье в нашем случае возможно потому, что потенциальная энергия электрона не зависит от времени.

Подставим значение ψ(r,θ,φ) из (2.3.5) в уравнение (2.3.4):


y(q, j) Dry(r) + y(r)D


q,j


y(q, j) + 2 me r 2(e - U )y(r)y(q, j) = 0.

h2


Каждое из слагаемых полученного уравнения разделим на волно- вую функцию (2.3.5):

Dr y(r) + 2m e r 2(e - U ) + Dq,jy(q, j) = 0.

      

y(r)        h2                       y(q, j)

В полученном уравнении два первых слагаемых зависят только от координаты r, а одно слагаемое – только от углов θ и φ, следователь- но, их можно разъединить, записав


Drψ(r) + 2me r 2(e - U ) = - Dq,jy(q, j) = l.

       


(2.3.6)


y(r)       h2                         y(q, j)

Уравнения (2.3.6) корректно, если каждое из них равно одной и той же постоянной величине λ, эта величина будет определена в дальней- шем. Таким образом, уравнение (2.3.6) представляет собой два взаи- мосвязанных дифференциальных уравнения с коэффициентом связи λ.

Рассмотрим первоначально угловую часть уравнения Шредингера


Dq,jy(q, j) + ly(q, j) = 0 .

Как следует из (2.3.3),


(2.3.7)


,j             q            j

 
sin 2 Dq   = D  + D .

Уравнение (2.3.7) умножим на sin2θ :

,j

 
sin 2 q Dq y(q, j) + l sin 2 qy(q, j) = 0.

Но так как y(q, j) = y(q) y(j), то

(Dq + Dj )y(q) y(j) + l sin 2 q y(q) y(j) = 0.

Из полученного уравнения видно, что и в этом случае переменные разделяются:

Dq y(q) + l sin 2 q = - Djy(j) = m2 ,

                                                                           


y(q)

где m = const. В результате имеем


y(j)


Dqy(q) + l sin2 q y(q) = m2,

Djy(j) + m2y(j) = 0.


(2.3.8)

(2.3.9)


Решением уравнения (2.3.9) является волновая функция ψ(φ)=ψ0eimφ, оно совпадает с решением дифференциального уравнения (2.2.8) в разделе 2.2. Поэтому постоянная m имеет ясный физический смысл – это магнитное квантовое число, следовательно, m = 0, ±1, ±2,

±3, ….

Анализ показывает, что решение уравнения (2.3.8) возможно, если


l = l(l+ 1),

– орбитальное квантовое число.


l = 0,1, 2, 3,K .


Теперь вернемся к координатной части уравнения Шредингера. Из

(2.3.6) следует, что


 

 
D y(r) +  2me r 2(e - U ) - l y(r) = 0

r                     h2                                          

или в развернутом виде


d 2y(r) + 2 dy(r) + r 2 2me (e - U ) - l(l+ 1)  y

 

 


(2.3.10)


 
dr 2


r    dr


h2


r 2 


(r) = 0.


Решение уравнения (2.3.10) возможно, если полная энергия элек- трона квантована:


e = -


8 h2e


me e4

0

 
(n + l+ 1)2 ,


n = 0, 1, 2, 3, ... .


(2.3.11)


Обозначим n=ν++1, n – главное квантовое число, n = 1,2,3,…,∞.

Отсюда следует, что

= 0, 1, 2, 3, … , n - 1;

m = 0, ±1, ±2, ±3, … , ±.

Тогда полная энергия электрона в атоме водорода


,

 
e = -  me× 1

8 h2e0  n2


(2.3.12)


Это энергия стационарного состояния, она всегда квантована.

Теперь определим волновые функции ψ(r) и ψ(θ). Волновая функ- ция ψ(φ) была ранее определена в (2.3.10). Как показывает анализ, при заданном магнитном квантовом числе m регулярное решение ψ(θ) имеет следующий вид:


 ( 2 l+1)(l-


1

 

m )! 2          m              m

 


(2.3.13)

 


y(q) =


sin


q Pl


( cosq ),


 

 
     2 (l+ m )!    


где


Pl m ( cosq)


– присоединенный полином Лежандра.


Решение для радиальной части уравнения ψ(r) имеет вид:


1

 4(n - l-1)!  2

 


- 3 2r l -r


2l+1 2r 

 


(2.3.14)


2

 

n

 
y(r) =                   

n4 ((n + l)!)3


(a0 )


n  e


Ln+l  n ,


                                                   

где           h2                       r     2l+1 2r   полином Лагерра.



a0 =

m


e2 , r = a


, Ln+1  n


e                             0                       


Общее число возможных решений при n = const равно

å

 
n-1

(2 l+1) = n2 .

l=0


(2.3.15)


Итак, получается, что заданному значению n соответствует n2 раз- личных волновых функций. Другими словами говоря, полной энергии ε соответствует n2 различных волновых функций. В подобных случаях говорят, что данное состояние вырождено с кратностью вырождения n2. Вырождение снимается внешним возмущением со стороны элек- трического или магнитного поля.


             Снятие вырождения состояний в атоме водорода

 

Ранее в разделе 2.3 было показано, что одному и тому же главному квантовому числу n соответствуют n2 различных состояний. Физиче- ски это означает, что в отсутствие действия внешних электрических и магнитных полей эти состояния оказываются совпадающими по энер- гиям, т.е. вырожденными и потому физически неразличимыми. Если же атом находится во внешнем электрическом или магнитном поле, то вырождение состояний у него снимается. Электрическое поле снимает вырождение состояний по орбитальному квантовому числу , магнит- ное поле – по магнитному квантовому числу m. Если же в объеме, где находится атом, одновременно существуют электрические и магнит- ные поля, то вырождение снимается как по орбитальным, так и по магнитным квантовым числам. Тогда каждой паре значений кванто- вых чисел и m будет соответствовать свое значение полной энергии, свой уровень полной энергии: уровень полной энергии расщепляется на столько уровней, сколько существует их возможных значений, т.е. на n2 уровней. Рассмотрим более детально физическую причину сня- тия вырождений состояний в атоме водорода.

 

               Снятие вырождения состояний по магнитному квантовому числу

Пусть атом водорода находится в магнитном поле, в частности, это поле может быть либо внешним, либо оно создается другими движу- щимися электронами, его величина должна быть достаточно большой, порядка 1 Тл, в противном случае эффект расщепления уровней пол- ной энергии будет незаметен. Введем систему координат, у которой координатная ось 0Z в пространстве совпадает с направлением векто- ра индукции магнитного поля B (рис.2.4.1.1). Воспользуемся полу- классическим приближением о движении электрона. В данном случае оно приводит к правильному результату.

На рис. 2.4.1.1 положение электрона q2 определяется радиусом- вектором r , v мгновенная скорость электрона. Мысленно будем считать, что каждому мгновенному положению электрона соответст- вует своя траектория, вдоль которой электрон движется по круговой орбите. Мгновенное положение оси вращения такой круговой орбиты образует с осью 0Z угол α. Вращающийся вокруг ядра электрон обла-

дает моментом импульса L  и магнитным моментом pm . Движущийся


по воображаемой орбите электрон создает ток J, а вращающийся во- круг ядра (протона) электрон обладает моментом инерции I.

 


z     B

pm      α

r

 

q1


 

I

q2 = e < 0

 

v


 

w       L

 

Рис. 2.4.1.1. Движение электрона по орбите в магнитном поле

 

По определению, магнитный момент кругового тока


p = J × S = q2 p r 2.

m                             T


(2.4.1.1)


Момент импульса вращающегося вокруг ядра электрона


L = I w = me


r 2 2 p ,

T


(2.4.1.2)


где T – период обращения электрона вокруг ядра.

Запишем отношение


 

 

g – гиромагнитное отношение.


pm =

L


q2

2me


= g ,


(2.4.1.3)


Из рис. 2.4.1.1 следует, что орбитальные магнитный момент и мо- мент импульса направлены в противоположные стороны, поэтому


pm

 
r = - gL.


(2.4.1.4)


Находясь во внешнем магнитном поле, круговой ток приобретает

дополнительную энергию       r


 

причем


De = - pm B = g B L cos a,

 

L cosa = Lz = m h,


(2.4.1.5)


m – магнитное квантовое число. Поэтому

De = g B hm ,

m = 0, ± 1, ± 2, ± 3,..., ± l.


(2.4.1.7)


Таким образом, каждый уровень полной энергии расщепляется на

2l+1 уровней (рис. 2.4.1.2).

 

¥

 
n

3                                                                    } 4De


2                                                                   } 2De

 

 

Рис. 2.4.1.2. Расщепление энергетических уровней электрона в магнитном поле

 

Заметим, что при такой постановке задачи на воображаемый круго- вой ток действует момент силы, под влиянием которого плоскость ор-

биты вращается с угловой скоростью прецессии W . Причина враще- ния воображаемого кругового тока в следующем. По определению, момент силы, действующий на круговой ток,

pm

 
M = r ´ B ,

под действием этого момента силы мгновенная плоскость воображае- мой орбиты вращается вокруг оси 0Z с угловой скоростью прецессии

W = g B .

Такой способ описания движения электрона по сложной незамкну- той криволинейной траектории позволяет значительно упростить ана- лиз движения: реальное движение можно разложить на два простых движения, которые легко подаются анализу и расчету. В основном состоянии радиус первой орбиты электрона r = 0,53·10-10 м, период обращения по орбите Т = 1,52·10-16 с. Кроме того,   q2 = 1,6·10-19 Кл,   me = 9,1·10-31 кг, g = 1,76·1011 Кл/кг. Тогда при индукции внешнего магнитного поля В = 10 Тл имеем pm = 1,75·10-13 А·м; М = 1,75·10-12 Н·м; Ω = 1,76·1012 с-1 ; ∆ε=0,004 эВ.


Из рассмотренного примера следует, что вырождение состояний по магнитному квантовому числу снимается только в сильных магнит- ных полях. Внешними макроскопическими источниками такие поля создавать достаточно сложно. Другое дело – поле в многоэлектронных атомах. В них в центральной части атома магнитное поле создается всеми электронами электронной оболочки атома. Эти поля достаточно велики. Так, если воспользоваться результатами рассмотренного выше примера, то окажется, что индукция магнитного поля, созданного электроном атома водорода в состоянии с главным квантовым числом n = 2 в центре атома, В = 3,67·109 Тл .

Сравним теперь угловую скорость орбитального движения элек- трона с угловой скоростью прецессии. Вычисление отношения этих угловых скоростей дает величину 23000, т.е. мгновенная угловая скорость вращения электрона на воображаемой круговой орбите будет в десятки тысяч раз больше величины угловой скорости прецессии орбиты. Поэтому при проведении расчетов плоскость орбиты элек- трона можно считать практически неподвижной.

 

               Снятие вырождений по орбитальному квантовому числу

Рассмотрим теперь, как снимается вырождение состояний по орби- тальному квантовому числу. Пусть атом находится во внешнем элек- трическом поле. Под действием этого поля электронная оболочка ато- ма смещается, происходит поляризация атома: в пространстве вместо нейтрального атома возникает эффективный диполь, образованный смещенным эффективным отрицательным зарядом электронной обо- лочки атома q2* и положительно заряженным ядром (протоном) q1 (рис. 2.4.2.1). Конечно, эта наглядная модель является приближенной, но она весьма удобна для дальнейших вычислений.

Строго говоря, подобная задача может быть решена только мето- дами квантовой механики, и то лишь для водородоподобных атомов. Для более сложных атомов решение возможно приближенными мето- дами. Качественный подход дает следующий результат.

Пусть атом водорода находится во внешнем электрическом поле, тогда под действием сил электрического поля в пространстве про- изойдет смещение более легкого электрического заряда q2 = e относи- тельно тяжелого заряда протона на величину эффективного плеча ди-

поля l. В результате в объеме возникает эффективный диполь, элек-


трический момент которого


r

pe = q *2 l.


F1

 

 

l

 
q1

r

q*2                                    q2

 

 

F

 
*

2

E

 

Рис. 2.4.2.1. Смещение орбиты электрона в электрическом поле

Для состояний с главными квантовыми числами n > 1 pe=const>0.

Возникновение эффективного диполя приводит к тому, что атом в электрическом поле приобретает дополнительную энергию

De = -

 
r

pe E .

С точки зрения квантовой механики причина здесь следующая. В отсутствие внешнего электрического поля полная энергия атома зави- сит только от величины момента импульса L и не зависит от его ори- ентации в пространстве. Во внешнем электрическом поле ориентации моментов импульса на ось 0Z квантованы:

Lz = m h.

Атом приобретает дополнительную энергию, которая при этом может принимать только дискретные значения. Анализ показывает, что каждый уровень полной энергии расщепляется на несколько уров- ней, энергетический интервал между которыми


De = A × (2 l- (n - 1) +


m ) n E,


(2.4.2.1)


Здесь A – нормирующий множитель, A = 1, 6·10-9 эВ·м/В; n, , m

главное, орбитальное, магнитное квантовые числа.

Расщепление уровней энергии под действием электрического поля называется эффектом Штарка.

В табл. 2.1 приводятся значения интервалов ∆ε между соседними уровнями полной энергии, вычисленные по формуле (2.4.2.1) при раз- личных значениях квантовых чисел n,   ,   m   в электрическом поле   Е = 107 В/м.


 

n

m

∆ε

∆ε, эВ

1

0

0

0

0

 

2

0

0

-2A·E

-0,016

1

0

2A·E

0,016

1

1

4A·E

0,032

 

Таблица 2.1. Значения интервалов между соседними уровнями полной энергии

 

n

¥

 

 

 

 

 

2

 

1

 

 

 

Рис. 2.4.2.2. Расщепление энергетических уровней электрона в электрическом поле

Как следует из табл. 2.1, заметное расщепление уровней полных энергий можно наблюдать лишь в сильных электрических полях. Опыт подтверждает установленный теоретически результат.

Линейный эффект Штарка характерен для атомов водорода в не слишком сильных полях и составляет тысячные доли эВ при напря- женности электрического поля Е = 106 В/м. На рис. 2.4.2.2 изображе- ны уровни полных энергий электрона в атоме водорода как в отсутст- вие внешнего электрического поля Е1, так в электрическом поле на- пряженностью Е2 для различных квантовых чисел. Уровень полной энергии, соответствующий невозбужденному состоянию атома, в электрическом поле пропадает, а вновь возникшие уровни полной энергии теперь расположены несимметрично.

Штарк-эффект наблюдается не только у атомов водорода, но и у многоэлектронных атомов, например, у атомов щелочных металлов.


             Спектральные серии атома водорода

 

Мы теперь знаем выражение для полной энергии электрона в ато- ме водорода:



e = - me e4 × 1


(2.5.1)


0

 
8h2e2


n2 .


Из уравнения (2.5.1) следует, что полная энергия электрона в ато- ме всегда отрицательная. Наименьшее значение полной энергии соот- ветствует главному квантовому числу n = 1. Этому квантовому числу соответствует основное, невозбужденное состояние. Все состояния с иными значениями квантовых чисел n > 1 являются возбужденными. В отсутствие внешних электрических и магнитных полей эти состоя- ния являются вырожденными, поэтому различным значениям кванто- вых чисел и m при фиксированном значении n = const соответствуют одни и те же значения полной энергии ε. Для атома водорода не суще- ствует запрещенных переходов электрона с одного уровня полной энергии на другой, поскольку каждому значению n соответствуют n2 различных состояний с одинаковым значением полной энергии.

Заметим, что представление о вырождении уровней энергии атомов водорода, строго говоря, является лишь приближенным. На самом де- ле уровни энергии с одним n и различными за счет релятивистских эффектов и эффектов квантового поля слегка отличаются друг от дру- га. Но эти тонкие эффекты настолько малы, что ими в большинстве случаев можно пренебречь.

Отдельные состояния электрона в атоме изображают графически с помощью системы уровней полной энергии. Переход с верхнего уров- ня полной энергии на нижний сопровождается "высвечиванием", вы- делением избыточной порции энергии. А так как процесс "высвечива- ния" сопровождается непрерывным движением вокруг ядра электри- ческого заряда, генерирующего электромагнитные волны, то высво- бождающаяся энергия есть электромагнитная энергия, величина кото- рой

De = h n .                                 (2.5.2)

где h – постоянная Планка, n – частота колебаний напряженности электрического поля в электромагнитной волне. Величина избыточ- ной "высвечивающейся" энергии называется квантом электромагнит- ного излучения.

Переход электрона с нижнего уровня полной энергии на верхний возможен только в результате поглощения электроном кванта элек-


тромагнитной энергии, соответствующего разности энергии у этих двух состояний.

Таким образом, излучение и поглощение – это взаимно обратные процессы.

На рис. 2.5.1 изображены уровни полной энергии при различных значениях квантовых чисел.

 

n

¥                                                                       

 

 

6

5

4

3

2

1

 

 

Рис. 2.5.1. Уровни энергии атома водорода

 

Найдем разность энергии при переходе электрона с более высокого на более низкий уровень полной энергии электрона:


De = e2 - e1 ;


(2.5.3)


после подстановки в (2.5.3) значений из (2.5.1) и (2.5.2) получаем


De =


me e4  1

 

8 h2e2  n2


1

=

 
n2 


hc .

l


(2.5.4)


-

 
0  1              2


Обозначим

(2.5.4) имеем:


~n = 1

l


– спектроскопическое волновое число, тогда из


3        2 2

 

  .

 
~     e4  1       1



n =

8 h c e    n


- n 2


(2.5.5)


0    1               2

Обозначим


m e

 
4

R =  .     (2.5.6)

0

 
8h3ce2

Величина R называется постоянной Ридберга. После этого уравне- ние (2.5.4) принимает достаточно простой вид:

~       1      1



n = R  -

 n2


.

n2


(2.5.7)


  1              2

Формула (2.5.7) называется сериальной формулой атома водорода, так как каждому значению n1 = const и различным значениям n2n1+1 соответствует своя спектральная серия.

Перечислим возможные спектральные серии атома водорода: серия Лаймана – n1 = 1,  n2 ≥ 2 – ультрафиолетовая область, серия Бальмера – n1 = 2, n2 ≥ 3 – видимая область,

серия Пашена – n1 = 3, n2 ≥ 4 – инфракрасная область, серия Брэккета – n1 = 4, n2 ≥ 5 – инфракрасная область, серия Пфунда – n1 = 5, n2 ≥ 6 – инфракрасная область.

Первая спектральная серия в спектре атома водорода была обна- ружена в 1885 г. швейцарским физиком Бальмером задолго до созда- ния квантовой механики. С этого началось систематическое исследо- вание спектральных серий. Минимальная длина волны для серии Лаймана получается при n2 = 2. Она равна 4/3 R и называется резо- нансной линией атома водорода. При приближении к границе серии спектральные линии сгущаются. За границей серии спектр не обрыва- ется, а становится сплошным. Это связано с тем, что электрон отрыва- ется от атома, он становится свободным, поэтому его энергия не кван- туется. Атом превращается в ион.

 

             Спектральные серии атомов щелочных металлов

 

В атомах щелочных металлов внешняя электронная оболочка со- держит один валентный электрон, слабо связанный с ядром атома. Ос- тальные Z-1 электронов вместе с ядром образуют остов атома, в элек- трическом поле которого движется валентный электрон. Заряд ядра  Ze > 0 и заряд (Z-1)e < 0 электронной оболочки мысленно можно за- менить одним эффективным зарядом q*=e>0. А так как распределение электронов в остове атома не обладает сферической симметрией, то положение эффективного заряда q* в пространстве не совпадает с по- ложением ядра. Поэтому валентный электрон будет двигаться в ре- зультирующем электрическом поле, не обладающем сферической


симметрией. Следовательно, силу, действующую на валентный элек- трон, нельзя определить из закона Кулона: закон Кулона выполняется только в случае сферически симметричных полей. Таким образом, в пространстве возникает эффективный электрический диполь, образо- ванный эффективным зарядом остова атома и валентным электроном (рис.2.6.1).


 


 

 

Ze>0


v

e < 0

me


q = (z -1) e < 0

 

 

Рис. 2.6.1. Схема возникновения эффективного диполя в атоме водорода

Теперь потенциальная энергия валентного электрона отличается от потенциальной энергии электрона водородоподобного атома – атома, у которого в электронной оболочке только один электрон, а заряд ядра Ze. В результате потенциальную энергию взаимодействия валентного электрона с остовом атома можно записать в виде разложения в ряд, причем первым слагаемым будет энергия равная потенциальной энер- гии электрона в атоме водорода:

eq*       U      U        

U = -           1+   01 +    02  + ... ,

4 pe0 r        r       r        

2

где q* – эффективный заряд остова атома, q* = e > 0, U01 , U02 – коэф- фициенты разложения потенциальной энергии в степенной ряд.

Стационарное состояние валентного электрона в электрическом поле остова атома по-прежнему характеризуется квантовыми числами n, , m, причем вырождение по квантовому числу теперь снимается. Это происходит потому, что потенциальная энергия валентного элек- трона отличается от кулоновской. Что же касается магнитного кванто- вого числа m, то в отсутствие внешнего магнитного поля различные состояния по квантовому числу m являются вырожденными, т.е. раз- личным значениям m и при одних и тех же значениях квантовых чисел n и соответствует одна и та же полная энергия.


Различные состояния электрона в атоме принято обозначать ма- ленькими буквами латинского алфавита, причем каждой букве соот- ветствует состояние с определенным значением орбитального кванто- вого числа . Эти состояния приведены в табл. 2.2.

 

0

1

2

3

4

5

Обозначение

состояния

s

p

d

f

g

h

Таблица 2.2. Состояния электрона в атоме

Так как при таком подходе в строении атомов щелочных металлов и атома водорода много общего, то и формула полной энергии ва- лентного электрон должна быть подобна формуле полной энергии электрона в атоме водорода. Разница должна состоять в наличии по- правки у главного квантового числа:


e = -  me e4

0

 
8 h2 e2


×       1       , (n - Dn)2


(2.6.1)


где ∆n – квантовый дефект,

2

 
Dn = - 1


 
±  l +


1 2

 


2

2 m e

 
- c1           e        - l ,


(2.6.2)


 

 

h

 

 
       2              2    

c1 –- постоянный множитель; n > ∆n > 0.

Из (2) следует, что ∆n = ∆n(), поэтому теперь полная энергия ва- лентного электрона зависит от квантовых чисел n и . Иными словами, в электрическом поле остова атома вырождение по квантовому числу снимается, а по m по-прежнему сохраняется. Объясняется это тем, что в изотропном пространстве полная энергия не зависит от m.

Теперь введем понятие спектрального терма Т, определив его как


 

 

Тогда с учетом (1) получим

Надпись: e

m e4


T = - e .

hc

 

1               R


 

 

(2.6.3)


0

 
T = 8 h3e2 c


× (n - Dn)2 =


(n - Dn)2 ,


где R – постоянная Ридберга.

Спектральный терм Т – это краткая запись полной энергии валент- ного электрона в атоме. Так как квантовый дефект ∆n зависит от ор- битального квантового числа , то для краткости записи вводится сле- дующее условное обозначение терма: T = n ℓ . Так, например, терму  3s соответствуют квантовые числа n=3, =0 .


ns = (


R

n - Dn(s)

 
)2  ,


np = (


R

n - Dn( p)

 
)2  ,


nd = (


R

n - Dn(d )

 
)2 .


Физический смысл принятых обозначений будет ясен из следую- щих примеров.

Если использовать понятие терма, то переходы валентного элек- трона из одного квантового состояния в другое, сопровождающиеся излучением кванта энергии электромагнитных волн, можно весьма просто выразить через разность термов:


De = hc = hc (T - T ) ,


(2.6.4)


l            1          2

где  ~n = 1 –  спектроскопическое волновое число.

l

Тогда


~n = n l  - n l  ,


(2.6.5)


1 1          2 2

T =         R        .


(2.6.6)


(n - Dn(l))2

Из курса "Электричество и магнетизм" следует, что мгновенный диполь, у которого заряды все время перемещаются в пространстве с ускорением, излучает электромагнитные волны. Если положение дви- жущегося отрицательного заряда диполя отсчитывать от центра инер- ции эффективного заряда остова атома, то эффективный электриче- ский момент диполя

p = q × r (t) ,                                  (2.6.7)

где q – заряд валентного электрона, находящегося за пределами остова

атома,  r (t) – мгновенный радиус-вектор валентного электрона  отно-

сительно  центра  инерции  эффективного  заряда  остова  атома   (рис.


2.6.2). На рис. 2.6.2


r (t) = - l, l– плечо диполя, q* – эффективный


заряд остова атома, q* = e > 0.

 


 

q < 0


l

q* > 0


Рис. 2.6.2. Общая схема возникновения эффективного диполя в атоме

 

Итак, валентный электрон вращается вокруг остова атома. Значит, в пространстве всегда существует эффективный электрический ди-

r

поль pe = ql.


Первоначально предположим, что, в полуклассическом приближе- нии, эффективные заряды валентного электрона и остова атома совпа- дают. Тогда атом будет электрически нейтрален. Электрический мо- мент диполя отсутствует. В действительности валентный электрон движется по сложной криволинейной траектории. В результате поло- жение электрического заряда валентного электрона не совпадает с по- ложением эффективного заряда остова атома, возникает мгновенный электрический диполь. Так как валентный электрон все время нахо- дится в движении, его положение в пространстве непрерывно меняет- ся, то вектор электрического момента диполя относительно центра инерции остова атома также непрерывно меняет не только направле- ние в пространстве, но и величину электрического момента. Это экви- валентно переходу электрона из одного состояния, например, состоя- ния i, в другое, например, состояние k. Но можно сказать и обратное: переход валентного электрона из состояния i в состояние k приводит к изменению электрического момента диполя.

y*

 

r

 
В общем случае изменение состояния валентного электрона со- провождается излучением. Среднее значение электрического момента диполя, по определению, будет


peik = ò


r

k pe yi


dv ,


(2.6.8)


где ψi , ψk* – волновые функции валентного электрона в начальном ψi


и конечном ψk состояниях. Если среднее значение


r

peik


¹ 0 , то в результате такого перехода

r


возникает дипольное излучение атома, если же


peik


¹ 0 , то диполь-


ное rизлучение отсутствует. Переходы называются разрешенными, ес-

ли peik ¹ 0 , а те ограничения, которые накладываются при этом на

величину изменения квантовых чисел, называются правилами отбора. В случае дипольного излучения существуют следующие правила от- бора: ∆= ±1, ∆m= 0,±1.

Что же касается возможных значений главных квантовых чисел n, то на их изменения никаких ограничений не накладывается. Однако с увеличением разности n2 - n1 вероятность перехода валентного элек- трона из одного состояния в другое постепенно уменьшается.

n

 

гл

 
В результате у атомов щелочных металлов с учетом правил отбора могут возникать следующие спектральные серии:


главная серия


~ = ns - n1 p ,


диффузнная серия


n~ =np -n d ,


д                  2


резкая серия


n~ =np -n s ,


ф

 

2

 
р                  2


фундамента льная серия


n~ =nd -n f ,


причем n1 = n, n + 1, n + 2, . . . ; n2 = n1 + 1. Слева приведены истори- чески возникшие названия серий.

n

 

 

427,3 нм1278,2 нм5s

 

413,2 нм1869,7 нм4 s

 

812,7 нм253,6 нм610,4 нм3s

 

 

670,8 нм2 s

 

 

Рис. 2.6.4. Возникновение спектральных серий в излучении атома лития

 

На рис. 2.6.3 изображена схема уровней полных энергий атома Li и возможные переходы валентного электрона, сопровождающиеся из- лучением электромагнитных волн. На этой схеме легко выделить все указанные выше спектральные серии.

В заключение хочется еще раз подчеркнуть, что сформулирован- ные выше правила отбора относятся только к дипольному излучению. Однако в природе могут возникать и другие виды излучений, напри- мер, квадрупольное. Они менее вероятны, и мы их здесь не рассмат- риваем. Для них существуют иные правила отбора.

Изучение спектров излучения атомов щелочных металлов показа- ло, что линии основных серий этих атомов являются двойными, дуб- летными. Например, желтая линия Na, обусловленная переходом 3p– 3s, состоит из двух линий: λ1 = 589,0 нм и λ2 = 589,6 нм.

Структуру спектра, в которой происходит расщепление спектраль- ных линий, называют тонкой структурой. Спектральную линию, со- стоящую из несколько близко расположенных компонент, называют мультиплетом. Одиночные линии называют синглетами, двойные –


дублетами и т.д. Аналогичная терминология используется и для ха- рактеристики самих уровней энергии (термов).

Расщепление спектральных линий в атомах щелочных металлов означает, что расщепляются уровни полной энергии валентного элек- трона, между которыми происходят радиационные переходы. Анализ их спектров указал на то, что у них s-состояния (=0) синглетны, а p-, d-, f- состояния (= 1, 2, 3) дублетны. С помощью квантовых чисел n, , m причину расщепления уровней объяснить не удается. Это можно объяснить, если ввести новое квантовое число. Но об этом – в сле- дующем параграфе.

 

             Физическая причина возникновения тонкой структуры

в спектре атомов щелочных и щелочноземельных элементов

 

Для анализа спектров излучения и поглощения многоэлектронных атомов обычно используется векторная модель атома. Но на ее основе можно получить только качественные или полуколичественные ре- зультаты. В связи с этим объяснение наблюдаемых явлений носит специфический характер. Частично оно состоит из перечисления пра- вил, которые не поддаются наглядной интерпретации, хотя некоторые из этих правил можно пояснить с помощью наглядной модели. А во- обще-то лишь очень немногие из утверждений доказываются доста- точно строго. Теперь мы знаем, что даже решение задачи об атоме во- дорода требует знания специальных функций, большой математиче- ской эрудиции и достаточно трудоемко. А ведь атом водорода – это простейший из возможных атомов. Нетрудно представить, какой ма- тематический аппарат необходим, чтобы решить задачу для реальных случаев, при условии, что точное решение задачи вообще возможно.

Из многоэлектронных атомов здесь мы рассмотрим атомы щелоч- ных и щелочноземельных элементов. Опыт показывает, что каждый уровень полной энергии валентного электрона у этих атомов состоит из двух или трех близко расположенных уровней. Следовательно, су- ществует какая-то причина, вызывающая такое расщепление уровней.

Известно, что электрический заряд электронной оболочки атомов щелочных и щелочноземельных элементов практически полностью компенсируется положительным зарядом ядра. Поэтому остов атома обладает эффективным положительным зарядом, заряд у атомов ще- лочных элементов равен (Z - 1)e, у атомов щелочноземельных элемен- тов равен (Z - 2)e. Остальные один или два валентных электрона, сравнительно слабо связанные с остовом, вращаются вокруг остова,


находясь при этом в эффективном электрическом поле остова атома. Состояние электрона в атоме определяется квантовыми числами n, ,

m. Однако при фиксированном значении главного квантового числа n состояние атома будет определяться значением орбитального кванто- вого числа . Но поскольку теперь это состояние характеризует со- стояние всего атома, то для определения состояния атома вводят большие латинские буквы: L = S, P, D,  F,  G,  H. Эти буквы имеют  тот же смысл, что и буквы = s, p, d, f, h. Тогда при фиксированном значении главного квантового числа n каждым значениям , m будет соответствовать определенная энергия. Следовательно, каждый атом будет иметь различный дискретный набор полных энергий, как это изображено на рис. 2.7.1, где ∆N – кратность вырождения, или число уровней полной энергии, соответствующих состоянию атома с задан- ным значением квантового числа L .

 


l = 0,


m = 0;


DNl =1                                                S


l =1,


m = 0, ±1;


DNl = 3 = 2l +1                             P


 


l = 2,


m = 0, ±1, ± 2;


DNl = 5 = 2l +1                        D


Рис. 2.7.1. Дискретный набор уровней энергии для разных L

Более тщательные спектроскопические измерения показали, что уровни полной энергии состоят из двух или трех близко расположен- ных уровней. Это указывает на то, что использованный набор кванто- вых чисел является недостаточным для понимания физической при- чины расщепления. Для объяснения расщепления уровней полных энергий в 1925 году голландские ученые Уленбек и Гаудсмит выска- зали гипотезу, что это вызвано наличием у электрона собственного

момента импульса Ls .

В то время по аналогии с ядром атома электрон представлялся в виде жесткого заряженного шарика, вращающегося вокруг оси сим- метрии с угловой скоростью w (рис. 2.7.2).

Поэтому собственный момент импульса электрона

r

Ls = Iw.                    (2.7.1)

На основе этой гипотезы им удалось объяснить физическую при- чину наблюдаемого на опыте расщепления уровней полной энергии электрона в атомах щелочных металлов. Свои расчеты, с использова- нием представлений о собственном моменте импульса электрона, они



решили опубликовать. Подготовили научную статью и направили ее в журнал "Nature" ("Природа"), редактором которого был выдающийся физик того времени Зоммерфельд. Однако авторов статьи все время терзали сомнения в правильности исходных предположений. Дело в том, что представление об электроне как о заряженном шарике вызы- вает серьезное возражение.

Рис. 2.7.2. Модель возникновения собственного момента импульса электрона по Уленбеку и Гаудсмиту

Используя вычисленное значение момента импульса электрона, они пришли к выводу, что материя на поверхности такого шарика должна перемещаться вокруг центра шарика со скоростью больше скорости света в вакууме, что в принципе невозможно.

Несколько поразмыслив, они решили обратиться к редактору жур- нала с просьбой вернуть статью обратно. Зоммерфельд принял авто- ров статьи и сказал им примерно следующее.

– Журнал уже отдан в типографский набор и практически набран. Разбивать набор – это большая работа и приведет к задержке издания номера журнала. А, кроме того, Вы еще молоды, у Вас пока нет ника- кого научного авторитета, так что в случае опубликования статьи Вы ничем не рискуете, ничего не теряете.

Гаудсмит и Уленбек согласились с доводами редактора. Статья была опубликована и стала достоянием научной общественности.

В переводе на русский язык слово spin означает вращение. Этим словом они обозначили как процесс вращения электрона, так и собст- венный момент импульса, с ним связанный.

Выше была указана причина, по которой модель электрона в виде шарика не вполне соответствует современным представлениям. В рамках классических представлений можно попытаться так отварьи- ровать форму электрона, чтобы результат был менее противоречив, придав, например, электрону форму диска толщиной значительно меньше его радиуса (рис. 2.7.3).


 

 

 

 

 

Рис. 2.7.3. Дисковая модель возникновения собственного момента импульса электрона

Тогда по аналогии с орбитальным движением электрона можем


записать


r

ˆ2

 

L

 
Ls y s


= L2 y ,


(2.7.2)


s

 

s

 
где


2 – собственное значение квадрата оператора момента импуль-


s

 
са, ψs


– собственная волновая функция оператора

s

 
L2 = h2s (s + 1).


rˆ2  :


L

 
(2.7.3)


Каждый уровень полной энергии у атомов щелочных металлов яв- ляется двойным. Это можно объяснить тем, что у атомов щелочных металлов вырождение состояний по спиновому квантовому числу снимается. Причина снятия вырождения вызвана тем, что валентный электрон теперь находится в электрическом поле остова, строго гово- ря, не обладающем сферической симметрией, а следовательно, не яв- ляющемся кулоновским. Поэтому


DNs = 2 = 2s +1.


(2.7.4)


Из (2.7.4) находим s = 1/2. Спиновое магнитное квантовое число mss = ±1/2, оно определяет величину собственного магнитного мо- мента электрона.

Из опыта известно, что спиновое гиромагнитное  отношение gs=2g. Эту величину легко получить, пользуясь моделью электрона в виде диска*).

Собственный магнитный момент электрона


*) Получившееся согласие с опытом ничего не говорит о реальной форме электрона. Классические представления здесь неприменимы. В настоящий момент нет ясности не только в форме, но и в размерах электрона. Бесспорно только одно: электрон обладает собственным моментом импульса – спином, величина которого хорошо известна.


pm s


= e p R2,

Ts


(2.7.5)


где Ts – период вращения электрона вокруг оси симметрии, R – радиус электрона.

Собственный момент импульса электрона


Ls =


me R2

2


× 2 p .

Ts


(2.7.6)


По определению, гиромагнитное отношение электрона при враще- нии его вокруг оси симметрии

L

 

s

 
=  pm s .

s

После подстановки значений pms и Ls из (2.7.5) и (2.7.6) имеем


e

 

m

 
gs =

e


= 2ge ,


(2.7.7)


что совпадает с результатами опыта.

Из опыта следует, что суммарный вектор собственных моментов импульса всех электронов остова атома полностью заполненной элек- тронной оболочки всегда равен нулю. Так как электронная оболочка остова является замкнутой, то состояние атома определяется состоя- нием валентных электронов.

Полный момент импульса атома можно получить двумя способами:


Lj = å Lli +å Lsi = Ll + Ls ,


(2.7.8)


i                     i


Lj  = å(Ll i + Lsi ),

i


(2.7.9)


причем (2.7.8) соответствует нормальной связи, а (2.7.9) – сильной связи между частицами.

Состояние атома условно обозначают 2s+1TJ , Т – условное обозна-


чение терма атома,


S = ås , S – полное спиновое квантовое число

i


валентных электронов в атоме. Известно, что квадрат векторов проек- ций соответствующих моментов импульсов на ось 0Z


L

 

l

 

l z

 
2 = (m h)2 ,


m = 0, ±1, ± 2 , ± 3,..., ± l ;

l                                                                    


r

s z                s

 
L2 = (m h)2 ,

L

 

j

 

j z

 
r


m = ± s = ± 1 ;

s                             2


     (2.7.10)

 

 


где


2 = (m h)2 ,


mj = ml + ms ;


j = l ± s   


mj = - j, - ( j -1), ... , ( j - l),..., j.

Полные орбитальные и спиновые момента импульса атома будут


L = å Lli ,

i


S = å Lsi .

i


Тогда полный момент импульса всех электронов электронной обо- лочки атома


 

причем


 

J 2 = h2 J (J +1) ,


= L + S ,

 

L2 = h2L (L +1) ,


 

S 2 = h2S (S +1) ,


J – внутреннее квантовое число. Квантовые числа J, L, S имеют  смысл наибольших значений, которые могут принимать проекции векторов J z , Lz , Sz на направление OZ (см. (2.7.10)).

Тогда

J = L + S , L + S -1 , ..... | L - S | .            (2.7.11)

Моменты импульсов электронной оболочки остова полностью


скомпенсированы, поэтому


J z , Lz , Sz соответственно равны векторам


проекций валентных электронов на ось OZ:


Lz = Ll z ,


Sz = Ls z ,


J z = Lj z .


Итак, для определения состояния атома необходимо вычислить J, L, S. По физическому смыслу вектора Lz , Sz расположены параллель- но, поэтому их следует складывать алгебраически с учетом направле- ний отдельных векторов моментов импульсов: J z = Lz + Sz .

Так как теперь L = , S = s, J = j, то

J = L ± S .

Если L = const, то, как следует из (2.7.11), число возможных со- стояний

DN j = 2 S +1.             (2.7.12)

Рассмотрим более подробно физическую причину возникновения тонкой структуры спектральных линий сначала у атомов щелочных элементов, а затем у атомов щелочноземельных элементов. У атома щелочного металла имеется всего один валентный электрон, поэтому S = s = 1/2. Пусть первоначально L = 0, это означает, что среднее зна- чение орбитального момента импульса равно нулю, а собственный момент импульса валентного электрона атома направлен либо в пря- мом, либо в обратном направлениях. С энергетической точки зрения


эти направления совершенно равнозначны, значит, им должна соот-

ветствовать одна и та же полная энергия атома, Lsz ­ или ¯ Lsz .

Полное внутреннее квантовое число J = L + S = 1/2. Терм такого состояния будет

2S+1TJ = 2S1/2.

z

 
Пусть L = 1, S = 1/2. Здесь возможны два физически различных направления проекций на ось OZ орбитального и собственного момен- тов импульсов Lz и Sz , что соответствует двум значениям внутренних квантовых чисел J:


z

 
S 2 = (hS )2 ,

 

S z                           J z


L2 = (h L)2 ,


J 2 = (h J )2 ,

 

z

 
S


J = L ± S.


L z                            J


=  1 +   1 =  3            z

2       2        L z


J   =  1 -  1   = 1

J

 
z                                   2       2


 


Терм атома


2S+1ТJ = 2P1/2 , 2P3/2


а кратность вырождения ∆NJ = 2 · 1/2 + 1 = 2.

Пусть теперь L = 2, S = 1/2, L = 4·S. Изобразим направления проек- ций векторов Lz и Sz :

 


S

 
S z                         J z

z

L z                          J   =  2  +  1 =  5           L

2        2              z


J   =  2  -  1  = 3 

J

 
z                                      2        2


Термы атома этих состояния будет

2S+1TJ = 2D3/2 , 2D5/2.

Число возможных состояний и их обозначения приведены в сле- дующей таблице.

 

L

0

1

2

J

½

1/2, 3/2

3/2, 5/2

Уровень

2S1/2

2P1/2, 2P3/2

2D3/2, 2D5/2

Если атом имеет два валентных электрона, то здесь могут встре- титься два случая.


1.  Проекции собственных моментов импульсов электронов антипа- раллельны, S=0. Число возможных состояний при любом L, согласно (2.7.11), равно 1.

2.   Проекции собственных моментов импульсов электронов парал- лельны, S=1.


В случае нормальной связи


J z = Lz + Sz . Значит, при заданном на-


правлении вектора Lz


в пространстве могут возникать три возможных


значений полных квантовых чисел S, L, J, причем S = 0,1 :


L=0

 

 

 

 

 

L=1


J Z = 0, J = 0; 2 S + 1T = 3S ,3S

J          0       1

 

S z


S z

S

 
J Z J = 1

z

 

 

 

 

 

 

 

S z


 

 

 

 

 

L = J


J = 0; S = 1, L = 1; J = 0;


J ; J = 1 + 1 = 2;


 = 0            Z                   Z


L

 

L

 
Z                                                                                                                                                                                       Z                                                                                                    Z

z                                                                                                                                                                            z


J = 1 + 0 = 1;


 


2 S + 1T


= 3P


,3P , 3P


 

 

L=2


J          0       1

 

 

 

Lz

S z


2

S z

J Z = LZ

J = 0 + 2 = 2; Lz


 

 

 

 

J Z ;


S z

 

Lz

J = 2 - 1 = 1;


 

 

 

J Z ;


 

 

 

J = 2 + 1 = 3


2 S + 1T

J


= 3D

1


,3D2


, 3D3


 

Возможные состояния атома приводятся в следующей таблице.

 

L

0

1

2

J

0, 1

0, 1, 2

1, 2, 3

Уровни

3S0, 3S1

3P0, 3P1, 3P2

3D1, 3D2, 3D3

 

             Энергия спин-орбитального взаимодействия

 

Собственный магнитный момент валентного электрона в процессе движения все время находится в магнитном поле, созданном им же самим в результате орбитального движения. Поэтому электрон, а ста- ло быть, и атом должны обладать дополнительной энергией, она на-

зывается энергией спин-орбитального взаимодействия:


De = -

 
r

pm s Bl ,


(2.8.1)


где


pms – вектор собственного магнитного момента электрона,


Bl 


вектор индукции магнитного поля в месте локализации электрона, т.е. магнитного поля, возникающего в результате орбитального движения валентного электрона вокруг остова:


r            r        r


m0 pml

 


m0 r



pms = -gs Ls


Bl = 2 p × r3


= -gl 2 p r3 Ll.


Тогда величину энергии спин-орбитального взаимодействия можно оценить по формуле (1):


De = -g g


m0 r r .

 


(2.8.2)


s     l 2 p r3 Ls Ll

Квадрат суммарного момента импульсов

L2 = L  L  = L= L2 + 2 L  L  + L2 .

j             j      j             j            l                l     s           s

j

 

l

 

s

 
Следовательно, скалярное произведение двух моментов импульса


 

где


L= h2 j ( j +1) ,    L2 = h2l (l +1) ,


L2 = h2s (s +1) .


 

 

j

 

l

 

s

 
или


r  r

Ls Ll


= - 1

2


(L2


-                  L2


- L2 ),



r r = - h2 (


+    -     +    -      +    )


Ls Ll


j( j 1)

2


l(l 1)


s(s


1) .


Подставим произведение Ls Ll в (2.8.22) с учетом того, что g s = 2g:


De =


2 m0h2 (

 


+    -     +    -      +    )


(2.8.3)


gl 2 p r3


j( j    1)   l( 1)     s(s 1)


Применим полученный результат для анализа тонкой структуры в спектре излучения атома Na. Электронная оболочка атома Na содер- жит электроны, распределенные по состояниям 1s2 2s2 2p6 3s1 (здесь верхние цифры выражают число электронов в названном состоянии). Валентный электрон 3s движется в поле остова атома, волновая функ- ция состояния 3s сферически симметрична, поэтому распределение плотности вероятности состояния 3s также с высокой степенью при- ближения обладает сферической симметрией. Возбуждение электрона 3s происходит в процессе газового разряда, в результате которого ва- лентный электрон 3s переходит в возбужденное состояние 3p. В со- стоянии 3p волновая функция, а также ее плотность вероятности сфе- рической симметрией не обладают. Для учета влияния такой несфе-


ричности необходимо в уравнение (2.8.3) вместо величины радиус- вектора r ввести эффективный радиус-вектор rэф.

Расчет показывает, что электронные слои атома 1s, 2s, 2p враща- ются вокруг центра инерции с угловыми скоростями ω(1s, 2s) = 1,99·1017 рад/с, ω(2p) = 1,52·1017 рад/с, ω(2p) = 0,82·1017 рад/с, ω(3s) = 7,23·1015 рад/с или в относительных единицах ω(1s, 2s)/ω(3s) = 27,5, ω(2p)/ω(3s) = 21,0, ω(2p)/ω(3s) = 11,3. Таким образом, получается, что вся электронная оболочка атома вращается вокруг центра инерции, но при этом различные слои электронной оболочки вращаются с различ- ными угловыми скоростями. А так как различие в угловых скоростях сравнительно невелико, то на движении валентного электрона сильнее всего влияет несимметричное распределение в пространстве распре- деление плотности вероятности электронов 2p-слоя.

Распределение плотности вероятности 2p-электронов приближенно можно оценить при помощи угловых составляющих волновой функ- ции ψ(θ, φ). Так как нас будут интересовать только состояния, не об- ладающие сферической симметрией, то состояниям 2p будут соответ- ствовать квантовые числа = 1, m = 0, ±1, а сами волновые функции ψ,m(θ, φ) с учетом нормировки имеют следующий вид:


 

y

 

=

 
2

1,1


3

(8p)2


sin 2 q,


2

y

 
1,0


=     3

(4p)2


cos2 q,


2

y

 

=

 
1,-1


3

(8p)2


sin 2 q.


Тогда соответствующие плотности вероятности


y1,1 =


3  sin q ei j, 8p


y1,0 =


3 cos q, 4p


y1,-1 =


3 sin q e-i j ,

8p


их графики изображены на рис. 2.8.1.

Вычислим общую площадь, ограниченную графиками плотности вероятности. Учитывая особенности расположения в пространстве p- орбиталей, полная площадь сечения каждой орбитали будет склады- ваться из 4-х площадей для ψ21,1 и 2-х площадей для ψ21,0.

 

 

 

 

 

 


y

 
2

1,1


2

y

 
1,0


2

y

 
1,- 1


 

Рис. 2.8.1. Распределение плотности вероятности при = 1

для разных m


Площадь сечения

p

4 × 3 2


3 1


 

 

p

1   2     3


1,1

 

0

 

 
S (y2 ) =


(8 p)2 ò


sin 2 q dq =


16 p2 -


sin 2q +

4


q

2 0


= 64 p ,


площадь сечения

p                                                                                            p


2                 4 × 3  2            2

 


3 1

 

 


1   2             3



S (y1,0) = (4 p)2 òcos q dq = 4 p2  4 sin 2q + 2 q


=        .

16 p


0                                                                  0

Полная площадь сечения всех 6-ти орбиталей 2p


S    = 4 S (y2 ) + 2 S (y2 ) = 9 ;


S = 12 = p.


эф                         1,1


1,0


16 p       0


Тогда величина эффективного радиуса остова атома Na rэф = (Sэф/ S0)1/2 = 0,239 r. Из опыта следует, что r = 0,1537 нм. Поэтому rэф = 0,239× 0,1537=0,0367 нм. Подставим найденное значение эффективно- го радиуса в (2.8.3). После вычислений получаем

∆ε = 1,084·10-21 Дж = 6,78·10-3 эВ,

что соответствует величине тонкого расщепления спектральной ли- нии с длиной волны 589,0 нм ∆λ = 0,53 нм.

Полученный результат сравним с опытом. Наиболее интенсивной у Na является желтая линия, возникающая при переходах 32P1/2 -32S1/2 и 32P3/2 -32S1/2. Этим переходам соответствуют длины волн 589,59 нм и 589,0 нм. Таким образом, опыт дает величину 0,59 нм, т.е. расхожде- ние составляет 10%, что является хорошим результатом.

Что же касается влияния релятивистского эффекта (в зависимости от скорости движения массы электрона) на величину тонкой структу- ры спектральной линии, то его роль настолько мала, что им можно пренебречь.

Как следует из приведённого выше анализа, величина тонкого расщепления уровней полной энергии валентных электронов атомов порядка 10-3 эВ. На её величину может влиять увеличение радиуса- вектора r с ростом Z. Но это влияние столь мало, что оно существенно не сказывается на изменении величины ∆ε. Поэтому можно считать, что величина ∆ε, возникающая вследствие спин-орбитального взаимо- действия, должна быть примерно постоянной.

Формула (2.8.3) может иметь важное прикладное значение, так как по известной из опыта величине тонкой структуры она позволяет оце- нить геометрические размеры некоторых из атомов.

Как показывает анализ, переход электрона из одного состояния в другое с учётом спин-орбитального взаимодействия активен в спектре


только в том случае, если при этом выполняются следующие правила отбора для квантовых чисел:

j = 0, ±1;  ∆= 0, ±1 .                     (2.8.4)

На рис. 2.8.2, а показана схема разрешенных переходов для желтой линии Nа, а на рис. 2.8.2, б показаны разрешенные переходы в диф- фузной серии, на рис. 2.8.2, б спектральные линии выглядят более сложно, они состоят из трех близко расположенных компонент и на- зываются сложным дублетом. Такая структура линии объясняет раз- мытость линий диффузной серии.

 


 

3  2P3

2

3  2P1

2

 

 

2S 3

2


2D 5

2

2D 3

2

3  2P3

2

 

3  2P1

2


 

Рис. 2.8.2. Примеры разрешенных переходов в излучении натрия для главной (а) и диффузной (б) спектральных линий

 

             Распределение электронов в атоме по слоям и состояниям

 

Закономерности распределения электронов в атомах по слоям и состояниям вытекают из принципа Паули. Этот принцип утверждает, что две тождественные частицы с одинаковым полуцелым спиновым квантовым числом (s=1/2, 3/2, 5/2 и т. д.) не могут одновременно на- ходиться в одном и том же состоянии.

Принцип Паули тесно связан с принципом тождественности, т.е. с принципом неразличимости одинаковых частиц. Электроны – тожде- ственные частицы, у каждого из них нет индивидуальных признаков, индивидуальных особенностей, с помощью которых их можно разли- чать между собой.

Принцип Паули отображается при помощи антисимметричной волновой функции: при перестановке состояний двух электронов вол- новая функция должна изменить только знак. Таким образом, если два электрона находятся в одинаковых состояниях, то при антисиммет- ричной волновой функции вероятность таких состояний равна нулю.


Как теоретически доказал Паули, любые частицы с полуцелым спиновым квантовым числом должны иметь антисимметричные вол- новые функции. Частицы с иным значением спинового квантового числа имеют симметричные волновые функции, и в одинаковых со- стояниях может находиться любое их число.

С помощью принципа Паули можно объяснить строение элек- тронных оболочек в атомах, ядерные оболочки и их структуру у атом- ных ядер, химическую связь молекул. В классической физике аналог принципа Паули отсутствует.

Для определения в атоме состояния электрона необходимо задание 4- х квантовых чисел. При этом каждое состояние определяется своим на- бором квантовых чисел. В соответствии с принципом Паули, в различ- ных состояниях из 4-х квантовых чисел, хотя бы одно из них должно быть иным. Только в этом случае состояния электронов будут разными.

Ранее было установлены возможные значения квантовых чисел и связь между ними:

n = 1, 2, 3, ... , ∞; = 0, 1, 2, ... , n-1; m = m = 0, ±1, ±2, ... , ± ;

ms = ±1/2.

Тогда в соответствии с принятой схемой получим следующий на- бор состояний и соответствующих квантовых чисел для каждого со- стояния:

n = 1; = 0 ; m = 0; ms = 1/2.

Это состояние обозначается 1s, в нем  может  находиться  не  более 2-х электронов. В этом состоянии электрон обладает наименьшей энер- гией, электронное облако (плотность вероятности) обладает сферической симметрией. Электроны, заполняющие в атоме все s-состояния, образуют К-слой. Условная запись состояний заполненного К-слоя 1s2:

n = 2 ; = 0 ; m = 0 ; ms = ±1/2 ;      2s2;

= 1 ; m = 0, ±1 ; ms = ±1/2 ; 2p6 .

Электроны 2s2 2p6 образуют L-слой, в нем содержится 8 электро- нов.

n = 3 ; = 0 ; m = 0 ; ms = ±1/2 ;                  3s2 ; = 1 ; m = 0, ±1 ; ms = ±1/2 ;   3p6 ; = 2 ; m = 0, ±1 ; ±2 ; ms = ±1/2; 3d10;

Электроны 3s2 3p6 3d10 образуют М-слой, в нем содержится 18

электронов.

n = 4 ; = 0 ; m = 0 ; ms = ±1/2 ;                     4s2 ; = 1 ; m = 0, ±1 ; ms = ±1/2 ; 4p6 ; = 2 ; m = 0, ±1 ; ±2 ; ms =  ±1/2;       4d10; = 3 ; m = 0, ±1, ±2, ±3 ; ms = ±1/2 4f14 .


Электроны 4s2 4p6 4d10 4f14 образуют N-слой, в нем содержится 32

электрона.

Казалось бы, что все последующие слои должны заполняться в та- кой же последовательности. Но в действительности такой идеальный порядок заполнения слоев нарушается, хотя по-прежнему полностью заполненным слоем называется слой с ненарушенным порядком за- полнения. Ниже приводится последовательность заполнения состоя- ний при n ³ 4:

n = 4;  4s2 3d10 4p6 – всего 18 электронов;

n = 5;  5s2 4d10 5p6 – всего 18 электронов;

n = 6;  6s2 4f14  5d10 6p6 – всего 32 электрона;

n = 7;  7s2 5f14  6d10 7p6 – всего 32 электрона.

Такое отклонение в заполнении электронных оболочек от идеаль- ного при n³ 4 вызвано особенностями в изменении энергии связи, ко- торая, в свою очередь, определяет конфигурацию электронных оболо- чек атомов с большими Z.

 

                 Двухатомная молекула

 

Молекула, наименьшая часть данного вещества, является носите- лем его основных химических и физических свойств. Молекула может состоять из различных или одинаковых атомов, соединенных в единое целое химическими связями. Число атомов в молекуле может менять- ся от двух до сотен тысяч. Размеры молекул возрастают с увеличени- ем числа входящих в них атомов от 0,1 нм до 100 нм и более. Молеку- лы представляют собой электрически нейтральные системы частиц. Химические и физические свойств молекулы определяется ее относи- тельно слабо связанными внешними электронами. Вследствие того, что внутренние движения частиц в молекуле сложнее, чем в атоме, схема уровней энергий имеет более сложный вид: наряду с движением электронов относительно ядер могут происходить колебательное и вращательное движения с участием ядер. Поэтому полная энергия мо- лекул с точностью до аддитивной постоянной, не меняющейся при химических превращениях, равна


ε = εэл + εкол + εвр ,


(2.10.1)


где εэл – полная энергия электрона, εкол – энергия колебательного дви- жения молекулы, εвр – энергия вращательного движения молекулы. Указанные энергии имеют следующие порядки величин:

εэл ~ 1 эВ, εкол ~ (0,01 - 0,10) эВ, εвр ~ (0,01 - 0,10) эВ.


Между атомами молекулы существуют два основных вида связей (взаимодействий): ионная и ковалентная. Ионная связь возникает, ко- гда молекулу можно представить состоящей из двух разноименно за- ряженных ионов. Например, молекула NaCl состоит из ионов Na+ и Cl-. Сила притяжения между такими ионами возникает как сила взаи- модействия между разноименными зарядами и качественно достаточ- но просто может быть объяснена на основе классических представле- ний.

На рис. 2.10.1 схематически изображена молекула NaCl. Известно, что радиусы нейтральных атомов Na и Cl соответственно  равны  0,186 нм и 0,064 нм. Но после образования молекулы размеры ионов Na и Cl меняются и оказываются соответственно равными 0,098 нм и 0,133 нм.

 

Na+ F

 

Рис. 2.10.1. Возникновение сил притяжения между атомами в молекуле NaCl

 

Физическая причина возникновения ионов Na+ и Cl- достаточно проста. Запишем распределение электронов у нейтральных атомов Na и Cl по состояниям:

Na – 1s2 2s2 2p6 3s1;           Cl – 1s2 2s2 2p6 3s2 3p5.

Электроны 1s2 2s2 2p6 у атома Na образуют электронную оболочку атома инертного газа Ne. Эта оболочка полностью заполнена электро- нами, в результате связь электронов с ядром очень прочная. Такая оболочка сильно (на 10/11) экранирует электрическое поле ядра. По- этому валентный электрон 3s слабо связан с ядром. Атому Cl для об- разования устойчивой оболочки инертного газа Ar недостает одного электрона. При образовании молекулы NaCl атом Cl присоединяет электрон, недостающий для полной застройки оболочки 3р. Эта связь также оказывается достаточно прочной. Между ионами молекулы возникает сила электрического притяжения, сближающая ионы до оп- ределенного расстояния, после чего между ними вследствие деформа- ции электронных оболочек начинает действовать сила отталкивания между остовами атомов. Этот процесс динамический, он сопровожда- ется периодической сменой сил притяжения силами отталкивания. В


результате атомы молекулы NaCl совершают непрерывные колебания. Колебания атомов в молекуле NaCl аналогичны колебаниям линейно- го гармонического осциллятора, рассмотренного нами ранее.

Ковалентная связь возникает между нейтральными или одноимен- но заряженными атомами молекулы. С помощью законов классиче- ской физики ее возникновение объяснить нельзя, хотя качественное (наглядное) объяснение вполне возможно. Квантовая механика хоро- шо объясняет физическую причину ее возникновения на основе ис- пользования процесса обменного взаимодействия.

В качестве примера рассмотрим роль ковалентной связи в процес- се образования молекулы водорода. Молекула водорода – простейшая из возможных молекул. Ее простота позволяет достаточно наглядно проследить за отдельными этапами решения уравнения Шредингера, а также физическими выводами, вытекающими из него. Заметим, что примерно такими же методами решаются задачи и с многоэлектрон- ными атомами, поэтому этот подход с чисто познавательной точки зрения для нас является очень важным и в дальнейшем будет исполь- зован неоднократно.

 


1

r1A A


 

r2 A


r12


 

r1B


2

r2 B

B


 

R

 

Рис. 2.10.2. Обозначения межчастичных расстояний в молекуле Н2 Молекула водорода Н2 состоит из двух атомов, пусть это будут

атомы А и В (рис.2.10.2).

Составим уравнение Шредингера для системы частиц, входящих в состав молекулы водорода.


Hˆy = ey ,


(2.10.2)


ε – полная энергия молекулы, Ĥ – оператор Гамильтона молекулы.


Hˆ  = Hˆ1 + Hˆ 2 + U

e

 
ˆ         h2                           e2                      ˆ         h2                            e2



H1 = - 2m ˆ


D1 - 4 pe

0

 
e2

 


;

r1A

e2


H 2 = - 2m

e

 
e2


D2 - 4 pe

0

 
e2


;

r2 B


U = U = -


4 pe0 r1B


-

4 pe0 r2 A


+

4 pe0 r12


+            ;

4 pe0 R


Ĥ1, Ĥ2 – операторы Гамильтона атомов А и В ; r1, r2 – координаты пер- вого и второго электрона; U – полная потенциальная энергия первого электрона при движении его вокруг ядра В, второго электрона при движении его вокруг ядра А, взаимодействия между электронами 1 и 2, взаимодействия между ядрами А и В.

Волновая функция системы частиц ψ зависит не только от коорди- нат, но и от направлений собственных моментов импульса электронов. Для молекулы водорода могут реализоваться лишь два случая:

а) собственные моменты импульсов параллельны,

Ls = Ls1 + Ls 2 = 2Ls1 = 2Ls 2;

б) собственные моменты импульсов антипараллельны,

L= Ls1 + Ls 2 = 0.

Для наглядности определения различных состояний атомов А и В присвоим каждому электрону свой номер. Тогда различным состояни- ям будет соответствовать различное расположение электронов. Здесь возможны два варианта, изображенные на рис. 2.10.3.

 

 2                                                               2   1

 

 

 

 

 

Рис. 2.10. Два варианта расположения электронов в молекуле Н2

Задача решается методом последовательных приближений.

Нулевое приближение. В этом приближении взаимодействия ме- жду частицами молекулы не учитываются, потенциальная энергия взаимодействия U= 0. Так как движение электронов в пространстве в указанном приближении происходит независимым образом, то веро- ятность такого сложного события будет равна произведению вероят- ностей каждого из них. Тогда в соответствии с рис. 2.10.3 можем за- писать


y2 = y2 (1) y2 (2) ;          y2 = y2 (2) y2 (1)


или


1              A               B


2              A                B


y1 = y A (1) y B (2) ;


y2 = y A (2) y B (1).


(2.10.3)


Однако электроны представляют собой тождественные частицы, они физически неразличимы независимо от направлений собственных

моментов импульсов Ls1 и Ls 2 , хотя различным направлениям собст-

венных моментов импульса соответствуют различные состояния. По- этому описание состояний только при помощи волновых функций (2.10.3) является недостаточным, поскольку они не учитывают на-


правления в пространстве собственных моментов импульса


Ls1 и


Ls 2 .


Для исключения неоднозначности обычно конструируют волновую функцию так, чтобы для одного случая она была бы четной, а для дру- гого случая была бы нечетной.

Тогда с учетом (2.10.3) можем записать:


ys = cs (y1 + y2 ) ,


ya = ca (y1 - y2 ) ,


(2.10.4)


где ψs, ψa –- симметричная и антисимметричная волновые функции, причем симметричной функции соответствуют антипараллельные на-

S1                  S 2

 
правления собственных моментов импульсов электронов (L   ­¯ L  ),

а антисимметричной функции – параллельные направления  собствен-

S1                  S 2

 
ных моментов импульсов электронов (L   ­­ L ).

По определению, полная энергия молекулы водорода для симмет- ричных и антисимметричных волновых функций соответственно рав- на


es =


y*Hˆy  dV  =


y*Hˆ  y  dV +


y*Hˆ  y  dV ,  


ò  s           s


ò s 1 s


ò   s    2    s              


(2.10.5)


e   =   y* Hˆy  dV  =


y* Hˆ  y  dV +


y* Hˆ


y dV ,


 ò  a                a


ò a 1 a


ò  a     2     a           


Для определения коэффициентов

вие нормировки:


Cs и Ca


в (4) используем усло-


y*y dV = 1,

 

y*y dV = 1,

 

(2.10.6)

 
ò  s     s                      ò  a     a

После подстановки значений ys и ya из (2.10.4) в (2.10.6) получа-

ем:

C 2 (y* + y* )(y   + y  )dV = 1


s ò   1            2         1            2


(2.10.7)


C 2 (y* - y* )(y   - y  )dV = 1.

a ò   1            2         1            2

Можно показать, что после интегрирования в (2.10.7) получим:


 

s

 

a

 

s

 

s

 
где


C 2 = (2(1 + J


))-1, C 2 = (2(1 - J


))-1,


(2.10.8)


Js =


òy* (2)y


(1)y* (1)y


(2)dV  ¹ 0 ,              (2.10.9)


A

 

B

 

A

 

B

 
Js – некоторое число.

Первое приближение. В первом приближений учитывается взаи- модействие между всеми частицами молекулы, поэтому полная по- тенциальная энергия молекулы U ¹ 0 . Теперь оператор Гамильтона

Hˆ  = Hˆ1 + Hˆ 2 + U

Запишем уравнение Шредингера для каждого из электронов моле- кулы:

Hˆ1ys = e1ys ,    Hˆ 2ys = e2ys ,


Обозначим


e1 = e2 = e0


– полная энергия электрона в каждом из


изолированных атомов, т.е. в отсутствие взаимодействия между ато- мами. Тогда полная энергия молекулы, у которой собственные момен- ты импульсов электронов антипараллельны, равна


es =


y*Hˆy  dV  = 2e   +   y*Uy  dV ,


(2.10.10)


ò  s            s                        0  ò  s               s

причем здесь учтено, что


y*(Hˆ  + Hˆ  )y dV =


y*(e + e )y dV = (e + e ) y*y dV = 2e .


ò  s        1            2        s


ò  s    1         2        s                     1         2 ò  s    s                         0


Аналогично получается выражение для полной энергии молекулы, у которой собственные моменты импульсов электронов параллельны:

ò  a           a


ea = 2e0 +

Введем обозначения:


y*Uy dV ,


(2.10.11)


Des =

 

y*Uy dV , De

 

=

 

y*Uy dV ,

 

(2.10.12)

 
ò  s          s                      a   ò  a               a


где


Des , Dea – средние значения изменения полной энергии, возни-


кающие в результате взаимодействия между атомами в молекуле.

Отсюда


es = 2e0 + Des , ea = 2e0 + Dea


(2.10.13)


После подстановки значений в (2.10.12) и выполнения промежу- точных вычислений получаем:


 

 

где


Des


= K + UJs , 1 + Js


Dea


= K - UJs , 1 - Js


(2.10.14)


K =

 

y* (1)y* (2)Uy

 

(1)y

 

(2)dV .

 

(2.10.15)

 
ò  A             B                   A             B


Интеграл K описывает так называемое обменное взаимодействие, его структура отображает физическую причину возникновения силы притяжения между атомами. Интеграл (2.10.15) относится к той об- ласти пространства, в которой электроны 1 и 2 одновременно принад- лежат атомам А и В, т.е. находятся между ядрами. А так как электри- ческие заряды электронов и ядер разноименны, то, находясь в про- странстве между ядрами, они как бы притягивают ядра друг к другу (рис. 2.10.4).


 

 

 

 

Рис. 2.10.4. Модель возникновения сил притяжения между ядрами в молекуле Н2

 

Однако в пространстве между ядрами электроны могут находиться

S1                 S 2

 

S1                 S 2

 
только в том случае, если  (L    ­¯ L   ). Если же  (L    ­­ L   ), то  элек-

троны 1 и 2 в этом пространстве находиться не могут, так как в этом случае они находятся в одном и том же состоянии, что согласно прин- ципу Паули запрещено. На рис. 2.10.5 изображены графики, пояс- няющие причину возникновения устойчивого состояния у молекулы


водорода: состояния будут устойчивыми, если


eэл < 0


и имеется ми-


нимум энергии, отвечающий равновесному расстоянию между ядра- ми. Здесь R – расстояние между атомами.

Электроны 1 и 2 в процессе движения вокруг ядер могут находить- ся не только между ядрами, но и за их пределами. В этом случае меж- ду ядрами возникает сила отталкивания. Значит, на ядра действуют знакопеременные силы, под влиянием которых ядра то сближаются, то удаляются друг от друга. В результате относительно центра инер- ции молекулы происходят колебания ядер, колебания атомов. Таким колебаниям должна соответствовать энергия колебательного движе-


ния


eкол . Анализ показывает, что, кроме этого, свободная молекула


должна еще непрерывно вращаться вокруг своего центра инерции.


eэп

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

Рис. 2.10.5. Энергия связи ядер в молекуле Н2 для устойчивой

и неустойчивой конфигурации электронных спинов

 

j

 
Полный момент импульса молекулы


Lj = Lэл + Lя ,


L2 = h2 j( j + 1) ,


(2.10.16)


где j – вращательное квантовое число,


j = 1,2,3,...


Зависимость эффективной потенциальной энергии взаимодействия между атомами от расстояния для устойчивых состояний всегда имеет минимум (рис. 2.10.6). Прочность связей атомов в молекуле определя- ется с помощью понятия энергии диссоциации D . Энергией диссо- циации называется минимальная работа, которую необходимо совер- шить для разложения молекулы на атомы.

Потенциальную энергию U(R) можно разложить в степенной ряд

по r = R - R0 вблизи точки R = R0 , ограничиваясь только начальными


членами разложения:

U (R) = U (R0 )


+ dU r dr


1   d 2U

 

2   dR2 r


1 d 3U 3

 

2 +

 

r +

 
6 dR3


...


(2.10.17)


+

 
Здесь и в дальнейшем значения производных берутся в точке

r = 0 .


В точке R = R0


функция U (R) имеет минимум,  dU

     

 
dr


= 0 .


      R=R0

Если в (2.10.17) пренебречь четвертым слагаемым, то


U (R) =


U (R0 )


1  d 2U 2

2  

+

 
dR2 r .


(2.10.18)


Так как энергия колебания относительно центра инерции молекулы


eкол


= mw2

2


r 2, m =


M1 = M 2 = M


= M , 2


M – масса ядра, то в (2.10.18)

1   d 2U

2   dR2


mw2

=

 
,

2


где m – приведенная масса молекулы, w – собственная круговая часто- та колебаний ядер.

Из (18) следует, что изменение потенциальной энергии молекулы


DU (R) =


mw2

2

 
r

2


= eкол.


Таким образом, задача сведена к задаче о гармоническом осцилля- торе с энергией


e     = hnn + 1 ,

 


(2.10.19)


2

 
кол                        

       

где n – колебательное квантовое число, n = 0, 1, 2, 3,....


Заметим, что учет в (2.10.17) слагаемого вовать ангармоническим колебаниям ядер.


1 d 3U

6 dR3 r


3 будет соответст-


Атомы молекулы водорода все время вращаются вокруг центра

инерции с кинетической энергии вращения



e    = h2              +


(2.10.20)


вр 2I


j( j


1),


I – момент инерции молекулы,


j = 1, 2, 3,... .


Медленное движение ядер приводит к расщеплению каждого элек- тронного уровня на несколько дополнительных уровней, характери-


зующихся  значениями квантовых чисел     и j. Так как

то число таких уровней должно быть ограничено.


eкол + eвр £ D ,


Сравним теперь порядок величин всех трех слагаемых энергии мо- лекулы.

Полная энергия молекулы

e = eэл + eкол + eвр .                             (2.10.21)

Допустим, электроны, входящие в состав электронной оболочки


молекулы, в какой-то промежуток времени локализованы вблизи


R0 .


Тогда неопределенность импульса в этой области пространства

(Dr » R0 )


Dp »   h .

R0

Для основного состояния электронной подсистемы молекулы мож- но принять неопределенность энергии примерно равной самой энер- гии: Deэл » eэл Поэтому

De    » (Dp)2 =     h    .


эл           2m


2m R2


e                     0


Приняв для оценки R0


= 1,06 ×10-10 м , получим De


'эл


= 3,4 эВ .


Для оценки величины изменения энергии колебательного движе- ния атомов положим в (2.10.19) u = 0 :


Deкол


» eкол


= hw .                       (2.10.22)

2


Вблизи точки


R = R0


между атомами, входящими в состав моле-


кулы, действует квазиупругая сила, поэтому



e     = kr 2 = mw2r 2


(2.10.23)


 

Следовательно,


кол            2         2    .

 

w =


Подставим найденное значение w в (22):


 

 

Так как


eкол


= h2

2


k .

m

1 d 2U 2

 

 


(2.10.24)


DU (R) = eкол = 2  dR2         r  ,


 

то, как следует из (23),

d 2U


       R = R0

 

          

 
d 2      h2                    h2


     2

 
K = 

dR


=       

dR2 2m R2


= 3 m R4 .


        R=R0


     e    R=R0                       e 0


Подставим значение K в (2.10.24):


eкол =


=     eэл


 

и после вычислений получаем

Deкол = eкол = 0,2 эВ .


Вращательная энергия у слабовозбужденных атомов (J = 1)


eвр


= h2

0

 
2mR2


j( j + 1) = 2eэл


me ,

m


(2.10.25)


вычисления дают следующий результат: Deвр = eвр = 0,002 эВ

Приведенные выше оценки хорошо соответствуют опытным дан- ным. По физическому смыслу e0 в (10) есть полная энергия электрона в атоме водорода, находящегося в основном состоянии. В нашем слу- чае это eэл . Тогда


e = e


= - R 1 ,


(2.10.26)


0            эл


hc n2


R – постоянная Ридберга,


n = 1, 2, 3,..., n – главное квантовое число. С


учетом (2.10.21), (2.10.22), (2.10.25) полная энергия молекулы водоро- да


           1

 


me

 


(2.10.27)


e = 1 - n +  

2


- 2 j( j +1) m eэл.


                                           

На рис. 2.10.6 приводится схема уровней энергии молекулы водо- рода. Из рис. 2.10.6 следует, что интервалы между соседними уровня- ми энергии колебательного и вращательного движений постепенно сближаются. А так как eкол + eвр £ D , то всегда существует определен-

ная граница как для колебательных, так и для вращательных уровней. Из приведенных оценок видно, что интервал энергий между соседни- ми уровнями очень мал. Поэтому отдельные спектральные линии ока- зываются физически неразличимыми и образуют полосы в спектре излучения. Возможность тех или иных переходов между отдельными уровнями молекулы водорода определяются правилами отбора для квантовых чисел:

n – любое; Dν = ±1;      Dj = ±1 .                     (2.10.28)

Из правил отбора (2.10.28) следует, что при переходе возбужден- ной молекулы в основное состояние на электронный спектр в (27), имеющий дискретный характер (см. (26)), накладываются спектры колебательных и вращательных переходов. В результате весь спектр представляет систему из нескольких групп полос, расположенных в различных участках спектра.

Установленные выше результаты справедливы лишь при гармони- ческих колебаниях ядер атомов, входящих в состав молекулы, т.е. при действии между ними квазиупругой силы. Но это будет справедливо


лишь при наличии малых отклонений ядер от положения равновесия. Если же отклонение от положения равновесия настолько велики, что


сила взаимодействия будет отличаться от квазиупругой, то


eкол


пере-


стает выражаться формулой (2.10.19). В этом случае приближенно ее можно выразить формулой вида:



e     = hnu + 1 ⎞⎛1 - C (u + 1 )


, C << 1.


(2.10.29)


2

 

 
кол               


⎟⎜       1

⎠⎝


2        1


Поэтому с ростом колебательного квантового числа расстояние между соседними колебательными уровнями постепенно уменьшает- ся, а так как максимальная энергия колебательного движения не мо- жет превышать энергию диссоциации, то число колебательных уров- ней всегда ограничено. Частота колебаний находится в инфракрасной


области спектра. Так, у молекулы CO для u = 1

n

 

4


l = 4,67 мкм .


 

 

3

 

 

 

2

 

 

1

Рис. 2.10.6. Схема электронно-колебательных уровней молекулы Н2 В заключение отметим, что вскрытые на примере атома водорода

общие закономерности проявляются и у более сложных многоатом- ных молекул, но их детальный анализ более труден и не до конца за- вершен до сих пор. В общем же величины энергий электронного, ко- лебательного и вращательного движений молекулы подчиняются со- отношению


eэл


: eкол


: eвр


= 1:


: me ,

m


получившему название принципа Борна–Оппенгеймера.


Глава 3. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

 

3.1. Классификация твердых кристаллических тел

 

В процессе образования твердого тела происходит перераспределе- ние электронов у отдельных атомов, возникают силы, удерживающие атомы на определенном расстоянии друг от друга. Силы, связываю- щие между собой атомы в твердых телах, почти полностью электри- ческие, роль магнитных и, тем более, гравитационных взаимодействий пренебрежимо мала.

Твердое тело может состоять не только из отдельных атомов (ио- нов), но и из отдельных молекул. Силы, связывающие между собой молекулы в твердых телах, тоже в основном электрического происхо- ждения. Однако межатомная связь в этом случае отличается от меж- молекулярной: образование межатомной связи сопровождается суще- ственной перестройкой электронной оболочки атомов, при межмоле- кулярном взаимодействии у каждого из атомов в основном сохраняет- ся индивидуальная электронная оболочка. В твердом теле межатом- ные взаимодействия в основном осуществляются валентными элек- тронами. Существуют три главных вида межатомных связей – кова- лентная, ионная и металлическая. Физическая причина возникновения ковалентной и ионной связи нами была объяснена ранее. Напомним лишь, что ковалентная связь возникает в результате обменного взаи- модействия электронами между соседними атомами, ионная связь обусловлена кулоновским взаимодействием между разноименно за- ряженными ионами атомов твердого тела.

Любое научное направление в физике может успешно развиваться, только опираясь на правильные теоретические представления. Для физики твердого тела такой теоретической базой является квантовая механика, основы которой кратко были изложены ранее. Рассмотрим некоторые вопросы физики твердого тела. Цель нашего изложения заключается в объяснении особенностей электропроводности кри- сталлических твердых тел и возможности использования этих свойств в технике.

В настоящее время все твердые тела по величине электропровод- ности делятся на четыре группы: металлы, полуметаллы, полупровод- ники и диэлектрики. По особенностям связей в твердых кристалличе- ских телах их можно разделить на ионные, ковалентные, металличе- ские и молекулярные кристаллы. У ионных кристаллов существует


кулоновская связь, связь между положительными и отрицательными ионами; ковалентные кристаллы возникают в результате наличия ко- валентной связи между соседними ионами, когда, допустим, два элек- трона соседних ионов участвуют в образовании связи, а четыре элек- трона – в образовании заполненной электронной оболочки, причем они пространственно локализованы вблизи таких ионов и под дейст- вием электрического поля в пространстве направленным образом пе- ремещаться не могут, а, следовательно, не могут создавать ток прово- димости. Такая кристаллическая решетка, например, может быть об- разована атомами Si (рис. 3.1.1.).

 

3 p                               3p                3 p                     3 p

 

 

 

3 p                                                                                                                                                    3 p

 

 

3 p                                                                                                                                                   3 p

 

 

 

3 p                    3 p                        3 p                                3 p

 

Рис. 3.1.1. Ковалентная связь


Рис. 3.1.2. Металлическая связь

Металлические кристаллы возникают в результате металлической связи между ионами кристаллической решетки, связь эта осуществля- ется валентными электронами, т.е. электронами, которые в процессе возникновения кристаллической решетки, оторвались от соответст- вующих атомов. Теперь бывшие валентные электроны не локализова- ны в пространстве между соседними ионами кристаллической решет- ки, а свободно блуждают между ними – это свободные электроны. Связь между соседними ионами, металлическая связь, возникает по-


тому, что в пространстве между ними возникает эффективный отри- цательный заряд, который стягивает между собой соседние ионы (рис. 3.1.2).

Молекулярные кристаллы возникают только при низкой темпера- туре под действием сил Ван-дер-Ваальса, т. е. в результате притяже- ния между соседними электрическими моментами диполей электриче- ски нейтральных молекул (рис. 3.1.3).


Рис. 3.1.3. Дипольная связь

Энергией связи называется энергия, которая выделяется при кон- денсации 1 моля вещества из газообразного состояния в твердое. Наи- более сильная связь существует у ионных кристаллов, самая слабая связь - у молекулярных кристаллов. В таблице 3.1.1 приводятся неко- торые из свойств кристаллических твердых тел.

 

 

Вид кристалла

Энергия связи

 

Электропроводность

Типичные кристаллы

 

Ионные

 

1,0

Незначительная ионная проводимость. Элек- тронная проводимость

отсутствует

 

NaCl

 

 

Ковалентные

 

 

0,8

Полупроводниковая проводимость. Величи- на электропроводности зависит от концентра- ции примесей.

 

Si

Металлические

0,4

Высокая электропро- водность

Ag    , Cu

Молекулярные

0,01

Диэлектрик

H2 ,     N2

Таблица 3.1.1. Некоторые свойства кристаллических твердых тел Твердые кристаллические тела могут иметь электронную и неэлек-

тронную проводимость. Проводимость - это важнейшее свойство твердых тел, которое широко используется в технике. Поэтому в дальнейшем  все  наше  внимание  сосредоточим  на  таких веществах,


которые обладают этим свойством, т.е. на ковалентных кристаллах и на металлах. Но прежде чем приступить к описанию этих веществ, рассмотрим некоторые физические особенности каждого из приве- денных в таблице 1 типов твердых тел в отдельности, считая, что энергия связи не является исчерпывающей характеристикой твердого состояния, более важной характеристикой является особенность обра- зования связи в каждом типе кристаллической решетки.

 

                  Ионные кристаллы

Обычно ионные кристаллы образуются из электроположительных и электроотрицательных атомов. Электроположительными называют- ся атомы, легко теряющие электрон, электроотрицательными – атомы, прочно удерживающие присоединенный электрон. Электроположи- тельными являются все атомы щелочных металлов, к электроотрица- тельным относятся атомы галогенов. Так в процессе образования ион- ного кристалла NaCl валентный электрон атома Na переходит  к атому Cl , в результате возникают два противоположно заряженных


иона


Na+


и Cl - . У каждого из возникших ионов возникают элек-


тронные оболочки, характерные для инертных газов. Наличие таких электронных оболочек у отдельных атомов ионной кристаллической решетки – одна из особенностей таких кристаллов.

Ионы, входящие в состав кристаллической решетки, обладают сфе- рической симметрией. Но радиус сфер у них разный. Так, радиус Cl -


в кристалле NaCl почти в два раз больше радиуса


Na+ .


Энергия связи ионных кристаллов в значительной мере определяется взаимным кулоновским притяжением таких заряженных сфер и силами отталкивания между одноименными зарядами ионов. Одновременное действие этих сил и определяет равновесное состояние атомов в кри- сталле. Валентные электроны электроположительного атома сильно связаны с электроотрицательными атомами, они локализованы вблизи отрицательных ионов и не могут участвовать в направленном переносе заряда в пространстве, т.е. не могут участвовать в образовании тока проводимости. Следовательно, такие кристаллы являются диэлектри- ками. Однако при высокой температуре атомы в таком кристалле обла- дают определенной подвижностью, под действием сильного электриче- ского поля возникает электропроводность, вызванная направленным движением положительных и отрицательных ионов. Ионная проводи- мость во много раз меньше электронной. Частично это объясняется тем, что масса иона значительно больше массы электрона.


Если обратиться к кристаллу NaCl , то в этом кристалле более


подвижными окажутся ионы


Na+ , у них меньший размер и меньшая


масса, чем у ионов Cl - . Именно они и вносят основной вклад в пере- нос ионного заряда, в образование тока проводимости в кристалле.

 

                  Ковалентные кристаллы

В процессе образования кристаллической решетки твердого тела всегда выделяется энергия. Если бы этого не было, то кристалл не мог бы находиться в устойчивом состоянии – в состоянии с минимальной энергией. Поэтому обратный процесс, процесс перехода вещества из твердого состояния в жидкое происходит при затрате энергии. Эта энергия в случае ковалентных кристаллов идет на разрушение кова- лентных связей между соседними атомами.

Типичными ковалентными кристаллами являются кристаллы, обра- зованные атомами 4-ой группы периодической таблицы Менделеева: C, Si, Ge .

В процессе образования кристалла электроны из состояний 2s, 3s, 4s переходят соответственно в возбужденные состояния 2p, 3p, 4p.

6

 
C    1s22s22 p2 ® 1s22s12 p3


14 Si

32 Ge


1s22s22 p63s23 p2 ® 1s22s22 p63s13 p3

1s22s22 p63s23 p64s23d10 4 p2 ® ...4s14 p3


Так, в Ge в результате выделения энергии электроны 4s возбужда- ются, при этом один электрон переходит в состояние 4p, другой оста- ется в состоянии 4s, но при этом настолько удаляется от ядра атома, что по отношению к 3d электронам он становится внешним, а элек-


троны


4s1 и


4 p3


теперь оказываются валентными. Валентные элек-


троны


4s1 и


4 p3


между соседними атомами кристаллической решет-


ки образуют ковалентную связь. Каждая такая связь возникает в на- правлении наибольшей плотности электронной оболочки спаренных электронов, причем каждый атом решетки взаимодействует только с определенным числом соседних атомов, а не со всеми атомами решет- ки. Поэтому ковалентная связь является насыщенной, но направление связей не обязательно должно совпадать с направлениями ребер эле- ментарной ячейки кристаллической решетки.

Кроме Si и Ge, среди полупроводников широко используются атомы элементов III и V групп периодической системы элементов. Так, у


49 In  валентными электронами являются электроны  5s25 p1 , а у  51 Sb

валентные электроны 5s25 p3 . На первый взгляд кажется, что при пере- ходе валентных электронов от In к Sb должна возникать ионная, а не ковалентная  связь.  Однако этого не происходит. Общее число валент-

ных электронов у них 8, поэтому  возникают  четыре пары  электронов,

участвующих в образовании 4-х ковалентных связей, как и у Si или Ge.

Ковалентные кристаллы при очень низких температурах – диэлек- трики. Это связано с тем, что каждый валентный электрон за пределы связи, в которой он участвует, выйти не может, т.е. он локализован в пределах определенного микрообъема. Однако с повышением темпе- ратуры некоторые из связей разрываются, возникают свободные элек- троны, которые могут участвовать в токе проводимости. Такой кри- сталл становится полупроводником, но из-за малости концентраций таких электронов электропроводность полупроводника всегда меньше электропроводности металла.

 

                  Металлические кристаллы

При конденсации атомов из газообразного в жидкое, а затем и в твердое состояние всегда выделяется некоторая энергия. В результате в процессе образования металлического кристалла от атомов отрыва- ются валентные электроны. А так как они не локализованы в про- странстве вблизи каких-либо конкретных атомов, то такие электроны теперь принадлежат всем атомам кристалла, т.е. являются свободны- ми. В металле концентрация свободных электронов порядка 1029 м-3 .

Под действием электрического поля внутри металла достаточно большое число электронов может участвовать в направленном пере- носе заряда, создавая ток проводимости. Так как число таких электро- нов очень велико, то и электропроводность металла всегда очень вы- сокая. Электроны, участвующие в токе проводимости, называются электронами проводимости. Таким образом, металлическая связь ос- нована на коллективизации валентных электронов всех атомов. Эти электроны, будучи не связанными с конкретными атомами, способны передвигаться по всему объему металла. Валентные электроны, если пренебречь взаимодействиями между ними, образуют нечто вроде электронного газа, подчиняющегося законам квантовой механики. В процессе перемещения свободные электроны некоторое время нахо- дятся между соседними атомами, находясь здесь, они создают эффек- тивный отрицательный заряд, к которому притягиваются положитель- ные ионы металла. Когда эффективный заряд убывает, сила притяже-


ния сменяется силой отталкивания между ионами. В результате ионы кристаллической решетки непрерывно колеблются. Таким образом, связь между атомами металла, металлическая связь, носит обменный характер и в этом у нее много общего с ковалентными кристаллами.

 

                  Молекулярные кристаллы

Молекулярные кристаллы образованы молекулами, расположен- ными периодически в объеме твердого тела. Молекулярные кристаллы возникают при низких температурах под действием межмолекуляр-


ных связей, в них расстояние между молекулами


r >> d ,


d – размер


молекулы. Этим объясняется чрезвычайно малая величина взаимодей- ствия между молекулами. Впервые такая связь была введена в физику Ван-дер-Ваальсом в 1873 году.

Различают три вида этих сил: ориентационные, индукционные, дисперсионные. Как показывает анализ, потенциальная энергия взаи- модействия у них зависит от расстояния по одному и тому же закону:


= A

r 6


.                           (3.1.1)


Ориентационные силы возникают между молекулами полярных диэлектриков как результат взаимодействия между молекулами, имеющими постоянные электрические моменты диполей. Индукцион- ные силы возникают из-за того, что одна из молекул, обладающая электрическим моментом диполя, поляризует другую и индуцирует в ней электрический момент диполя. Дисперсионные силы возникают потому, что дипольный момент молекулы быстро и случайным обра- зом меняется во времени, одновременно с ним меняются дипольные моменты соседних молекул.

Поскольку каждая молекула такого кристалла электронейтральна, то молекулярные кристаллы являются диэлектриками, не обнаруживая ни электронной, ни ионной проводимости.

Наиболее сильные взаимодействия из перечисленных – ориентаци- онные и дисперсионные.

 

              Основные особенности классической и квантовой статистики

 

Любое твердое тело состоит из огромного числа микрочастиц, на- ходящихся в непрерывном движении. Наиболее простой подход к вы- явлению физических закономерностей заключается в описании их


коллективных свойств. Этим, наряду с термодинамикой, занимается статистическая физика. Статистическая физика – это раздел физики, в котором изучаются физические свойства макроскопических тел, т.е. систем, состоящих из очень большого числа частиц (электронов, ато- мов, молекул) с учетом индивидуальных особенностей этих частиц и взаимодействий между ними. Так как твердое тело состоит из огром- ного числа взаимодействующих частиц, то для выявления особенно- стей его состояния применяют методы статистической физики, законы которой справедливы для большого массива движущихся частиц. Од- ним из важнейших свойств твердого тела является его электропровод- ность. Наибольшей электропроводностью обладают металлические и ковалентные кристаллы. Поэтому в дальнейшем будем рассматривать в основном два типа кристаллических твердых тел – ковалентные кри- сталлы и металлы. У них:

1)    ионы в пространстве располагаются периодически;

2)    в процессе кристаллизации вещества от каждого из атомов отры- ваются валентные электроны, в результате в объеме твердого тела возникают либо электронный Ферми-газ (ЭФГ), либо электронная Ферми-жидкость (ЭФЖ).

Понятия ЭФГ, ЭФЖ тесно связаны с понятием свободных электро- нов, которое было введено в разделе 3.1.

В отсутствие электрического поля свободные электроны движутся хаотически между ионами кристаллической решетки. Электрическое поле положительного заряда ионов в какой-то мере экранирует дейст- вие ближайшего свободного электрона на рассматриваемый свобод- ный электрон. Следовательно, в первом приближении можно принять, что свободные электроны не взаимодействуют между собой. Такая система невзаимодействующих между собой электронов называется ЭФГ. По своим физическим свойствам ЭФГ во многом похож на иде- альный газ. Основной отличительной особенностью его является на- личие у свободного электрона электрического заряда и собственного момента импульса. ЭФЖ – это тот же ЭФГ, но в этой модели свобод- ные электроны взаимодействуют между собой. В настоящее время теория ЭФГ достаточно хорошо разработана количественно, теория ЭФЖ разработана на уровне операторов, пользуясь этой теорией, ко- личественные расчеты выполнить не удается.

Главные особенности твердого тела определяются степенью разли- чия концентраций свободных электронов и особенностями связи меж- ду атомами кристаллической решетки. На величину электропроводно- сти решающим образом влияет концентрация свободных электронов,


которая очень сильно меняется у различных твердых тел. Так, у ме- таллов концентрация свободных электронов порядка 1028–1029 м-3, у полупроводников – 1020–1022 м-3, а у диэлектриков – 1012–1014 м-3.. А так как удельная электропроводность твердого тела

σ = е × n × b ,                              (3.2.1)

где e – заряд электрона, n – концентрация свободных электронов, b – подвижность электронов, то удельные электропроводности металла, полупроводника, диэлектрика отличаются между собой на порядки величин: σ м >> σп п >> σдиэл .

Напомним, что


σ = r-1 , b =


v  ,                    (3.2.2)

E


где r – удельное электрическое сопротивление, v – дрейфовая ско-

рость, E – напряженность электрического поля в веществе.

Свободные электроны твердого тела образуют систему частиц, об- ладающую целым рядом специфических свойств. Рассмотрим, в чем же состоит своеобразие свойств такой системы частиц по сравнению со свойствами частиц идеального газа. Указанную задачу, в принципе, можно рассмотреть совершенно строго, пользуясь при этом либо ме- тодами квантовой статистики, либо методами квантовой механики. При этом как в том, так и в другом случаях придется использовать теорию вероятности. Так для решения задачи методом квантовой ме- ханики необходимо описать движение каждого электрона, для чего необходимо составить столько уравнений Шредингера сколько элек- тронов в системе. Кроме того, необходимо знать реальный потенциал взаимодействия между частицами твердого тела. Такая задача необы- чайно сложна, с ней может справиться только ЭВМ, да и то в отда- ленном будущем. Поэтому в настоящее время для объяснения физиче- ских особенностей твердых тел в основном применяют методы физи- ческой статистики с использованием законов теории вероятностей. С помощью статистики многих частиц удается в среднем описать осо- бенности движения всех свободных электронов ЭФГ в твердом теле.

С энергетической точки зрения твердое тело будем рассматривать как потенциальную яму, в которой находятся свободные электроны ЭФГ. Каждый из них не связан ни с одним из атомов твердого тела, а принадлежит всей кристаллической решетке в целом. Свободные электроны в твердом теле по своим свойствам отличны от молекул идеального газа, отличны от свободных электронов в вакууме. Фор- мально это проявляется прежде всего в том, что молекулы идеального


газа подчиняются классической статистике Максвелла-Больцмана, а свободные электроны твердого тела подчиняются квантовой стати- стике Ферми-Дирака.

Сравним теперь основные особенности классической и квантовой статистик.

1.   Статистика Максвелла-Больцмана имеет дело с частицами, дви- жение которых в пространстве описывается законами классической фи- зики, состояние частицы однозначно определяется заданием ее коорди- нат x, y, z и проекций импульса на координатные оси px, py, pz. Как ко- ординаты, так и одноименные проекции импульсов, в принципе, можно определить одновременно и совершенно точно. Поэтому в природе возможны состояния, бесконечно мало отличающиеся одно от другого координатами, импульсами, энергией. Эти состояния классическая фи- зика считает не совпадающими между собой. Следовательно, любые два физически близкие состояния являются различными, и никаких ог- раничений на них при этом не накладывается, в том числе и на точность


их определения. Больше того, возможно, что


DpxDx ® 0 , поэтому в


пределе может быть так, что


Dpx = 0


и Dx = 0 , т.е. в одном и том же


состоянии могут находиться две и большее число частиц, и эти частицы будут физически различными. Если каждой из таких частиц присвоить свой номер, например, 1, 2, 3, . . . , то теоретически можно проследить за движениями этих частиц в пространстве. По-иному дело обстоит с электронами твердого тела. В общем случае свободные электроны твердого тела обладают и волновыми, и корпускулярными свойствами. Поэтому для них выполняется соотношение неопределенностей, и клас- сический способ описания состояний здесь неприемлем.

2.   Введем в рассмотрение понятие фазового пространства коорди- нат и импульсов. Фазовым пространством называется пространство, вдоль координатных осей которого откладываются не только геомет- рические величины, координаты частиц, но и физические величины, например, проекции импульсов на соответствующие координатные


оси. Рассмотрим первоначально фазовую плоскость


px - x . Разделим


все фазовое пространство на равные по величине площади и назовем их ячейками фазовой плоскости (рис. 3.2.1). При этом размер ячейки выберем равной постоянной Планка:

DpxDx = h .

Пусть в двух соседних ячейках имеется по одному электрону. То- гда, по определению, эти свободные электроны будут находиться в


различных   физических   состояниях,   если


DpxDx > h .    Если    же


DpxDx < h , то указанные два состояния будут восприниматься как од- но и две частицы будут физически неразличимы. Итак, чтобы частицы были физически различимы, необходимо выполнение неравенства


DpxDx ³ h .                            (3.2.3)

 

Рис. 3.2.1. Фазовые ячейки

 

Следовательно, минимальный размер площади ячейки двумерного фазового пространства, соответствующий физически различным со- стояниям, равен h . Теперь рассмотрим остальные две плоскости фа-


зового пространства, а именно,


py - y ,


pz - z . Для каждой из этих


плоскостей минимальная площадь равна h . Поэтому минимальный объем ячейки шестимерного фазового пространства координат и им- пульсов, которому соответствуют еще физически различимые сосед-

ние состояния, будет равен h3 :

min

 

min

 
dtmin = (DpxDxDpyDyDpzDz)    = (DpxDpyDpzdV )    . (3.2.4)

3.  Предположим, что все фазовое пространство разбито на ячейки с


минимальным объемом фазового пространства


dtmin = h3 . В каждой


ячейке может находиться большое число квантовых состояний, запол- ненных электронами. Такие состояния будут физически неразличи- мыми и будут восприниматься как одно состояние. Эти состояния яв- ляются вырожденными. Условие снятия вырождения – в каждой ячей-


ке должно быть одно состояние с определенными значениями кванто- вых чисел n, l, m, ms, и это состояние должно быть заполнено свобод- ным электроном. Если же не все ячейки заполнены электронами, то, тем более, такие состояния будут невырожденными.

4.   Число частиц в фазовом пространстве можно получить умноже- нием коэффициента заполнения каждой ячейки на полное число ячеек, причем коэффициент заполнения ячейки определяется из дополни- тельных условий.

Итак, если объем ячейки фазового пространства dt ³ h3, то каждой

ячейке будет соответствовать свое квантовое состояние, только в этом случае состояния свободных электронов будут физически различны- ми. Поэтому в квантовой статистике фазовое пространство, в том чис- ле и координатное, дискретно. В классической статистике фазовое пространство непрерывно, классическая статистика никаких ограни- чений на величину ячейки фазового пространства не накладывает, по- лагая, что они могут быть сколь угодно малыми.

Заполнение состояний свободными электронами в твердом теле происходит в соответствии с принципом Паули, согласно которому в состоянии с полной энергией e может находиться не более двух элек- тронов с противоположно направленными собственными моментами импульсов. Поэтому в каждой ячейке фазового пространства может находиться не более двух электронов с противоположно направлен- ными спинами.

5.  В статистике Максвелла-Больцмана предполагается, что молеку- лы идеального газа можно, по крайней мере в принципе, различать между собой, перестановка местами двух молекул, находящихся в разных состояниях, приводит к возникновению нового микросостоя- ния. В квантовой статистике Ферми-Дирака предполагается, что все свободные электроны тождественны. Поэтому перестановка электро- нов, находящихся в разных состояниях, не приводит к появлению но- вого микросостояния, эти состояния оказываются совпадающими.

 

             Функция распределения Ферми-Дирака

 

Функция Ферми-Дирака – это такая функция, с помощью которой вычисляется вероятность осуществления состояния частиц с полуце- лым спиновым квантовым числом. Так, если параметром состояния является полная энергия, то функция распределения позволяет вычис- лить вероятность осуществления состояния с полной энергией e.


Функция распределения Ферми-Дирака может быть использована для любой системы частиц, у которых спин

s = (2k + 1)/2, k = 0, 1, 2,  3, ...

Такими частицами, например, являются электроны, нуклоны в яд-


рах атомов и другие. Если же


s = k , то вероятность возможных со-


стояний такой системы частиц вычисляется с помощью функции рас- пределения Бозе-Эйнштейна. Примером таких частиц, в частности, являются фотоны.

Пусть в объеме находятся частицы с полуцелым спином, например, свободные электроны. Движение хаотическое. Поэтому концентрация


электронов в интервале энергий от e до


e + de


будет


dn = fnde , а чис-


ло возможных состояний в этом интервале энергий dz = fzde .

Обозначим концентрацию, приходящуюся на единичный интервал энергий,

f  = dn   ,

n    de

а концентрацию состояний в единичном интервале энергий

f   = dz  .

z    de

По определению, функция распределения Ферми-Дирака равна числу электронов, приходящихся на одно квантовое состояние:


fф-д


= dn .

dz


(3.3.1)


В объеме твердого тела V = const

лим на отдельные ячейки (рис. 3.3.1).

py


все фазовое пространство разде-


 

 

1

 

2

3

 

4

 

·

·

i

·

·

·

l- 1

l

px

Рис. 3.3.1. Заполнение фазовых ячеек

 

Так как полное число частиц и полное число состояний соответст- венно равны

N = nV  Z = zV ,

то после подстановки n и z в (3.3.1) получаем:


fф-д


= dN .                            (3.3.2)

dZ


В формуле (3.3.2) N – большая, но ограниченная величина, Z


большая и неограниченная величина. Поэтому всегда


N < Z .


Минимальный объем ячейки фазового пространства, соответст- вующий физически различимым состояниям

dtmin  = h3 = dpdV ,


где


dp = dpxdpydpz , dV = dxdydz .


Выберем одну ячейку фазового пространства из общего числа яче-


ек l= px py pzV

dpdV


. В каждой ячейке пространства импульсов, согласно


принципу Паули, может находиться не более двух электронов с про- тивоположно направленными собственными моментов импульса, только в этом случае состояния электронов будут физически различ- ными. Поэтому максимально возможное значение fp-d=2. Если учесть спиновое к4ватновое число как еще одну координату фазового про- странства, то функция Ферми-Дирака ограничена сверху значением 1. Это ограничение математически выражает "индивидуализм" кванто- вых частиц с полуцелым спином, заключенный в принципе Паули. Отметим, что функция распределения бозонов (Бозе-распределение) не ограничена сверху: в одной фазовой ячейке может находиться множество бозонов.


Каждой ячейке фазового пространства соответствует


Zi состояние


с энергией


ei ; таким образом каждому номеру ячейки присваивается


определенный номер состояния, например, i -ой ячейке соответствует

Zi - состояние.

Выделим в объеме V два вспомогательных объема V1 и V2 , мыс-

ленно разделив эти объемы вспомогательной перегородкой (рис. 3.3.2).

Состояние макроскопического тела, состоящего из N частиц, можно определить с помощью термодинамических потенциалов, их изменение определяет направленность протекающего в системе час- тиц процесса. Если температура и объем все время сохраняются неиз- менными, то такое состояние характеризуется изохорно-изотермным потенциалом, он еще называется свободной энергией. Для незаряжен- ных частиц свободная энергия


F = U - T × S .                            (3.3.3)

Здесь U – внутренняя энергия системы частиц, T – температура, S

энтропия системы частиц,

S = k lnW + S0 ,                         (3.3.4)

W – термодинамическая вероятность осуществления данного макро- скопического состояния системы частиц, – постоянная Больцмана, S0 – значение энтропии системы частиц при T = 0 K.


V = V1 +V2


, T = const


 

·

·

·

·

·

·

·

·

·

·   ·

· V1 ·

· q1·

·

·

·

·

·

·

·   ·

·V2 ·

·   ·

·

·

·

·

·

·

·

·

·

 

 

 

 

·

·

·

·

·

· ·

· ·

·

·

·

·

·

· q2 ·

·

·

·

·

·

·

· ·

 

Рис. 3.3.2. Термодинамическое равновесие

 

Если теперь в объем ввести dN заряженных частиц с потенциаль-


ной энергией


en , то в системе таких частиц произойдет изменение


свободной энергии


dFq


=  U dN + e

     

 
N            n


× dN - T × dS =  U + e

 
N


dN - T × dS , (3.3.5)


n

 
                                                   


где


U + e

N      n


= e , e – энергия частицы в определенном квантовом со-


стоянии, en = q ×j , j – потенциал электростатического поля.

Применим эти понятия к системе свободных электронов твердого тела. Пусть в объеме V находятся свободные электроны, двигающиеся в пределах твердого тела хаотически. В процессе движения некоторое

их число переходит границу  раздела вспомогательных  объемов  V1   и

Vи попадает  в соседний  объем. Процесс обмена частицами контак-

тирующих между собой объемов можно характеризовать электрохи- мическим потенциалом


Fq 

mэ =  N


.                       (3.3.6)


      V ,T

При термодинамическом равновесии (V = const ) электрохимические потенциалы в каждом из вспомогательном объеме равны между собой:


mэ1 = mэ2 .

Физический смысл этого равенства следующий: работа по перено-


су одной заряженной частицы из объема V1


в объем V2


равна работе


по переносу другой заряженной частицы из объема V2


в объем


V1 .


Таким образом, получается, что при термодинамическом равновесии электрохимические потенциалы у системы заряженных частиц в пре- делах объема всюду одинаковы.

Fq1           Fq2 


mэ =  N         =  N


.            (3.3.7)


     1 V1,         2 V2 ,T


После подстановки значения


Fq из (5) в (6), получаем выражение


для электрохимического потенциала в наиболее общем виде:

m = e - T S ,                             (3.3.8)

N

где e – полная энергия частицы в i -м состоянии, S – энтропия систе- мы частиц, вид ее определен в (3.3.4).

Покажем, как электрохимический потенциал зависит от функции Ферми-Дирака. Для этого, прежде всего, найдем закон изменения тер- модинамической вероятности с изменением числа частиц N в систе- ме. По определению, термодинамическая вероятность


W =        Z !

(Z - N )!N !


.                    (3.3.9)


Прологарифмируем W : lnW = ln(Z!) - ln((Z - N )!) - ln(N!) .

Так как согласно постановке задачи


Z!>> 1 ,


(Z - N )!>> 1 ,


N!>> 1 ,


то для упрощения дальнейших вычислений применим формулу Стир- линга:


ln(Z!) = Z ln Z ;

после чего получаем


ln((Z - N)!) = (Z - N) ln(Z - N) ;


ln(N!) = N ln N ,


lnW = Z ln Z - (Z - N ) ln(Z - N ) - N ln N .        (3.3.10)

Продифференцируем полученное выражение (3.3.10):

lnW = (ln Z )Z + Z Z - Z - N (Z - N ) -

Z         Z - N

- (ln(Z - N ))(Z - N ) - N N - (ln N )N.

N


Так как общее число состояний при заданной температуре не меня- ется, z = 0 , то после несложных преобразований имеем:


 lnW = ln Z -

 


 .                   (3.3.11)


N

 
N

Как следует из (3.3.3),


       1

        


 

 

Отсюда


lnW = S - S0 .

k


= k lnW .

N         N


Найденное  значение  S

N

(3.3.8):


с учетом (3.3.11) и (3.3.2) подставим в


m  = e - kT ln Z -  = e - kT ln(f -1 -1).       (3.3.12)


N

 
э                             1

        


ф-д


Из (3.3.12) находим выражение для функции Ферми-Дирака:


 
fф-д =  e


e-m э

kT


-1

 
+1 .


(3.3.13)


Напомним, что в (3.3.13) e – энергия частицы в i -м состоянии, mэ

электрохимический потенциал заряженной частицы.


Из (3.3.13) следует, что при T = 0 K

вид ступеньки (рис. 3.3.3):


функция Ферми-Дирака имеет


fф-д T =0K


1   e £ mэ ,

=

 

0

 
    e ³ mэ .


 

fф-д

1

 

0,5

 

 

0

 

 

 

Рис. 3.3.3. Функция Ферми-Дирака


Для конечной температуры распределение "расплывается", появ-

ляются свободные состояния при e <mэ и занятые при e >mэ . Об-

ласть этого "расплывания" имеет пределы тепловой энергии kT. По- скольку интегрирование функции распределения по энергии дает пол- ное число частиц, то площадь под кривой Ферми всегда постоянна и не зависит от температуры.


Если e - mэ >> kT , то


fф-д = e


- e-m э

kT


= f0e


- e

kT .


Таким образом, при


e - mэ >> kT , т.е. при достаточно большой


энергии, "хвост" функции распределения соответствует функции рас- пределения Максвелла-Больцмана. Значит, в указанном интервале энергий частицы ведут себя как частицы идеального газа. Такой энер- гией, в частности, обладают термоэлектроны, свободные электроны, вылетевшие за пределы твердого тела. Поэтому для термоэлектронов можно использовать классическую статистику. Но для свободных электронов твердого тела, строго говоря, классическую статистику применять нельзя.

 

             Квазичастицы в кристаллическом твердом теле

 

Квазичастицами называются наделенные свойствами частиц элемен- тарные возбуждения, возникшие в твердом теле в результате внешних воздействий. В зависимости от особенностей внешних воздействий су- ществуют различные виды квазичастиц: фононы, квазиэлектроны, плаз- моны, поляроны, экситоны и другие. В настоящем параграфе будут рас- смотрены физические причины возникновения и физические особенно- сти только двух видов квазичастиц, наиболее важных для понимания дальнейшего изложения физики твердого тела. Остальные виды квазича- стиц рассматриваются только в специальных разделах курса физики.

 

                  Фононы кристаллической решетки

Атомы, находящиеся в узлах кристаллической решетки, при Т>0 К участвуют в тепловом движении, совершая непрерывные колебания около положения равновесия. Амплитуда колебаний ионов у боль- шинства кристаллов не превышает 0,01 нм, что составляет (5–7)% от величины среднего расстояния между ионами кристаллической ре- шетки. Но движение ионов при этом оказывается весьма сложным. Дело в том, что колеблющиеся частицы связаны между собой силами взаимодействия. У металлов это проявляется в виде металлической



связи, у молекулярных кристаллов – в виде молекулярной связи, у по- лупроводников – в виде ковалентной. Между ионами кристаллической решетки одновременно действуют силы притяжения и отталкивания. Если ионы изобразить в виде шариков, а силы взаимодействия заме- нить силой сжатой или растянутой пружины, то имеется определенное расстояние между ионами, на котором ионы будут находиться в по- ложении равновесия. Грубая модель расположения таких ионов с ука- занием связей в кристаллической решетке изображена на рис. 3.4.1.

Рис. 3.4.1. Квазиупругая модель кристалла: О – ионы кристаллической решетки;     сила взаимодействия между ио- нами кристаллической решетки (условным образом изо- бражена пружина)

 

Если один из ионов вывести из положения равновесия, например, силой F , то его перемещение вызовет соответствующее перемещение

соседних ионов. Если теперь действие силы F прекратится, то левый ион (рис. 3.4.1) будет совершать колебания, которые вследствие суще- ствующих между ионами связями будут передаваться соседним ио- нам. В результате в кристалле возникает процесс распространения ко- лебаний, т.е. возникает волна.

В общем случае в кристалле могут возникать как продольные, так и поперечные колебания ионов. Возникшие волны, достигнув поверхно- сти кристалла, отражаются от нее, в кристалле возникает сложная сис- тема стоячих волн. Это явление аналогично тому, какое происходит в закрепленной с двух сторон струне (рис. 3.4.2). В ней, как известно, могут возникать стоячие волны определенной длины, поскольку для возникновения стоячей волны необходимо, чтобы на длине струны укладывалось целое число длин полуволн. Собственная частота коле- баний, с которой происходят колебания струны, зависит от силы на- тяжения, упругих свойств струны и ее линейных размеров.

В кристалле также устанавливается набор стоячих волн, причем величина каждой длины волны зависит от размеров кристалла и его упругих свойств. Таким образом, природа тепловых упругих волн в


кристалле аналогична природе звуковых волн, поэтому их еще назы- вают акустическими. Интервал частот тепловых волн очень широк – от 100 Гц до 1013 Гц.


 

Рис. 3.4.2. Стоячие волны

 

Предельное значение длин тепловых волн в кристалле можно оп- ределить из следующих соображений. Изобразим плоскую модель кристалла, линейный размер которого ℓ. Из рис. 3.4.3а видно, что мак- симальная длина стоячей волны λmax= 2ℓ. Действительно, для того, чтобы на поверхностях кристалла при наибольшей длине волны λmax=2ℓ возникли узлы, необходимо, чтобы линейный размер кристал- ла был бы равен половине наибольшей длины волны.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l

 
а                                                       б

Рис. 3.4.3. Определение максимальной (а) и минимальной (б) длин волн

 

Минимальная длина волны λmin может быть определена из рис. 3.4.3б. На нем изображена стоячая волна, которая охватывает 4 меж- атомных расстояния. Поэтому λmin = 4d, где d – постоянная кристалли- ческой решетки. Скорость распространения тепловых волн совпадает со скоростью звука в кристалле, а энергия колебаний распределяется между всеми видами волн. Но, так как короткой длине волны соответ-


ствует наибольшая частота колебаний, то наибольшая энергия прихо- дится на короткие волны.

Как следует из квантовой механики, энергия колебаний ионов должна быть дискретной, т.е. квантована. Квант энергии тепловых колебаний ионов кристаллической решетки называется фононом и равен


eФ = h n,

где ν – частота колебаний ионов.


(3.4.4.1)


Фононы, т.е. распространяющиеся в кристалле элементарные воз- буждения, наделяются свойством частиц и называются квазичастица- ми. Они являются элементарными носителями движения в системе реальных частиц, входящих в состав кристаллической решетки, и свя- заны между собой взаимодействием.

В газах частицы одновременно выполняют две функции: они яв- ляются элементарными кирпичиками вещества, тем самым выполняя функцию структурной единицы материи, и одновременно являются элементарными носителями движения в этой системе частиц. Таким образом, в газах элементарный носитель движения и структурная еди- ница материи совпадают между собой, образуют единое целое. В твердом теле эти две функции разделены: ионы являются структур- ными единицами материи, а фононы являются структурными едини- цами движения, с их помощью переносится колебательная энергия.

В процессе движения в кристалле фононы сталкиваются между собой и при этом рассеиваются. Рассеяние также происходит при столкновении фонона с дефектом кристаллической решетки.

Система не взаимодействующих между собой фононов образует фононный газ, свойства его соответствуют статистике Бозе- Эйнштейна, функция распределения которой


 e


-1


fБ -Э =  ek T -1 .

          

          

Если рассматривать распространение волны в кристалле, то про- цесс распространения колебаний можно представить в виде цепочки ионов, в которой некоторое число ионов отклонилось от положения равновесия (рис. 3.4.4).

Если в направлении между наибольшим сближением ионов дви- жется электрон, то он столкнется с таким сближением и при этом либо отдаст часть своей энергии, либо получит от решетки некоторую ее величину.


На рис. 3.4.4 представлен наглядный образ фонона – кванта энер- гии теплового колебания ионов кристаллической решетки.


 

Рис. 3.4.4. Взаимодействие электрона с фононами

 

Приравняем среднюю энергию колебательного движения, прихо- дящуюся на одну степень свободы, энергии одного фотона:

kT = hν.                           (3.4.1.2)

В уравнении (3.4.1.2) частота колебаний иона кристаллической ре- шетки зависит от температуры. Тогда максимальной температуре бу- дет соответствовать максимальная частота колебаний:


nmax = n(Tmax ).


(3.4.1.3)


Частота колебаний ионов кристаллической решетки охватывает большой интервал частот, но среди возможных частот всегда имеется


минимальная частота


nmin и максимальная частота


nmax . А так как


для фононов, обладающих наибольшей энергией, справедлива зави- симость (3.4.1.2), то можно записать:


k T

 

     

 
             =    k q

h n             hn


= 1,


(3.4.1.4)


где θ – температура Дебая.


n max


max


q = hnmax.

k


(3.4.1.5)


Для одномерного кристалла температура Дебая легко вычисляется. Действительно, колебания в кристаллической решетке распространя-


ются со скоростью звука: колебаний. Отсюда


vзв = lmin × νmax = lmin / Tmin ,


Tmin – период


nmax


= vзв

l min


= vзв . 4d


(4.3.1.6)


После подстановки νmax из (3.4.1.6) в (3.4.1.5) получаем:


q = hvзв .

4 k d


(3.4.1.7)


Для трехмерных кристаллов следует учесть, что колебания ионов можно разложить на 3 составляющие. Тогда θ в (3.4.1.7) есть темпера- тура Дебая для одной составляющей колебаний, а максимальная энер- гия фонона с учетом 3-х составляющих колебаний будет равна


3 hnmax = qx, y, z .

Отсюда в общем случае температура Дебая равна


(3.4.1.8)


qx, y, z


= 3 h v зв .

4  k d


(3.4.1.9)


В качестве примера вычислим температуру Дебая для кристаллов Cu и NaCl, у которых скорости звука соответственно равны 3550 м/с и 4400 м/с, а постоянные кристаллической решетки 3,60Å и 5,63Å. В результате вычислений по формуле (3.4.1.9) получаем значения тем- ператур Дебая для Cu θ=354 K, для NaCl θ=281 К. Ниже в таблице приведены экспериментальные значения для некоторых веществ.

 

Вещество

Au

Cu

Ge

NaCl

θэкс , K

170

315

290

280

 

Анализ таблицы показывает, что в кристаллах имеют место как продольные, так поперечные колебания, причем у Au преобладающи- ми являются продольные, а у Cu – поперечные колебания. При темпе- ратуре Т = θ в твердом теле возбуждается весь спектр колебаний с максимальной частотой νmax. Поэтому дальнейшее повышение темпе- ратуры Т > θ не вызовет появление колебаний с новыми частотами, дальнейшее нагревание приводит лишь к увеличению амплитуды ко- лебаний и соответствующему увеличению колебательной энергии. При Т < θ с ростом температуры увеличивается νmax, увеличивается спектр возможных частот колебаний. При Т > θ кристалл называется горячим, при Т < θ – холодным. Тогда температура Дебая есть граница раздела между горячим и холодным состояниями, но и в том, и в дру- гом случаях амплитуда колебаний увеличивается с ростом температу- ры. Рассмотренные колебания ионов называются акустическими. Од- нако, когда элементарная ячейка кристалла содержит несколько ато- мов, то наряду с акустическими возникают оптические колебания.


                  Квазиэлектроны кристаллической решетки

Ранее было показано, что движение электрона в вакууме можно представить в виде двух волновых функций, одна из которых отобра- жает волновые свойства материи, другая – корпускулярные:

rr              - i (et - rr


y = y


0 e-i(wt -k r ) = y0 e h


pr )

.


(3.4.2.1)


Таким образом, каждой движущейся частице с энергией  e  и им-

пульсом  p  можно сопоставить некоторый волновой процесс. Из (1)


следует, что


e = hw и


r

p = hk ,


ω – круговая частота колебаний волно-


вой функции, k – волновой вектор, w= 2pn, k = 2p/l. Эти же представ- ления можно распространить и на свободные электроны в кристалли- ческом твердом теле. Пусть первоначально свободные электроны не

взаимодействуют  между  собой,  т.е.  в твердом теле существует ЭФГ.

Возможные состояния электронов ЭФГ определяются набором уров- ней полной энергии. Эти состояния, в принципе, могут быть получены в результате решения уравнения Шредингера. Однако при наличии внешнего воздействия, в частности, при нагревании твердого тела, происходит возбуждение свободных электронов твердого тела, а, сле- довательно, и изменение у каждого из них полной энергии. Если такие возбуждения достаточно малы, то полная энергия системы свободных электронов будет складываться из энергии их основных состояний и энергии отдельных элементарных возбуждений:

N            N


e = åe i + åDe i .


(3.4.2.2)


i =1         i =1

В результате элементарного возбуждения у каждого электрона уве- личивается импульс, а стало быть и скорость движения в кристалли- ческой решетке, т.е. элементарное возбуждение каким-то образом свя- зано с изменением динамической характеристики движения частицы – импульса. Возбужденное состояние, возникающее в твердом теле, не остается локализованным, а в результате взаимодействия между час- тицами распространяется в виде волны. Возбуждения каждого из сво- бодных электронов незначительны по величине. Они называются эле- ментарными и наделяются свойствами частиц. Но так как возбужде- ния – это не реальные, а воображаемые частицы, то такие элементар- ные возбуждения называются квазичастицами. Они обладают квази- импульсом hk , энергией  e = hw и спиновым квантовым числом s=1/2.

Квазичастицы  во  многом  подобны  элементарным  частицам,  но они


никогда не могут возникать в вакууме. Дело в том, что для их возник- новения обязательно требуется наличие вещества, состоящего из спо- собных возбуждаться структурных элементов материи. В этом случае квазиэлектроны являются элементарными носителями движения. Ква- зичастицы (квазиэлектроны) также имеют массу, но для них понятие массы является условным: масса квазичастицы не обладает ни грави- тационными, ни инерционными свойствами.

Система невзаимодействующих между собой квазиэлектронов об- разует ЭФГ, для которого справедлива функция распределения Фер- ми-Дирака:


 
fФ- Д =  e


e-m0

k T


-1

+

 

1 ,


(3.4.2.3)


где ε – энергия квазиэлектрона, µэ – их электрохимический потенциал. Для дальнейшего объяснения физических свойств кристаллического твердого тела необходимо ввести в рассмотрение поверхность Ферми. Поверхностью Ферми называется поверхность с постоянной пол- ной энергией, равной энергии Ферми, построенная в пространстве квазиимпульсов, отделяющая область занятых электронных состояний от области состояний, в которой при Т = 0 К электронов нет. Боль- шинство свойств кристаллического твердого тела определяют элек- троны, расположенные на поверхности Ферми и в узкой области про- странства квазиимпульсов вблизи нее. Каждый металл характеризует- ся своей поверхностью Ферми, причем форма поверхности весьма разнообразная и, как правило, очень сложная. Но для ЭФГ поверх- ность Ферми сферическая, что сильно облегчает проведение конкрет-

ных расчетов.

 

Электроны проводимости твердого тела являются квазичастицами. Приставку "квази-" электроны проводимости получили потому, что законы их движения в твердом теле сильно отличаются от законов движения в вакууме. Движение электрона проводимости можно пред- ставить себе как движение в сопровождении облака других частиц, поскольку в процессе движения за электроном возникает область эф- фективного положительного заряда, также перемещающегося вместе с ним. Это приводит к изменению зависимости между энергией и им- пульсом электрона. У электрона проводимости структурная единица материи, электрон, совпадает со структурной единицей движения, квазиэлектроном. Ввиду сложного вида закона дисперсии e = e( p) для


наглядности квазиэлектроны удобно располагать над поверхностью Ферми в непосредственной близости от нее, тогда свободные уровни полной энергии будут располагаться в объеме, ограниченном поверх- ностью Ферми.

К возбужденным состояниям свободных электронов металла поня- тие квазиэлектрона имеет двойное применение. Иногда под словом "свободные электроны" подразумевают квазиэлектроны, тем самым подчеркивая, что электроны в процессе движения возбуждаются. При такой трактовке число квазиэлектронов всегда равно числу свободных электронов и не меняется с изменением температуры. Однако чаще квазиэлектронами называют элементарные возбуждения, которые ха- рактеризуются появлением электрона за пределами поверхности Фер- ми, а освободившееся от электронов уровни полной энергии наделя- ются свойствами частиц и называются дырками. В этом случае квази- частицы рождаются парами и в пространстве не совпадают между со- бой. Заметим, что под дырками понимают незаполненное электроном состояние с энергией ε < εФ , εФ – энергия Ферми.

 

               Распределение свободных электронов по энергиям

 

Свободный электрон в твердом теле представляет своеобразное сочетание двух понятий – структурной единицы материи и структур- ной единицы движения, причем структурная единица движения – эле- ментарное возбуждение электрона, квазиэлектрон. Структурные еди- ницы материи и движения у свободных электронов совпадают, обра- зуя единое целое. Из этого, в частности, следует, что свободный элек- трон имеет заряд, энергию, квазиимпульс и массу. Но масса эта не- обычная, она не является носителем инерционных и гравитационных свойств, т.е. она не является ни динамической характеристикой дви- жущейся частицы, ни материальной. Поэтому масса свободного элек- трона в твердом теле называется эффективной массой, ее физическое содержание мы раскроем в дальнейшем.

Для изучения электрических, магнитных, тепловых и других свойств твердого тела необходимо знать распределение электронов по энергиям. Установим вид распределения при постоянной эффектив- ной массе свободного электрона (m* = const). Предположим, что сво- бодные электроны не взаимодействуют между собой. Значит, в твер- дом теле существует ЭФГ. Подсчитаем число возможных состояний свободных электронов в пространстве импульсов.


Число ячеек в объеме 6-мерного фазового пространства координат и импульсов может быть найдено как частное от деления всего объема фазового пространства на минимальный объем ячейки фазового про- странства. Среда изотропная, поэтому поверхность Ферми сфериче- ская. Следовательно, любое направление движения свободного элек- трона является равновероятным. Кроме того, распределение свобод- ных электронов в геометрическом пространстве равномерное. Тогда при выборе фазового пространства можно рассматривать весь объем.

Пусть свободный  электрон имеет импульс в интервале от   до   p + dp (рис. 3.5.1). Распределение электронов по геометрическому объему V равномерно.

Py

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0                                                                    Px

 

Рис. 3.5.1. Импульсное пространство

 

Тогда число ячеек в объеме фазового пространства координат- импульсов будет


dN я =


dpx dpy dpz V h3


dp3 ×V

=

 
h3      .


Число ячеек в единице объема геометрического пространства в вы-

деленном объеме пространства импульсов dp3 = dpx·dpy·dpz (рис. 3.5.2)

d N я =  dp .

V        h3

Тогда число свободных электронов в единице объема геометриче- ского пространства, импульсы которых находятся в интервале от p

до p + dp , с учетом принципа Паули будет


dn = 2 dГ я

V


fф-д


= 2 f


dp ,

ф-д h3


где fф-д – вероятность заполнения ячейки свободным электроном, функция Ферми-Дирака.

pz

 

 

dpz

Надпись: dp

 


 

dpx

                          

px


dpy

 

py


 

Рис. 3.5.2. Объем в импульсном пространстве

 

Полученное выражение для концентрации свободных электронов справедливо лишь для заданного направления импульсов. Однако в отсутствие внешних электрических и магнитных полей движение сво- бодных электронов в кристаллической решетки твердого тела хаотич- но и в любом направлении равновероятно. Таких элементарных объе- мов в разных направлениях пространства импульсов можно построить бесчисленное множество. Совокупность таких элементарных объемов на одном и том же расстоянии пространства импульсов образует ша- ровой слой толщиной dp (рис. 3.5.3).

py

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.5.3. Шаровой слой


 


Объем такого шарового слоя


dVp = 4p p2dp , а концентрация ячеек


в пределах выделенного шарового слоя пространства импульсов

4p p2dp

h

 
dN я =        3       .

Тогда концентрация свободных электронов в шаровом слое про- странства импульсов


dn = 2 fФ- Д dN я =


8 p p2dp h3


fФ- Д .


(3.5.1)


Перейдем теперь от пространства импульсов к пространству энер-

гий и найдем концентрацию свободных электронов в интервале энер- гий от ε до ε + dε. Свободные электроны находятся в электрическом поле кристаллической решетки и потому обладают потенциальной энергией. Кинетическая энергия свободного электрона

p2


 

или


K = e - U =


2m *


p2 = 2m *(e -U ) ,


(3.5.2)


где U – потенциальная энергия свободного электрона в твердом теле,

m* – эффективная масса электрона.

Перенесем начало отсчета энергии на дно потенциальной ямы, по- ложив

K = ε > 0.

Тогда, как следует из (3.5.2),

p2 = 2m * e,

1           3    1


 

                              

p2dp = 22 (m*) 2 e 2 de.


(3.5.3)


Отсюда после подстановки найденных значений в (3.5.1) имеем:

3    1


dn =


 

4 p(2m*) 2 e 2 de   .


(3.5.4)


3           e - m 


h 1+ exp        

kT

                 

Следует обратить внимание, что в показатель степени уравнения (3.5.4) входит не µэ , а µ. Это связано с тем, что теперь начало отсчета энергии находится на дне потенциальной ямы. Тогда концентрация


свободных электронов в интервале энергий от 0 до ∞ может быть оп- ределена после вычисления интеграла


¥           3    1


n = 4 pò (2m*)2 e 2 de  .



(3.5.5)


h3      1+ exp e - m 

 

 
0             kT

Верхний предел ε = ∞ выбран из тех соображений, что при

e - m                                e - m


>> 1

k T


величина


exp

 k T


 >> 1 , и поэтому без заметной ошибки


можно положить εmax = ∞. Если принять, что m* = const, то интеграл (3.5.5) является табличным, и тогда концентрация свободных электро- нов зависит от температуры, эффективной массы и химического по- тенциала:


3

8 p(2m*) 2       3 


p2  k T 2


 

 

 

 
n =      3 h3


m 2 1 +


  m  .


(3.5.6)


Пусть


kT << 1 . Как станет ясно из дальнейшего, для металлов это

m


условие всегда выполняется. Уравнение (3.5.6) запишем для Т=0 К, при этом


3

0

 
8p(2m*) 2           3


2

 
h2  3n  3


n =

3h3


× m 2 ,


m0 =


8m *


,    (3.5.7)

p

 


где µ0 – химический потенциал при Т = 0 К. В качестве примера вы- числим химический потенциал Cu. У меди n = 8,4·1028 м-3, m* =

= 9,1·10-31 кг. После подстановки значений n и m* в (3.5.7) и после- дующих вычислений получаем µ0 = 6,98 эВ, что хорошо соответству- ет экспериментальному значению.

Из (3.5.7) находим


3

8 p(2m*) 2

3


- 3

= n m0 2 .


(3.5.8)


3 h

После подстановки (3.5.8) в (3.5.6) получаем


- 2

     p2  kT 2  3



m = m0 1 +               .


(3.5.9)


8

 

 

 
            m    


     

 
Так как второе слагаемое  kT 2

m


<< 1


, то после разложения в степен-


     

ной ряд с большой точностью получаем:

     p2  kT 2 


 

.

 

 

 
m = m0 1 -


        

m

 
12       


(3.5.10)


Оценим, насколько µ отличается от µ0, при µ0 = 6,98 эВ и различ- ных температурах. Результаты таких вычислений приведены в табли- це.

 

Т, К

120

600

1200

2400

kT, эВ

0,01

0,05

0,10

0,20

µ , эВ

6,97999

6,97970

6,97880

6,97528

 

Из результатов вычислений по формуле (3.5.10) следует, что с большой точностью µ = µ0 . Поэтому с целью простоты дальнейших расчетов можно записать:

     p2  kT 2 



m = m0 1 -            .


(3.5.11)


 

 
     12  m0   

Итак, из приведенной таблицы следует, что изменение химическо- го, а стало быть и электрохимического потенциала настолько незначи- тельно, что ими можно пренебречь.

Распределение концентраций свободных электронов по энергиям получим из (3.5.4):

3    1


 

dn =      4p(2m*) 2 e 2       .

 


(3.5.12)


de       3          e - m 


h 1+ exp        

kT

                 

Графики этой функции приведены на рис. 3.5.4. Заметим, указан- ное распределение справедливо лишь для ЭФГ только для изотропно- го твердого тела. Из рис. 3.5.4 следует, что распределение уровней полной энергии свободных электронов в потенциальной яме неравно- мерно. Наибольшее число занятых уровней находится вблизи энергии Ферми, а вдали от нее число занятых уровней полной энергии резко убывает.


 

y

 

x

 

 

 

 

 

m0                             dn             0

de

а                                                        б

 

Рис. 3.5.4. Распределение электронов по энергиям

 

 

              Явление сверхпроводимости

 

Явление сверхпроводимости впервые было обнаружено в 1911 г. голландским физиком Каммерлинг-Оннесом при исследовании зави- симости электрического сопротивления ртути от температуры. В ре- зультате проведенных опытов им было установлено, что при темпера- туре Т = 4,2 К электрическое сопротивление ртути уменьшается прак- тически до нуля. В 1913 г. за исследования физических свойств ве- ществ при низких температурах, а также за разработку способа полу- чения жидкого гелия ему была присуждена Нобелевская премия по физике. Однако разумного физического объяснения этому явлению ни ему, ни другим ученым того времени получить не удавалось. Причина возникших трудностей состояла в том, что сверхпроводимость – сугу- бо квантовое явление, возникающее в результате Бозе-конденсации пар электронов проводимости. Лишь после того, когда это установи- ли, удалось объяснить это явление. В 1957 г. Бардиным, Купером и Шриффером (БКШ) был разработан первоначальный вариант микро- скопической теории сверхпроводимости.

Сверхпроводимость довольно распространенное в природе явле- ние: оно наблюдается у чистых металлов, металлических сплавов и соединений, у некоторых полупроводников.

Перечислим важнейшие свойства сверхпроводников.


1.    Отсутствие электрического сопротивления протекающему по- стоянному току при температуре ниже критической Тк.

2.   Выталкивание внешнего магнитного поля из объема сверхпро- водника (эффект Мейснера). На рис. 3.6.1а изображено сечение про-

водника, помещенного во внешнее магнитное поле B при температу- ре Т>Тк. Видно, что векторные линии индукции магнитного поля B

пронизывают сечение проводника. Однако, если температура  вещест-

ва будет ниже Тк, то вещество переходит в сверхпроводящее состоя- ние, при этом внешнее магнитное поле уже не проникает в сверхпро- водник, происходит выталкивание магнитного поля из сверхпровод- ника (рис. 3.6.1.б).

Значит, при Т < Тк в объеме сверхпроводника магнитное поле от-


сутствует, а так как


B = m0 (1 + cm )H , cm


– магнитная восприимчивость


вещества, то


cm = -1, m = m0 (1 + cm ) = 0. Следовательно, при таких усло-


виях сверхпроводник ведет себя как идеальный диамагнетик.

 

Tк £ T

 


 

T > Tк


B

c m > 1


B

c m = -1


 

 

 

а                                                 б

Рис. 3.6.1. Эффект Мессбауэра

 

3.    Существование предельного значения индукции внешнего маг- нитного поля ВK и предельного значения плотности тока сверхпрово- димости jк, при превышении которых сверхпроводимость в веществе исчезает. Согласно теории БКШ, между электронами проводимости действуют не только кулоновские силы отталкивания; при определен- ных условиях между некоторыми из них возникает сила притяжения. Физическая причина возникновения силы притяжения следующая. Свободный электрон, двигающийся в кристаллической решетке, притя- гивает к себе положительно заряженные ионы, тем самым несколько сближая их между собой. В результате такого уплотнения в расположе-


нии ионов в пространстве возникает избыточный положительный заряд, коррелированный с движущимся электроном. К такому положительно- му заряду притягивается другой электрон проводимости. Так, благодаря поляризации положительных зарядов, между электронами возникает сила притяжения. Этот процесс в какой-то мере подобен процессу об- менного взаимодействия, благодаря которому возникает ковалентная связь между атомами. Оценки показывают, что сила притяжения между электронами превышает силу отталкивания между ними. В результате в объеме ЭФГ возникает множество связанных в отдельные пары элек- тронов, эти пары называются куперовскими парами (к. п.). У электро- нов к. п. векторы собственных моментов импульсов антипараллельны, поэтому полный момент импульса к. п. всегда равен нулю, спиновое квантовое число одной к. п. s = 0. Итак, каждая к. п. является бозоном, для них запрет Паули не выполняется, в частности, в одном и том же состоянии может находиться множество к. п.

Оценим расстояние между соседними к. п. Пусть первоначально температура металла Т = 0 К. В металле электрическое поле отсутст- вует, и электрический ток не протекает. В этом случае все состояния ниже уровня Ферми оказываются заполненными электронами (см. раздел 3.5), а все состояния с энергией выше уровня Ферми будут полностью свободными. Если вещество изотропное, то поверхность Ферми (см. раздел 3.5) в пространстве импульсов будет иметь сфери- ческую форму с радиусом сферы рФ.

Пусть теперь температура металла выше 0 К, но меньше Тк. Тогда некоторые электроны, первоначально находившиеся вблизи поверх- ности Ферми, перейдут на более высокие свободные уровни энергии, расположенные в непосредственной близости к поверхности Ферми. В результате вблизи поверхности Ферми возникает тонкий слой энерге- тических состояний, частично заполненный электронами. Толщина этого слоя находится в интервале импульсов от р01 = рФ - ∆p/2 до р02 = рФ + ∆p/2, а интервал энергий электронов в пределах этого слоя при температуре, близкой к Тк, будет

De » k Tк  <<  e ,

где e – средняя кинетическая энергия валентного электрона металла.

Пусть два электрона проводимости участвуют в образовании к. п. В отсутствие тока импульсы электронов к. п. равны по величине и про- тивоположны по направлению. Интервал энергий электронов в преде- лах сферического слоя вблизи поверхности Ферми отличается от энергии Ферми εФ на величину kTк:


p2       p2


p + p


kTк »


-    Ф »   Ф        Ф Dp,


(3.6.1)


2 m    2 m        2 m

где р = рФ + ∆p р, ∆р – толщина сферического слоя в пространстве импульсов вблизи поверхности Ферми, ∆р << рФ. Из (3.6.1) имеем


kTк


= pФ Dp .

m


(3.6.2)


Оценим величину области, в которой локализованы электроны к. п., для чего воспользуемся соотношением неопределенности и соот- ношением (3.6.2):

 


D x » h =

D p


h pФ mkTк


(3.6.3)


Вычисление  по  формуле  (3.6.3)  проведем  для  Т=5  К  и  рФ=

=1,2·10-24 кг × м . В результате получаем, что область локализации к. п.

с

равна порядка 10-7 м, а среднее расстояние между электронами прово- димости в ЭФГ порядка 10-10 м. Следовательно, между электронами в к. п. может находиться значительное число электронов проводимости, хотя и не каждый из них может участвовать в образовании к. п.

При разрыве к. п. возникают два электрона проводимости в со- стояниях, отделенных друг от друга энергетическим интервалом, при- чем в нем отсутствуют квантовые состояния (уровни полных энергий). Если теперь Т < Тк, то образовавшиеся из к. п. электроны из-за недос- таточной энергии не могут преодолеть возникший потенциальный барьер и перейти в возбужденное состояние на более высокий уровень полной энергии. В результате такие освободившиеся электроны вновь вступают в куперовское взаимодействие с другими электронами ЭФГ и создают новые к. п. Ясно, что такой процесс не может привести к возникновению новых состояний в составе Бозе-газа, Бозе-газ по- прежнему ведет себя как единое целое.

Если же Т > Тк, то электроны, образовавшиеся при разрыве купе- ровской связи, обладают энергией, достаточной для преодоления энергетической щели, Бозе-газ постепенно исчезает. Пусть первона- чально при Т = Тк электрическое поле отсутствует, поэтому импульс к. п. равен нулю. Затем создадим в образце электрическое поле напря-

женностью  E . Тогда в этом поле каждый электрон к. п. получит один

и тот же дополнительный импульс  Dp , а полные импульсы электро-


нов к.п. будут


p1 = p11 + Dp ,


p2 = p12 - Dp . Следовательно, к. п. по-


лучит общий дополнительный импульс 2Dp . В результате Бозе-газ

начнет перемещаться с определенной скоростью, величина которой определяется величиной импульса


2Dp = 2mv ,


v = p .

m


В результате в образце возникает электрический ток I плотностью j:


j = 2 env ,

где n – концентрация, v – дрейфовая скорость к. п.


(3.5.4)


Возникший ток сверхпроводимости в проводнике создает электри- ческое поле самоиндукции Ec , постепенно ослабляющее в проводнике

поле E , и в стационарном случае результирующее электрическое поле исчезает, после чего к. п. в проводнике перемещаются с постоянной скоростью v, создавая при этом ток сверхпроводимости, который, в свою  очередь,  создает  вне  сверхпроводника  постоянное  магнитное

поле.  В  результате  совместного  действия  поля  E   и электрического


поля самоиндукции


Ec , ток сверхпроводимости протекает только в


тонком слое (10–100 нм) вблизи поверхности сверхпроводника.

К. п. относятся к бозонам, принцип Паули к ним не применим. По- этому число Бозе-частиц, находящихся в одном состоянии, не ограни- чено. При сверхнизких температурах бозоны скапливаются в основ- ном состоянии, из которого их довольно трудно перевести в возбуж- денное состояние. Система Бозе-частиц, или что то же самое, система к. п., обладая устойчивостью к возможности отрыва электрона, под

первоначальным действием электрического поля E , а затем и в его отсутствие может перемещаться, не встречая сопротивления в сверх- проводнике. Это означает, что ток сверхпроводимости протекает в отсутствии электрического сопротивления. При критической плотно- сти тока jк ≈ 1012 А/м2 в таком проводнике может протекать ток поряд- ка 100 А.

Попытаемся понять физическую причину отсутствия электриче- ского сопротивления, используя метод аналогии. Газ, состоящий из   к. п., представляет собой бозонный газ; особенностью такого газа яв- ляется то, что частицы, входящие в его состав, т. е. отдельные к. п., не взаимодействуют между собой и движутся в металле с постоянной скоростью, т.е. движутся в веществе без трения.

В обычном Бозе-газе существует статистическое распределение частиц по энергиям. Что же касается к. п., то все они находятся в од-


ном и том же квантовом состоянии и описываются одной волновой функцией, в которой от числа частиц зависит только ее амплитуда. Поэтому скорость к. п. постоянна. Нечто подобное имеет место и в оптике. Нам известно, что кванты электромагнитной волны, фотоны, являются бозонами. Излучение электромагнитных волн с корпуску- лярной точки зрения представляет собой поток фотонного газа, обла- дающего свойствами Бозе-газа. В веществе фотоны движутся с посто- янной скоростью. При столкновении с атомами они испытывают либо упругое рассеяние, либо поглощаются. Таким образом, фотонный газ (Бозе-газ) состоит из двигающихся с постоянной скоростью частиц. Нечто подобное происходит и с Бозе-газом, состоящим из к. п.

Как видим, материя едина в своих различных проявлениях.

В дальнейшем при изучении сверхпроводящего состояния различных веществ было установлено, что в природе существуют сверхпроводники 1-го и 2-го рода. Теория сверхпроводников 1-го рода была создана в ос- новном работами Дж. Бардина, Л. Купера и Дж. Шриффера, она приме- нима к большинству чистых металлов, ее основы были изложены выше. Теория сверхпроводников 2-го рода была разработана советскими физи- ками А.А. Абрикосовым и Л. П. Горьковым в 1957–1959 гг.

К сверхпроводникам 2-го рода относится большинство сплавов, а также многие чистые металлы с примесями. В этих материалах возни- кающие во внешнем магнитном поле сверхпроводящие токи текут не только по поверхности, но и в толще проводника. Было установлено, что в сверхпроводнике 2-го рода существуют микроскопические ци- линдрические области с протекающими в них вихревыми электриче- скими токами. В цилиндрических областях к. п. отсутствуют, следова- тельно, там отсутствует и сверхпроводимость. За пределами этих об- ластей вещество обладает сверхпроводимостью.

Итак, хотя через сверхпроводник 2-го рода магнитное поле и про- никает, он все же сохраняет сверхпроводящие свойства благодаря на- личию у него сверхпроводящих промежутков. С ростом магнитного поля число цилиндрических областей увеличивается, сверхпроводя- щие промежутки между ними уменьшаются, сверхпроводящий элек- трический ток также уменьшается. В конечном итоге в больших маг- нитных полях сверхпроводимость исчезает.

В настоящее время получены сверхпроводники 2-го рода с крити- ческим магнитным полем более 20 Тл, в то время как у сверхпровод- ников 1-го рода оно не превышает 0,1 Тл . Сверхпроводниковые спла- вы благодаря высокому критическому значению индукции магнитного поля Вк нашли широкое применение при изготовлении обмоток соле-


ноидов, предназначенных для получения сверхсильных магнитных полей.

После того как ученые установили физическую причину сверхпро- водимости, во многих странах мира начались интенсивные исследова- ния с целью создания высокотемпературных сверхпроводников. К на- стоящему времени работы ведутся в основном со сверхпроводниками 2-го рода. Так, в 1999 г. в литературе появилась публикация о синтезе под высоким давлением сверхпроводника Ba-Ca-Cu-O с критической температурой 126 К. Как оказалось, если этот сверхпроводник помес- тить на воздух при атмосферном давлении, то переход в сверхпрово- дящую фазу происходит при Тк = 90 К. Результаты этой и других ра- бот, в которых критическая температура оказалась равной 70 К, пока- зывают, что сверхпроводимость может быть достигнута уже при тем- пературе жидкого азота, что делает практическое использование сверхпроводников более простым и дешевым.

В табл. 3.1 и 3.2 приводятся некоторые характеристики чистых ме- таллов и соединений в сверхпроводящем состоянии.

 

Элемент

Tк , К

Bк , Тл

ξ0 , нм

λ , нм

Al

1,18

0,01

1500

35

Nb

9,3

0,20

38

39

Pb

7,2

0,08

70

50

Таблица 3.1. Характеристики чистых металлов в сверхпроводящем состоянии: ξ0 – размер к. п.; λ – глубина проникновения внешнего магнитного поля в образец

 

Соединение

Tк , K

Nb3 Ge

6,9 (в плёнке 23,2)

V3 Ga

14,6–16,8

V3 Si

17,1

Ta3 Bp

17,0

Таблица 3.2. Характеристики соединений в сверхпроводящем состоя- нии


              Свободные электроны в кристаллической решетке твердого тела

 

Любое твердое тело состоит из атомов. Если атомы в твердом теле располагаются периодически, то такое тело называется кристалличе- ским. Если же этого не имеет места, то оно называется аморфным. Та- ким образом, у кристаллических тел наблюдается дальний порядок расположения атомов, у аморфных он отсутствует. В настоящее время микроскопическая теория кристаллического состояния в общих чертах разработана достаточно хорошо, микроскопическая теория аморфного состояния находится в стадии развития, и ее результаты все еще не- достаточны, чтобы их можно было бы излагать в курсе общей физики. Любое кристаллическое твердое тело состоит из огромного числа периодически расположенных в пространстве атомов. Для описания их совместного движения необходимо составить число уравнений, равное полному числу частиц, входящих в состав твердого тела. Но в такой постановке задача оказывается невыполнимой. Поэтому для описания движения системы частиц используются многочисленные

соответствующие опыту упрощающие предположения.

Рассмотрим эту задачу, применяя для ее решения методы кванто- вой механики.

В общем виде уравнение Шредингера для системы частиц, входя- щих в состав кристаллической решетки твердого тела, имеет вид

Hˆy  r              r


 

где


(r , R) = ey(r , R),

 

e = ee + e я .


(3.7.1)

 

(3.7.2)


В (3.7.1)  Hˆ              – оператор Гамильтона всех частиц твердого тела,

y r

(r , R) – волновая функция всей системы частиц, состоящей из элек-


тронов и ядер,


r

r , R


– соответственно координаты электронов и ядер,


εe , εя – соответственно полная энергия всех электронов и ядер.

Уравнение (3.7.1) в общем виде в принципе решить невозможно. Поэтому для дальнейшего анализа используют различные приближе- ния.

    Адиабатическое приближение

Из опыта известно, что масса электрона всегда значительно мень- ше массы ядра любого атома. Поэтому при одной и той же кинетиче- ской энергии скорость электрона многократно больше скорости ядра. Следовательно, при рассмотрении этой системы частиц можно кон-


статировать, что по сравнению с электронами ядра атомов можно принять за неподвижные или перемещающимися с очень малыми ско- ростями. Это позволяет считать движение электронов и ядер незави- симыми. В теории вероятностей имеется теорема: вероятность двух независимых событий равна произведению вероятностей каждого из них. Поэтому плотность вероятности такого сложного события равна

r

 

r

 
произведению плотностей вrероятности каrждого из них:


y2(r , R) = y2


(r ) y2


(R).


(3.7.3)


Тогда результирующая волновая функция будет равна произведе- нию исходных волновых функций:

y r            r


(r , R) = y(r ) y(R) = ye y я .


(3.7.4)


Так как энергия – аддитивная величина, то оператор Гамильтона также аддитивен:


Hˆ  = Hˆ e + Hˆ я .


(3.7.5)


Подставим значения из (3.7.2)–(3.7.5) в уравнение (3.7.1) и разде- лим переменные:


(Hˆ


+ Hˆ   )y  y


= (e


+ e  )y  y   ;    Hˆ e ye + Hˆ я y я  = e   + e   ;

 

 


e         я      e я


e       я      e     я           ye


y я            e       я


Hˆ e ye - e

ye           e


= e я


- Hˆ я y я  = 0;

y я


Hˆ e ye


= ee


ye ; Hˆ я y я


= e я


y я .


Теперь уравнение Шредингера (3.7.1) распалось на два независимых уравнения: одно – для электронов, другое – для ядер. Однако и эти уравнения все еще оказываются слишком сложными для их решения. Поэтому используется следующее приближение.

 

    Приближение самосогласованного поля

В этом приближении используются следующие допущения.

1.    В процессе образования кристаллической решетки валентный электрон отрывается от своего атома.

2.   Все электроны, кроме валентных, вместе с положительно заря- женными ядрами создают в кристалле результирующее электрическое поле, в котором происходит движение валентных электронов. А так как ядра атомов твердого тела расположены в пространстве периоди- чески, то движение валентных электронов происходит в периодиче- ском поле кристаллической решетки.

3.  Валентные электроны не взаимодействуют между собой, поэтому они образуют ЭФГ. С учетом принятых допущений потенциальная


энергия валентного электрона в электрическом поле кристаллической решетки (псевдопотенциал валентного электрона)

r                      r


V(r, R) =U(R) +Uc(r),


(3.7.7)


где U (R) – потенциальная энергия валентного электрона в электриче-

ском поле ядер; Uc (r ) потенциальная энергия валентного электрона в электрическом поле всех остальных электронов, кроме валентного, т.е. потенциальная энергия самосогласованного поля.

Применив такой подход, можно многочастичную задачу свести к

одночастичной, для которой уравнение Шредингера имеет вид:



Dy + 2me (e -     r r )y = 0.


(3.7.8)


V (r , R)

h2

Введение самосогласованного поля позволяет все валентные элек- троны твердого тела рассматривать как систему невзаимодействующих частиц, т.е. как ЭФГ. Но и в этом случае задача все еще оказывается достаточно сложной. Поэтому вводятся два приближения, относящиеся к двум предельным случаям: приближение почти свободных электро- нов и приближение сильной связи.

 


    Приближение почти свободных электронов

r

В этом приближении псевдопотенциал V (r , R)


записывают в сле-


дующем виде:

 

где    V0=const,


 

V1(R)


r

V (r , R) = V0 + V1(R),

–    периодическая   функция,


(3.7.9)

V1(R) << V0 ;


V (R) = V (R + r


a – вектор трансляции, вектор переноса координа-


1                     1               a),

ты от одного узла кристаллической решетки к ближайшему узлу ре- шетки в прямом направлении.

 

 

0

 

eФ

 

 

V0

Рис. 3.7.1. Зона разрешенных энергий


Тогда e - V ( r R) » e - .

r ,               0

На рис. 3.7.1 в качестве примера изображена зона разрешенных зна- чений полных энергий свободных электронов в виде потенциальной ямы с плоским дном. При Т = 0 К в интервале энергий Vo ≤ ε ≤ εФ все уровни полностью заполнены электронами, а в интервале энергий εФ < ε ≤ 0 все уровни свободны. При Т > 0 К эти уровни заполняются в соответствии с распределением Ферми-Дирака. Указанное приближение хорошо выпол- няется для металлов.

 

    Приближение сильной связи

Uc (r )

 
В этом приближении предполагается, что      r << U (R) , и поэтому

r ,

 
в соответствии с (3.7.7) имеем: V ( r R) » U (R) . Кроме того

e = ea + e(k ) ,                                  (3.7.10)

ε a собственное значение полной энергии электрона в изолированном

атоме,   e(k )   –  дополнительная   энергия  электрона,  возникающая в


электрическом поле кристаллической решетки, вектор, k = 2π / λ , λ – длина волны де Бройля.


r

= k (r )


–- волновой


Анализ показывает, что решение уравнения Шредингера возможно

лишь для определенных значений полных энергий электрона, значит существуют разрешенные и запрещенные значения полной собствен- ной энергии. В отсутствии внешних полей составляющая полной энергии электрона при движении в направлении координатной оси 0Х


p2

e 0 = x =

2me


h2

2me


k 2 .


(3.7.11)


x

 
Наличие внешних воздействий делают зависимость (3.7.11) более сложной, и ее в общем виде можно записать лишь функционально.

На рис. 3.7.2 изображены графики полной энергии свободного электрона в отсутствии внешних воздействий (пунктирная линия) и с учетом действия электрического поля кристаллической решетки (сплошные линии). Если графики спроектировать на плоскость ε – y, то получим зоны разрешенных значений энергии, разделенные зонами запрещенных значений энергии.

Интервал значений проекций волновых векторов на ось 0X


- 2 p £ k

d       x


£ 2 p

d


называется первой зоной Бриллюэна, интервалы значений


- 2 2 p £ k

d       x


£ - 2 p    и

d


2 p £ k d       x


£ 2 2 p

d


называется 2-ой зоной Бриллюэна и т.д., d – постоянная кристалличе- ской решетки.

 

 

 

 

 

 

 

 

 


- 2 2p

d


- 2p

d


0          2p

d


2 2p                                                         y

d


 

Рис. 3.7.2. Зависимость энергии электрона от волнового числа

 

Из рис. 3.7.2 видно, что ширина зон разрешенных значений энер- гий возрастает с ростом порядкового номера зоны Бриллюэна. Поэто- му ширина каждой верхней зоны всегда больше соседней нижней зо- ны.

 

                 Зонная теория твердых тел

 

Из квантово-механической теории твердого состояния следует, что как в приближении почти свободных электронов (слабая связь ва- лентного электрона с кристаллической решеткой), так и в приближе- нии сильной связи у твердого тела возникают зоны разрешенных зна- чений энергии, разделенные зонами запрещенных энергий. Рассмот- рим более подробно физическую причину возникновения энергетиче- ских зон.

Среди металлов наиболее простое объяснение высокой электро- проводности на основе зонной теории можно дать металлическому Li. Атом Li содержит 3 электрона в состояниях 1s2 2s1 . Если расстояние между соседними атомами превышает 0,35 нм, то на таких расстояни- ях атомы взаимодействуют очень слабо, в пространстве их электроны разделены потенциальными барьерами. В состоянии 1s находятся два электрона, в состоянии 2s – один электрон. В процессе кристаллиза- ции расстояния между ближайшими атомами постепенно уменьшают-


ся до тех пор, пока они не окажутся равными постоянной кристалли- ческой решетки (0,35 нм). На этих расстояниях электронные оболочки 2s соседних атомов перекрываются. Возникает зона разрешенных зна- чений энергии 2s. В результате взаимодействий между электронами в зоне 2s возникает 2N уровней полных энергий: N – число атомов в кристаллической решетке, 2 – два направления собственного момента импульса электронов. Но так как число электронов в состоянии 2s равно N, то из всех уровней полной энергии заполненными окажутся лишь N/2. Что же касается электронов 1s, то их число равно 2N, и все уровни этого состояния окажутся заполненными полностью (рис. 3.8.1).

Электроны 1s у соседних атомов разделены потенциальными барь- ерами весьма малой толщины. Причина возникновения потенциально- го барьера следующая. Электрон 1s находится в электрическом поле ядра и второго электрона 1s, т.е. в электрическом поле, создаваемом эффективным зарядом q* = 3e - 1e = 2e, где e – заряд электрона, 3e – заряд ядра. Электрическое поле заряда q* обладает сферической сим- метрией. Поэтому валентный электрон 1s находится в электрическом поле кулоновских сил и обладает потенциальной энергией в электри- ческом поле остова атома:


(Z - 2) e2


(3.8.1)


ULi = -


.

4p e0 r


Электроны 1s находятся в непрерывном движении и туннельным эффектом могут преодолевать потенциальный барьер между атомами. А так как согласно Паули в одном состоянии не могут находиться два и большее число электронов, то в зоне 1s возникает число уровней полной энергии, равное числу атомов в кристаллической решетке твердого тела. Электроны 2s согласно принципу Паули заполняют лишь половину зоны 2s. Тогда в зоне 2s имеется большое число сво- бодных уровней полной энергии. Если теперь в таком кристалле су- ществует электрическое поле, то в нем возникает направленное дви- жение свободных электронов 2s – электрический ток. Такой кристалл является хорошим проводником, а в твердом состоянии – металлом.

Наличие частично незаполненной электронами зоны разрешенных значений энергии является необходимым условием возникновения тока проводимости. Только в этом случае под действием существую- щего в твердом теле электрического поля свободные электроны могут участвовать в направленном движении, только тогда возникают физи- ческие условия, при которых под действием поля на расстоянии, рав-


ном средней длине свободного пробега, электрон приобретает допол- нительную скорость направленного движения, дополнительную кине- тическую энергию.

D x > d                                              d


x

U

0                                                                          0

x

 

 

2S

 

 

1S

 

 

Рис. 3.8.1. Электрон в периодическом поле

Теперь рассмотрим твердое тело, образованное атомами Mg, у ко- торого распределение электронов по состояниям 1s2 2s2 2p6 3s2. У кри- сталлического Mg зона 3s заполнена полностью, зона 3p свободна. Однако зоны 3s и 3p частично перекрываются. Поэтому в зоне 3p все- гда будет достаточное число уровней полной энергии, на которые под действием различных возбуждений могут переходить электроны с нижних уровней на верхние (рис. 3.8.2).

 

 

0

} 3p 3s

 

 

2s

 

 

 

Рис. 3.8.2. Перекрытие энергетических зон


При наличии в твердом теле созданного внешним источником электрического поля эти электроны будут участвовать в образовании тока проводимости. Значит, кристаллический Mg должен обладать хорошей электропроводностью, должен быть хорошим проводником электрического тока.

Теперь предположим, что валентная зона заполнена полностью, но не перекрывает расположенную выше зону проводимости. Тогда ве- личина электропроводности твердого тела зависит от ширины запре- щенной зоны ∆ε. Если ∆ε < 1эВ, то в результате столкновений с фоно- нами кристаллической решетки значительное число электронов ва- лентной зоны приобретают дополнительную энергию и переходят в зону проводимости (рис. 3.8.3). К таким веществам, в частности, отно- сятся Si и Ge. Так, у Si электроны атома по состояниям распределены следующим образом: 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p2. Валентными электронами являются электроны 3s и 3p.

 

y                              d             2d            D x

0                                                              0


3p {


-

 

 

 

 
3p

              

De


3s {

3s

 

 

Рис. 3.8.3. Образование зоны проводимости

 

При комнатной температуре в результате столкновений с фонона- ми кристаллической решетки некоторые из валентных электронов по- лучают тепловое возбуждение, достаточное для перехода из валент- ной зоны в зону проводимости. В результате в зоне проводимости бу- дет находиться значительное число электронов, которые под действи- ем внешнего электрического поля будут перемещаться, создавая ток проводимости. Такой кристалл называется собственным полупровод- ником. В отличие от металлов, у собственных полупроводников с рос- том температуры растет число электронов в зоне проводимости и уменьшается электрическое сопротивление. Но при Т = 0 К в зоне


проводимости свободных электронов нет, и собственный полупровод- ник превращается в диэлектрик. На рис. 3.8.3 изображена эволюция графиков полной энергии собственного полупроводника с изменением расстояния между соседними атомами Si: видно, как по мере умень- шения расстояния между атомами уровни 3s и 3p постепенно расщеп- ляются, чтобы на расстоянии ∆x = d превратиться в зону.

На рис. 3.8.3 видно также, что в результате переходов некоторого числа электронов из валентной зоны 3s в зону проводимости 3p часть зоны проводимости заполняется электронами. Поскольку в зоне про- водимости имеется множество свободных уровней, то под действием даже слабых возбуждений свободные электроны способны участво- вать в токе проводимости. Но так как число свободные электронов в зоне проводимости на много порядков меньше числа свободных элек- тронов у металлов, то и электрическое сопротивление собственного полупроводника будет значительно больше электрического сопротив- ления металла.

Если же ∆ε > 1эВ, то энергии фононов теперь уже будет недоста- точно, чтобы при столкновении с ними свободные электроны получи- ли энергию достаточную для перехода из валентной зоны в зону про- водимости. В результате свободные электроны в зоне проводимости практически отсутствуют, свободных носителей заряда в ней нет. Та- кие вещества электрический ток не проводят. Это диэлектрики.

Наконец, может быть предельный случай, когда ∆ε ≈ 0 эВ. Это оз- начает, что валентная зона и зона проводимости соприкасаются между собой, причем зона проводимости даже при Т = 0 К должна быть час- тично заполнена электронами (рис. 3.8.4).

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.8.4. Энергетические зоны висмута


Примером может служить Bi, у которого внешние электроны на- ходятся в состояниях: 5d10 6s2 6p3. При Т = 0 К зона 6s заполнена пол- ностью, зона 6p заполнена частично. При Т > 0 К вследствие перехо- дов электронов из зоны 6s зона 6p заполняется дополнительно. Так как зоны 6p и 6s соприкасаются (∆ε = 0 эВ ), то подобные переходы имеют место при любой температуре. Такое вещество обладает высо- кой электропроводностью, но его электрическое сопротивление с рос- том температуры уменьшается в области высоких температур и уве- личивается в области низких. Это связано с тем, что при высоких тем- пературах в зону проводимости в значительном количестве поступают электроны из валентной зоны. Но так как при высокой температуре энергия фононов достаточно велика, следовательно, и возбуждения электронов валентной зоны при столкновении с фононами оказывают- ся значительными, что позволяет электронам переходить в зоны про- водимости с более глубоких слоев валентной зону. Такое вещество при высоких температурах ведет себя как полупроводник. Наоборот, при низких температурах поступление электронов из валентной зоны в зону проводимости невелико, влияние их на изменение концентра- ции свободных электронов зоны проводимости незначительно. По- этому при низких температурах такое вещество ведет себя как металл. Твердые тела, обладающие металлическими и полупроводниковы-

ми свойствами, называются полуметаллами.

 

                Эффективная масса квазиэлектрона в твердом теле

 

Под действием приложенной разности потенциалов в проводнике возникает электрический ток, т.е. направленный поток электронов. С микроскопической точки зрения это означает, что под действием элек- трического поля в проводнике возникает направленное ускоренное движение электронов, в результате на расстоянии, равном средней дли- не свободного пробега, электрон приобретает добавочную энергию энергию возбуждения. Наличие энергии возбуждения наглядно прояв- ляется на примере автоэлектронной эмиссии, когда вблизи поверхности металла под действием внешнего поля возникает потенциальный барь- ер конечной толщины.  Электроны проводимости с определенной, хотя и весьма малой, вероятностью могут преодолеть его туннельным эф- фектом и вылететь в вакуум. Но вылететь может не любой электрон, а только тот, который получил элементарное возбуждение ∆ε.


У полупроводников элементарные возбуждения электронов назы- ваются квазиэлектронами. Они наделяются скоростью, квазиимпуль- сом, энергией и эффективной массой.

По определению, квазиимпульс равен

r


p = hk .

Тогда сила, действующая на квазиэлектрон,


(3.9.1)


r      r


F = dp = h dk .


(3.9.2)


dt        dt

Энергия квазиэлектрона

p2           h     2



e = 2 m* = 2 m* k ,


(3.9.3)


e             e

где m*e – эффективная масса квазиэлектрона. Скорость квазиэлектро- на

r     h  r


m

 
v =    * k .

e


(3.9.4)


Тогда производная от полной энергии по волновому числу с уче- том неравенства


2 >>


k dm*

e ,

m

 

e

 
* dk


 

(3.9.5)



m

 

e

 
de  = h2

dk       * k .

Если квазиэлектрон находится в электрическом поле напряженно- стью E , то на квазиэлектрон действует сила


F = e E = m* dv .

e dt


(3.9.6)


Из совместного решения уравнений (3.8.4) и (3.8.5) получаем:


v = 1 de ,

h dk


(3.9.7)


m

 
1 = 1 dv .

e

 
* h dk


(3.9.8)


На рис. 3.9.1 слева изображены графики полной энергии ε, скоро- сти v, эффективной массы m*e квазиэлектрона, а справа изображена зона разрешенных значений энергии для первой зоны Бриллюэна. Из рис. 3.9.1 следует, что вблизи дна зоны эффективная масса m*e поло- жительна, вблизи верхней части зоны эффективная масса отрицатель-



на, и где-то в средней части зоны эффективная масса испытывает раз- рыв непрерывности.

 

Рис. 3.9.1. К определению эффективной массы электрона

 


Подставив в (3.9.2) значение k из (3.9.4), получим

F = m* dv ,

e dt


 

(3.9.9)


где


1 = 1 d 2e

 

 


e

 
*     h2 dk 2 .

m

 
Следовательно, квазиэлектрон можно рассматривать как свобод- ную частицу, движение которой в кристаллической решетке подчиня- ется 2-му закону Ньютона. Появление у квазиэлектрона эффективной массы вызвано влиянием периодического поля кристаллической ре- шетки на движущийся в зоне проводимости валентный электрон.


Эффективная масса квазиэлектрона – это не обычная масса элек- трона, а всего лишь коэффициент пропорциональности между внеш-


ней силой F и ускорением


dv , определяющий составляющую направ-

dt


ленного движения электрона на фоне его хаотического движения. Эффективная масса квазиэлектрона не определяет ни запаса энергии, ни гравитационные, ни инерционные свойства электрона. Больше то- го, в общем случае направление действия силы и ускорения в про- странстве могут и не совпадать. Единственным оправданием введения такого понятия является привычность и простота законов классиче- ской механики, которые с введением указанного коэффициента можно достаточно просто использовать для анализа особенностей движения свободного электрона в периодическом поле кристаллической решет- ки при наличии в ней внешнего электрического поля, а также возмож- ность ее экспериментального измерения. Кроме того, в целом ряде случаев величина измеряемой эффективной массы квазиэлектрона имеет тот же порядок величины, что и масса свободного электрона. Это показывает, что эффективная масса квазиэлектрона в какой-то мере отображает реальные инерционные свойства электрона. Прове- денное рассмотрение справедливо лишь в приближении сильной свя-


зи. Опыт показывает, что в ряде случаев графики дисперсии


e(k )


для


полупроводников действительно имеют вид параболических зависи- мостей.

 

                 Дырочная проводимость

 

Для простоты рассуждений предположим, что в твердом теле имеется всего две зоны разрешенных значений энергии. Одна полностью запол- нена электронами, другая полностью свободна, их разделяет зона запре- щенных энергий. Теперь удалим электрон с одного из верхних уровней нижней зоны, для этого сообщим ему энергию, достаточную для перехо- да в верхнюю зону. Тогда в верхней зоне будет находиться электрон, а в нижней зоне освободится уровень полной энергии. Возникший свобод- ный уровень, возникшее вакантное место в пределах заполненной зоны называется дыркой.

Электрон, попавший в верхнюю зону из нижней, под действием элек- трического поля будет перемещаться, при этом на расстоянии, равном средней длине свободного пробега, он будет постепенно накапливать дополнительную энергию, будет постепенно переходить на более высо-


кие уровни. В заполненной зоне существует свободный уровень полной энергии, там также возникает направленное движение электронов. Про- исходит процесс, аналогичный процессу перемещения электрона в верх- ней зоне, когда под действием поля электрон переходит с нижнего уров- ня на верхний свободный. В результате такого перехода в заполненной зоне освобождается нижележащий уровень полной энергии. Возникший вакантный уровень полной энергии наделяется свойством частицы это квазичастица и называется дыркой.

 

- 2p                                                   2p   k                                                  y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.10.1. К определению эффективной массы дырок

 

По мере возбуждения электронов, сопровождающегося переходами на выше расположенные соседние уровни, дырка постепенно будет опус- каться в нижнюю часть заполненной зоны. Минимальным значением энергии дырка будет обладать на верхней границе заполненной зоны. В геометрическом пространстве дырка перемещается в направлении, об- ратном направлению движения электрона. Следовательно, под действием внешнего электрического поля дырка будет перемещаться точно так же,


д

 
как перемещалась бы положительно заряженная частица под действием того же поля. Стало быть, дырка как бы обладает положительным заря- дом, равным заряду электрона, и, так как она квазичастица, то также обладает эффективной массой m*д. Минимальным значением полной энергии дырка обладает на верхней границе заполненной зоны, поэтому отсчет энергии для дырок идет сверху вниз от верхней границы запол- ненной зоны. На рис. 3.10.1 по аналогии с квазиэлектронами приведены графики полной энергии ε, скорости v и эффективной массы m*g дырок в первой зоне Бриллюэна, а также соответствующая заполненная зона раз- решенных энергий. Из приведенных графиков видно, что в верхней


части заполненной зоны эффективная масса дырки

в нижней части зоны она отрицательна.


m* положительна,


Если эти понятия применить к собственному полупроводнику, то окажется, что в зоне проводимости электрон обладает некоторой энергией возбуждения, т. е. там возникает квазиэлектрон, у которого минимум энергии находится на дне зоны проводимости и отсчет энер- гии ведется снизу вверх, а в валентной зоне – дырка, для нее энергия растет сверху вниз (рис. 3.10.2). Под действием электрического поля они перемещаются в противоположных направлениях: дырка в ва- лентной зоне, электрон - в зоне проводимости.

 

e e

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.10.2. Электронно-дырочная пара

 

Итак, в собственном полупроводнике сразу возникают две квазича- стицы – квзиэлектрон и дырка. В нем по-прежнему структурной еди-


ницей материи является электрон, а структурными единицами движе- ния являются квазиэлектроны и дырки, причем в геометрическом про- странстве квазиэлектрон совпадает с электроном, что же касается ды- рок, то они с электроном пространственно разделены. Дырки прямого физического смысла не имеют. Тем не менее, на основе использова- ния понятия дырок можно достаточно просто объяснить некоторые физические особенности полупроводников.Можно предложить такой наглядный образ дырки. При тепловом возбуждении одна из связей между соседними атомами разрывается, участвовавший в образовании связи электрон становится электроном проводимости. Затем в резуль- тате флуктуации тепловых колебаний ионов решетки связь разрывает- ся в другой части кристалла, а освободившийся валентный электрон занимает место в предыдущей разорванной связи, и т.д. Каждая разо- рванная связь обладает положительным зарядом, энергией, эффектив- ной массой. Если теперь в кристалле существует электрическое поле

E0 , то под действием поля электроны и дырки будут двигаться в про- тивоположные стороны, возникает ток проводимости.

 

                Электрохимический потенциал в собственных полупроводниках

 

Пусть система, состоящая из N частиц, характеризуется постоян- ной температурой и объемом (T, V) = const. Такую систему можно описать, используя различные макроскопические параметры, в данном случае используя изохорно-изотермный потенциал, или, что тоже са- мое, свободную энергию:

F = U – T·S ,                              (3.11.1)

U – внутренняя энергия, S – энтропия системы частиц, Т – температу- ра. По физическому смыслу свободная энергия является мерой той работы, которую может совершить система, находясь в изохорно- изотермном состоянии при переходе системы из одного фазового со- стояния в другое. Тогда химическим потенциалом называется величи- на, равная изменению свободной энергии при изменении числа неза- ряженных частиц в системе на единицу в изохорно-изотермном про- цессе:


m =

 
F

N      .


(3.11.2)


     T ,V

Если же в объеме находится система заряженных частиц, то сво- бодная энергия системы заряженных частиц


Fq = F + N εn,                             (3.11.3)

εn = qφ, εn – потенциальная энергия частицы с зарядом q, φ – потенци- ал электростатического поля, N – полное число частиц в системе.

По определению электрохимический потенциал заряженной час- тицы


Fq

mэ =  N      ,


(3.11.4)


      V ,T

mэ = m + qj .

Разделим полный объем V на два вспомогательных объема V1 и V2. Тогда в объеме V1 будет находиться N1 частиц, а в объеме V2 будет находиться N2 частиц. Частицы движутся хаотически, поэтому между объемами V1 и V2 происходит обмен частицами, т.е. имеет место диф- фузионный  контакт  (рис.  3.11.1).  Полное  число  частиц  в  объеме  N = N1 + N2 = const. Следовательно, увеличение числа частиц в объеме V1 означает убыль их числа в объеме V2: dN1 = - dN2. В общем случае изменение свободной энергии

dF = m 1 dN1 + m2 dN2 .

Но в состоянии термодинамического равновесия dF = 0, поэтому


m1 dN1 = -m2 dN2 .

После подстановки в (3.11.5) dN1 = - dN2 получаем

m1 = m2 = m.


(3.11.5)

 

(3.11.6)


Итак, при термодинамическом равновесии химические потенциалы в различных частях системы частиц равны между собой.


 

Рис. 3.11.1. Термодинамическое равновесие

 

Пусть теперь в объеме находятся N заряженных частиц. Тогда в общем случае

dFq = m dN + en dN .


Но    при     наличии    термодинамического   равновесия,    когда

dFq= 0, dN1 = - dN2 , имеем


m э1 = m э2 = m э .


(3.11.7)


Таким образом, при термодинамическом равновесии в различных частях пространства электрохимические потенциалы равны между собой. Эта особенность электрохимического потенциала позволяет использовать его для определения условия, при котором в системе имеет место термодинамическое равновесие. Неравенство между со- бой электрохимических потенциалов в различных микрообъемах ука- зывает на протекание различных процессов переноса в пространстве.

Определим теперь положение уровня электрохимического потен- циала в собственном полупроводнике, в котором существует система квазиэлектронов и дырок. Направления отсчета энергии у них проти- воположные: у квазиэлектронов начало отсчета энергии – на дне зоны проводимости, у дырок – на верхней границе валентной зоны.

Электрохимический потенциал – это энергетическая величина, оп- ределяющая состояние термодинамического равновесия в системе частиц или квазичестиц. Так как в собственном полупроводнике одно- временно существуют квазиэлектроны и дырки, то электрохимиче- ский потенциал такой системы квазичастиц будет равен среднему зна- чению его составляющих:


m = m эe + m эд .

э                     2

ee


(3.11.8)


 

Зона

fe                         проводимости

0e

mэ

0д


 

 

De 0


 

mэe


        

д

 
f                    Валентная

зона

eд


mэд


 

Рис. 3.11.2. Зоны собственного полупроводника


На рис. 3.11.2 изображены расположение зон в собственном полу- проводнике, где fe, fд – функции Ферми-Дирака для квазиэлектронов и дырок:


     e  -m  


-1


     e  -m  


-1



= exp e        эe  +1 ,     = exp д        эд  +1 .


(3.11.9)


 

 

 

   

 

 

 

 

   

 
           kT                    д              kT    

Для вычислений функций распределения fe и fд необходимо знать электрохимический потенциал квазичастиц.

Ранее в разделе 3.5 было получено выражение для химического по- тенциала свободного электрона:

     p2  kT 2 


 

,

 
m = m 0 1 -


12  m 0  


(3.11.10)


                   

2


 

p

 

 
m = h 2


3 n 3



0    8 m*        .


(3.11.11)


Формулы (3.11.10) и (3.11.11) полностью применимы для квази- электронов и дырок. Из опыта известно, что концентрация квазиэлек- тронов в металле примерно в 106 раз больше концентрации квазича- стиц в собственных полупроводниках. Как видно из формулы (3.11.10), для вычисления химического потенциала необходимо знать эффективную массу квазичастиц. В табл. 3.11.1 приводятся относи- тельные значения эффективных масс квазиэлектронов и дырок в Si и Ge, а также ширина запрещенной зоны ∆ε0 у каждого из этих полу- проводников.

 

 

m*

     e

me

m*

     д

me

∆ε 0 ,

ЭВ

Si

1,08

0,37

1,12

Ge

0,56

0,59

0,66

Табл. 3.11.1. Относительные значения эффективных масс квазиэлек- тронов, m*e, и дырок, m*д, и ширина запрещенной зоны,

∆ε0 в Si и Ge

Подставив найденные значения в (3.11.10), (3.11.11), получим:

mэe » 0 ,    mэд » 0 .


Это означает, что функции Ферми-Дирака fe и fg для квазичастиц соответственно локализованы вблизи границ зоны проводимости и валентной зоны.

Из рис. 3.11.2 видно, что


mэд = mэe - De0 .

Подставим µ эд из (3.11.12) в (3.11.8):


(3.11.12)


m = - De 0 .

э            2


(3.11.13)


Итак, уровень электрохимического потенциала в собственном полу- проводнике для системы, состоящей из квазиэлектронов и дырок, про- ходит через середину запрещенной зоны (рис. 3.11.2). Более строгий анализ показывает, что положение уровня электрохимического потен- циала незначительно меняется с изменением температуры. Это связано  с тем, что зависимость для квазиэлектронов более сильная, чем анало- гичная зависимость для дырок.

 

                 Примесные полупроводники

 

Электропроводность собственных полупроводников очень сильно зависит от концентрации примесей, введенных в кристаллическую решетку. Так, введение в Si всего лишь 0,001% бора увеличивает элек- тропроводность в 1000 раз. Повышенная электропроводность, обу- словленная примесями, называется примесной проводимостью, а сами полупроводники – примесными полупроводниками.

Для выяснения механизма действия примесей на проводимость полупроводников рассмотрим влияние фосфора P и бора В на свойст- ва Si. Чистый Si является собственным полупроводником. Атом Si имеет порядковый номер в периодической системе элементов Z = 14, поэтому в состав его электронной оболочки должно входить 14 элек- тронов, распределенные по состояниям следующим образом: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 . Такая система электронов позволяет Si иметь кристалли- ческую решетку, в которой каждый атом окружен четырьмя ближай- шими соседями. Связь между ними ковалентная и создается электро- нами 3s3p. На рис. 3.12.1 изображена плоская модель кристаллической решетки.

Предположим, что некоторое число атомов Si заменена атомами фосфора Р, у которого Z=15, а электроны распределены по состояниям 1s2 2s2 2p6 3s2 3p3. Значит, атом Р имеет валентность, равную 5, она определяется электронами 3s2 3p3. Внедренный атом Р для образова-


ния связи с четырьмя ближайшими атомами использует 4 валентных электрона, пятый валентный электрон в образовании связи не участ- вует, он первоначально движется вокруг атома P (рис. 3.12.1), посте- пенно удаляясь от него. Тепловые столкновения с электронами и фо- нонами кристаллической решетки приводят к тому, что электрон пе- реходит в возбужденное состояние, а расстояние между электроном и остовом атома P увеличивается настолько, что между ними находится один или несколько атомов Si. Эти атомы экранируют электрическое поле остова атома P, в результате связь между электроном и остовом ослабляется настолько, что достаточно тепловых столкновений ионов Si с электроном, чтобы он оторвался от своего атома и превратился в электрон проводимости.


 

Рис. 3.12.1. Кристаллическая решетка кремния с примесью

 

Указанный наглядный процесс означает, что внедренный атом при- меси создает в запрещенной зоне уровень полной энергии, на котором первоначально находится валентный электрон атома Р. Этот уровень располагается вблизи дна зоны проводимости на расстоянии ∆ε дон = 0, 044 эВ и называется донорным уровнем, так как он является основным поставщиком электронов в зону проводимости (заполненный электро- ном уровень-донор). Действительно, в результате возбуждения атома Р тепловыми колебаниями решетки валентный электрон 3р отрывается от атома и переходит с донорного уровня в зону проводимости (рис. 3.12.2), при этом атом Р превращается в положительно  заряженный ион, прочно связанный с ближайшими ионами кристаллической решет- ки. Положительный заряд иона под действием электрического поля в


образовании тока проводимости участвовать не может, в образовании тока проводимости будут участвовать электроны, перешедшие в зону проводимости как с примесных уровней, так и из валентной зоны. Ши- рина запрещенной зоны у Si ∆ε0 =1,12эВ.

 

 

 

 

 


D e дон {


mэn


 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.12.2. Примесная электронная проводимость

 

Итак, концентрация электронов в зоне проводимости в основном оп- ределяется концентрацией атомов примеси. Возникшие же в результате переходов в валентной зоне дырки имеют концентрацию на много по- рядков меньше, чем концентрация электронов в зоне проводимости, и практически не влияют на величину электропроводности при комнат- ной температуры. Такой полупроводник обладает электронной прово- димостью и называется полупроводником n-типа, в нем основными но- сителями заряда являются электроны, а неосновными носителями заря- да являются дырки.

Предположим теперь, что в кристаллической решетке Si некоторое число атомов замещено атомами бора В, у которого электроны по со- стояниям распределены следующим образом: 1s2 2s2 2p1. Валентным электроном является электрон в состоянии 2p. Для образования связей с четырьмя ближайшими соседними атомами Si атому В не хватает одного электрона. Его можно заимствовать у атома Si. Опыт показывает, что для отрыва валентного электрона 2р от атома Si требуется энергия активации

∆ε акц = 0,046эВ, которая может быть получена от фононов кристалличе- ской решетки. Разорванная в кристаллической решетке связь обладает свойством положительного заряда, равного заряду электрона, она не ло- кализована  возле  какого-либо  конкретного  атома Si, а вследствие флук-


туаций колебаний ионов кристаллической решетки случайным образом перемещается от одного атома к другому (рис. 3.12.3).


 

Рис. 3.12.3. Дырочная примесь

 

 

 

 

 

 

 

 

 


D e акц{


mэp


 

 

 

 

Рис. 3.12.4. Примесная дырочная проводимость

 

Внедрение в кристаллическую решетку атомов В означает, что в непосредственной близости к верхней границе валентной зоны возник примесный свободный уровень (рис. 3.12.4). Близость этого уровня к заполненной валентной зоне приводит к тому, что уже при сравни- тельно низких температурах электроны из валентной зоны переходят на примесный уровень. Кроме того, наряду с переходами на примес- ные уровни, в результате возбуждений некоторое число электронов переходит из валентной зоны в зону проводимости, но их концентра-


ция там чрезвычайно мала. Возникшая в валентной зоне разорванная между соседними атомами Si связь обладает свойством квазичастицы и называется дыркой. Дырка имеет положительный заряд, эффектив- ную массу, энергию. Но так как концентрация дырок в валентной зоне во много раз больше концентрации квазиэлектронов в зоне проводи- мости, то основными носителями заряда в таких полупроводниках яв- ляются дырки, не основными – квазиэлектроны.

Такие полупроводники называются полупроводниками р-типа.

Таким образом, в кристаллическом Si все трехвалентные атомы примеси создают дырочный, а все пятивалентные атомы примеси – электронный тип проводимости. В отличие от собственной проводи- мости, которая имеет место в собственном полупроводнике и осуще- ствляется одновременно квазиэлектронами и дырками, примесная проводимость полупроводника обусловлена в основном носителями заряда одного знака: квазиэлектронами в случае донорной примеси, дырками – в случае акцепторной примеси; эти носители заряда назы- ваются основными. Кроме них, примесный полупроводник содержит и неосновные носители заряда: полупроводник n-типа – дырки, полу- проводник р-типа – квазиэлектроны. Концентрация их, как правило, значительно меньше концентрации основных носителей заряда. По- этому доля, вносимая ими в электропроводность, во много раз меньше доли, вносимой основными носителями заряда.

 

                 Электропроводность полупроводников

 

Электропроводность вещества – это одна из тех немногих характе- ристик твердого тела, которую сравнительно легко можно определить из опыта, например, непосредственным измерением электрического сопротивления. Для оценки величины электропроводности любого тела используются такие физические величины, как электрическое сопротивление, удельное электрическое сопротивление, удельная электропроводность.

Если полупроводник однородный и имеет по длине постоянное поперечное сечение, то электрическое сопротивление образца вычис- ляется по формуле:


R = r l ,

S


(3.13.1)


где ρ = σ-1 – удельное сопротивление, σ – удельная электропровод- ность.


                      Собственный полупроводник

Пусть в собственном полупроводнике существует электрическое по- ле напряженностью Е0, под действием которого в нем возникает направ- ленное движение свободных зарядов электрический ток. Опыт показы- вает, что при малых напряженностях электрического поля средняя ско- рость направленного движения носителей заряда пропорциональна на- пряженности электрического поля:


v = b E0 ,


(3.13.2)


где b – подвижность, <v> – средняя скорость носителя заряда.

Уравнение (3.13.2) позволяет сформулировать следующее определе- ние подвижности носителей заряда: подвижностью носителей заряда на- зывается величина, численно равная средней скорости направленного движения, которую носители заряда того или иного знака приобретают в электрическом поле напряженностью 1В/м.

Из раздела "Электричество" известно, что плотность электриче- ского тока


j = en v ,


(3.13.3)


где n – концентрация носителей заряда, e – заряд электрона, e<0. От- сюда после подстановки значения <v> из (3.13.2) в (3.13.3) получаем:


j = e nb E0 .


(3.13.4)


Но, поскольку в собственном полупроводнике находятся носители заряда двух знаков, то результирующая плотность тока будет зависеть от концентрации квазиэлектронов ne и дырок nд. В собственном полу- проводнике всегда ne = nд. Что же касается подвижностей квазиэлек- тронов и дырок, то они в общем случае не равны между собой, по- скольку эффективные массы квазиэлектронов и дырок различны по

величине. Тогда результирующая плотность тока


j =  je + jg  = ene (be + bд )E0

Запишем закон Ома в дифференциальной форме:

j = s E0 .


(3.13.5)

 

(3.13.6)


Из уравнений (3.13.5) и (3.13.6) находим удельную электропровод- ность:


s = ene (be + bq ).


(3.13.7)


Найдем теперь температурную зависимость удельной электропро- водности. Ранее было получено выражение для концентрации свобод- ных электронов в интервале энергий от ε до ε + dε :


3    1


dn =


 

4p(2m*) 2 e 2 de    .


(3.13.8)


3           e - mэ 


h 1 + exp          

kT

                    

Применим его как для квазиэлектронов зоны проводимости, так и для дырок валентной зоны, приняв всюду эффективную массу посто- янной величиной. Тогда

3    1


 

4p(2m*) 2 e 2 de

dne = e              .


(3.13.9)


3           e - mэ 


h 1 + exp          

kT

                     

Так как концентрация квазиэлектронов достаточно мала, то для них распределение Ферми-Дирака совпадает с распределением Максвелла- Больцмана:


          e - m


-1


- e-m э


fФ = 1 + exp э


» e    kT .


(3.13.10)


              kT   

Тогда с учетом (3.13.10) уравнение (3.13.9) можно записать в сле- дующем виде:

3                                                           3


m         1       e                                       m


4p(2m*) 2


   э ¥ -


 2p m*kT  2 э

 


h

 
ne = e         e kT òe 2 e


kT de =   e    


e kT . (3.13.11)


h3

Так как

 

 

то


       2      

0                                      

 

m   = - De0 ,

э                2


  e     

 
 2p m*kT

ne =                     e


- D e0

2kT .


(3.13.12)


 

 
     h2          

Если подставить найденное выражение (3.13.12) для ne в формулу (3.13.7), то получим выражение для удельной электропроводности собственного полупроводника в виде


3

 2p m*kT  2 (       )

 


- D e0


 

h

 

2      

 
s = e


e        be + bg e


2kT .


(3.13.13)


Величины подвижностей квазиэлектронов и дырок с изменением температуры меняются незначительно по сравнению с экспоненци-


альным множителем. Тогда с учетом этого приближения можем запи- сать:


s = s0 e


- D e0

2kT .


(3.13.14)


Отсюда температурная зависимость удельного электрического со- противления


D e0

r = r0 e 2kT .


(3.13.15)


Формулы (3.13.14) и (3.13.15) позволяют по известной эксперимен- тальной зависимости вычислить энергию активации, т.е. ширину за- прещенной зоны ∆ε0.

 

13.2. Примесные полупроводники

Первоначально рассмотрим особенности электропроводности у полупроводников n-типа. У них концентрация носителей заряда опре- деляется концентрацией носителей в собственном полупроводнике и концентрацией примесей, соответственно так же определяется и плот- ность тока:

n = nc + nn , j = jc + jn ,                        (3.13.16)

где nc, nn, – концентрации носителей заряда собственного полупро- водника и атомов примеси, соответственно; j – плотность тока прово- димости, созданная квазиэлектронами и дырками соответственно в зонах проводимости и валентной.


jc = sc E0 ,


jn = sn E0 ,


(3.13.17)


sc = ene (be + bg ) , sn = enn be ; j = s E0 , s = sc + sn .


(3.13.18)


Проведя рассуждения, аналогичные разделу 3.13.1, получим:


s = s0c e


- D e0

2kT


+ s0n e


- D eдон

2kT  .


(3.13.19)


Если же полупроводник р-типа, то на основании предыдущего мо- жем записать


 

s = s0c e


- D e0

2kT


+ s0 p e


- D eакц

2kT  .


(3.13.20)


Но поскольку ∆ε0 >> ∆εдон , ∆ε0 >> ∆εакц , то при достаточно низкой температуре электропроводность примесных полупроводников в ос- новном определяется величиной концентрации примесей. Однако с ростом температуры примесные уровни будут постепенно истощаться,


и при высоких температурах электропроводность будет определяться концентрацией носителей заряда в собственном полупроводнике.

Формулы (3.13.19), (3.13.20) позволяют по результатам опыта вы- числить энергию активации в полупроводниках n- и р-типа при ком- натной температуре или близкой к ней. В этом случае ∆ε0>>∆εдон,

∆ε0 >> ∆εакц. Тогда в уравнениях (3.13.19), (3.13.20) первыми слагае- мыми можно пренебречь, записав


 

sn = sn0 e


- D eдон

2kT  ,


s p = s p0 e


- D eакц

2kT  .


(3.13.21)


 

                   Контакт двух полупроводников

 

Рассмотрим контакт n- и р-полупроводников, причем для просто- ты дальнейших рассуждений предположим, что у этих полупроводни- ков собственный полупроводник один и тот же. Опыт показывает, что при введении в контакт таких полупроводников в области контакта возникает особый слой, получивший название p-n перехода. p-n пере- ход можно получить химическим, электролитическим способом, либо путем внедрения атомов примеси методом диффузии или ионной бомбардировкой. Механическим способом p-n переход получить не удается из-за малости толщины контактного слоя по сравнению с не- ровностями поверхности образцов. Обычно толщина контактного слоя менее 10 мкм. Поскольку собственный полупроводник один и тот же, то ∆ε0 и размеры зон у них одинаковы, хотя электрохимические по- тенциалы разные, в нашем случае µэp < µэn (рис. 3.14.1).

В процессе введения в контакт происходит выравнивание уровней электрохимических потенциалов и постепенное установление термо- динамичекого равновесия между носителями заряда в исходных полу- проводниках. Этот процесс идет в результате диффузии квазиэлектро- нов из n- в р-полупроводник и дырок из р- в n-полупроводник. На- глядно все это можно представить следующим образом (рис. 3.14.1).

При соприкосновении полупроводников электроны с донорных уровней преимущественно переходят не в зону проводимости, а на расположенные вблизи валентной зоны акцепторные уровни. На этих уровнях они локализуются вблизи атомов примеси и в образовании тока проводимости участвовать не могут. Такие переходы эквива- лентны обратному переходу дырок с примесного акцепторного уровня на примесный донорный уровень. Возникшие на примесном уровне


дырки также перемещаться не могут, они локализованы вблизи атомов примеси.

 

Z                                                           Z


 

 

y

0                                                           0

 

e2

 

 

эp

 

 

e1

  

 

а                                            б

 

Рис. 3.14.1. Контактный слой: а – диффузия частиц в контактном слое, б – энергии носителей в контактном слое

 

Итак, после контакта происходит процесс диффузии носителей заря- да, причем в процессе диффузии уровень электрохимического потен- циала µ эn постепенно опускается вниз и после выравнивания электро- химических потенциалов µ эn и µ эp дальнейшего переноса избыточного количества зарядов через контактный слой происходить не будет. Од- нако в результате такого процесса нарушается электрическая нейтраль- ность исходных полупроводников. С одной стороны, электроны и дыр- ки, переходя через границу раздела, оставляют после себя неподвижные ионы донорных и акцепторных атомов (рис. 3.14.1, а), а, с другой сто- роны, увеличивается концентрация электронов вблизи контакта в об- ласти р-полупроводника и дырок – в области n-полупровод-ника, кон- тактная область р-полупроводника оказывается заряженной отрица- тельно, а контактная область n-полупроводника оказывается заряжен- ной положительно. На участке L = L1 + L2 возникает электрическое по- ле, созданное двумя слоями объемных зарядов.

Таким образом, вблизи границы раздела электронного и дырочно- го полупроводников возникают области положительных и отрица-


тельных объемных зарядов. За пределами контактного слоя в каждом из полупроводников объемных зарядов не существует. Но в результа- те таких переходов в пределах контактного слоя искривляются зона проводимости и валентная зона. Как следствие этого, возникает кон- тактная разность потенциалов, которая одновременно является и внутренней и внешней. Внутренней она является потому, что в облас- ти контакта энергия зон изменяется на величину eUк , а внешней – по- тому, что между точками, расположенными над поверхностями кон- тактирующих полупроводников, возникает разность потенциалов. Эта контактная разность потенциалов не имеет специального названия.

Почему же возникает, на первый взгляд, такое странное обстоя- тельство, когда внешняя и внутренняя контактные разности потенциа- лов равны между собой? Внешняя и внутренняя контактные разности потенциалов имеют разное физическое происхождение: внешняя оп- ределяется разностью работ выхода электронов, внутренняя – взаим- ным расположением уровней электрохимических потенциалов. А так как в данном случае предполагается, что примесные полупроводники созданы на основе одного и того же собственного полупроводника, то внешняя и внутренняя контактные разности потенциалов равны меж- ду собой. Если бы это было не так, то внешняя контактная разность потенциалов отличалась бы от внутренней.

С учетом вышеизложенного, внешняя контактная разность потен- циалов


U = 1 (A - A )= 1 (m - m ),

                                                                 


(3.14.1)


к     e      p            n      e       эp            эn

Аp, Аn – работа выхода электрона из р- и n-полупроводников, е>0.

После установления термодинамического равновесия в области контакта имеют место следующие потоки квазичастиц (рис. 3.14.1, б). Пусть квазиэлектрон с энергией ε < ε2 движется из n- в р- полупроводник. В области контакта он попадает в тормозящее для него электрическое поле, постепенно теряет энергию и возвращается обратно в n-полупроводник. С другой стороны, любая дырка с энерги- ей ε < ε1 при движении в сторону n-полупроводника также попадает в тормозящее электрическое поле и возвращается обратно. Но если энергия квазиэлектронов  в n-полупроводнике ε > ε2 , а энергия дырок в р-полупроводнике ε > ε1, то квазиэлектроны и дырки преодолеют контактный слой и соответственно попадут в р- и n-полупроводники. У примесных полупроводников всегда имеется некоторое число таких квазиэлектронов и дырок. Поэтому там возникают различные диффу- зионные потоки квазичастиц.


Из постановки задачи следует, что через контактный слой должны протекать четыре потока квазичастиц (рис. 3.14.1, б). Рассмотрим их отдельно.

1.    Диффузионные потоки Фne и Ф возникают из-за изменения концентраций в пределах образца как у квазиэлектронов, так и у ды- рок. Их направления указаны на рис. 3.14.1, б.

2.   В р-полупроводнике в зоне проводимости неосновными носите- лями заряда являются квазиэлектроны, в n-полупроводнике в валент- ной зоне – дырки.

Благодаря хаотическому движению некоторое число квазичастиц попадают в контактный слой, ускоряются электрическим полем кон- тактного слоя и переносятся, соответственно: квазиэлектроны – в n- полупроводник, дырки – в р-полупроводник. Возникают потоки Фne и Ф.

Уравнение баланса потоков этих квазичастиц:

Фne + Ф= Фpe + Фnд .

А так как поток квазичастиц Ф = I / q*, q* – эффективный заряд квазичастицы, I – электрический ток квазичастиц, то

I + Ipe = Ine + I .                          (3.14.2)

В отсутствие действия внешнего источника тока напряженность электрического поля Е = 0, ток проводимости в образце отсутствует, диффузионный ток равен току проводимости:

Iдиф = Iпров ,                               (3.14.3)

где Iдиф = Ine + I, Iпров = I+ Ipe .

 

                   Физические особенности контактного слоя в p-n полупроводнике

 

Как было установлено в разделе 3.12, в процессе контакта n- и p- полупроводников в пространстве между ними возникает слой конеч- ной толщины, обедненный носителями заряда. В этом контактном слое возникают объемные заряды, локализованные вблизи атомов примесей, поэтому эти заряды под действием поля в пространстве пе- ремещаться не могут, следовательно, не могут участвовать в образо- вании тока проводимости.

Оценим теперь толщину контактного слоя и выясним, от каких па- раметров вещества зависит его толщина. Для дальнейшего анализа


первоначально предположим, что к полупроводнику внешний источ- ник тока не подключен (рис. 3.15.1).

 

Ln   Lp

 

 

 

 

0       Ln   L = Ln + Lp                      x

Рис. 3.15.1. Объемный заряд в области p-n перехода

 

Температура полупроводника такова, что в результате перехода электронов с примесных уровней в зону проводимости все примесные уровни n-полупроводника свободны, а в результате перехода электро- нов из валентной зоны р-полупроводника на примесные уровни все примесные уровни оказываются занятыми электронами. Это условие будет выполняться либо при достаточно высокой температуре образ- ца, либо когда донорный уровень расположен в непосредственной близости к зоне проводимости n-полупроводника, а акцепторный уро- вень расположен в непосредственной близости к валентной зоне.

Все дальнейшие рассуждения проведем только для области кон- тактного слоя L = Ln + Lp (рис. 3.15.1). В общем случае объемная плот- ность зарядов в области контактного слоя имеет разный знак и разную пространственную протяженность. Выберем начало координат на ле- вой границе положительного заряда n-полупроводника (рис. 3.15.1). Введем следующие обозначения для объемных плотностей зарядов в n- и p-полупроводниках:

0 < x < Ln , ρn = - en дон , Ln < x < L , ρp = en а , e < 0.

Здесь nдон концентрация атомов примеси в n-полупроводнике (кон- центрация донорных уровней), nа концентрация атомов примеси в р- полупроводнике (концентрация акцепторных уровней). Предполагаем, что в области контактных слоев Ln и Lp концентрация объемных зарядов при различных значениях x сохраняется неизменной.

Так как р-полупроводник заземлен, то n-полупроводник оказывает- ся положительно заряженным относительно р-полупровод-ника. Следо- вательно, в области контакта происходит постепенное изменение по- тенциала. Для определения изменения потенциала в области контактно- го слоя L воспользуемся уравнением Пуассона. Тогда в контактном  слое толщиной Ln уравнение Пуассона


d 2jn = -

dx2


e

0

 
e e nдон


(3.15.1)


при следующих граничных условиях:


n

 
jn |x=L


= Uк


> 0 ,


djn |

dx


x=0


= 0 ,


eUк


< 0 .


Решением уравнения (1) является


j0 -Uк


=    e

2e0 e


nдон


L2 ,


(3.15.2)


n

 
φ0 – потенциал на границе раздела n- и р-полупроводников.

e

 
В контактном слое толщиной Lp уравнение Пуассона


d 2j p

dx2

при граничных условиях


= e e nа


0

 
(3.15.3)


j p |


x=L


= 0 ,


dj p |

dx


x=L


= 0.


Решением уравнения (3.15.3) является


j0 =


e    n

2e0 e а


L2 .


(3.15.4)


p

 
Подставим найденное из (3.15.4) значение φ0 в уравнение (3.15.2):


e    n

2e0 e a


L 2 - Uк


= -    e

2e0 e


nдон


L 2 .


p

 

n

 

p

 
Отсюда внутренняя контактная разность потенциалов


n

 

к e e

 
U = e (n

0


дон


L 2 + nа


L 2 ).


(3.15.5)


Как следует из (3.15.1) и (3.15.3) с учетом граничных условий,


djn = -

dx


e

 

e0 e


nдон


× x ,


 .                (3.15.6)


dj p


  e       (           )


 
=

dx      e0 e


nа x - Ln - Lp .


Так как на границе раздела градиент потенциала должен быть не- прерывным, то

 djn     dj p



       =

 dx


     .

n

 
dx  x=L


(3.15.7)


После подстановки значений (3.15.6) в (3.15.7) получаем

nдон Ln = nа Lp


или


 n    2


p

 

n

 
L2 =  дон


L2 .


(3.15.8)


  nа 

Найденное значение Lp2 подставляем в (3.15.5):


 =     e


nдон (n


+ n )L 2 .


 

Отсюда


к 2e0 e na


дон          a        n

 

 

1


 2e0 e  na           Uк       2



Ln =

   e


nдон


nдон


 .

+  na


(3.15.9)


Значение Ln из (3.15.9) подставим в (3.15.8):


 2e e n


U         1 / 2


Lp =     0          дон               к               .


(3.15.10)


   e      na


nдон + na


Толщина контактного слоя

(3.15.9) и (3.15.10),


L = Ln + Lp , тогда, как следует из


 2e e n     + n


1/ 2


L =     0       дон       a Uк     .


(3.15.11)


   e    nдон + na       

Если к концам полупроводника приложена внешняя разность по- тенциалов U, то в полупроводнике будет протекать электрический ток. Но контактный слой обеднен свободными носителями заряда,  значит, он обладает электрическим сопротивлением, значительно превышаю- щим электрическое сопротивление остального полупроводника, при этом основное падение напряжения будет происходить в контактном слое, а внешнее напряжение U будет суммироваться с внутренней кон- тактной разностью потенциалов Uк. Тогда формулы (3.15.9)–(3.15.11) можно видоизменить:


 2e e n


U + U


1/ 2       


L=     0             a             к                    ,    

   e     nдон  nдон + na            

1/ 2        


 2e0 e nдон  Uк + U              

 


(3.15.12)


 
Ln =  e


     ,

n     n      + n


              a        дон          a           


 2e e n      + n


1/ 2


 
L =      0          дон          a (Uк + U )     .

 
   e      nдон × na                              


причем внешняя разность потенциалов U может быть как положи- тельной, так и отрицательной.

Из (3.15.12) следует, что ширина контактного слоя L будет менять- ся в зависимости от величины и знака разности потенциалов U и, в общем случае, L n L p. Если же Uк + U = 0, то в области контактного слоя возникает пробой.

В табл. 3.15.1 приводятся результаты вычислений по формулам (3.15.9)– (3.15.11) толщины контактных слоев Ln, Lp, L = Ln+Lp для Si. Вычисления выполнены для ε = 11,7 эВ, Uк = 1 В. Из табл. 3.15.1 видно, что толщина контактного слоя сильно зависит от концентрации примесей, наибольшей величины она достигает у полупроводников с малой концентрацией. При высокой концентрации толщина контактного слоя очень мала и с увеличе- нием концентрации стремится к нулю.

Так как электрическое сопротивление контактного слоя велико, то любое его изменение должно сильно влиять на электропроводность по- лупроводников. Согласно (3.15.12), толщина контактного слоя L зависит от величины и знака приложенной внешней разности потенциалов U, она определенным образом влияет на величину протекающего через контакт тока. В результате электрическое сопротивление контактного слоя для

+U и -U оказывается различным по величине, и это различие может быть весьма значительным. На этом основано выпрямляющее действие p-n перехода, поскольку с изменением знака разности потенциалов U будет меняться как толщина контактного слоя L, так и его электрическое со- противление.

 

n дон, м -3

n а, м -3

Ln, мкм

Lp, мкм

Ln / Lp

L, мкм

1×1021

1×1022

1,08

0,11

10

1,19

1×1021

1×1021

0,80

0,80

1

1,60

1×1022

1×1021

11

1,08

0,1

1,19

1×1022

1×1023

0,34

0,034

10

0,37

1×1022

1×1022

0,25

0,25

1

0,50

1×1023

1×1022

0,034

0,34

0,1

0,37

 

Таблица 3.15.1. Толщины контактных слоев Ln, Lp, L=L +Lp для Si


                   Контакт металл - полупроводник

 

Рассмотрим первоначально контакт металла с n-полупровод- ником, у которых уровни электрохимических потенциалов не совпа- дают, µэм < µэп (рис. 3.16.1).

 

y

 

 

x

 

З.п

 

 

 

З.п.

 
0

x

 

mэп

Надпись: В.з
Надпись:   З.п

dn de

Рис. 3.16.1. Контакт металл-полупроводник (з. п. – зона проводимо-


сти; в. з. - валентная зона;


dn – распределение по энерги-

de


ям концентрации электронов в з. п. металла)

 

Так как уровень электрохимического потенциала металла располо- жен ниже уровня электрохимического n-полупроводника, то в процес- се их сближения возникает направленный перенос электронов из n- полупроводника в металл.

Избыточный перенос продолжается до полного выравнивания уровней электрохимических потенциалов, после чего в области кон- такта у n-полупроводника возникает слой, обедненный свободными носителями заряда. Возникшие там положительные заряды локализо- ваны вблизи атомов примеси и перемещаться не могут (рис. 3.16.2). Из-за незначительной концентрации квазиэлектронов в контактном слое этот слой обладает большим электрическим сопротивлением и называется запорным слоем.

В области контактного слоя должны существовать два потока ква- зичастиц: Ф ме – поток квазиэлектронов из металла в полупроводник и


Ф пе – поток квазиэлектронов из полупроводника в металл. Они равны между собой. Дырки в валентной зоне n-полупроводника – неоснов- ные носители заряда, их концентрация значительно меньше концен- трации квазиэлектронов в зоне проводимости. Поэтому потоком ды- рок через контактный слой можно пренебречь.

п/п

 

+

+

 

металл

 
y

 

 


 

0

Фме

-

З.п.

 

 

  З.п


 

 

 

З.п

Ф

 
пе    -


x x

 

mэп


 

В.з

 
dn de

 

Рис. 3.16.2. Возникновение барьера Шоттки (з. п. – зона проводимости;


в. з – валентная зона;


dn – распределение по энергиям кон-

de


центрации электронов в з. п. металла)

 

Возникший в области контакта положительный заряд проводит к искривлению всех уровней полной энергии n-полупроводника, приво- дит к возникновению потенциального барьера, который называется барьером Шоттки (рис. 3.16.2).

Теперь приложим к образцам внешнюю разность потенциалов (рис. 3.16.3). Так как εп = eφ , φ > 0, е < 0, то все уровни полной энер- гии n-полупроводника смещаются вниз, электрохимический потенци- ал n-полупроводника

µэп = µ + eφ                               (3.16.1)

также понижается. В такой замкнутой цепи возникает электрический ток. Наибольшее электрическое сопротивление приходится на запор- ный слой, поэтому основное падение напряжения происходит в запор- ном слое, падение напряжения на остальных участках цепи незначи- тельно.


Iобр

y

 

x

 

0                                         x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.16.3. Контактный слой во внешнем поле (запорное направле- ние)

 

Квазиэлектроны металла, попадая в электрическое поле контактно- го слоя, переносятся в n-полупроводник. В то же время на пути дви- жения квазиэлектронов из n-полупроводника находится потенциаль- ный барьер, высота которого возросла по сравнению с первоначаль- ной. Поэтому поток квазиэлектронов в сторону металла уменьшается. В результате приложенной разности потенциалов с указанной на рис.

3.16.3 полярностью один поток остается неизменным, а второй уменьшается, возникает разностный поток квазичастиц

∆Фe = Фме - Фпе.                              (3.16.2)

Значит, в замкнутой цепи будет протекать электрический ток

        ej     


Iобр = I 0exp - kT -1 , e > 0 .


(3.16.3)


                  

Его физическое происхождение вызвано преобладающим влиянием тока проводимости из металла над диффузионным током из полупро- водника.

Приложим теперь внешнюю разность потенциалов обратного зна- ка. Тогда уровень электрохимического потенциала n-полупроводника по сравнению с исходным поднимется вверх, все уровни полной энер- гии n-полупроводника также поднимутся вверх. В результате высота потенциального барьера понизится (рис. 3.16.4). Но положение уров-


ней полной энергии в металле при этом не изменится, не изменится и величина потока квазиэлектронов из металла в сторону полупровод- ника. Значит, поток проводимости квазиэлектронов из металла сохра- няется прежним. Что же касается диффузионного потока квазиэлек- тронов из полупроводника в сторону металла, то в результате умень- шения высоты потенциального барьера он возрастет, через контакт- ный слой пройдет результирующий поток квазичастиц

∆Ф = Фпе - Фме ,                                 (3.16.4)

будет протекать электрический ток (прямой ток)

      ej    


Iпр = I0exp  kT -1 , e <  0.


(3.16.5)


              

Этот ток имеет в основном диффузионное происхождение.

Iпр

y

 

x

 

0                                              x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.16.4. Контактный слой во внешнем поле (прямое направление) Таким образом, омический контакт, запорный слой должен обла-

дать выпрямляющим для переменного тока действием. На основе это-

го явления созданы и широко используются диоды Шоттки. Их заме- чательной особенностью является необычно малое время релаксации

– порядка 10-11 с, что позволяет с успехом их применять в импульсных радиотехнических схемах, вычислительной технике, автоматике, т.е. там, где требуется высокое быстродействие, способность обрабаты- вать возможно более короткие и часто следующие друг за другом электрические импульсы.


y                                               y

 

 


 

0

 

З.п.


 

 

mэм

  


x

 

З.п

 
0

x

 

mэп


 

 

Надпись: В.з

З.п

 

а                                                   б

 

Рис. 3.16.5. Возникновение антизапорного слоя

 

Рассмотрим теперь контакт металла с n-полупроводником, у кото- рого уровень электрохимического потенциала больше уровня элек- трохимического потенциала полупроводника (рис. 3.16.5). В результа- те после контакта в полупроводник переходит некоторое число элек- тронов, в контактном слое полупроводника возникает отрицательно заряженный слой, который называется антиза-запорным слоем (рис. 3.16.5, б). Электрическое сопротивление антизапорного слоя очень мало, поэтому такой контакт не обладает выпрямляющим свойством. Тем не менее, он широко применяется для создания омических кон- тактов, с помощью которых полупроводник, полупроводниковые уст- ройства подключаются к электрическим схемам.

 

                   Соотношение Эйнштейна

 

Предположим, что в объеме образца в направлении координатной оси происходит изменение концентрации заряженных частиц иде- ального газа n(x). Электрический заряд частицы q. Кроме того, в объ- еме существует электрическое поле Е, направление которого противо-

положно градиенту  концентрации  Ñn(x) .  В результате наличия гра-

диента концентрации в объеме возникает диффузия заряженных час- тиц, направленная в одну сторону, и поток проводимости (дрейфовый поток), направленный в противоположную сторону.


Тогда полный ток будет складываться из дрейфового тока (тока проводимости) и диффузионного тока, направления которых противо- положны. Следовательно, в любой точке полупроводника для произ- вольного момента времени плотность тока равна сумме диффузионно-


го и дрейфового токов (тока проводимости):

внешнего источника тока


j = je + jд . В отсутствие


je = - jд .                              (3.17.1)

Из первого закона Фика следует: плотность тока диффундирующих заряженных частиц


j = -qD dn ,

д                       dx


(3.17.2)


q – заряд частицы, D – коэффициент диффузии.

Плотность дрейфового тока (тока проводимости)


je = q v n ,


(3.17.3)


где n – концентрация, <v> – дрейфовая скорость носителей заряда:

= b E ,

b – подвижность носителей заряда, Е – напряженность электрического поля. После подстановки значения <v> в (3.17.3) получаем

je = qbnE .                             (3.17.4)

Найденные  в  (3.17.2),    (3.17.4) значения jд , je подставляем в

(3.17.1):


qb n E = q D dn .

dx


(3.17.5)


Для заряженных частиц идеального газа, находящихся в электриче- ском поле консервативных сил, справедливо распределение Больцма- на, согласно которому концентрация зависит от величины потенци- альной энергии частицы в данной точке пространства и температуры. Если принять q = e > 0, то


n = n0 e


- ej

kT


, dn dx


= - e kT


n dj ,

dx


(3.17.6)


φ – потенциал электростатического поля.

Напряженность электрического поля в полупроводнике


E = - dj .

dx


(3.17.7)


Поэтому после подстановки


dn и E из (3.17.6) и (3.17.7) в (3.17.5) и

dx


сокращения на постоянные множители получаем:


D = kT .


(3.17.8)


b      e

Уравнение (3.17.8) называется соотношением Эйнштейна. Оно справедливо для системы частиц с малой концентрацией, когда взаи- модействиями между частицами можно пренебречь. К таким части- цам, в частности, относятся квазиэлектроны и дырки в собственных и примесных полупроводниках.

 

                   Выпрямляющее действие p-n перехода

 

В любом полупроводнике одновременно происходят два противопо- ложно направленных процесса: а) генерация квазиэлектронов и дырок; б) рекомбинация квазиэлектронов и дырок. В результате в объеме между этими процессами устанавливается динамическое равновесие. Основны- ми механизмами рекомбинации являются излучательный механизм, ко- гда энергия рекомбинирующей пары квазиэлектрон–дырка излучается в виде фотона; фононный механизм, когда энергия рекомбинирующей па- ры передается ионам кристаллической решетки; ударный механизм, ко- гда энергия рекомбинирующей пары передается третьей частице.

Возникающий на границе раздела n- и p-образцов контактный слой обладает рядом физических особенностей. Если, например, к концам p-n образца приложить переменную разность потенциалов, то оказы- вается, что p-n переход будет обладать преимущественно односторон- ней проводимостью, а, следовательно, и выпрямляющим действием.

На рис. 3.18.1 изображен контакт n- и p-полупроводников, цифра- ми 1 и 2 обозначены границы контактного слоя, Фne, Ф – потоки ос- новных носителей заряда, Фpe, Ф – потоки неосновных носителей заряда. Как следует из физического смысла рис. 3.18.1, концентрация квазиэлектронов в p-образце в результате рекомбинаций квазиэлек- тронов и дырок с увеличением расстояния от границы контактного слоя уменьшается. Найдем закон изменения концентрации.

Пусть τe – среднее время жизни квазиэлектронов в p-полупро- воднике, в котором они являются неосновными носителями заряда. Тогда в отсутствии диффузии из р- в n-образец изменение концентра- ции по глубине будет происходить только в результате рекомбинации квазиэлектронов зоны проводимости с дырками валентной зоны. Сле- довательно, изменение концентрации во времени

n = n0 - n ,

             

t        te


n0 – равновесное значение концентрации квазиэлектронов.

 

y

n

+

-

p

 

 

+

-

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.18.1. Потоки носителей зарядов через p-n переход

 

С другой стороны, в отсутствие рекомбинаций изменение концен- трации во времени определяется 2-м законом Фика:


n =

t


2n De x2 ,


где De – коэффициент диффузии квазиэлектронов в р-образце (коэф-

фициент диффузии неосновных носителей заряда).

Так как оба процесса в образце существуют одновременно, то



n = n0 - n +


2n

 


t        te


De x2 .


При наличии динамического равновесия


n = 0 , поэтому

t


 

 

Обозначим


2n

 

x2

 

le =


= n0 - n .

Dete

 

,


 

 

(3.18.1)


e – диффузионная длина квазиэлектронов (неосновных носителей за- ряда) в р-образце. Тогда


d 2 (n - n )     n - n


 =         0


(3.18.2)


l

 

e

 
dx2                            2    .


Непосредственной подстановкой можно показать, что решением дифференциального уравнения (3.18.2) является

- x+ x2


 

где


n (x) = n0


+                  c1 e


le ,


(3.18.3)


c1 = -n0


le + x2

e le ,


n (le ) = 0 .


Тогда после подстановки найденного значения c1 в уравнение

(3.18.3) получаем:

          x - le 


n (x) = n0 1- exp            ,


 

 

x £ le


   le      


(3.18.4)


Уравнение (3.18.4) позволяет дать физически обоснованное опре- деление диффузионной длины квазиэлектронов в р-образце: диффузи- онная длина e –это то расстояние, на котором в результате рекомби- наций квазиэлектронов и дырок неосновные носители заряда полно- стью исчезают: квазиэлектроны – в зоне проводимости р- полупроводника, дырки – в валентной зоне n-полупроводника.

Оценим теперь величину диффузионной длины квазиэлектронов e и дырок д в примесных полупроводниках n- и р-типа на основе Si и сравним ее с толщиной контактного слоя L. Для уменьшения объема вычислений предположим, что nдон = nакц, а температура образца Т = 300К. Из опыта известны подвижности квазиэлектронов be и дырок bд в этих полупроводниках и времена жизни. Необходимые для вычис- ления диффузионной длины по формуле (3.18.1) значения коэффици- ента диффузии вычислим по формуле соотношения Эйнштейна. В табл. 3.18.1 представлены результаты таких вычислений для двух концентраций неосновных носителей заряда.

 

nдон = nакц            be                bд

τe       τд

De          Dд

e        ℓд

м-3

м2/(В·с)

с

м2

см

1×1022

0,074      0,038

0,72     10,5

1,9·10-3 9,9·10-4

3,7        10,2

1×1021

0,140      0,046

50       167

3,6·10-3 1,2·10-4

42,4       44,7

Таблица 3.18.1. Динамические характеристики неосновных носителей заряда в Si

Из таблицы 3.18.1 следует, что диффузионная длина e неосновных носителей заряда в десятки тысяч раз превышает толщину контактно-


го слоя. Поэтому при движении в сторону контактного слоя послед- ний не может оказать на них заметного влияния.

Квазиэлектроны в р-образце появляются из n-образца в результате прохождения через контактный слой L = Le + Lд. Как следует из табл. 3.18.1, в полупроводниках e >> L, а так как концентрация квазиэлек- тронов в р-образце всегда мала, то квазиэлектроны в полупроводнике образуют ЭФГ, обладающий, как известно, свойствами идеального газа. В результате контакта n- и р-полупроводников в области кон- тактного слоя толщиной L возникает электрическое поле, замедляю- щее движение квазиэлектронов из n- в р-образец. Поэтому в пределах контактного слоя происходит постепенное изменение потенциальной энергии квазиэлектронов, что в соответствии с распределением Больцмана приводит к изменению их концентрации. В отсутствии приложенной внешней разности потенциалов концентрация квази- электронов на правой границе контактного слоя в точке x2

- -eU к


n (x2 )0 = n (x1) e


kT ,


(3.18.5)


где n(x1) – концентрация квазиэлектронов на левой границе x1 кон- тактного слоя.

Так как контактный слой обеднен основными носителями заряда, то он обладает электрическим сопротивлением, во много раз превы- шающим электрическое сопротивление остального р-n полупроводни- ка. Поэтому, если к p-n-полупроводнику приложена внешняя разность потенциалов, то практически все падение напряжения U будет в об- ласти контактного слоя L. Тогда концентрация квазиэлектронов на правой границе изменится и окажется равной

- eU


n (x2 ) = n (x2 )0 e


kT .


(3.18.6)


Возникшее изменение концентрации квазиэлектнов в точке x2


  - eu       


ne = n (x2 )0  e kT - 1 .

 

 
            


(3.18.7)


e

 
После подстановки в (3.18.7) значение (3.18.3) получаем


                  - x+ x2 


- eU       


 
ne =  n (x2 )0 + c1e


le


kT -1 .

 


(3.18.8)


Так как плотность тока квазиэлектронов в р-образце


je = eDe


dne ,

dx


(3.18.9)


то с учетом (3.18.3) и (3.18.8) получаем:

D               - eU      


je = e e ne (x2 )  e kT - 1 .


(3.18.10)


l

 
            

e                            

Проведя аналогичные преобразования для дырок, получаем

D               - eU      


jд = e д nд (x2 )  e kT -1 .


(3.18.11)


l

 
            

д                            

Тогда результирующая плотность тока квазиэлектронов и дырок равна


 

 

 

где


 
j = jS  e


- eU kT


 
- 1 ,


(3.18.12)


De

 

jS = e l


n + Dд

e l


nд  ,


(3.18.13)


 e               д      

jS – плотность тока насыщения.

Найденное из (3.18.1) выражение для коэффициента диффузии под- ставим в (3.18.13):


le

 

jS = e t


n + lд

e t


nд  .


(3.18.14)


 e             д      

Так как рекомбинация квазиэлектронов и дырок или их генерация вызваны переходами из зоны проводимости в случае рекомбинации и, наоборот, из валентной зоны в зону проводимости – в случае генерации, то времена жизни квазиэлектронов τe и дырок τд обычно достаточно ве- лики. Что же касается обычных столкновений, при которых число неос- новных носителей заряда сохраняется неизменным, то они происходят соответственно в пределах одной и той же зоны, такие столкновения приводят лишь к внутризонным переходам неосновных носителей заря- да. Экспериментальные оценки показывают, что время жизни носителей заряда  в  результате  межзонных  переходов  находится  в   интервале 10-8 с ≤ τд 10-3 с, а время жизни неосновных носителей заряда в резуль- тате внутризонных столкновений составляет 10-13с ≤ τe10-12 с.

Подставим в (3.18.13) значение коэффициента диффузии, найден- ного из соотношения Эйнштейна. После сокращения на постоянные множители имеем:


 be bд

 

 


(3.18.15)


jS = kT  l   + l   .

 e             д

Пусть в уравнении (3.18.12) U > 0. Тогда добавочная потенциаль- ная энергия квазиэлектрона eU < 0. Это приводит к тому, что все зоны n-полупроводника будут смещаться вниз (рис. 3.18.1). И теперь на пу- ти движения квазиэлектронов встретится потенциальный барьер, ве- личина которого возросла на |eU|. Поэтому теперь не все квазиэлек- троны из диффузионного потока n-образца смогут преодолеть потен- циальный барьер. Что же касается тока проводимости, по-прежнему существующего в р-полупроводнике, то его величина практически не изменится, так как квазиэлектроны р-полупроводника, достигнув гра- ницы контактного слоя, попадают в ускоряющее электрическое поле и перебрасываются в n-полупроводник. В результате через контактный слой L будет протекать разностный ток, состоящий из дрейфового и диффузионного токов, направление тока будет определяться током проводимости (дрейфовым током), а сам ток имеет малую величину. Указанный разностный ток называется обратным током:


 

jобр =


js  e


|eU |      

1 .                 (3.18.16)

 

-

 
k T  - 


Если же U < 0, то eU > 0. Поэтому зона проводимости смещается

вверх, высота потенциального барьера на пути движения квазиэлек- тронов в р-образец уменьшается, через контактный слой будет проте- кать ток большей величины по сравнению с первоначальной. Теперь диффузионный поток больше потока проводимости, а направление разностного тока будет совпадать с направлением диффузионного то- ка. Этот ток называется прямым током:


 

jпрям =


   eU        

1.

 

 e      -

 
   k T      

s            

           


(3.18.17)


Как видно из уравнений (3.18.16), (3.18.17), прямой и обратный то- ки сильно зависят от температуры, с ростом температуры выпрям- ляющее действие p-n перехода резко убывает.

Для количественной характеристики выпрямляющего действия p- n перехода вводится коэффициент выпрямления


K = jпрям .

jобр


(3.18.18)


 

T, K

300

350

400

450

U, B

=  jпрям / jобр

0,1

47,7

27,5

18,1

13,2

0,2

2274

754

329

113

0,3

1,1·105

2,1·104

5,8·103

2,3·103

0,4

5,1·106

5,7·105

1,1·105

3,0·104

 

Таблица 3.18.2. Значения коэффициентов выпрямления при различных значениях разности потенциалов U в интервале тем- ператур 300–450 К

 

В табл. 3.18.2 приведены значения коэффициентов выпрямления при различных значениях разности потенциалов U в интервале темпе- ратур 300–450 К. Из табл. 3.18.2 видно, что коэффициент выпрямле- ния К p-n перехода сильно зависит от величины внешней разности потенциалов U и температуры. Так как полупроводник с p-n перехо- дом по отношению к переменному электрическому току обладает од- носторонней проводимостью, т.е. выпрямляющим действием, то он называется полупроводниковым диодом. Если сравнивать выпрям- ляющее действие полупроводникового диода с выпрямляющим дейст- вием двухэлектродной лампы, состоящей только из катода и анода, то у вакуумного диода коэффициент выпрямления не зависит ни от тем- пературы катода, ни от разности потенциалов между анодом и като- дом, что является несомненным их преимуществом перед полупро- водниковым диодом. Однако большим достоинством полупроводни- ковых диодов являются их малые габариты и отсутствие дополни- тельного источника тока для питания катода, что всегда имеет место в вакуумном диоде.

 

                   Транзисторы

 

Транзистор – это устройство, состоящее из трех полупроводников и двух p-n переходов, используемое для управления электрическим током, протекающим через него. Транзисторы применяются для уси- ления, генерации или переключения токов.

Когда к полупроводниковому диоду добавляется третий слой по- лупроводника, то получается устройство, которое может усиливать мощность или напряжение. Это устройство и называется транзисто- ром. Транзистор состоит из трех областей с чередующимся типом проводимости: n-p-n или p-n-p.


y

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.19.1.Энергетические зоны в n-p-n транзисторе

 

На рис. 3.19.1 изображена принципиальная схема транзистора n-p- n, а также расположение валентной зоны и зоны проводимости. Так как к транзистору внешняя разность потенциалов не приложена, то уровень электрохимического потенциала µэ всюду один и тот же.

Из условия динамического равновесия вытекает равенство потоков, протекающих через контактные слои в прямом и обратном направле- ниях:


Fne - F p e = F p д - F.


(3.19.1)


Отсюда следует, что в областях n-p, p-n переходов должно иметь место равенство токов: диффузионный ток Iдиф равен дрейфовому току (току проводимости) Iпров:


I pe + In g = I p g + Ine.


(3.19.2)


Однако если к транзистору подключить внешние источники тока, как это показано на рис. 3.19.2, то расположение уровней электрохи- мического потенциала в n-полупроводниках изменится. А так как в данном случае p-полупроводник заземлен, то в нем уровень электро- химического потенциала останется прежним. Тогда в соответствии с изменением положения уровня электрохимического потенциала изме- нятся и положения зон проводимости и валентных зон в полупровод- никах. На рис. 3.19.2 левый n-полупроводник называется эмиттером, правый n-полупроводник коллектором, а средний р-полупроводник

– базой. Если сравнивать транзистор с аналогичной по своему дейст- вию электронной лампой-триодом, то происхождение названий эмит-


тер, база, коллектор можно объяснить следующим образом. В транзи- сторе эмиттер является источником носителей заряда, его роль экви- валентна катоду триода, коллектор является приемником носителей заряда, его роль эквивалентна аноду триода, что же касается p-n пере- хода, то он выполняет роль управляющей сетки электронной лампы.

На рис. 3.19.2 приведена схема включения с общей базой. Рас- смотрим принцип действия транзистора как усилителя электрических сигналов в схеме с общей базой. Как видно из рис. 3.19.2, на эмиттер подается потенциал Uэ, понижающий потенциальный барьер на гра- нице n- и p-полупроводников. В результате концентрация квазиэлек- тронов в р- области и дырок в n-области резко возрастает по сравне- нию с равновесной. Происходит инжекция носителей зарядов. Квази- электроны, инжектируемые из эмиттера э в базу б, затем диффунди- руют к коллектору к. Если база достаточно тонкая, то практически все квазиэлектроны достигают коллектора. Действительно, попадая в электрическое поле контактного слоя, существующего между базой и коллектором, квазиэлектроны ускоряются электрическим полем p-n перехода и перебрасываются в коллекторную цепь транзистора. Гео- метрия транзистора выбирается такой, чтобы через базовый вывод протекал незначительный по сравнению с коллекторным ток.

U э                                                                                                                 U к

 

D U вх                                                                                                                                                                                                                                                                                                        к

 


0                                                                                                                                     x

 

 

 


 

 

Рис. 3.19.2. Включение транзистора с общей базой

 

Предположим, что на входное сопротивление Rэ подается напря- жение ∆Uвх. Это приводит к изменению тока эмиттера на величину


DI = DUвх .

э        Rэ


(3.19.3)


А так как IэIк, то практически на ту же величину изменится и ток в цепи коллектора: ∆Iк ≈ ∆Iэ. Значит, в результате этого на сопротив- лении нагрузки Rк произойдет изменение падения напряжения на ве- личину

DUвх = DIк Rк .                              (3.19.4)

Тогда коэффициент усиления по напряжению в цепи транзистора с общей базой будет



K   = DUвых = Rк .


(3.19.5)


U       DUвх        Rэ

Из рис. 3.19.2 следует, что эмиттерный переход включен в прямом направлении, следовательно, он обладает малым электрическим со- противлением, в то же время коллекторный переход включен в запор- ном направлении, следовательно, он обладает большим электриче- ским сопротивлением, и к нему можно подключить сопротивление нагрузки Rк большой величины.

Из опыта следует, что коэффициент усиления по напряжению на- ходится в интервале 10 ≤ KU ≤ 50.

Итак, используя транзистор с общей базой, можно получить даже в одном каскаде значительное усиление как по напряжению, так и по мощности.

В настоящее время существует несколько типов транзисторов. Од- ним из них, кроме рассмотренного выше, является полевой транзи- стор, в котором рабочий ток протекает по узкому участку полупро- водника. Параллельно ему расположен другой электрод (затвор), на- пряжение на котором определяет ширину участка с протекающим то- ком. Например, если на затвор подается отрицательное напряжение, то оно отталкивает основные носители заряда в n-полупроводнике и, наоборот, притягивает их в р-полупроводнике. В результате участок полупроводника, в котором протекает рабочий ток, в первом случае сужается, его электрическое сопротивление возрастает, электрический ток уменьшается, а во втором случае электрический ток соответствен- но возрастает. Таким образом, в полевом транзисторе управление то- ком осуществляется напряжением U, приложенным перпендикулярно направлению тока.

Любой транзистор представляет собой твердотельный цилиндрик. Его изготовляют с помощью специальных технологических операций, создающих чередование p-n переходов, а также металлические контак- ты на полупроводниках. Такие транзисторы обладают большой меха- нической прочностью, поэтому их можно применять в условиях боль-


ших вибраций и ускорений (автомобиль, ракета и т.д.). Для работы транзистора используют низковольтные источники питания (2–3 В).

В 60-е годы 20-го века были разработаны интегральные микросхе- мы. Они изготовляются следующим образом. На диэлектрической пла- стине размещаются транзисторы, конденсаторы, резисторы, а также проводники, соединяющие их в определенной последовательности. В результате получаются очень компактные и взаимозаменяемые микро- схемы. Уже существуют микросхемы с плотностью упаковки элементов порядка 106 мм2. Они заменили электронные блоки из отдельных тран- зисторов, что привело к появлению ЭВМ третьего поколения.

Микросхемы применяют на заводах в станках с числовым про- граммным управлением, в вычислительных комплексах, устройствах автоматики, связи, электронной разведки и др.

 

                   Внутренний фотоэффект в полупроводниках

 

Внутренним эффектом называется перераспределение электронов по энергетическим состояниям, происходящее в результате поглоще- ния электромагнитного излучения. В полупроводниках внутренний фотоэффект проявляется в изменении величины электропроводности и называется фотопроводимостью, в изменении под действием па- дающего излучения относительной диэлектрической проницаемости и называется фотодиэлектрическим эффектом, в возникновении под действием излучения ЭДС и называется фотоЭДС.

Физическая причина перечисленных выше эффектов заключается в особенностях расположения зон у полупроводников. Самым харак- терным для полупроводников процессом поглощения света является собственное поглощение, при котором электрон валентной зоны, по- глотив фотон, переходит либо на примесный уровень в n- полупроводнике, либо в зону проводимости. При этом энергия фотона

hn = eK - eH ,

где εK, εH – энергии электрона в конечном и начальном состояниях.

Собственное поглощение света возможно при hn ³ e, где ε=∆ε0,

∆εa, ∆εg, ∆ε0 – ширина запрещенной зоны, ∆εa – интервал энергии ме- жду верхней границей валентной зоны и акцепторным уровнем в p- полупроводнике, ∆εg – интервал энергии между донорным уровнем и нижней границей зоны проводимости.

При таких переходах наряду с законом сохранения энергии дол- жен выполняться закон сохранения квазиимпульса:


 

где


p =  p0 + hq ,

p0 – начальный квазиимпульс электрона, p – конечный квазиим-


пульс электрона, hq


– изменение квазиимпульса электрона, возни-


кающее в результате таких переходов. Для видимого и длинноволно- вого излучения hq << p0 , поэтому p p0 .

Различают прямые и непрямые переходы. Прямые переходы воз-


никают при условии

p ¹ p0 .


p » p0 . Непрямые переходы возникают, когда


На основе использования внутреннего фотоэффекта созданы мно- гочисленные виды приемников электромагнитного излучения, к их числу, в частности, относятся фоторезисторы, фотодиоды, фотоэле- менты и другие, нашедшие в настоящее время самое широкое приме- нение. Рассмотрим физические основы работы некоторых видов при- емников более подробно.

 

3.20.1 Фоторезисторы (фотосопротивления)

Фотосопротивления изготовляют из светочувствительных мате- риалов, таких как сульфид кадмия (CdS), селенид кадмия (CdSe), яв- ляющиеся полупроводниками n-типа, а также и из других полупро- водников.

Светочувствительный материал наносится на изолирующую под- ложку из стекла или керамики. В зависимости от величины и спек- трального состава падающего электромагнитного излучения электри- ческое сопротивление фоторезистора меняется от 100 Ом до 10 МОм. Чувствительный элемент изготовляется таким, чтобы в нем поглоща- лась значительная часть падающего потока электромагнитной волны:


Fпогл = (1 - r) F0 ,


(3.20.1.1)


где r – коэффициент отражения, Ф0 – величина падающего потока.

Под действием поглощенного потока в полупроводнике возникают дополнительные носители заряда двух знаков. Число носителей заря- да, генерируемых в чувствительном элементе за 1с, равно


N = h Fпогл ,

h n


(3.20.1.2)


где η – квантовый выход внутреннего фотоэффекта. Квантовым выхо- дом η называется число пар носителей заряда (квазиэлектронов и ды- рок), рождаемых в среднем каждым поглощенным фотоном.


Предположим, что фоторезист состоит из собственного полупро- водника. Если теперь к концам фоторезиста приложить разность по- тенциалов U, то в резисте возникнет электрическое поле напряженно- стью Е. Под действием этого поля носители заряда будут перемещать- ся в определенном направлении, в полупроводнике возникает дрейфо- вый ток (ток проводимости), он называется фототоком Iф.

Пусть ve – дрейфовая скорость носителей заряда одного знака, до- пустим квазиэлектрона, – длина резистора. Тогда время дрейфа но- сителя заряда через резистор


t = l .

ve


(3.20.1.3)



Так как v = b E = b U , be – подвижность квазиэлектронов, то по-

e       e          e l


сле подстановки ve в (3.20.1.3) имеем

l2

t =        .

be U


 

(3.20.1.4)


Пусть τe – время жизни квазиэлектронов, тогда с учетом (3.20.1.1), (3.20.1.2), (3.20.1.4) получаем выражение для фототока квазиэлектро- нов


 

 

или


Iфе


= eN te

t


Iфе


= e hl (1 - r ) t b hc l2 e e


F0 U .


(3.20.1.5)


Аналогичным образом получается выражение для дырочного фото- тока


Iфд


= e hl (1 - r ) t b hc l2 д д


F0 U ,


(3.20.1.6)


где τд – время жизни дырок, bд – подвижность дырок.

Тогда полный фототок носителей заряда двух знаков будет


Iф =


e hl (1 - r ) (t hc l2         e


be + tд bд


)F0 U .


(3.20.1.7)


Время жизни носителей заряда определяет не только величину фо- тотока, но и инерционность фоторезистора. Действительно, в резуль- тате рекомбинации квазиэлектронов и дырок концентрация носителей заряда, квазиэлектронов, появившихся в зоне проводимости, и дырок


– в валентной зоне, как это следует из 2-го закона Фика, убывает по закону


Dn = Dn


exp- t - t0 

 


(3.20.1.8)


0                       ,

      t   

где t0 – момент включения света.

Поэтому по такому же закону будет меняться и фототок Iф. Из табл. 3.17.1, приведенной в разделе 3.17, следует, что время жизни носите- лей заряда порядка 0,1–10 с. Следовательно, фоторезисторы должны обладать значительной инерционностью. Так как время установления стационарного состояния у них достаточно велико, то для регистра- ции быстро протекающих процессов фоторезисторы непригодны.

 

3.20.2. Фотодиоды, фотоэлементы

Физический принцип работы фотодиодов и фотоэлементов основан на использовании фотогальванического эффекта. Суть его заключает- ся в следующем.

При освещении потоком электромагнитного излучения p-n перехо- да и прилегающих к нему областей полупроводника происходят пере- ходы электронов из валентной зоны в зону проводимости. В результа- те в полупроводнике возникает дополнительное число возбужденных электронов и дырок. Следовательно, как в валентной зоне, так и в зоне проводимости появляется дополнительное число носителей заряда. Процесс появления дополнительного числа носителей заряда соответ- ственно в зонах проводимости и валентной под действием излучения называется фотогальваническим эффектом.

Пусть имеется образец, состоящий из контактирующих между со- бой полупроводников n- и р-типа (рис. 3.20.1). Поверхность левого полупроводника облучается потоком электромагнитной волны.

Предположим, что толщина n-полупроводника xn<<n, n – диффу- зионная длина квазиэлектронов в n-полупроводнике. Кроме того, xn<< xp, xp – толщина р-полупроводника, n > L, L – толщина n-p перехода.

Пусть Ф0 – падающий поток излучения, r – коэффициент отраже- ния потока от n-p полупроводника. Тогда поглощенный в полупро- водниках поток

F = (1 - r) F0 = Fn + F p ,

где Фn, Фp – поглощенные потоки излучения соответственно в n- и р-

полупроводниках.


U0                 U

+                        R

p

 

n

 
F0

xn

 

3

 
1                                              2

зона про

 
0                                                 x

водимос ти

hn

э

hn                             валентная зона

 

 

Рис. 3.20.1. Фотоэлемент: 1 - контактное металлическое кольцо, 2 – металлическое основание, 3 – область n-p перехода; xn<<n

 

Следовательно, в результате облучения значительная часть падаю- щего первичного потока проникает в р-образец и в нем поглощается. Если в р-полупроводнике произошло поглощение кванта энергии из- лучения валентным электроном, то при величине энергии кванта больше ширины запрещенной зоны электрон может перейти из ва- лентной зоны в зону проводимости, но одновременно с этим в валент- ной зоне образуется дырка. Возникшие в зоне проводимости р- полупроводника квазиэлектроны будут неосновными носителями за- ряда. Что же касается n-образца, в котором также происходит погло- щение излучения, то поглощенный там поток Ф0 будет возбуждать электроны валентной зоны, в результате некоторое их число перейдет в зону проводимости с одновременным возникновением в валентной зоне дырок. Но так как xn<< xp , xp – толщина р-образца, то Фn << Фp . Следовательно, концентрация вновь возникших квазиэлектронов и дырок в р-образце должна значительно превышать аналогичные кон- центрации в n-образце.

Возникшие в зоне проводимости р-образца квазиэлектроны дви- жутся хаотически, и некоторое их число проникает в область контакт- ного слоя p-n перехода, там они ускоряются электрическим полем контакта и перебрасываются в n-образец. Дырки валентной зоны n-


полупроводника также движутся хаотически, и некоторое их число попадает в область контактного слоя и электрическим полем перебра- сывается в р-полупроводник. Из физической постановки задачи сле- дует, что потоки квазичастиц образованы неосновными носителями заряда. Заметим, основными носителями заряда в n-полупроводнике являются квазиэлектроны, а в р-полупроводнике – дырки. При диффу- зии в сторону контактного слоя основные носители заряда на своем пути встречают потенциальный барьер, поэтому значительное их чис- ло не в состоянии преодолеть его (рис. 3.20.1), в то же время неоснов- ные носители легко переносятся в противоположные полупроводники ускоряющим для них электрическим полем.

Итак, квазиэлектроны из р-полупроводника и дырки из n- полупроводника, неосновные носители заряда, переносятся в избы- точном количестве соответственно в n- и р-полупроводники. В ре- зультате n-полупроводник относительно р-полупроводника заряжает- ся отрицательно. А так как потенциал полупроводников первоначаль- но был положительным, то потенциальная энергия заряженных частиц уменьшается на величину ∆ε = -eU < 0, e – электрический заряд ква- зичастиц. Если теперь р-полупроводник заземлить, то все уровни пол- ной энергии n-полупроводника в процессе переходов квазичастиц че- рез контактный слой будут постепенно опускаться до уровня динами- ческого равновесия. При наличии динамического равновесия между потоками основных и неосновных носителей заряда величина потен- циального барьера (величина внутренней контактной разности потен- циалов) возрастает на ∆U.

Плотность фототока на границе контактного слоя, созданного не- основными носителями заряда,


jj = enотн × G,


(3.20.2.1)


где nотн – относительное число неосновных носителей заряда, дости- гающих p-n перехода в процессе диффузии без учета рекомбинации,


G = h F p ,

h n

η – квантовый выход фотоэффекта.


(3.20.2.2)


Как следует из физического смысла формулы (3.17.5), изменение концентрации неосновных носителей заряда в пределах контактного слоя

   q DU


Dn = np exp-         ,

    k T


(3.20.2.3)


где ∆U – изменение внутренней контактной разности потенциалов в результате появления в зоне проводимости р-полупроводника квази- электронов, np – концентрация добавочного числа квазиэлектронов в р-полупроводнике в результате облучения его потоком электромаг- нитного излучения.

Тогда плотность фототока в области контактного слоя равна току проводимости:

        q DU     



jф = jS exp-           - 1 ,


(3.20.2.4)


 

 

 
            k T       

где jф определяется из (3.20.2.1), jS – плотность тока насыщения, тока, возникающего в результате теплового (термического) возбуждения, его величина может быть определена по формуле (3.17.13):

 ne De     nд Dд



jS = e

le


+          .

lд


Из формулы (3.20.2.4) находим величину изменения внутренней контактной разности потенциалов


DU =


k T     j

ф

 

 
ln

e        j


+ 1.


(3.20.2.5)


 S            

Так как по физическому смыслу ∆U – фотоЭДС, то Uф = ∆U.

Итак, если на рис. 3.20.1 U0 = 0, то полупроводник работает в ре- жиме фотоЭДС, а сам полупроводник является фотоэлементом. Если же к р-n полупроводнику подключен источник тока и сопротивление нагрузки R, как это изображено на рис. 3.20.1, то такая электрическая схема работает в режиме фотодиода, а сам полупроводник называется фотодиодом.

Фотодиоды и фотоэлементы в настоящее время нашли широкое применение. В частности, фотодиоды применяют для оптического управления током, для измерения интенсивности электромагнитного излучения. Поскольку интенсивность излучения зависит от прозрач- ности среды, то такие датчики могут быть индикаторами запыленно- сти воздуха, наличия газов, поглощающих данное излучение, проте- кания реакций в прозрачных растворах. Их применяют также в турни- кетах метро, в станках-автоматах для определения количества изго- товленных на них деталей и т. д.

Существуют фотодиоды для различных участков спектра длин волн. Например, фотодиод на основе полупроводника InSb обладает чувствительностью к инфракрасному излучению с длиной волны 10


мкм, поэтому его используют в приборах ночного видения, с помо- щью которых можно наблюдать различные объекты в темноте.

Фотодиоды обладают большим быстродействием, их время сраба- тывания достигает величины порядка 10-11с. Поэтому их широко ис- пользуют для передачи оптической информации, в волоконно- оптической связи, а также в ЭВМ.

В отсутствии внешнего источника тока фотодиод является фото- элементом. Обычное значение фотоЭДС – примерно 0,5 В. Если от- дельные фотоэлементы соединить последовательно, то получается солнечная батарея. Для повышения мощности солнечные батареи со- единяют параллельно, их коэффициент полезного действия может достигать 60%. Солнечные батареи являются источниками тока бор- товых систем космических аппаратов.

В некоторых случаях рекомбинация носителей заряда в диоде при- водит к возникновению электромагнитного излучения. Такие диоды называются светодиодами. Принцип их работы следующий. При про- пускании через светодиод прямого тока концентрация неосновных носителей заряда на границе p-n перехода оказывается больше равно- весной. Диффундируя через p-n переход в глубь полупроводника р- типа, неосновные носители заряда при этом постепенно рекомбини- руют с дырками. Этот процесс сопровождается высвечиванием кван- тов энергии, т.е. излучением потока электромагнитной волны. Для светодиодов геометрические размеры полупроводника подбираются такими, чтобы излучением квантов света происходило наружу. Вели- чина свечения зависит от двух условий:

·      от соотношения между излучательными и безизлучательными ре- комбинациями неосновных носителей заряда;

·      от величины угла полного внутреннего отражения.

Дело здесь в том, что при малом угле полного внутреннего отраже- ния выход излучения за пределы поверхности светодиода будет очень малым, значительная часть потока излучения будет отражаться на внешней границе раздела. Так, у полупроводника на основе GaAs угол полного внутреннего отражения примерно равен 17°. В результате лишь 2% испускаемого излучения выходит наружу.

В светодиодах, созданных на основе полупроводника GaAs, ши- рина запрещенной зоны ∆ε = 1,4 эВ. Поэтому в результате рекомби- наций квазиэлектронов и дырок возникает инфракрасное излучение с длиной волны 0, 89 мкм.

В тройном полупроводнике GaAsP можно изменять ширину за- прещенной зоны и соответственно длину волны излучения. Так, на-


пример, из светодиода с красным свечением с помощью других при- месей можно получить зеленый, синий и другие цвета свечения.

На рис. 3.20.2 изображена схема оптронной пары, с помощью ко- торой можно осуществлять преобразование напряжения в электриче- ских схемах.


 

Рис. 3.20.2. Оптронная пара: 1– светодиод, 2 – фотоприемник (фо-

тодиод, фоторезист и др. )

 

Из рис. 3.20.2 следует, что оптронная пара является своеобразным трансформатором напряжения, управляемого с помощью светового сигнала.

Светодиод как излучатель и фотодиод как приемник закрепляются в один блок. Такой блок называется оптроном.

Подчеркнем еще раз, различие между фотодиодом и светодиодом состоит в том, что у фотодиодов в процессе работы имеют место без- излучательные переходы неосновных носителей заряда, а у светодио- дов имеют место излучательные переходы, когда в результате перехо- дов квазиэлектронов из зоны проводимости в валентную излучается квант энергии электромагнитной волны. Что же касается различия между фотоэлементом и фотодиодом, то, помимо своего назначения, они еще различаются особенностями подключения к внешней элек- трической цепи, а также геометрическими размерами. А так как с по- мощью фотоэлементов, как правило, необходимо получить макси- мальную величину фототока, то освещаемая поверхность фотоэлемен- та должна быть достаточно велика.

 

                 Физические основы работы лазеров

 

                    Время жизни атома в возбужденном состоянии

Ранее мы ввели в рассмотрение систему уровней полной энергии, которые соответствуют стационарным состояниям электрона в атоме. Это означало следующее. Представим себе атом как замкнутую сис- тему не взаимодействующих с окружающей средой частиц. Тогда электрон атома на стационарном уровне в отсутствие внешних воз-


действий может находиться неограниченное время, при этом, двигаясь вокруг ядра, электрон не излучает электромагнитную энергию. Одна- ко такой идеальной замкнутой системы в природе не существует. Во- первых, даже у простейшего из атомов – атома водорода – в основном состоянии уровень 1s оказывается несколько размытым. Это происхо- дит из-за взаимодействия электрона с ядром в процессе движения от- носительно центра инерции атома. Величина такого размытия экспе- риментально наблюдается и называется лэмбовским сдвигом. Стало быть, строго говоря, в природе не существует дискретных, строго оп- ределенных уровней полной энергии. Во-вторых, возбужденный атом всегда находится во взаимодействии с окружающей средой, и это взаимодействие имеет случайный характер, в результате такого взаи- модействия атом в какой-то момент времени самопроизвольно пере- ходит в менее возбужденное состояние, излучая при этом в окружаю- щее пространство квант электромагнитной энергии. Такое излучение, происходящее в отсутствии заметных электромагнитных воздействий со стороны окружающей среды, называется самопроизвольным, или спонтанным.

Определим время жизни атома в возбужденном состоянии на при- мере двухуровневой системы полных энергий. Пусть электрон атома в момент времени t обладает энергией ε2. Тогда под действием случай- ных причин, механизм которых детально проследить невозможно, электрон самопроизвольно переходит в состояние ε1 < ε2 . Такой пере- ход осуществляется с некоторой вероятностью ω.

 

2                                              N2

 

1                                             N1

 

 

Рис. 3.21.1. Система двухуровневых атомов

 

Обозначим вероятность спонтанного перехода за 1 с W21 , или, что то же самое, скорость спонтанного распада, буквой W21 (рис. 3.21.1). Если в веществе в момент времени t в состоянии ε2 находилось N2


атомов, то за время dt вероятность перехода в состояние ε1 будет

dw =W21 dt .

Вероятность спонтанного перехода атома, находящегося в возбуж- денном состоянии, за среднее время жизни τсп в возбужденном со- стоянии


tсп

òW21dt = 1.

0


(3.21.1)


Следовательно, среднее время жизни в возбужденном состоянии при спонтанных переходах (W21 = const)


tсп


= (W21


)-1.


За время dt в состояние ε1 перейдет dN2 атомов:

dN2 = -N2 W21 dt,

причем знак (-) указывает на убыль числа атомов на уровне ε2. Тогда после интегрирования получаем


2              20

 
 = N    e-W21 t ,


(3.21.2)


где N20 – число атомов на уровне ε2 в начальный момент времени t=0. Каждый такой переход сопровождается излучением кванта электро- магнитной энергии. Поэтому

e2 - e1 = h n .

Энергия электромагнитного излучения атомов dN2 за время dt бу- дет

de = h n W21 N2 dt,

а поток электромагнитной энергии, возникающий в результате таких переходов, с учетом (3.21.2) будет

F = de = h n W   N  ,


 

или


dt             21       2


F = F0 e-W21 t .


(3.21.3)


Таким образом, поток электромагнитной энергии, возникающий в результате спонтанных переходов атомов из возбужденного в невоз- бужденное состояние, с течением времени убывает по экспоненте.

Подставим найденной значение t = τсп в уравнение (3.21.3):

F(tсп ) = F0 e-1 . Это означает, что за время, равное средней продолжи- тельности жизни атома в возбужденном состоянии на уровне ε2, поток квантов электромагнитного излучения уменьшается в e раз, следова- тельно, число атомов, находящихся в состоянии ε2, также уменьшает-


ся в e раз. Опыт показывает, что в видимой области спектра


τсп 10-8 с, стало быть,


W21 » 108c-1.


 

                      Принцип детального равновесия

В квантовой системе, обладающей дискретными уровнями энер- гии, существуют три типа переходов электронов между энергетиче- скими состояниями: индуцированные электромагнитным полем пере- ходы или, что тоже самое, вынужденные переходы, спонтанные пере- ходы и безизлучательные переходы. При индуцированных переходах квантовая система может переходить из одного энергетического со- стояния в другое (рис. 1) как с поглощением энергии электромагнит- ного поля (переход с нижнего энергетического уровня на верхний), так и с излучением электромагнитной энергии (переход с верхнего энергетического уровня на нижний), при этом исходный квант сохра- няется, а возникший квант имеет те же физические свойства, что и исходный.

 

 

2                                                                n2

 

1                                                                n1

 

 

Рис. 3.21.2. Переходы в двухуровневой системе: n1, n2 – населенности нижнего и верхнего уровней энергии; ω21 , ω12 – скорости индуцированных переходов (число переходов за 1 с ); W21

– вероятность спонтанного перехода за 1с.

 

Индуцированные переходы обладают следующими важными свойствами.

1. Скорости индуцированных переходов ω21, ω12 отличны от нуля только для внешнего электромагнитного поля резонансной частоты. Следовательно,

h n = e2 - e1 .

2. Возникающие при индуцированных переходах кванты электро- магнитного поля полностью тождественны квантам поля, вызвавшего


эти переходы. Значит, внешнее электромагнитное поле и поле, воз- никшее в результате индуцированных переходов, имеют одинаковую частоту, фазу колебаний, поляризацию и направление распростране- ния, т.е. они физически неразличимы, когерентны.

3. Число индуцированных переходов за 1 с пропорционально плот- ности энергии внешнего поля ρλ,T в единичном спектральном интерва- ле длин волн:


w12 = g1 B12 rl,T ,


w21 = g2 B21 rl,T ,


(3.21.4)


где В12, В21 – коэффициенты Эйнштейна для индуцированного погло- щения и излучения; g1, g2 – кратность вырождения уровней ε1 и ε2 ;


rl,T


= Fl,T ,

V


Фλ,T – спектральный поток электромагнитной энергии, V – объем ве- щества, в пределах которого распространяется этот поток. Благодаря наличию вынужденного излучения в веществе всегда происходит уси- ление первичного излучения без изменения его спектрального состава. Но, кроме индуцированного излучения, еще существует спонтан- ное излучение, вероятность которого не зависит от величины внешне- го электромагнитного поля. Оно некогерентно по отношению к внеш- нему полю. Своим действием спонтанное излучение лишь опустошает верхний энергетический уровень и способствует возвращению атомов

в менее возбужденное состояние.

Предположим, что в объеме, заполненном излучением абсолютно черного тела, находится газ, концентрация молекул которого настоль- ко мала, что взаимодействием между ними на расстоянии можно пре- небречь. Распределение по энергиям молекул такого газа описывается статистикой Максвелла-Больцмана. Так как спонтанное излучение не зависит от плотности энергии излучения ρλ,T, то число спонтанных переходов W21 пропорционально числу атомов, находящихся на уров-


не ε2:


Nсп =W21 N2 . Число индуцированных переходов зависит от чис-


ла атомов, соответственно находящихся в состояниях ε1 и ε2 .

Тогда с учетом (3.21.4) можно записать:

Nинд1 = g1 B12 N1 rl, T ,         Nинд2 = g2 B21 N2 rl, T .

В состоянии динамического равновесия имеет место равенство ме- жду числом актов испускания и числом актов поглощения квантов энергии. А так как уровни ε1 и ε2 выбраны произвольно, то говорят, что в объеме имеет место детальное равновесие для переходов между уровнями ε1 и ε2 . При наличии детального равновесия


 

т. е.

 

Отсюда


Nинд1 = Nсп + Nинд2 ,

g1 B12 N1 rl,T = W21 + g2 B21 rl,T .


 

(3.21.5)


          N               -1

rl,T = W21 g1 B12      1 - g2 B21  .

         N2                           

В стационарных условиях в веществе имеет место термодинамиче- ское равновесие. Поэтому атомы N1 и N2 распределяются по энергети- ческим уровням в соответствии с распределением Максвелла- Больцмана

  hc

N1 = N2 exp l k T .


 

Тогда


 

             h c

 


 

 
-1


 
rl, T = W21 g1 B12 e l k T


- g2 B21  .


(3.21.6)


Как известно, плотность энергии равновесного излучения абсолют- но черного тела


 hc


-1


1

 
rl = 8 p hc  e l k T -  .


(3.21.7)


,T          l5                  

             

Выражения (3.21.6) и (3.21.7) будут идентичны, если выполняются следующие соотношения Эйнштейна:


g B = g B


= B;


W21 = 8 p hc .

             


(3.21.8)


1 12


2 21


B        l5


Так как по физическому смыслу


B =   c ,

tинд


W21 =


c1

tсп


, то


tинд


= 8 p hc t

l5           сп


(3.21.9)


Таким образом, время жизни атома при наличии индуцированного излучения зависит от длины волны, для коротких длин волн оно больше, чем для длинных. Вычисления τсп и τинд по формуле (3.21.9) для двух длин волн сведены в таблицу значений, причем τсп определя- лось по формуле: τсп = 4,7·104 λ2 , [λ] = м.


 

λ

τсп                        τинд

τиндсп

нм

с

 

400

7,5·10-9          0,37

4,9·107

800

3·10-8          0,046

1,5·106

 

Из таблицы видно, что время жизни атомов при индуцированных переходах во много раз превышает время жизни при спонтанных пе- реходах. Поэтому состояния атомов, находящихся на уровнях, с кото- рых происходят индуцированные переходы, считают метастабильны- ми (долгоживущими).

Итак, условию детального равновесия соответствует тождество (3.21.5), которое выполняется, когда на уровне ε1 находится N1 атомов, а на уровне ε2 находится N2 атомов. Если подобные рассуждения про- вести не для газа, а для твердого тела, в котором присутствует незна- чительная концентрация атомов примеси, то приближенно также можно применять распределение Максвелла-Больцмана для числа атомов на отдельных примесных уровнях полной энергии. Следова- тельно, и в этом случае будет справедливо тождество (3.21.5), а также все физические выводы, установленные ранее для газов.

 

                      Основные принципы работы лазеров

Термин "лазер" образован из начальных букв английского выра- жения Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation, что в пе- реводе означает "усиление света вынужденным излучением". В 1954  г. советским физикам Н.Г. Басову и А.М. Прохорову и независимо от них американцу Ч. Таунсу удалось создать такой источник электро- магнитного излучения. Первый лазер действовал в радиодиапазоне, а первая генерация в оптическом диапазоне была получена в 1960 г. американскими физиками Т. Мейманом на рубине и А. Джаваном с сотрудниками в гелий-неоновой смеси. За пионерские работы по соз- данию лазера в 1964 г. Н.Г. Басову, А.М. Прохорову и Ч. Таунсу была присуждена Нобелевская премия по физике.

Основными свойствами лазерного излучения, отличающими его от излучения других источников света, являются:

1)  высокая когерентность;

2)   возможность генерации импульсов предельно малой длительно- сти ≈ 10-14 с;

3)   высокая мощность излучения в импульсном режиме генерации, до 1014 Вт.

Лазеры различаются:


1)   по типу активной среды – газовые (атомные, ионные, молеку- лярные), твердотельные (на примесных кристаллах и стеклах, полу- проводниковые), жидкостные;

2)  по режиму генерации – непрерывные, импульсные.

Из всех перечисленных выше типов лазеров мы более подробно рассмотрим принцип работы только газового гелий-неонового и полу- проводникового лазеров.

Газовые лазеры работают в очень широком интервале длин волн – от вакуумного ультрафиолета до инфракрасной области спектра, как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Малая плотность и высо- кая однородность газообразной активной среды позволяет получить высокую направленность и моноэнергетичность излучения. Вместе с тем малая плотность возбужденных частиц не позволяет получить вы- сокую концентрацию возбуждаемых частиц.

Для создания инверсной населенности отдельных уровней пол- ной энергии в подавляющем большинстве газовых лазеров использу- ется электрический разряд, в процессе которого электроны разряда возбуждают атомы газа, введенного в рабочий объем в качестве примеси к атомам основного газа. Далее передача энергии возбуж- дения от атомов примеси атомам основного газа осуществляется в результате неупругих столкновений между ними. Такая передача энергии тем более эффективна, чем более точно совпадают уровни полной энергии сталкивающихся между собой атомов. Процесс воз- буждения протекает в два этапа. Сначала возбуждаются атомы вспо- могательного газа, носители избыточной энергии и вместе с тем яв- ляющиеся донором энергии возбуждения, затем в результате неупру- гих столкновений атомов примеси с атомами основного газа энергия возбуждения передается атомам рабочего газа. В результате верхние уровни полной энергии населяются электронами атомов рабочего  газа, при этом электрон атома вспомогательного газа на верхнем уровне должен обладать достаточно большим временем жизни, что- бы атомы примеси могли бы накапливать достаточно большую сово- купную энергию для последующей передачи ее в процессе неупру- гих столкновений.

 

                      Гелий-неоновый лазер

В He-Ne лазере рабочей средой является смесь газов He и Ne, причем рабочим газом является Ne, а примесью – газ He. В объем ато- мы He вводятся для создания инверсной населенности. При правильно выбранных давлениях можно добиться заселения одного или обоих


уровней атомов Ne в смеси газов, значительно превышающих заселе- ние атомов в случае чистого Ne, и, следовательно, создать инверсию населенности на этих уровнях по сравнению с населенностью на уровне ε3 (см. рис. 3.21.3). Заметим, на рис. 3.21.3 представлена лишь упрощенная схема уровней полных энергий атомов Ne. На самом деле каждое энергетическое состояние ε2 – ε2 состоит из нескольких близко расположенных состояний, условно они изображены в виде зоны энергий. Опустошение нижних уровней ε2 происходит в столкнови- тельных процессах как между атомами Ne, так и при столкновениях атомов Ne с поверхностью газоразрядной трубки.

Столкновительные процессы происходят следующим образом (см.

рис. 3.21.3).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1                                                         1

He                                          Ne

 

Рис. 3.21.3. Схема действия He-Ne лазера

 

Уровни ε2 , ε4 , ε6 – метастабильные; переход из состояния ε2 в со- стояние ε1 возникает в результате столкновений между атомами Ne, а также столкновений атомов Ne со стенкой газоразрядной трубки (без- излучательный переход); λ1 = 3,39 мкм, λ2 = 0,6328 мкм, λ3 = 1,15 мкм

– длины волн индуцированного (вынужденного) излучения.

В процессе столкновений атомов Не со свободными электронами атомы He переходят из основного состояния ε1 в возбужденные со- стояния ε2 и ε3 , соответствующие метастабильным уровням энергии со временем жизни ≈ 10-3 с.

Верхние уровни атомов Ne при столкновениях со свободными электронами также заселяются электронами, но время жизни на них


невелико. Поэтому за время порядка 10-8 с в обратном направлении происходит спонтанный переход. Наряду с этим, при столкновениях атомов Не с невозбужденными атомами Ne интенсивно происходят безизлучательные переходы атомов Не в невозбужденное состояние с резонансной передачей энергии атомам Ne. Этот процесс на рис.

3.21.3 условно изображен пунктирными линиями. В результате кон- центрация возбужденных атомов Ne на уровнях ε4 и ε6 сильно возрас- тает, возникает инверсная заселенность уровней ε4 и ε6 относительно заселенности уровней ε3 и ε5. Если в объеме, допустим, возникнет квант вынужденного излучения, то при столкновении с инверсно засе- ленным атомом Ne в объеме возникнет новый квант излучения, тож- дественный первоначальному. В результате в объеме будут существо- вать два кванта излучения, и т.д. Таким образом, в объеме будет про- исходить лавинообразное нарастание квантов.

Но в веществе наряду с увеличением числа квантов всегда проис- ходят необратимые потери энергии излучения в результате их резо- нансного поглощения атомами рабочего вещества, поглощения мате- риалом стенки газоразрядной трубки. Пусть α – коэффициент кванто- вого усиления, β – коэффициент потерь, тогда величина набольшего потока энергии на выходе резонатора можно вычислить по формуле:

F = F0 exp((a - b)×l),

где – расстояние между зеркалами резонатора.

Опустошение верхних уровней Ne ε3, ε5 происходит за счет спон- танного излучения. Опустошение нижнего метастабильного уровня Ne ε2 происходит за счет соударений атомов Ne со стенками газоразряд- ной трубки. Возбуждение атомов He и Ne осуществляется либо высо- кочастотным генератором, либо разрядным током, возникающим в объеме газоразрядной трубки при разности потенциалов между ано- дом и катодом порядка 1–2 кВ.

При газовом разряде частота, фаза и направление колебаний век-

тора E в электромагнитной волне распределены хаотически, также хао- тически в различных направлениях распространяется и электромагнитная волна. Поэтому для усиления интенсивности лазерного излучения при- меняют резонаторы устройства, с помощью которого выделяют и уси- ливают излучение только одного направления и фазы. Простейший резо- натор представляет собой два зеркала с общей оптической осью, в кото- ром между зеркалами находится активное вещество, в данном случае смесь газов Ne и Не. Одно зеркало имеет почти 100%-ный коэффициент отражения, другое примерно 99%. В такой системе зеркал будут  усили-


ваются только те потоки электромагнитных волн, которые распростра- няются строго вдоль оптической оси. Усиление происходит в результате многократного прохождения квантов индуцированного излучения через активную среду после отражения от зеркал, но на каждом акте отражения от зеркала с коэффициентом отражения порядка 99% некоторый поток излучения выходит за пределы резонатора. Поэтому, если случайно воз- никший пучок индуцированного излучения составляет с оптической  осью даже незначительный угол, то после отражения он уже выбывает из активной среды. В результате за пределы резонатора выходит монохро- матическое излучение, обладающее строгой направленностью и коге- рентностью.

В настоящее время наибольшее распространение получила конст- рукция лазера, у которого газоразрядная трубка имеет окна, располо- женные под углом Брюстера к оптической оси. Она помещается внутрь резонатора. Это позволяет исключить повреждение поверхно- сти зеркал резонатора газовым разрядом. Кроме того, при таком рас- положении проще юстировать зеркала резонатора, увеличивается срок службы газоразрядной трубки и зеркал, облегчается смена зеркал.

Минимальная расходимость лучей в пучке достигает 5×10-4 рад. Когерентность в лазерном пучке позволяет получать цуги волн дли- ною в десятки и сотни метров, что позволяет значительно увеличить вероятность индуцированного излучения. На рис. 3.21.3 указаны дли- ны волн, соответствующие вынужденным (индуцированным) излуче- ниям. Изменением расстояния между зеркалами резонатора до вели- чины, кратной половине длины волны индуцированного излучения, можно выделить излучение необходимой длины волны.

Несмотря на не очень большую мощность (от 1 мВт до 50 мВт) и низкий коэффициент полезного действия (от 0,1% до 0,3%), He-Ne лазеры вследствие хорошей направленности и монохроматичности лазерного луча нашли достаточно широкое применение.

 

                      Полупроводниковые лазеры

Ранее мы показали, что полупроводниками являются не только кристаллические Si и Ge (собственные полупроводники), но и те же кристаллические вещества с внедренными в их кристаллическую ре- шетку атомами примесей из соседних групп периодической системы Менделеева. Так, полупроводники на основе Si с примесью атомов Р, As можно условно обозначить как полупроводники группы А4В5, а с примесью атомов Ga, In – как полупроводники группы А3В4. В на- стоящее время установлено, что полупроводниковыми свойствами


обладают полупроводники групп А3В5, такие как AsGa, AsIn и другие, а также групп А4В6, такие как SPb, SePb и другие.

В инжекционных полупроводниковых лазерах активным вещест- вом служит кристаллическая матрица собственного полупроводника, а примеси являются источником носителей заряда. При создании в по- лупроводнике с помощью накачки избыточной по сравнению с равно- весной концентрации квазиэлектронов и дырок возникает оптический межзонный переход – фоторекомбинация квазиэлектронов и дырок. Оказывается, что вероятность фоторекомбинации велика лишь для прямозонных полупроводников, т.е. таких, у которых максимум пол- ной энергии в валентной зоне и минимум полной энергии в зоне про- водимости основных носителей заряда соответствуют одному и тому


же значению квазиимпульса


p = hk, k = 2 p ,

l


k – величина волнового


вектора (волновое число). По этой причине все инжекционные полу- проводники, на которых получена генерация лазерного излучения, являются прямозонными.

Перечислим важнейшие достоинства инжекционных полупровод- никовых лазеров.

1.     Большой коэффициент усиления при малых геометрических размерах.

2.  Большой КПД, доходящий до 40%.

3.   Широкий интервал длин волн, в котором возможна генерация лазерного излучения (от 300 нм до 30 мкм).

4.   Возможность перестройки длины волны генерации путем изме- нения ширины запрещенной зоны в результате изменения давления, температуры, магнитного поля.

5.    Малая инерционность, позволяющая модулировать излучение изменением частоты накачки до 10 ГГц.

6.   Простота конструкции, поскольку процесс инверсии населенно- сти осуществляется постоянным током.

Недостатками инжекционных полупроводниковых лазеров являют-


ся:


1.  низкая выходная мощность,

2.  значительная чувствительность к перегрузкам.

Для создания инверсной населенности в основном применяют ли-


бо инжекцию носителей заряда, либо электронную накачку. Резонато- рами обычно служат параллельно расположенные кристаллографиче- ские плоскости на поверхностях полупроводника. В этом случае ко- эффициент отражения от таких кристаллографических плоскостей


оказывается достаточным для возбуждения генерации лазерного излу- чения без использования дополнительных зеркал.

На рис. 3.21.4, а изображены соответственно графики нижней и верхней границ зон проводимости и валентной для прямозонного по- лупроводника, а на рис. 3.21.4, б изображены те же графики для полу- проводников А3В5, А4В6, например, соответственно для AsGa и SPb.

Так как элементарные полупроводники А3В5 или А4В6 не являются прямозонными, то они и не применяются в инжекционных полупро- водниковых лазерах.

 

 

 

 

 

 

 

k                                            k

 

а                                           б

 

Рис. 3.21.4. Энергетические зоны в полупроводниковых лазерах: ε –

полная энергия носителей заряда, k – волновое число.

 

При переходе электрона из зоны проводимости в валентную вы- полняется закон сохранения импульса:

pe1 =  pe2 + pф ,


где


pe1 ,


pe2


– импульсы электрона соответственно в зоне проводимо-


сти и в валентной зоне,


pф – импульс фотона. Так как импульс фотона


значительно меньше импульса электрона в валентной зоне, то перехо- ды, связанные с излучением фотона, можно изобразить в виде верти- кальной линии. В случае же Si и Ge места на графике ε(k), занятые ква- зиэлектроном и дыркой, сдвинуты относительно друг друга на некото- рую величину k (рис. 3.21.4, б). В этом случае возможен только не- прямой переход, при котором изменение импульса электрона компен- сируется кристаллической решеткой. Это означает, что добавочное из- менение импульса принимает на себя фонон кристаллической решетки. Следовательно, такие переходы являются безизлучательными.

Итак, переход из зоны проводимости в валентную у прямозонных полупроводников сопровождается испусканием кванта электромаг-


нитной энергии, а обратный процесс возможен только при резонанс- ном поглощении квантов. Поэтому, чтобы излучение преобладало над поглощением, необходимо создать инверсную населенность. Идеаль- ный случай инверсной населенности возникает, если верхний край валентной зоны оказывается полностью занятым дырками. Тогда ве- роятность перехода с излучением кванта энергии будет достаточно велика. В случае же непрямозонного полупроводника носители заряда накапливаются в состояниях с различными значениями квазиимпуль- са, различными значениями волнового числа. В результате прямые переходы оказываются запрещенными или маловероятными, и реком- бинации квазичастиц не возникает.

Соединения А3В5 образуются в результате взаимодействия атомов В3 группы периодической таблицы Менделеева (B, Al, Ga, Ta) с ато- мами В5 группы (N, P, As, Sb). Tl и Bi не образуют соединений рас- сматриваемого ряда.

Соединения А3 В5 принято классифицировать по металлоидному элементу, а именно, N (нитриды), P (фосфиды), As (арсениды), Sb (ан- тимониды).

Для соединений А3 В5 характерен донорно-акцепторный тип связи, при котором из четырех ковалентных связей три связи образуются в результате обобществления валентных электронов атомов А3 и В5 , а четвертая связь осуществляется двумя валентными электронами ато- мов В5. Образование этой связи соответствует энергетически выгод- ному переходу электронов от атомов В5 в энергетическое состояние, общее для атомов В5 (доноры) и атомов А3 (акцепторы). В каждой ко- валентной связи максимум электронной плотности смещен в сторону атома В5. Благодаря такой поляризации связей атомы А3 приобретают эффективный положительный заряд, а атомы В5 – отрицательный.


За исключением антимонидов, все соединения нии разлагаются по схеме:


A3B5


при нагрева-



A3B5 ® A 3 (жидкость) + 1 B5 (газ).

2    2

Примеси замещения в кристаллической решетке А3 В5 должны быть распределены таким образом, чтобы в ней не возникало бы цен- тров с большим избыточным зарядом. Поэтому примеси II группы (Be, Mg, Zn, Cd) всегда занимают в кристаллической решетке А3 В5 узлы металлического компонента и являются акцепторами благодаря меньшей валентности по сравнению с замещаемыми атомами. Приме-


си VI группы (S, Se, Te) всегда располагаются в узлах кристалличе- ской решетки, замещая В5 , и являются донорами.

Ценным свойством многих полупроводников типа А3 В5 является высокая эффективность излучения рекомбинации неравновесных но- сителей заряда. Для генерации излучения в видимой области спектра ширина запрещенной зоны должна быть больше 1,7 эВ. Такому усло- вию удовлетворяют GaP и GaN. Материалы с более узкой запрещен- ной зоной способны эффективно излучать в инфракрасной области спектра. К их числу относится GaAs с шириной запрещенной зоны 1,43 эВ. Излучение фотонов в GaAs происходит в результате прямой межзонной рекомбинации электронов и дырок. При легировании GaN атомами Zn в зависимости от концентрации примесей Zn можно полу- чить рекомбинационное излучение в видимой области спектра (жел- тое, зеленое, голубое излучение).

Первый инжекционный полупроводниковый лазер был создан в 1962 году. В нем генерация когерентного излучения возникала в кри- сталле арсенида галлия GaAs. Но лазерный эффект проявляется здесь в том случае, если плотность тока через p-n переход превышает неко- торое пороговое значение, в противном случае это устройство будет работать в режиме светодиода.

Известно, что кристалл GaAs представляет собой твердый раствор, образованный атомами Ga и As. Поскольку понятие твердого раствора в общем курсе физики не объясняется, то приведем некоторые основ- ные сведения о типах и физическом строении твердых растворов. Твердые растворы – это твердые фазы сплавов, в которых соотноше- ния между концентрациями компонентов могут быть изменены без нарушения однородности вещества. В природе существуют три ос- новных типа твердых растворов: замещения, внедрения, вычитания. В твердых растворах замещения атомы растворенных компонентов за- мещают атомы растворителя. Если же твердый раствор – химическое соединение, то реализуется схема, когда кристаллическая решетка об- разуется молекулами АВ. В твердых растворах внедрения атомы рас- творенного компонента располагаются в промежутках между атомами решетки растворителя. Твердый раствор вычитания возникает только на основе химических соединений, причем в этом случае всегда неко- торое число узлов кристаллической решетки оказывается вакантным.

В настоящее время твердые растворы широко используются для изготовления инжекционных полупроводниковых приборов. Необхо- димыми условиями образования таких растворов являются кристалло- химическое подобие решеток компонентов раствора и близость их


кристаллографических индексов. Наиболее хорошо изучены тройные твердые растворы, в которых замещение происходит лишь по узлам одной из подрешеток металлического или металлоидного бинарного соединения. Заметим, что под словом "подрешетка" понимается сис- тема периодически расположенных в твердом теле одинаковых атомов или ионов, а под словами "бинарное соединение" – соединения типа АВ, например, GaAs или InP, т.е. соединения без примесных атомов. Состав таких твердых растворов принято характеризовать символами АxВ1-xС и АСyD1-y, где символами А и В обозначаются элементы III группы, а символами С и D – элементы V группы. В формуле Аx В1-xС индексом x определяют мольную долю соединения АВ в твердом рас- творе. Если твердые растворы существуют во всем интервале измене- ния концентраций, то x может меняться от 0 до 1. Как и в бинарных соединениях типа А3 В5, в твердых растворах не наблюдается сущест- венных отклонений от стехиометрии, поэтому они просты по меха- низму легирования, т.е. у них теми же методами, что и в бинарных соединениях, может быть получен p-n переход.

Особый интерес к твердым растворам, в частности, обусловлен возможностью плавного управления шириной запрещенной зоны по- лупроводника путем изменения их компонентного состава. Так, зави- симость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов GaxIn1-xAs или InPyAs1-y очень близка к линейной, что весьма удобно при изготовлении полупроводников с заданными спектральными ха- рактеристиками.

По мере развития технологии полупроводниковых материалов поя- вилась возможность создания в полупроводнике неоднородность со- става. Переходный слой между двумя полупроводниками с разным составом называют гетеропереходом. В гетеропереходах потенциаль- ные барьеры для электронов и дырок отличаются друг от друга по ве- личине, у этих полупроводников различна ширина запрещенной зоны. При наличии внешней разности потенциалов протекающий через гра- ницу раздела электрический ток создается носителями заряда только одного знака, например, квазиэлектронами.

Для получения гетероперехода со свойствами идеального контакта необходимо выполнить ряд условий совместимости материалов по механическим, кристаллографическим и термическим свойствам. Ре- шающим критерием при выборе материалов контактной пары являет- ся соответствие постоянных кристаллических решеток и температур- ных коэффициентов расширения. Среди полупроводников типа А3 В5 лучшими парами материалов для создания идеальных гетероперехо-


дов являются GaAs Alx Ga1-x As и GaSb Alx Ga1-x Sb. Преимущества этих гетеропар состоят в том, что величина постоянной кристалличе- ской решетки твердых растворов как у Alx Ga1-x As, так и у Alx Ga1-x Sb слабо зависит от состава и близка к постоянной кристаллической ре- шетки бинарного соединения как GaAs, так и GaSb соответственно.


 

Рис. 3.21.5. Лазер с двойной гетероструктурой на GaAs Alx Ga1-x As:

1.  n-GaAs; 2. p-Alx Ga1-x As; 3. p-GaAs;  4. n-Alx Ga1-x As;

5. n-GaAs; 6. омические (электрические) контакты; 0,2 мкм ≤ h3 ≤ 1 мкм ; h2 = h4 = 1 мкм

 

На рис. 3.21.5 приведена схема инжекционного лазера с двойной ге- тероструктурой. Область рекомбинации и электромагнитного излуче- ния сосредоточена в узкозонном активном слое p-GaAs, заключенном между двумя широкозонными эмиттерами Alx Ga1-x As. При прямой внешней разности потенциалов в такой структуре имеет место инжек- ция носителей заряда в активный слой. В результате удается достигнуть очень высокого квантового выхода и существенно снизить пороговую мощность тока, необходимую для генерации когерентного излучения. Снижение порогового тока позволяет осуществить непрерывный режим генерации даже при комнатной температуре, которую не удается реали- зовать в лазерах на гомогенных структурах с p-n переходом.

Так как толщина переходного слоя, в котором генерируется лазерное излучение, достаточно мала, то мощность лазерного излучения всегда оказывается незначительной. Так, выходная мощность инжекционного полупроводникового лазера на гетеропереходах в режиме непрерывной генерации при комнатной температуре не превышает 100 мВт.


 

 

Рис. 3.21.6. Схематический вид конструкции полупроводникового ин- жекционного лазера

 

Конструкция инжекционного лазера следующая. Кристаллу полу- проводника с линейными размерами порядка десятых долей мм при- дают форму усеченной четырехгранной пирамиды (рис. 3.21.6). Две боковые грани строго параллельны, их поверхности отполированы, и поэтому они представляют собой оптический резонатор. Для исклю- чения оптического резонанса между двумя другими гранями их ска- шивают под углом к основанию.

Основные области применения:

1.  передача информации на большие расстояния;

2.   измерение расстояний, линейных и угловых скоростей, дефор- мации поверхности и т.д. на основе использования интерференции лазерного излучения;

3.  использование в качестве стандарта частоты;

4.   изготовление логических элементов высокого быстродействия с временем быстродействия до 10-10 с для сверхбыстродействующих ЭВМ.

Первые патенты на гетеропереходы были получены В. Шокли и Г. Кремером (оба из США), которые исследовали гетеропереходы теоре- тически. В начале шестидесятых годов в Физико-техническом инсти- туте (г. Ленинград) была выпущена монография Н.Н. Губанова по теории гетеропереходов. Тогда многие полагали, что физика гетеро- переходов остается на уровне идей, что реализовать гетеропереходы не удастся, потому что на границе двух полупроводников с разным составом будет сильно искажаться кристаллическая решетка, будут накапливаться примеси, не будет одностороннего протекания носите- лей заряда через гетеропереход. Тем не менее, Ж.И. Алферов в Ленин- градском ФТИ начал исследование гетеропереходов системы GaAsGaAlAs. Оказалось, что в этой системе полупроводников в переходном


слое возникает очень мало искажений кристаллической решетки, ко- торые сильно влияют на эффективность работы приборов. На основе работ группы Ж.И. Алферова были созданы полупроводниковые лазе- ры, работающие при комнатной температуре в режиме постоянного тока, сначала в инфракрасном, а затем в видимом диапазонах длин волн. В этих полупроводниках при рекомбинации возбужденных электронно-дырочных пар энергия возбуждения передается в основ- ном квантам света, т.е. происходит излучательная рекомбинация. По- этому развитие физики и технологии гетеропереходов оказалось наи- более важным для приборов оптоэлектроники – для светодиодов, по- лупроводниковых лазеров и фотоприемников.

В начале семидесятых годов ФТИ направил Ж.И. Алферова на стажировку в США в лабораторию профессора Ника Холоньяка. Н. Холоньяк происходил из семьи, эмигрировавшей в Америку из Ук- раины в двадцатых годах, хорошо знал русский язык и был знаком с работами Ж.И. Алферова по гетеропереходам. В это время ученые из фирмы "Белл" также сделали гетеропереходы на основе арсенида гал- лия, и их работы были представлены на золотую медаль Американ- ского физического общества. Заявка попала на отзыв Н. Холоньяка, который в своем отзыве написал, что такие переходы на 2–3 года раньше были сделаны Ж.И. Алферовым. В результате золотая медаль Американского физического общества была присуждена Ж.И. Алфе- рову.

В декабре 2000 г. за разработку и практическое использование ге- теропереходов академику Ж.И. Алферову вместе с двумя американ- скими учеными Г. Кремером и Дж. Килби была присуждена Нобелев- ская премия по физике, причем Г. Кремеру – за теоретические иссле- дования в области гетеропереходов, а Дж. Килби – за разработку ме- тодики и технологии микросхем с гетеропереходом на одной пласти- не, которая называется "чипом".

 

                 Эмиссионные явления

 

В зависимости от особенностей внешних физических воздействий различают следующие виды эмиссии заряженных частиц с поверхно- сти твердого тела: термоэлектронная, термоионная, фотоэлектронная, вторичная электронная, вторичная ионная, полевая (туннельная). Во всех видах эмиссий, кроме полевой, роль внешних воздействий сво- дится к увеличению энергии у некоторого числа электронов или ионов твердого тела до значения, позволяющего преодолеть действие сил,


которое связывает их с телом, и вылететь в вакуум или в другую сре- ду, т. е. преодолеть существующий на границе раздела двух сред по- тенциальный барьер.

Для наблюдения и использования электронной эмиссии необходи- мо создать у поверхности эмиттера электрическое поле, удаляющее от вещества эмиттированные частицы. В случае полевой эмиссии внеш- нее электрическое поле на границе твердого тела создает потенциаль- ный барьер конечной толщины, благодаря чему оказывается возмож- ным преодоление барьера туннельным эффектом. Однако для возник- новения полевой эмиссии необходимо вблизи поверхности твердого тела создать сильное электрическое поле напряженностью порядка 107 В/см, в этом случае плотность тока может достигать величины поряд- ка 107 А/см2. В импульсных электрических полях еще большей вели- чины отдельные участки эмиттера (выступы, заострения) сильно разо- греваются и взрываются, в результате часть вещества эмиттера из конденсированной фазы непосредственно переходит в плотную плаз- му. Такой процесс сопровождается испусканием интенсивного элек- тронного потока – возникает взрывная электронная эмиссия.

Важнейшей эмиссионой характеристикой твердого тела является работа выхода, равная минимальной энергии, которая необходима для перемещения электрона с поверхности Ферми (с уровня Ферми) в твердом теле в вакуум, т.е. в ту точку пространства, где напряжен- ность электрического поля практически равна нулю. Согласно совре- менным представлениям, в поверхностный потенциальный барьер, на преодоление которого и совершается работа выхода, основной вклад вносят обменные и корреляционные эффекты, а также, в меньшей сте- пени, электрический двойной слой, существующий у поверхности твердого тела.

 

                      Термоэлектронная эмиссия из металлов

Опыт показывает, что все твердые тела при достаточно высокой температуре испускают электроны, число которых быстро возрастает с температурой. Это явление называется термоэлектронной эмиссией.

Рассмотрим более подробно физические основы термоэлектронной эмиссии на примере металлов. Известно, что в металлах при любой температуре всегда имеются свободные электроны с кинетической энергией, превышающей величину потенциального барьера на грани- це металл–-вакуум. Чем выше температура металла, тем больше будет в металле электронов проводимости с кинетической энергией, доста- точной для преодоления потенциального барьера на границе металл–


вакуум, тем интенсивней будет происходить эмиссия электронов (термоэлектронная эмиссия). В результате вблизи поверхности ме- талла возникает электронное облако, в котором вследствие малой концентрации свободные электроны обладают свойствами частиц идеального газа. А так как этот газ описывается статистикой Ферми– Дирака, то он называется электронным Ферми-газом (ЭФГ).

В отсутствие вблизи поверхности ускоряющего электрического поля между свободными электронами металла и электронами ЭФГ существует динамическое равновесие, согласно которому число выле- тающих из металла электронов равно числу проникающих в металл электронов ЭФГ. Наличие ускоряющего внешнего электрического по- ля приводит к некоторому увеличению потока электронов из металла. Но так как число свободных электронов в металле очень велико, то уменьшение их числа практически не сказывается на концентрации свободных электронов в металле. Если же электрическая цепь при этом замкнута, то убыль числа электронов из металла пополняется из соседних участков цепи. Поэтому полное число свободных электро- нов, а также их концентрация все время останутся неизменными.

 

v                                                               E

2                                             x                                                               x

 

 

1

                                                 v

ф                                                                                                ф

l

dn                                                             dn

de                0                                           de 0

а                                                    б

 

Рис.3.22.1. Потенциальная энергия электронов вблизи поверхности

 

На рис. 3.22.1, а схематически изображена зона проводимости, уровни полной энергии в отсутствие действия внешнего электриче- ского поля, а также распределение квазиэлектронов по энергиям в зо- не проводимости. На рис. 3.22.1, б показано изменение потенциальной энергии вблизи поверхности металла при наличии ускоряющего для


электронов напряженности электрического поля E . В этом случае вблизи поверхности металла возникает потенциальный барьер, кото- рый для различных энергий имеет различную толщину. Для простоты дальнейших рассуждений предполагается, что потенциальная яма прямоугольная. На рис. 3.22.1, а указаны возможные переходы сво- бодных электронов с уровня Ферми на один из свободных уровней полной энергии: в первом случае переход происходит в пределах ме- талла, ему соответствует энергия ε1, во втором случае переход сопро- вождается вылетом электрона с поверхности металла – ему соответст- вует энергия ε2 . Как следует из рис. 3.22.1, наибольшая концентрация электронов n имеет место вблизи уровня εф. Поэтому в наибольшем количестве поверхность металла будут покидать электроны с уровня εф. Следовательно, условие вылета электронов из металла должно оп- ределяться неравенством


e2 - m ³ A,


(3.22.1)


где A – работа выхода электрона из металла, µ – химический потенци- ал.

Согласно квантовой статистике, распределение квазиэлектронов по энергиям в металле и ЭФГ имеет вид


3  ε-µ


-1



+

 

,

 

1

 
dn = 4 p( 2 m ) 2 e k T       


(3.22.2)


de           h3                    

           

где m – эффективная масса электрона (квазиэлектрона), она принима- ется здесь постоянной; h – постоянная Планка; k – постоянная Больц- мана.

Практически у всех металлов температура плавления меньше 4000 К, поэтому у твердых тел температура всегда меньше 4000 К, kT ≤  0,25 эВ. Так как химический потенциал µ порядка единиц эВ, ε > µ , то ε - µ > kT.

Тогда для электронов ЭФГ металла можно записать:

µ

 

ε

 
3

1    -


dn = 4 p( 2 m ) 2 ek Te e 2 e


k Te ,


(3.22.3)


de          h3

причем здесь Те – термодинамическая температура ЭФГ.

Из условия экстремума функции (3.22.3) можно определить вели- чину наиболее вероятной энергии εн.в, т.е. той энергии, которая соот- ветствует наибольшей концентрации электронов в объеме ЭФГ:


   1       e0.5


- ε н.в.


- н.в.  e


k Te


= 0.


2 e0.5


k Te


 

Отсюда


    н.в.


 

eн.в.


 

= k Te . 2


С другой стороны, при выполнении неравенства ε - µ > kT функцию Ферми-Дирака можно представить в виде произведения двух множи- телей:


 e-m


-1


  m - e


 

 

 
fф =  e k T +1

 


= ek T e


k T .


Из полученного выражения следует, что в принятом приближении эта функция достаточно хорошо соответствует распределению Мак- свелла-Больцмана.

Так как полная энергия электрона в выбранной системе отсчета


e = mv2

,

2

то de = mv dv . После подстановки найденных значений энергии в


(3.22.3) получаем:


 

3

=

 
dn    4 p( 2 m ) 2

 

1


 

 

3

m 2 v2


- mv 2

e 2 k Te .


 

(3.22.4)


dv        22 h3

По определению, функция распределения частиц по скоростям имеет вид:


f (v) =


dn ,

n dv


(3.22.5)


где dn – концентрация частиц идеального газа в интервале скоростей от v до v+dv.

Тогда в ЭФГ функция распределения электронов по скоростям будет:

-  mv 2


 

где


fэфг = f0ev2e

 

8 p m3


2 k Te ,

 

  m


(3.22.6)


f0e =


nh3


ek Te ,


тогда как распределение молекул идеального газа по скоростям (рас-

пределение Максвелла) имеет вид:

 


 

 

где


fм = f0 мv2e


-                     mv 2

2 k T ,                        (3.22.7)

 

3


    m      2

f0 м = 4 p 2 p k T   .

          

Сравнивая между собой формулы (3.22.6) и (3.22.7), мы видим, что с точностью до постоянных множителей они совпадают, следователь- но, электроны объемного заряда вблизи поверхности металла облада- ют свойствами идеального газа, их распределение по скоростям сов- падает с распределением Максвелла.

При достаточно высокой температуре вблизи поверхности металла всегда существует электронное облако отрицательного заряда. Однако если вблизи поверхности возникает ускоряющее для электронов элек- трическое поле, то с его возрастанием объемный заряд постепенно будет рассасываться. Моменту исчезновения объемного заряда будет соответствовать ток насыщения, величина которого слабо зависит от величины ускоряющей напряженности электрического поля и сильно зависит от температуры катода. Зависимость тока насыщения от тем- пературы хорошо описывается формулой Ричардсона–Дэшмана:

-  A


 

где


 

B = D B0 ,


Ia = S BT 2e

 

B0 = 4 p k 2emh-3,


k T ,                          (3.22.8)

 

B0 = 1,2 ×10-6 А × ( мк)-2,


D = 1 - r, D – коэффициент прозрачности потенциального барьера на границе металл–вакуум; r – коэффициент отражения электронов от потенциального барьера; В0 – эмиссионная постоянная; S – площадь поверхности того участка металла, с которого измеряется ток насы- щения.

На рис. 3.22.2 приводится график зависимости анодного тока от величины ускоряющей разности потенциалов, на котором можно вы- делить три физически различных участка:

0 ≤ UaU1 – интервал значений Ua, в котором вблизи поверхности металла существует объемный заряд с постоянной концентрацией


электронов, в этом и только в этом интервале значений Ua выполняет- ся закон 3/2; на графике Ia = f(Ua) U1 соответствует точке перегиба;

U2UaU1 – интервал значений Ua, в котором концентрация объ- емного заряда постепенно уменьшается;

Ua > U2 – в этом интервале значений Ua объемный заряд вообще от- сутствует, этот интервал соответствует режиму насыщения.

 

Ia

 

 

 

 

 

 

 

0

 

2

 
U             U                                      U

1                                                      a

Рис. 3.22.2. Вольтамперная характеристика катода

 

Внешнее электрическое поле, проникая в металл, понижает высоту потенциального барьера на границе металл–вакуум, в результате на границе раздела возникает потенциальный барьер конечной толщины. Поэтому всегда существует определенная вероятность свободным электронам металла туннельным эффектом преодолеть возникший потенциальный барьер.

Из квантовой механики известно следующее выражение для коэф- фициента прозрачности потенциального барьера конечной толщины:

 2


 

D =

     2


4 2 

2

 
a1                      ,

    2      


(3.22.9)


 

 

где


4 a2

a1


+  a2

 
a1


-1

 


sh2(a2 l)


2 m                            2 m


 a 2 U


a2 =


(- e) ,       a2 =       e ,

 

                                                                                                           


 2  =


- 1 ,

 


2           h2


1           h2


a       e


   1

m – масса электрона, U – потенциальная энергия электрона в металле, в первом приближении ее график совпадает с дном потенциальной ямы, ε – полная энергия электрона на границе металл-вакуум.


Пусть – толщина потенциального барьера на уровне Ферми. То- гда, если отсчет энергии вести от дна потенциальной ямы, то εф=µ , µ – химический потенциал. Тогда U = A + µ, А – работа выхода электрона из металла.

Из квантовой статистики следует, что химический потенциал ЭФГ с большой точностью можно вычислить по формуле:

3

 
h2  3 n 2


 

p

 

 
m = 8 m      ,


(3.22.10)


n – концентрация электронов в ЭФГ.

Таким образом, используя экспериментальные значения тока на- сыщения при различных температурах T и Ua, можно вычислить вели- чину коэффициента прозрачности потенциального барьера для раз- личных значений полной энергии, а также толщину потенциального барьера, что другими методами определить достаточно сложно.

 

                      Полевая электронная эмиссия

Полевая (туннельная, автоэлектронная) эмиссия возникает в ре- зультате испускания твердыми телами электронов под действием сильного электрического поля у поверхности. Если внешнее электри- ческое поле достаточно велико для того, чтобы потенциальный порог на границе тела превратился в потенциальный барьер малой толщины, то становится возможным квантовомеханическое туннелирование электронов и выход их в вакуум. При этом электроны непосредствен- но после прохождения сквозь барьер имеют ту же энергию, что и внутри тела.

Токи полевой эмиссии с большой плотностью удается получать с эмиттеров, имеющих форму острия. Предельная плотность тока, еще не разрушающего острия, возрастает с увеличением угла при вершине эмитирующего конуса, так как с увеличением этого угла улучшается отвод теплоты от острия. В очень сильных электрических полях, когда плотность тока полевой эмиссии достигает величины (1012–1013) А/м2, локальные участки на поверхности острия, из которых происходит эмиссия, из-за сильного разогрева взрываются, образуя плотную плазму, расширяющуюся со скоростью порядка 104 м/с. Этот процесс сопровождается возникновением интенсивной электронной эмиссии и называется взрывной электронной эмиссией.

Взрывная эмиссия впервые была обнаружена при исследовании ва- куумного пробоя в наносекундном диапазоне длительностей импульсов высокого напряжения, а также в экспериментах по автоэлектронной


эмиссии при предельно высоких плотностях тока в микросекундном диапазоне. Открытие взрывной эмиссии было сделано в 1971 г. Авто- рами открытия являются Г.Н. Фурсей (г. Ленинград) и Г.А. Месяц (г. Новосибирск). Ими было установлено, что под действием сильного электрического поля собственный автоэмиссионный ток с автоэлек- тронного эмиттера разрушает микроучасток поверхности острия като- да. Этот процесс сопровождается резким возрастанием тока.

Ток взрывной электронной эмиссии с одиночного острия


I = 3,7 ×10-7


3

-1

 
U 2 vt (d - vt) ,


(3.22.11)


где U разность потенциалов между катодом и анодом в процессе взрывной эмиссии; d расстояние между катодом и анодом; t время от момента приложения импульса напряжения до момента взрыва, t < d/v, v

– скорость расширяющейся плазмы; [I] = A, [U] = B, [d] = м, [t] = с.

В результате взаимодействия автоэлектронов со слоем плотной плазмы вещества эмиттера вблизи поверхности острия энергетический спектр электронов при взрывной эмиссии шире, чем при автоэлек- тронной эмиссии. Источником взрывной эмиссии могут быть не толь- ко металлические, но и полупроводниковые острия, а также жидкие металлические катоды.

Так как для деионизации плазмы и образования новых микровы- ступов требуется некоторое время, то катоды со взрывной эмиссией могут работать только в режиме однократных включений или малой частоты повторения.

В настоящее время полевая эмиссия используется в электронной и ионной микроскопии (автоэлектронная, автоионная эмиссии). Взрыв- ная электронная эмиссия используется в сильноточных ускорителях электронов, в импульсных источниках рентгеновского излучения вы- сокой интенсивности, в мощных газовых лазерах, в установках для управляемого термоядерного синтеза. При этом для получения боль- ших токов применяются многоострийные катоды.

 

                      Фотоэлектронная эмиссия

Фотоэлектронная эмиссия – это эмиссия электронов с поверхности твердого или жидкого тела, возникающая в результате облучения по- верхности электромагнитным излучением.

Фотоэлектронная эмиссия впервые была обнаружена Г. Герцем в 1887 г. при изучении воздействия ультрафиолетового излучения на электрический разряд. Однако Герц не занимался систематическим исследованием обнаруженного им явления. Основные первоначаль-


ные результаты по изучению фотоэлектронной эмиссии были получе- ны прежде всего в работах А.Г. Столетова, а затем Эльстера и Гейте- ля, Ленарда и А. Эйнштейна.

А.Г. Столетовым в 1888 г. было установлено, что фототок пропорцио- нален первой степени интенсивности падающего света. Однако в даль- нейшем оказалось, что эта зависимость характерна только для слабых световых потоков. С появлением лазеров было экспериментально пока- зано, что фототок пропорционален n-ой степени интенсивности света.

В приближении однофотонных процессов основные законы фото- электронной эмиссии – следующие.

1.    Фототок в режиме насыщения прямо пропорционален потоку падающей электромагнитной волны.

2.    Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов линейно возрастает с частотой падающего излучения ν и не зависит от величи- ны падающего на поверхность потока электромагнитной волны:

m v2


    e max = h n - A, 2


(3.22.12)


где me – масса покоя электрона, А – работа выхода электрона.

Формула (3.22.12) впервые была получена А. Эйнштейном в 1905 г.

При очень больших плотностях потока электромагнитной волны (Ф > 104 Вт/м2 ) существенными становятся многофотонные процессы, когда электрон, прежде чем покинуть поверхность освещаемого твер- дого тела, в процессе движения может столкнуться не с одним, а по- следовательно с несколькими фотонами. В этом случае вместо урав- нения (3.22.12) следует записать уравнение

mev2



max = N h n - A, 2


(3.22.13)


A

 
где N – число столкновений электрона с фотонами, сопровождающи- мися поглощением фотонов. Но и в этом случае существует длинно- волновая граница фотоэффекта, однако граничная частота теперь оп- ределяется выражением


 

 

т. е. уменьшается в N раз.


n0 = N h ,


(3.22.14)


3.   Для каждого вещества существует длинноволновая граница па- дающего излучения λ0, выше которой фотоэффект не наблюдается, и, следовательно, существует соответствующая ей пороговая частота n0 .

4.  Фотоэлектронная эмиссия практически безинерционна.


Количественной характеристикой фотоэлектронной эмиссии явля- ется квантовый выход, т.е. число вылетевших электронов, приходя- щихся на один фотон, падающий на поверхность тела. Величина кван- тового выхода зависит от состояния поверхности и энергии фотонов и оказывается разной у различных тел.

Фотоэлектронная эмиссия из металлов. В случае однофотонных процессов фотоэлектронная эмиссия из металлов возникает, если энергия фотона превышает работу выхода металла. Вблизи порога фо- тоэлектронной эмиссии для большинства металлов квантовый выход имеет величину порядка 10-4 электрон/фотон. Столь малая величина квантового выхода объясняется тем, что падающий на поверхность металла поток фотонов поглощается в нем вблизи поверхности на глубине порядка 10-7 м.

Возникшие фотоэлектроны сильно взаимодействуют с электронами проводимости, быстро теряя полученную от фотонов энергию. В ре- зультате энергию, достаточную для преодоления работы выхода, со- храняют только те фотоэлектроны, которые возникли вблизи поверх- ности металлов на глубине, не превышающей 10-9м.

При n > n0 квантовый выход для всех металлов возрастает с ростом частоты колебаний в падающей электромагнитной волне. Вблизи красной границы величина фототока, как следует из опыта,


Iф = I0 × (n - n0 )2.


(3.22.15)


При анализе взаимодействия потока электромагнитных волн с ме- таллами можно выделить три области спектра частот.

1. n < τ-1, τ – время релаксации возбужденных состояний электро- нов в зоне проводимости, τ ≈ 10-13 с. В этой области металл сильно отражает падающее электромагнитное излучение, коэффициент по- глощения практически постоянный и не зависит от частоты n. Область соответствует дальнему инфракрасному и СВЧ - диапазонам частот.

2. τ-1 < n < npv ,

1

    ene      2



n p v =  2 pe m


,                   (3.22.16)


       0     e

npv – плазменная частота колебаний электронов в ЭФЖ; ne – концен- трация электронов проводимости, ε0 – электрическая постоянная.

В области 2 коэффициент отражения имеет значительную величи- ну, а коэффициент поглощения убывает с ростом частоты пропорцио- нально n2. Неравенство n > npv (npv – частота объемного плазмона) со- ответствует области ультрафиолетовой прозрачности металлов. Крас-


ная граница однофотонной фотоэлектронной эмиссии обычно нахо- дится в области, которая охватывает оптический интервал частот.

3. nnps (nps – частота поверхностного плазмона) соответствует резкому росту фототока. Величина n = nps соответствует второй крас- ной границе фотоэлектронной эмиссии.

Первая  теория  фотоэлектронной   эмиссии   была   разработана   Р. Фаулером в 1931 г. В основу теории были положены следующие допущения.

1.    Электроны в металле являются свободными, т.е. находятся в по- тенциальной яме с плоским дном.

2.    В фотоэлектронной эмиссии принимают участие электроны с энергией близкой к энергии Ферми.

3.   Коэффициент отражения на границе раздела для электронов с полной энергией больше потенциальной равен нулю и равен единице для всех электронов, находящихся в потенциальной яме.

4.  Неупругие столкновения электронов проводимости приводят к та- кой потере энергии, при которой электрон не в состоянии вылететь за пределы металла и остается в пределах потенциальной ямы.

При использовании таких предположений ЭФГ в металле можно рас- сматривать как смесь двух газов "холодного" (невозбужденного) и "го- рячего" (возбужденного). Энергетический спектр у "горячих" электронов предполагается таким же, как и у "холодных", со смещением вверх по шкале энергий на величину энергии фотона hn, что эквивалентно сниже- нию на ту же величину высоты потенциального барьера.

Выполненный расчет показал, что при Т = 0 К фототок фотоэлек- тронной эмиссии


I = 2 p eme a s (n - n

ф                       h                0


)2 ,


(3.22.17)


n > n0 ; α – относительное число горячих электронов по отношению к хо- лодным (постоянная определяется из опыта); S площадь освещаемой по- верхности металла. При Т > 0 К и n < n0 фототок ассимптотически стре- мится к нулю, и, следовательно, красная граница должна отсутствовать. Однако в случае n0n1,5 n0 уравнение (3.22.17) все-таки выполняется.

Из сравнения формул (3.22.16) и (3.22.15) следует, что теория Фау- лера хорошо соответствует опыту лишь вблизи "красной" границы спектра. Следовательно, теория Фаулера имеет ограниченную приме- нимость и недостаточное познавательное значение.


В 1964 г. В. Спайсером была предложена теория, согласно которой процесс выхода фотоэлектронов из металлов следует разделить на три последовательных процесса:

1.         поглощение фотона и появление в твердом (или жидком) теле фотоэлектрона с энергией более высокой по сравнению со средней энергией электронов проводимости;

2.           движения фотоэлектрона к поверхности, сопровождающегося рассеянием энергии;

3.      выход фотоэлектрона в другую среду через поверхность раздела. Полученное в этой теории выражение для фототока имеет весьма сложный вид и содержит несколько подгоночных параметров, значе- ния которых можно определить только из эксперимента. Наличие оп- ределяемых из опыта параметров делают теорию неудобной как для практического использования, так и для анализа физических процес-

сов в фотоэлектронной эмиссии.

Таким образом, строгая теория фотоэлектронной эмиссии до сих пор еще не создана. Но очевидно, что эта теория должна основываться на квантовомеханическом рассмотрении возбуждения фотонами элек- тронов металла с последующим использованием уравнения кинетиче- ской теории переноса, в которое следует ввести микроскопические параметры взаимодействия как фотонов с электронами проводимости, так и фотоэлектронов с электронами проводимости металла.

Фотоэлектронная эмиссия из полупроводников. В полупровод- никах фотоэлектронная эмиссия может быть вызвана возбуждением электронов из валентной зоны, с уровней примесей, из зоны проводи- мости и др. Для каждого из этих случаев пороговая частота ν имеет свое значение.

Если полупроводник собственный, то минимальная энергия кван- тов, достаточная для перехода электронов из валентной в зону прово- димости, равна ширине запрещенной зоны. Отсюда следует, что эффек- тивность фотоэлектронной эмиссии при заданной ширине запрещенной зоны ∆ε0 определяется электронным сродством c . Тогда красная гра-

ница фотоэлектронной эмиссии будет определяться из уравнения


h n0 = De0 + x.


(3.22.18)


Следовательно, в вакуум могут перейти лишь те электроны, кото- рые достигают поверхности эмиттера с энергией, достаточной для преодоления  потенциального  барьера  высотой   c .  Создание  на по-

верхности отрицательного электронного сродства позволяет сущест- венно повысить квантовый выход фотоэлектронной эмиссии. Для соз-


дания отрицательного электронного сродства используются полупро- водники р-типа, у которых при сильном легировании уровень Ферми почти совпадает с верхней границей валентной зоны.


Глава 4. ОСНОВЫ ФИЗИКИ АТОМНОГО ЯДРА

 

4.1. Элементарные частицы

 

Ядра атомов любого вещества состоят из протонов и нейтронов, имеющих единое название – нуклоны. Других частиц в составе атом- ного ядра нет.

Существующие в природе мельчайшие стабильные и метастабиль- ные частицы называются элементарными частицами. Многие из них возникают в результате взаимодействий, т.е. столкновений с другими элементарными частицами вещества.

Время взаимодействия между элементарными частицами настоль- ко мало, что не поддается точному измерению. Неточность измерения времени взаимодействия ∆t сравнима с временем жизни многих эле- ментарных частиц. Поэтому для оценки энергии взаимодействия час- тиц можно воспользоваться соотношением неопределенности ∆ε∆t >

h. Неопределенность энергии взаимодействия ∆ε должна быть всегда меньше энергии взаимодействия ε, в противном случае частица не может быть обнаружена, т.е. ε ≥ ∆ε .

С учетом соотношения неопределенности получаем

e ³  h .

Dt

Уточним физический смысл понятия элементарная частица. Пре- жде всего, в понятии "элементарная частица" в современной физике находит отражение идея о наличии в природе первичных сущностей материи, которые определяют все известные свойства материи. До начала двадцатого века считалось, что вся материя состоит из атомов. Заметим, что атом в переводе на русский язык означает неделимый. Атомы в то время считались элементарными частицами материи. Но с развитием экспериментальной техники было установлено, что атом состоит из ядра и электронной оболочки. В дальнейшем открывались все новые и новые микрочастицы (мюоны, пионы и др.), которые так- же можно было принять за элементарные частицы.

Термин элементарная частица несколько "размыт", т.е. нельзя с полной достоверностью утверждать, существуют ли в природе дейст- вительно элементарные частицы.

Сведения о внутренней структуре элементарных частиц могут быть получены только на основе анализа результата столкновений между ними, причем полная энергия столкновений должна быть та-


кой, при которой у сталкивающихся частиц начинает проявляться внутренняя структура.

Исторически первой открытой элементарной частицей был элек- трон, обнаруженный Дж. Томсоном в катодных лучах (1897 г.).  В 1919 г. Э. Резерфорд среди частиц, выбитых из атомных ядер, обна- ружил протоны. Другая частица, входящая в состав ядра, нейтрон, бы- ла открыта в 1932 г. Дж. Чедвиком. Представление о возможности существования частицы электромагнитного поля, фотона, берет свое начало с работы М. Планка (1900 г.). Развивая идею М. Планка, А. Эйнштейн (1905 г.) постулировал, что электромагнитное излучение является потоком отдельных квантов энергии, фотонов, и на основе этого объяснил некоторые особенности внешнего фотоэффекта. Пря- мые экспериментальные доказательства существования фотона были даны Р. Милликеном (1912–1915 гг.) и А. Комптоном (1922 г.).

Открытие нейтрино связано с теоретической догадкой В. Паули (1930 г.). Но экспериментальное подтверждение было дано лишь в 1953 г. работами Ф. Райнеса и К. Коуэна.

Затем в космических лучах экспериментально были обнаружены: в 1932 г. К. Андерсоном – позитрон, в 1936 г. К. Андерсоном и С. Нед- дермейером – мюон, в 1947 г. С. Пауэллом с сотрудниками – π - мезоны. В 1940–1950 гг. была обнаружена большая группа частиц с необычными свойствами, получивших название странных (К-мезоны, Λ-гипероны и др.). В 1955–1956 гг. открыты анитипротон, антиней- трон.

За время с 1960 г. по 1970 г. на ускорителях было открыто большое число крайне неустойчивых частиц, получившие название резонансов. В 1962 г. было установлено, что существуют два различных типа нейтрино: электронное и мюонное. В 1975 г. были получены первые сведения о существовании тяжелого лептона – аналога электрона и мюона, τ - мезона. Соответственно принято, что существует третий тип нейтрино – τ - мезонное. Неожиданными оказались и свойства у большинства элементарных частиц. Для их описания, помимо харак- теристик, заимствованных из классической физики, таких как элек- трический заряд, масса, момент импульса, потребовалось введение

многих новых специальных характеристик.

Ввиду неоднозначности понятия, в настоящее время термин эле- ментарная частица обычно употребляется не в точном смысле этого слова, а менее строго – для наименования большой группы мельчай- ших частиц, подчиненных условию, что они не являются атомами или атомными ядрами. Эта группа частиц необычайно обширна, в нее, в


частности, входят протон, нейтрон, лептоны, т.е. электрон, мюон и тау-мезон со своими античастицами и нейтрино, фотон, p-мезон, странные частицы, резонансы – несколько сотен частиц, в основном нестабильных. Имеются серьезные основания считать, что большин- ство элементарных частиц обладает внутренней структурой, но в то же время у таких частиц, как, например, электрон, нейтрино, внутрен- ней структуры не обнаружено.

 

                  Основные свойства элементарных частиц

Микроскопические массы и микроскопические размеры элемен- тарных частиц определяют их квантовые и волновые свойства. Харак- терную длину волны де Бройля элементарной частицы массы m мож- но вычислить по формуле:

l =   ,

mc

где h – постоянная Планка, с – скорость света в вакууме.

Вычисленная длина волны по порядку величины близка к типич- ным расстояниям, на которых осуществляется взаимодействие между этими частицами. Так, у π-мезона λ ≈ 1,4 10-15 м, т.е. по порядку вели- чины примерно равна эффективному радиусу взаимодействия π- мезона. Из этого следует, что квантовые закономерности здесь явля- ются решающими.

Наиболее важным свойством всех элементарных частиц является способность рождаться и уничтожаться, что соответствует их испус- канию и поглощению. Опыт показывает, что все процессы с элемен- тарными частицами протекают через последовательность актов их по- глощения и испускания, при этом в зависимости от особенностей взаимодействия они отличаются длительностью и интенсивностью взаимодействия.

Все взаимодействия между элементарными частицами можно раз- делить на четыре вида: сильное, электромагнитное, слабое, гравита- ционное.

Сильное взаимодействие соответствует самой сильной связи меж- ду элементарными частицами. При сильном взаимодействии процессы протекают наиболее интенсивно по сравнению с другими видами взаимодействий между элементарными частицами. Частицы, участ- вующие в сильных взаимодействиях, называются адронами. В на- стоящее время известно несколько сот их разновидностей. Существу- ют стабильные и нестабильные адроны. Стабильные адроны подраз-


деляются на мезоны (спин 1) и барионы (спин 1/2). К нестабильным адронам, в частности, относятся резонансы, нестабильные относи- тельно сильного взаимодействия элементарные частицы.

Величина сильного взаимодействия не зависит от величины и знака электрического заряда адрона. Сила взаимодействия между адронами короткодействующая, время взаимодействия между ними порядка 10-23 с. Электромагнитное взаимодействие – это взаимодействие  между элементарными частицами, осуществляемое посредством электромаг- нитного поля. Время взаимодействия порядка 10-20 с, т.е. во много раз превышает время сильного взаимодействия и, следовательно, прости- рается на большие расстояния. Электромагнитное взаимодействие значительно слабее сильного, оно определяет величину связи атомных электронов с ядром, величину связи между атомами в молекулах, а

также твердых и жидких веществах.

Слабое взаимодействие – это взаимодействие между элементар- ными частицами, которое соответствует самой слабой связи между ними по сравнению с сильным и электромагнитным. Оно вызывает медленно протекающие процессы с участием элементарных частиц. Время взаимодействия 10-19 с. Эффективный радиус взаимодействия не превышает 10-18 м, поэтому оно всегда слабее электромагнитного, которое, в свою очередь, до расстояний 10-15 м всегда слабее сильно- го. На расстояниях меньших 10-18 м слабое и электромагнитное обра- зуют единое электрослабое взаимодействие. Частицы, обладающие только слабым взаимодействием, в среднем практически не взаимо- действуют с веществом.

В гравитационном взаимодействии участвуют все без исключения элементарные частицы. Но так как массы частиц малы, то гравитаци- онные силы по сравнению с остальными на много порядков слабее, поэтому в физике элементарных частиц их обычно не учитывают. Гравитационное взаимодействие между элементарными частицами может быть существенным только на расстояниях порядка 10-35 м.

В зависимости от участия в тех или иных видах взаимодействий все изученные элементарные частицы делятся на четыре основные группы: адроны, лептоны, фотоны, бозоны*).


*) Современная классификация взаимодействий и элементарных частиц приведена в учебных пособиях по физике последних лет издания, например: Детлаф А.А., Яворский Б.М. Курс физики. 4-е изд. М.: Издательский центр

«Академия», 2003. 720 с.


Адроны обладают сильным, электромагнитным и слабым взаимо- действиями.

Лептоны обладают только электромагнитным и слабым взаимодей- ствием и образуют два семейства:

1.  электрон, мюон, τ-мезон;

2.  нейтрино (электронное, мюонное, τ-нейтрино).

Фотоны – это группа элементарных частиц, являющихся перенос- чиками электромагнитного взаимодействия большой энергии. У фо- тонов спиновое квантовое число равно 1.

Бозоны являются переносчиками слабого взаимодействия, они бы- ли обнаружены лишь в 1983 году. Бозоны – частицы с целыми спино- выми квантовыми числами 0, 1, 2, они подчиняются статистике Бозе- Эйнштейна. Бозоны могут быть двух видов: W-бозон и Z-бозон, у них спиновое квантовое число равно 1 .

Большинство адронов и все лептоны имеют свои античастицы, от- личающиеся от исходных частиц лишь противоположными знаками соответствующих зарядов, нейтрино не имеют электрического заряда, но в природе существуют нейтрино и антинейтрино.

Во всех взаимодействиях элементарных частиц выполняются за- коны сохранения энергии, импульса, момента импульса, электриче- ского и барионного зарядов, а также зарядов, имеющих иное физиче- ское происхождение, которые здесь мы не обсуждаем из-за специфики вопроса.

Барионам приписывается барионный заряд В = +1, антибарионам В = -1. Барионный заряд остальных частиц В = 0. Кроме того, сущест- вуют следующие лептонные заряды: электронный ℓe, электронного нейтрино ℓve, мюонный ℓµ, мюонного нейтрино ℓ, τ-мезонный ℓτ, τ- мезонного нейтрино .

Электрону и электронному нейтрино приписывают заряд ℓe=ℓve=1; мюону и мюонному нейтрино приписывают заряд ℓµ=ℓ=1; τ-мезону и τ-мезонному нейтрино приписывают заряд ℓτ=ℓ=1. Остальные эле- ментарные частицы лептонным зарядом не обладают.

Следует заметить, что понятия "барионный, лептонный" заряды надо понимать не в прямом смысле слова как электрический заряд, а в смысле некоторого квантового числа, с помощью которого отобража- ются определенные физические свойства элементарных частиц.

Для всех перечисленных зарядов в процессах взаимодействия вы- полняются законы сохранения для каждого из видов заряда, это зна- чит, что суммарный одноименный заряд до взаимодействия равен суммарному одноименному заряду после взаимодействия.


                  Кварковая структура адронов

В 1964 г. М. Гелл-Манном (США) и независимо от него Г. Цвей- гом (Швейцария) была выдвинута гипотеза, что все адроны состоят из каких-то фундаментальных структурных элементов материи, кварков. В дальнейшем оказалось, что модели элементарных частиц, построен- ные из кварков и антикварков, находятся в хорошем согласии с экспе- риментальными результатами. Например, рассеяние быстрых элек- тронов на нуклонах показало, что протон содержит три точечных рас- сеивающих центра: два из них с зарядами 2/3e и один с зарядом (-1/3е). Для согласования кварковой структуры некоторых элементар- ных частиц с принципом Паули понадобилось приписать кваркам до- полнительные квантовые числа, получившие название "цвет", "очаро- вание" и др. Кроме того, пришлось ввести еще один структурный эле- мент материи, с помощью которого осуществляется взаимодействие между кварками, этот структурный элемент был назван глюоном. Та- ким образом, глюоны – это посредники, переносящие взаимодействие между кварками. В зависимости от комбинаций цветов кварков вво- дятся 8 различных глюонов. Масса покоя глюона mг = 0, спин Sг= 1.

Глюоны не только осуществляют взаимодействие между кварками, но могут взаимодействовать между собой. Свойства глюонов таковы, что на больших расстояниях силы взаимодействия становятся на- столько значительными, что появление кварков в свободном состоя- нии оказывается невозможным. И наоборот, на малых расстояниях силы взаимодействия оказываются настолько незначительными, что на таких расстояниях кварки можно считать свободными частицами. Эта особенность сильного взаимодействия получила название асим- птотической свободы.

Кварковая модель не только правильно описывает свойства из- вестных элементарных частиц, но и предсказывает существование но- вых, которые действительно обнаруживаются в экспериментах.

Итак, все виды адронов состоят из кварков. Минимальное число сортов кварков 6. Кварки имеют спин 1/2, барионный заряд 1/3, дроб- ный электрический заряд, а также еще 4 квантовых числа, но для их обоснования необходимы знания, выходящие за пределы курса общей физики, поэтому их здесь мы не обсуждаем.

Барионы состоят из 3-х кварков, мезоны – из 2-х кварков.

В табл. 4.1.1 приводятся условные обозначения кварков, их элек- трический заряд и их относительные массы.


 

Обозначение кварка

Электрический заряд

m/me

u

2/3 e

9,79

d

-1/3 e

13,7

s

-1/3 e

293,5

c

2/3 e

2642

b

-1/3 e

9198

t

2/3 e

 

 

Таблица 4.1.1. Некоторые свойства кварков (e – заряд электрона; m

масса кварка, me – масса покоя электрона)

 

В табл. 4.1.2 в качестве примера приводится кварковый состав ну- клонов (протонов, нейтронов) и π-мезонов, а также относительные их массы и время жизни в свободном состоянии.

 

 

B

S

m/me

Среднее время жизни

p

uud

1

1/2

1836,2

стабилен

n

ddu

1

1/2

1838,7

918с=15,3мин

π+

ud

0

0

273,1

2,6·10-8 с

π0

2(uu - dd )

0

0

264,1

8,3·10-17 с

π-

du

0

0

273,1

2,6·10-8 с


Таблица 4.1.2. Кварковый состав нуклонов и π-мезонов ( u , d анти-

кварки; В – барионный заряд; S – спиновое квантовое число; m – масса элементарной частицы, me – масса по- коя электрона)

 

Из анализа состава элементарных частиц видно разнообразие их свойств и характеристик Резко различаются между собой их массы, времена жизни. Почти у каждой частицы имеется ее двойник- античастица, в связи с чем их число сразу же должно быть увеличено почти вдвое. Большие группы частиц объединены под названием ре- зонансы. Характерным для этих частиц является малое время жизни (~10-23с), все они рассматриваются как различные возбужденные со- стояния одной частицы, например нуклона. В табл. 4.1.3 приведены основные характеристики некоторых элементарных частиц.


 

Условные обозначения

Масса покоя МэВ

Спиновое кван- товое число

Среднее время жизни

Фотон

n

0

1

стабильны

Лептоны (= 1)

e-

0,511

1/2

стабильны

νe-

< 0,3·10-5

1/2

стабильны

µ-

105,7

1/2

2,2·10-6 с

νµ-

< 0,51

1/2

стабильны

τ-

1782

1/2

3,4·10-12 c

n τ-

< 250

1/2

?

Принятые обозначения: e- – электрон, µ- , τ- – мюоны и τ-

мезоны, n e-, n µ- – нейтрино

Мезоны (В = 0)

π+, π-

139,6

0

2,6·10-8 c

π0

135,0

1

8,31·10-17 c

K

493,7

0

1,24·10-3 c

Принятые обозначения: π – π-мезоны, K K-мезон.

Барионы (B = 1)

p

938,280

1/2

стабильны

n

939,573

1/2

918 с

Λ

1115,6

1/2

2,63·10-10 с

Принятые обозначения: p – протон, n – нейтрон, Λ – гиперон.

 

Таблица 4.1.3. Основные характеристики элементарных частиц

 

Говоря о том, что почти каждой частице соответствует своя анти- частица, необходимо остановиться на одном поразительном факте. Астрономические исследования показывают, что видимая нами Все- ленная состоит только из образующих атомы протонов, нейтронов и электронов, а не из их античастиц. Если бы во Вселенной вещество соседствовало с антивеществом, то на границе их соприкосновения происходили бы процессы аннигиляции. Однако излучений с харак- терными для этих процессов энергиями не наблюдается. Можно, ко- нечно, предположить, что скопления галактик, отделенных друг от друга громадными расстояниями, могут состоять как из вещества, так и из антивещества. Однако ни одна из космологических моделей не предложила еще такой модели развития Вселенной. Античастицы очень редко наблюдаются в приходящих из космоса лучах. Наблю-


даемое в настоящее время во Вселенной отношение числа антинукло- нов к числу нуклонов оказывается примерно равным 10-9. Указанное свойство получило название барионной асимметрии Вселенной. Эта же величина характеризует отношение среднего числа фотонов к среднему числу нуклонов во Вселенной.

 

             Строение атомного ядра

 

Ядро любого атома, кроме атома легкого водорода, состоит из двух типов частиц: Z – протонов и N – нейтронов, причем протоны имеют электрический заряд q = e > 0, а нейтроны электрическим зарядом не обладают. Обобщено эти частицы называются нуклонами. Кроме того, в ядерной физике часто используется слово нуклид. Под словом нук- лид понимается ядро атома любого химического элемента с указан- ными значениями Z и N.

В физике атомного ядра, наряду с другими единицами, за единицу массы   принята    атомная    единица    массы,    сокращенно    а.е.м.    1 а.е.м. =1,66 10-27 кг. Тогда масса протона mp = 1,67265 10-27 кг, а мас- са нейтрона mn=1,67495 10-27 кг, т.е. mn > mp.

Z

 
Общее число протонов и нейтронов в ядре A = Z + N, A массовое число. Массовое число A в основном определяет массу ядра, а также массу атома в целом. Однако химические свойства атомов все-таки определяются не числом нуклонов в ядре, а числом валентных элек- тронов в электронной оболочке атома. Полное число электронов в нейтральном атоме всегда равно порядковому номеру в периодиче- ской таблице элементов, т. е. Z зарядовому числу. Значит, число электронов в нейтральном атоме равно числу протонов в ядре. Других частиц в ядре, кроме нуклонов, нет.


Условное обозначение нуклида в основном состоянии


AX , где X


символ химического элемента. Например, нуклиды углерода и кисло- рода имеют следующие обозначения: 12C, 16O .

6           8

Атомы, ядра которых имеют одинаковые зарядовые числа Z и раз- личные массовые числа A, имеют одни и те же химические свойства и называются изотопами. Изотопы одного и того же химического эле- мента различаются друг от друга лишь по числу нейтронов в ядре. Большинство веществ с атомами одного и того же Z представляют

смесь различных изотопов. Так, углерод имеет 3 изотопа: 12C, 13C, 14C ;

6            6            6


кислород также имеет 3 изотопа:


15O, 16O, 17O . Разумеется, процент-


8            8            8


ное содержание каждого из изотопов в природе неодинаково. Так,


процентное содержание в природе изотопов


12С, 16O


наибольшее по


6            8

сравнению с другими одноименными изотопами этих элементов.

 

Z

X

%

T

 

1

1H

1

99,985

-

2 H = D

1

0,015

-

3H = T

1

-

12,26 года

 

2

3He

2

0,00013

-

4 He

2

100

-

6 He

2

-

0,81 c

 

3

6 Li

3

7,4

-

7 Li

3

92,6

-

8Li

3

-

0,84 c

9 Li

3

-

0,17 c

 

4

7 Be

4

-

53 дня

8Be

4

-

1·10-16 с

9 Be

4

100

-

10 Be

4

-

3·106 лет

Таблица 4.2.1. Изотопы и изобары некоторых легких ядер

Атомы, ядра которых имеют одни и те же массовые числа, называ- ются изобарами. Одни и те же изобары, т.е. ядра с различными Z, со- ответствуют ядрам атомов различных химических элементов.

В табл. 4.2.1 в качестве примера приводятся изотопы и изобары не- которых легких ядер, их процентное содержание в природе, а также период полураспада нестабильных ядер.

 

             Энергия связи ядра

 

Атомное ядро представляет собой систему, состоящую из A ну- клонов, удерживаемых в ядре силами связи. Если бы мы пожелали разделить эту систему на составляющие ее нуклоны, то пришлось бы


совершить работу против действия сил связи, существующих между нуклонами ядра. Величина этой работы и является мерой энергии свя- зи, мерой прочности ядра. Поэтому энергия связи является одной из важнейших характеристик атомного ядра.

Итак, между нуклонами ядра всегда действуют особые силы взаи- модействия – ядерные силы. Положительно заряженные протоны и электрически нейтральные нейтроны благодаря действию этих сил образуют чрезвычайно устойчивое образование – ядро. Устойчивость ядра означает, что между нуклонами такого ядра существует сильная связь, действуют большие силы притяжения.

Изучение этой связи в известных пределах может быть проведено без привлечения сведений об особенностях и свойствах ядерных сил. Такой подход основан на использовании закона сохранения энергии, он носит общий характер и позволяет сделать ряд важных выводов о специфике тех связей, которые удерживают нуклоны в ядре.

На основании сказанного можно дать такое определение энергии связи: энергией связи называется та энергия, которую необходимо со- общить ядру, чтобы разделить его на составляющие его нуклоны без сообщения им за пределами ядра дополнительной энергии. Эту энер- гию в дальнейшем будем обозначать εсв.

Так как на расщепление ядра необходима затрата энергии, то об- ратный процесс – процесс образования ядра (синтеза ядра) из нукло- нов – всегда должен сопровождаться выделением энергии, равной той, которую необходимо затратить на расщепление ядра на составные его части.

Итак, если ядро устойчиво, то полная энергия частиц в ядре долж- на быть меньше полной энергии, которой бы обладали нуклоны до образования ядра.

Поэтому синтез ядер из протонов и нейтронов всегда сопровождает- ся высвобождением энергии, равной энергии связи εсв, и соответствую- щим изменением эквивалентной этой энергии массы:


DM = eсв ,

c2


(4.3.1)


где εсв – полная энергия связи в расчете на все нуклоны ядра; ∆M

дефект массы:


DM = Z mp + ( A - Z ) mn - M я.


(4.3.2)


где mp – масса протона, mn – масса нейтрона, mя – масса ядра.


Заметим, что в периодической таблице элементов всегда приводит- ся масса атома, а не масса ядра, поэтому с целью удобства в практиче- ском ее применении формулу (4.3.2) можно переписать по-иному:

DM = Z mн + ( A - Z ) mn - Mа ,                   (4.3.3)

где mH – масса атома водорода, т.е. масса протона вместе с электро- ном, Ma – масса атома.

Так как всегда ∆M > 0, то при синтезе ядра из протонов и нейтро- нов выделяется энергия, пропорциональная ∆M. Разумеется, это будет верно, если данное ядро в дальнейшем находится в устойчивом (не- возбужденном) состоянии.

Сравним теперь энергию, которая высвобождается при синтезе ядер из нуклонов, с энергией, которая высвобождается при образова- нии молекул и атомов: при синтезе ядер ∆ε/ε ≤ 10-4, где ε – полная энергия ядра, при синтезе молекул ∆ε/ε < 10-10, где ε – полная энергия молекулы. Используя эти данные, можно показать, что силы взаимо- действия между атомами в молекуле примерно в 106 раз меньше сил взаимодействия между нуклонами ядра.

Найдем энергию, соответствующую 1 а.е.м. =1u, где u – углерод- ная единица массы:


6

 
1u = M (12C) /12,


eu = 1uc2 = 931×106 эВ = 931 МэВ


Поэтому, если дефект массы измерять в единицах а.е.м. , то

εсв=931 ∆М, МэВ.                             (4.3.4)

Средняя энергия связи, приходящаяся на один нуклон ядра, являет- ся важнейшей характеристикой ядра. Опыт показывает, что средняя энергия связи в расчете на один нуклон сложным образом зависит от массового числа A.

Эту зависимость приближенно проще всего изобразить графически

(рис. 4.3.1),

Из графика на рис. 4.3.1 видно, что средняя энергия связи, прихо- дящаяся на один нуклон, сначала возрастает, достигая максимального значения 8,7 МэВ, когда A ≈ 60. Последующее увеличение числа ну- клонов в ядре приводит к постепенному ослаблению связи между ну- клонами. Для тяжелых ядер (A > 200) величина <εсв>/A уменьшается до 7,5 МэВ. Заметим, что указанный график относится только к сред- ним значениям <εсв>/A. Однако в природе имеют место отклонения от приведенных   средних   значений.   Так,   если   в   ядре   содержатся 2, 8, 20, 28, 50, 82 протонов или 2, 8, 20, 28, 50, 82, 126 нейтронов, то для таких чисел нуклонов энергия связи несколько возрастает по


сравнению с соответствующей средней энергией связи. Эти числа на- зываются магическими.

 

 

 


10

8

6

4

2

 

0           50


 

 

 

 

 

100


 

 

 

 

 

150


 

 

 

 

 

200


 

 

 

 

 

250    A


 

Рис. 4.3.1. Средняя энергия связи

 

8

 

20

 

82

 
Значит, ядра, в которых одновременно содержатся магическое чис- ло протонов и магическое число нейтронов, обладают повышенной стабильностью. К ним, в частности, относятся ядра


2

 
4He,


16O,


40Ca,


208Pb,


а также некоторые другие ядра атомов.

Протоны и нейтроны в дважды магических ядрах наиболее плотно упакованы, поэтому значения <εсв>/A у дважды магических ядер больше, чем у рядом расположенных на рис. 4.3.1 ядер. Энергии от- рыва отдельных протонов и отдельных нейтронов не совпадают как между собой, так и с величиной <εсв>/A .

Из графика на рис. 4.3.1 также следует, если тяжелое ядро неус- тойчиво, то оно может распадаться на два ядра, например,

250 X ®150X +100X + Q ,

Z           Z1            Z 2                  1

при этом выделяется избыточная энергия Q1 .

Если же синтезировать ядро из более легких ядер, например,

2H +2H ® 4He + Q ,

1       1         2              2

2

 
то будет выделяться энергия Q2 = (6,0 - 0,2) МэВ = 5,8 МэВ,    где


H

 
(eсв / A)2    = 0,1 МэВ,

1


(eсв / A) 4 He = 6,0 МэВ,


причем Q1 < Q2. Поэтому


реакция синтеза ядер энергетически более выгодна по сравнению с реакцией распада ядра. Однако в настоящее время в промышленных


целях освоена лишь реакция деления тяжелых ядер, которая использу- ется в частности, на атомных электростанциях. Установки, основан- ные на синтезе ядер, продолжают разрабатываться – это термоядерные реакторы, их промышленное использование – дело будущего.

 

             Ядерные силы

 

Ядра большинства природных изотопов представляют собой очень устойчивые образования. Нейтроны и протоны в них удерживаются мощными ядерными силами притяжения. Поэтому в ядре ядерные си- лы притяжения, наряду с кулоновскими силами отталкивания между протонами, образуют устойчивую систему частиц. Интересно отме- тить, что ядерные силы между двумя протонами, между двумя ней- тронами, между протоном и нейтроном всегда одинаковы. Поэтому как протоны, так и нейтроны рассматриваются как разные состояния одной частицы – нуклона. Величина ядерных сил не зависит от нали- чия или отсутствия электрического заряда нуклона. Следовательно, ядерные силы имеют совершенно иную природу, отличающуюся от природы электромагнитных, гравитационных и других сил.

Если внимательно проанализировать различные типы ядерных ре- акций, то оказывается, что в природе не наблюдается процессов ис- чезновения нуклонов. Это эквивалентно тому, что у нуклонов сущест- вует какое-то свойство, какое-то качество, какая-то характеристика, которая в любой ядерной реакции сохраняется неизменной. Эта ха- рактеристика условно названа барионным зарядом. Стало быть, в при- роде должен выполняться закон сохранения барионного заряда. Сущ- ность закона сохранения барионного заряда состоит в том, что сумма барионных чисел до и после ядерной реакции должна оставаться не- изменной.

Протоны и нейтроны обладают барионным зарядом В = +1. Но в природе, наряду с ними, существуют нуклоны, у которых барионный заряд В = -1. К ним, в частности, относятся антипротоны, антинейтро- ны. Эти, а также другие барионы различаются между собой лишь зна- ками барионного и электрического зарядов, разумеется, если у такого бариона электрический заряд вообще существует. Поэтому в общем случае В = +1, -1, а q = 0,+e,-, где e=1,6 10-19 Кл.

Каковы же особенности ядерных сил?

1.   Прежде всего, ядерные силы – короткодействующие. К такому заключению можно прийти на основании анализа графика <εсв>/A на рис. 4.3.1.


Пусть в системе находятся A взаимодействующих между собой ну- клонов. Каждому взаимодействию соответствует своя энергия взаи- модействия, а полная энергия взаимодействия есть энергии связи. Следовательно, для оценки величины энергии связи необходимо под- считать полное число взаимодействий.

Найдем полное число взаимодействий на примере ядра, состоящего из 4-х нуклонов. В этом случае на каждый из нуклонов со стороны соседних будут действовать 3 силы. На рис. 4.4.1 изображены рас- сматриваемые 4 нуклона и указаны силы, действующие на нуклон 1 со стороны остальных трех нуклонов.


 

Рис. 4.4.1. Схема взаимодействия в ядре из 4-х нуклонов

 

Составляя равнодействующие всех сил для каждого из изображен- ных нуклонов, можно получить систему уравнений. В общем случае число таких уравнений равно массовому числу A, а число сил, входя- щих в равнодействующую всех сил для каждого нуклона, равно A - 1:

r    6r 44 7Ar-14  48r   

F= F12  + F13 + F14

r     r      r      r

F= F21 + F23 + F24 A

r     r      r      r  

F= F31 + F32 + F34

r     r      r      r

F4 = F41 + F42 + F43

 

В полученной системе уравнений всегда имеются повторяющиеся силы: F12 = F21, F13 = F31, F14 = F41 и т.д. Полное число взаимодействий будет

1 ( A - 1) A.

2

А так как каждой силе соответствует своя энергия взаимодействия, то полная энергия взаимодействий, т.е. энергия связи


eсв


= k ( A - 1) A, 2


где k – нормирующий множитель.

Энергия связи, приходящаяся на один нуклон ядра,

eсв = k ( A - 1).

A     2

Теперь обратимся к графику <εсв>/A. Из графика на рис. 4.3.1 сле- дует, что в области малых значений A наблюдается практически ли- нейная зависимость от A. Но это как раз и свидетельствует о том, что в легких ядрах каждый нуклон взаимодействует с каждым нуклоном. Однако в области больших A пропорциональность между <εсв>/A и A не имеет места. Это означает, что теперь взаимодействие нуклона с другими нуклонами охватывает лишь его ближайших соседей, взаи- модействие с удаленными нуклонами отсутствует. Следовательно, ядерные силы являются короткодействующими. Радиус действия ядерных сил весьма мал и не превышает 1,4 Ф. Для справки укажем:   1 Ф = 1 Ферми = 1×10-15 м. Кроме того, из графика на рис. 4.3.1 следует

lim < eсв  > = - k ,

A®0    A             2

что также соответствует опыту.

2.   Ядерные силы способны к насыщению, т.е. каждый нуклон мо- жет взаимодействовать только с ограниченным числом соседних ну- клонов, находящихся на расстоянии не далее, чем на 1,4 Ф. Свойство насыщения ядерных сил аналогично свойству насыщения валентных связей в химических соединениях или, допустим, в полупроводниках n-типа. Действительно, в каждой устойчивой молекуле один атом мо- жет быть связан лишь с ограниченным числом других атомов. Так, например, два атома водорода образуют устойчивую химическую связь только с одним атомом кислорода, и при этом возникает моле- кула воды H2O. Известно, что в природе существует молекула H2, но нет молекул H3. Если же к двум атомам водорода присоединить два атома кислорода, то получится неустойчивое химическое соединение H2O2. Что же касается химического соединения H2O3, то оно в природе вообще не встречается. Из этого следует, что валентные связи обла- дают свойством насыщения. Примерно то же самое имеет место и для нуклонов. Каждый нуклон наиболее прочно связан лишь с ограничен- ным числом нуклонов, расположенных на расстояниях меньше 1,4 Ф. В легких ядрах наиболее сильно связаны нуклоны в ядрах атомов


2

 
4He . И вообще, наиболее сильная связь возникает в ядрах с дважды магическими числами нуклонов – магическими числами протонов и магическими  числами  нейтронов.  В  таких  ядрах  между нуклонами

4

 
образуются  насыщенные  связи, поэтому  такие ядра являются наибо-


лее стабильными. Отсюда легко понять, почему ядро


8Be


является


неустойчивым. Связано это с тем, что ядро


8Be


как бы состоит из


4

 
двух ядер


4 He


с насыщенными связями). Это приводит к тому, что


2

 

4

 
время жизни ядер


8Be


мало (см. таблицу изотопов), у них период по-


2

 

2

 
лураспада порядка 10-16 с.


Так как в ядре


4 He


все связи насыщены, то, если к ядру


4 He


до-


3

 

2

 
бавить еще один нуклон – протон или нейтрон, возникает нестабиль-


ное ядро либо


5Li , либо


5He . Но эти ядра, первоначально возникнув,


мгновенно распадаются, они в природе и в лабораторных условиях не существуют.

2

 
У ядер с насыщенными связями энергия связи на один нуклон


наибольшая. Вот почему после ядер


4 He


возникает стабильное ядро


3

 

3

 
7 Li , а не ядро  5Li . Все это приводит нас к мысли о том, что в ядре,

как и в атоме, существуют нуклонные оболочки. Тогда у ядра атома


2

 
4 He


нуклонная оболочка оказывается полностью заполненной и


3

 
дальнейшее увеличение числа нуклонов в ядре приводит к постепен- ному заполнению новой нуклонной оболочки. Здесь застройка новой


нуклонной оболочки начинается с ядра атома


7 Li . Нечто подобное


имеет место и в атомах. Атом, у которого электронная оболочка 1s2 полностью заполнена, обладает большой инертностью к химическим реакциям. У таких атомов К-слой полностью заполнен. Таким атомом является атом He. По мере возрастания порядкового номера элемента происходит заполнение следующей электронной оболочки, и, нако- нец, когда полностью заполняются состояния 2s22p6 , то заполненным оказывается второй слой, L-слой. Это имеет место у атома Ne, он так- же инертен к химическим реакциям.

Таким образом, существование в природе ядер с повышенной энергией связи на один нуклон приводит к тому, что на эксперимен- тальном графике рис. 4.3.1 точки для ядер с заполненными нуклонны- ми оболочками будут расположены выше соответствующих средних


значений. Магические числа как раз и свидетельствуют о насыщении связей между нуклонами ядра.

3.  Знак ядерных сил зависит от расстояния между нуклонами.

Что можно сказать об особенностях сил взаимодействия? Нуклоны наиболее сильно связаны между собой, когда они находятся на рас- стоянии ≈ 0,5 Ф. При дальнейшем сближении до расстояния 0,2 Ф си- лы притяжения постепенно сменяются силами отталкивания (рис. 4.4.2). Поэтому нуклоны в ядре находятся на некотором расстоянии друг от друга. В этом состоит одно из характерных отличий ядерных сил от электромагнитных.

 

FЯ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.4.2. Силы взаимодействия между нуклонами

 

4.  Обменный характер сил притяжения

Взаимодействие между нуклонами в ядре осуществляется при по- мощи обмена особыми частицами, которые называются π-мезонами. Поэтому такое взаимодействие носит обменный характер. Здесь на- глядную картину можно представить следующим образом: если имеет место взаимодействие между двумя нуклонами, то на языке ядерной физики это означает, что эти два нуклона непрерывно обмениваются между собой другими частицами, которые без нарушения целостности ядра зарегистрировать невозможно.

Все π-мезоны, находящиеся в свободном состоянии, подразделя- ются на три группы, которые отличаются между собой электрическим зарядом, массой и временем жизни, у них барионный заряд отсутству- ет (В=0): π0, π+, π-.

Находясь в свободном состоянии, они имеют следующие свойства:

mπ± = 273,2·mе, q = ± e, τ = 2,6·10-8 c,

mπ0 = 264,2 me, q = 0 , τ = 1,9·10-16 c.


Обменное взаимодействие между двумя нуклонами ядра происхо- дит непрерывно в интервале времени ∆t = 4·10-24 с. Максимальное рас- стояние, которое за это время пролетает виртуальный π-мезон со ско- ростью, близкой к скорости света, равно = 3·108·4·10-24·1015 = 1,2 Ф. Это расстояние сравнимо с радиусом действия ядерных сил.

Если два протона, два нейтрона, протон и нейтрон обмениваются π0-мезонами, то в этом случае взаимного превращения нуклонов из одного в другой не происходит. Пусть взаимодействие осуществляет- ся при помощи π-мезонов, тогда нейтрон, испустив π-мезон, одно- временно с этим превращается в протон, а исходный протон, поглотив отрицательный π-мезон, превратится в нейтрон. Теперь допустим, взаимодействие между протоном и нейтроном осуществляется при помощи π+-мезона. Протон, испустив π+-мезон, превратится в нейтрон, при этом исходный протон, потеряв положительный заряд, также пре- вратится в нейтрон.

Итак, процесс взаимодействия между протоном и нейтроном мож- но наглядно представить таким образом: первоначально протон ис- пускает π+-мезон, π+-мезон за время 4·10-24 с поглощается нейтроном, в результате нейтрон переходит в протонное состояние. Возникший в результате поглощения нейтроном π+-мезона протон вновь испускает π+-мезон и т.д. Значит, в процессе обменного взаимодействия между разноименными нуклонами протоны испускают только π+-мезоны, нейтроны испускают только π-мезоны, а взаимодействие между од- ноименными нуклонами осуществляется в результате обмена ней- тральными π0-мезонами. Наглядная схема этих процессов приведена на рис. 4.4.3. Здесь π0, π±-мезоны являются квантами ядерного взаимо- действия, но способ обмена мезонами – виртуальный.

p +                           p -

+

p 0

p 0

+

p +                           p -

Рис. 4.4.3. Схема обмена виртуальными мезонами

 

Последовательной теорией электромагнитного взаимодействия яв- ляется квантовая электродинамика, окончательно сформировавшаяся к началу 50-х гг. ХХ века.


Согласно квантовой электродинамике, электрон непрерывно излу- чает и вновь поглощает виртуальные фотоны; электрон как бы окру- жен облаком виртуальных фотонов. Электромагнитные взаимодейст- вия электронов и других электрически заряженных частиц рассматри- ваются как результат обмена виртуальными фотонами. Виртуальные фотоны здесь являются квантами электромагнитного взаимодействия, когда при испускании фотона заряд на некоторое время занимает энергию у себя при условии ее быстрой передачи за счет поглощения этого фотона другим зарядом. Виртуальный процесс обмена фотонами с заимствованием и возвращением энергии происходит за очень ко- роткое время и не поддается измерению.

 

             Строение атомных ядер

 

Для построения теории атомного ядра необходимы детальные зна- ния особенностей ядерных сил. Однако в настоящее время у физиков нет еще достаточно точного представления об их природе и свойствах. И то, что о природе ядерных сил до сих пор было рассказано, носит скорее предварительный характер, нежели окончательный. Опреде- ленный вклад в понимание структуры и свойств атомных ядер внесло использование различных физических моделей ядер.

Как поступают в таком случае? Обычно конструируется такая мо- дель, такие представления, которые в совокупности описывают какие- то свойства реальных атомных ядер с наибольшей точностью и в то  же время вносят физические и математические упрощения в решение поставленной задачи. Любая совокупность таких упрощающих физи- ческих предположений, приводящих к физической и математической трактовке задачи о свойствах ядер, и называется моделью ядра. Мо- дель ядра является обобщением тех сведений, которыми располагает физика о свойствах атомного ядра. С этой точки зрения должно быть ясно, что никакая модель ядра не может передать всех свойств атом- ных ядер. Поэтому всякая модель имеет ограниченную применимость, в природе нет универсальных моделей. Каждую модель с успехом применяют при рассмотрении ограниченного круга ядерных процес- сов. Достоинство той или иной модели состоит в том, что она дает на- правляющие идеи для дальнейших исследований, а также возмож- ность объяснить в ядерной физике многие явления, рассматривая их при этом с единой точки зрения.


4.5.1. Модель жидкой капли

Модель жидкой капли – одна из простейших моделей атомного ядра, которая применима для тяжелых невозбужденных ядер. Модель была разработана в 1936 г. М. Борном. В основе модели лежит пред- ставление о том, что благодаря большой плотности упаковки нукло- нов в ядре и наличию сильного взаимодействия между ними столкно- вения между нуклонами происходят настолько часто, что движение отдельных нуклонов оказывается взаимосвязанным, взаимозависи- мым. Согласно этой модели, ядро представляет собой каплю заряжен- ной жидкости, поверхность которой испытывает волнообразное коле- бательной движение. Модель жидкой капли имела успех в объяснении многих характерных особенностей ядерных реакций. В 1939 г. на ос- нове этой модели Н. Бору, Д. Уилеру и независимо от них Я.И. Френ- келю (г. Ленинград) удалось объяснить деление тяжелых ядер. Успех модели был настолько значительным, что он даже несколько повлиял на дальнейшее развитие теории ядра, задержал появление других тео- рий и моделей.

В чем же состоят основные положения капельной модели ядра? Модель жидкой капли применима для ядер с большим числом нукло- нов, A >> 1. Предполагается, что между ядром и каплей жидкости имеется глубокая аналогия.

Основанием для такого заключения являются следующие факты.

1.  Плотность ядерного вещества постоянна у всех ядер и практиче- ски не зависит от размера ядра. Плотность капли жидкости также не зависит от ее размеров. Для доказательства этого утверждения прове- дем следующие наглядные рассуждения.

Если принять, что невозбужденное ядро имеет сферическую фор- му, то объем ядра должен быть пропорционален общему числу нукло- нов А:


V = 4 p R3 = DA, 3


D = const.


Плотность ядерного вещества


r = M Я /V , а его масса


M Я » m A ;


здесь М – масса ядра, m – средняя масса нуклона.

Конечно, плотность ядра несколько зависит от его размеров, от числа нуклонов в ядре, но эта зависимость слабая. С учетом этого

r = m A = m = const.

D A    D

Таким образом, плотность ядерного вещества практически не за- висит от размера ядра, она одинакова у всех ядер. То же самое имеет


92

 
место и в жидкой капле, где плотность жидкости практически не зави- сит от размеров капли. Для примера вычислим плотность ядерного вещества у изотопа ядра 238U , радиус ядра которого R = 8·10-15 м.


r = 3 m A


3 ×1,66 ×10-27 × 238

 


17         3


4

 

8 10

 
4 p R3 ,        r =


p( ×


-15 )3


= 1,84 ×10


кг/м


Мы видим, что плотность ядерного вещества столь велика, что ее даже не с чем сравнивать. Поэтому свойства ядерной материи не- обычны по сравнению со свойствами вещества макроскопических тел. Физическая причина такого различия в плотности материи макроско- пических тел и плотности ядерного вещества достаточно понятна. Она состоит в том, что ядерное вещество сосредоточено в очень малом объеме ядра, за пределами этого объема плотность материи по срав- нению с ядерной пренебрежимо мала. В макроскопических телах при определении плотности вещества мы учитываем не только полный объем всех ядер вещества, но и объем, в котором нет ядер, а присутст- вуют лишь поля различного физического происхождения; но плот- ность материи в этих полях на много порядков величины меньше ядерной. Так как объем ядер по сравнению с объемом пространства между ядрами очень мал, то и средняя плотность макроскопического вещества всегда оказывается величиной высшего порядка малости относительно плотности ядерной материи.

2.   Силы ядерного взаимодействия в какой-то степени напоминают силы межмолекулярного взаимодействия в капле жидкости. Известно, что силы межмолекулярного взаимодействия, приводящие к образо- ванию капли жидкости, обладают малым радиусом действия, они яв- ляются короткодействующими. Это означает, что каждая молекула взаимодействует не со всеми молекулами капли жидкости, а лишь с близлежащими. У молекул существует сфера молекулярного дейст- вия. Нечто подобное имеет место и в атомных ядрах: силы ядерного взаимодействия являются короткодействующими, способными к на- сыщению; поэтому каждый нуклон может взаимодействовать с огра- ниченным числом ближайших к нему нуклонов, устойчивому состоя- нию должно соответствовать определенное расстояние между нукло- нами. В результате, как и в жидкой капле, в ядре возникает поверхно- стный слой, нуклоны которого находятся в особом состоянии. Невоз- бужденное ядро в целом ряде случаев должно иметь сферическую форму, а нуклоны поверхностного слоя обладать дополнительной по- верхностной энергией, см. рис. 4.5.1.


 

 

 

Рис. 4.5.1. Схема капельной модели ядра

 

3.     В капле жидкости силы взаимодействия между молекулами очень велики по сравнению с силами взаимодействия между атомами газа. Поэтому расстояние между молекулами в капле достаточно мало, плотность упаковки очень велика, а средняя длина свободного пробега мала по сравнению с линейными размерами капли. В капельной моде- ли атомное ядро рассматривается как система сильно связанных час- тиц, поэтому вследствие плотной упаковки нуклонов в ядре средняя длина свободного пробега нуклонов также мала по сравнению с диа- метром ядра. В результате, находясь в ядре, нуклоны испытывают не- прерывные столкновения друг с другом, а их движение, в общем слу- чае, уже не является независимым. Итак, λ << R, где λ – средняя длина свободного пробега нуклона в ядре, R – радиус ядра.

4.   Нуклоны ядра связаны между собой ядерными силами взаимо- действия, но при этом нуклоны все время находятся в интенсивном движении, испытывая многочисленные столкновения между собой. Ядро может обладать лишь дискретными значениями полной энергии. В основном, устойчивом состоянии полная энергия ядра минимальна. При получении энергии извне ядро переходит в одно из возбужден- ных состояний. Но так как нуклоны сильно связаны между собой, то полученная энергия быстро перераспределяется между ними.

Возбужденное ядро, как и возбужденная капля жидкости, начинает интенсивно колебаться. Многочисленные столкновения нуклонов мо- гут в какой-то момент времени привести к сосредоточению получен- ной энергии на одном из поверхностных нуклонов. И если дополни- тельная энергия больше энергии связи, то нуклон преодолеет силу по- верхностного натяжения и вылетит за пределы ядра. Таким образом, по капельной модели выброс нуклона из ядра аналогичен испарению


молекулы из капли жидкости. Поверхностный нуклон испаряется из ядра после того, как он поглотит от других нуклонов энергию, доста- точную для преодоления силы поверхностного притяжения. Избыточ- ная энергия может сосредоточиться на одном поверхностном нуклоне потому, что число нуклонов даже в тяжелом ядре сравнительно неве- лико, поэтому с достаточно заметной вероятностью возможны флук- туации энергии, пропорциональные 1/А1/2. Чем больше нуклонов в яд- ре, тем меньше вероятность возникновения флуктуации, и наоборот. Следовательно, такое ядро должно обладать естественной радиоак- тивностью.

5.  Как в ядре, так и в капле жидкости отсутствует силовой центр. И, тем не менее, невозбужденные ядро и капля имеют сферическую фор- му. Можно считать, что действие силового центра заменяет силы по- верхностного натяжения. Сферическая форма ядра обусловлена тем, что минимальное значение энергии поверхностных нуклонов ядра бу- дет только в случае сферического ядра; у ядер, имеющих форму, от- личную от сферической, поверхностная энергия будет значительно большей величины.

Отметим теперь те различия, которые существуют между свойст- вами капли жидкости и свойствами реального ядра.

1. Силы молекулярного взаимодействия имеют электромагнитное происхождение. Ядерные силы – это особый, специфический вид сил, они не могут быть сведены к электромагнитным силам, хотя бы пото- му, что у них разные механизмы взаимодействия. Ядерные силы су- щественно отличаются от электромагнитных по зависимости силы взаимодействия от расстояния между нуклонами и некоторыми дру- гими признаками.

2. Движение составных частей капли жидкости может быть описа- но методами классической физики в рамках представлений динамики сплошных сред. Движение нуклонов в ядре вследствие их сравнитель- ной малочисленности всегда имеет квантовый характер и не может быть описано законами классической физики.

 

             Формула Вейцзеккера

 

Важнейшее достижение капельной модели ядра заключается в том, что на основе сравнения с опытом удалось получить формулу для энергии связи нуклонов в тяжелых ядрах, которая хорошо соответст- вует эксперименту:


2

eсв = a1A - a2 A3 - a3Z 2A


- 1

3 - a4 ( A - 2Z )2 A-1 + a5 A


- 3

4 × d (4.6.1)


В настоящее время приняты следующие значения постоянных a1 - a5 :

a1 =14МэВ; a2 =13МэВ; a3 = 0,584МэВ; a4 =19МэВ; a5 =33,5 МэВ;


+ 1


Z , N - четные,


 
d =  0


А - нечетное,


 
-1


Z , N - нечетные.


Формула (4.6.1) впервые была получена Вейцзеккером и дает пра- вильные значения энергии связи более чем для 100 тяжелых ядер, что делает формулу достаточно универсальной и очень ценной при анали- зе свойств тяжелых ядер. Однако она не применима к легким ядрам и к ядрам с магическими числами нуклонов.

Тогда масса ядра с учетом энергии связи, вычисленной по формуле

(4.6.1),


M Я = Z × mp


+  N × mn


-  eсв

с2


(4.6.2)


где mp , mn – соответственно массы протона и нейтрона. Отметим, что


формула (4.6.1) не применима к ядрам с массовыми числами


A < 100 .


Рассмотрим физический смысл каждого из слагаемых формулы

(4.6.1).

Первое слагаемое в формуле (4.6.1) учитывает объемную состав- ляющую энергии связи. Его происхождение связано с эффектом насы- щения ядерных сил, согласно которому каждый нуклон может взаимо- действовать лишь с ограниченным числом близлежащих нуклонов ядра. Поэтому при достаточно большом числе нуклонов не все нуклоны вступают во взаимодействие друг с другом, поле ядерных сил одного нуклона не охватывает наиболее удаленные нуклоны. В результате в ядрах с большим числом нуклонов при изменении числа нуклонов пол- ная энергия связи всех нуклонов ядра возрастает пропорционально мас- совому числу A .

Второе слагаемое в формуле (4.6.1) учитывает влияние силы по- верхностного натяжения на энергию связи в ядре. Действительно, можно показать, что нуклоны поверхностного слоя ядра в результате притяжения со стороны остальных нуклонов обладают дополнитель- ной энергией, т. е. поверхностной энергией связи, пропорциональной площади поверхности ядра:

e     = D S = D 4p × R2 ,

пов             1                 1


 

где R – радиус ядра, Отсюда


1

R = D2 A3 , D1 , D2 – постоянные коэффициенты.

 

2

eпов = a2 A3 .


Третье слагаемое учитывает силы кулоновского отталкивания ме- жду протонами. Оказывается, полная энергия кулоновского отталки- вания протонов обратно пропорциональна радиусу ядра R и пропор-

циональна квадрату его электрического заряда (Z × e)2 :

- 1

eк = a3Z 2A 3 .

Четвертое слагаемое называется энергией симметрии. Физическая причина ее возникновения полностью не ясна. По-видимому, возник- новение энергии симметрии связано с различной кварковой структу- рой протонов и нейтронов. Из опыта следует, что

eсим = a4 ( A - 2Z )2 A-1.

Пятое слагаемое не может быть объяснено в рамках капельной мо- дели ядра. Но опыт показывает, что энергия связи максимальна для четно-четных ядер, минимальна для нечетно-нечетных и принимает промежуточные значения для остальных ядер. Если предположить, что в ядре протоны объединяются парами, нейтроны объединяются парами, то для четно-четных ядер энергия спаривания будет положи- тельна, для нечетно-нечетных ядер отрицательна, а для ядер только с нечетными значениями массовых чисел A энергия спаривания при- нимает промежуточные значения.

Капельная модель ядра позволяет вычислить массу различных тя-


желых ядер, объяснить явления a -

ну деления тяжелых ядер.


и b –распада, физическую причи-


На основе капельной модели ядра можно получить качественное представление об общей структуре распределения уровней полных энергий в ядре. Но капельная модель не позволяет рассчитать возбуж- денные состояния ядра. Попытка согласовать частоту колебаний волн на поверхности капли ядерной жидкости с соответствующими уров- нями полной энергии нуклонов в ядре не привела к успеху.

Особенностью капельной модели является хаотичность движения нуклонов в ядре. Это проявляется в том, что в процессе движения ну- клоны ядра непрерывно сталкиваются и обмениваются энергией меж- ду собой, поэтому нуклоны не могут длительное время находиться в


определенном состоянии. Перераспределение энергии при таких столкновениях может в редких случаях привести к передаче какому-то нуклону дополнительной энергии весьма значительной величины. Ес- ли это произошло вдали от поверхности, то последующие столкнове- ния приведут к новому перераспределению энергии, результатом ко- торого является потеря нуклоном избыточной энергии. Если же это произошло с одним из нуклонов поверхностного слоя, то всегда суще- ствует определенная вероятность такому нуклону покинуть ядро, т.е. "испариться".

В качестве примера использования формулы Вейцзеккера вычис-


лим наименьший заряд ядра Z с массовым числом


A = 103 , который


может иметь один из природных изобаров с таким массовым числом.


Так как число нуклонов в ядре A – нечетное, то


d = 0 . Запишем


два уравнения для одного и того же значения полной энергии связи в ядре:


2

eсв = a1A - a2 A3 - a3Z 2A


- 1

3 - a4 ( A - 2Z )2 A-1 ;


eсв = (Zmp + ( A - Z )mn - M я (z))c2.

Левые части уравнений одинаковы, поэтому их можно объединить, записав:

a A - a A3 - a Z 2 A 3 - a ( A - 2Z )2 A-1 =

 

Zm

 

+  ( A - Z )m

 

-  M

 

(z) c2.

 
2                          - 1                                                            (                        )

1               2                   3                             4                                                         p                                  n               я

Для определения наименьшего заряда ядра используем условие экстремума:


dM я (Z )

 


= 0 .


 

 

Тогда


    dZ


Z = Z min


- 2a3Zmin A-1 + a44( A - 2Zmin ) A-1 = (mp - mn )c2.

Отсюда после подстановки соответствующих значений получаем

45

 
Z = 44,8 » 45 , что соответствует ядру родия 103Rh .

 

             Мезонная теория ядерных сил

 

Пусть в пространстве находится точечный электрический заряд.

Потенциал электрического поля, созданного таким зарядом, будет

j = q . 4pe0e r


Полученный результат носит общий характер, он будет иметь ме- сто и для потенциальных полей иной физической природы. Следова- тельно, каждому полю должен соответствовать свой заряд, носитель этого поля.

В 1935 г. для объяснения особенностей действия ядерных сил со- ветский ученый академик И.Е. Тамм высказал предположение, что силы притяжения между нуклонами ядра можно объяснить наличием обменного взаимодействия с помощью электронов. Эта гипотеза в ка- кой-то мере аналогична гипотезе об обменном взаимодействии между ионами металла, приводящая к образованию металлической связи. Однако проведенный расчет не подтвердил количественного соответ- ствия теории опыту. Но соответствующая статья была опубликована, о ней узнала научная общественность как у нас в стране, так и за ее рубежом.

В 1936 г. японский физик Юкава, используя результаты работы И.Е. Тамма, для объяснения природы ядерных сил ввел в рассмотре- ние неизвестную пока в науке частицу p -мезон. При этом он предпо- ложил, что поле ядерных сил также потенциально. Каждый нуклон обладает барионным зарядом B , создающим в окружающем про- странстве поле ядерных сил. С помощью p - мезонов и осуществляет- ся обменное взаимодействие между ближайшими нуклонами ядра. Таким образом, барионный заряд B в ядерном взаимодействии явля- ется аналогом электрического заряда q в электромагнитном взаимо-

действии. Но так как движение p -мезонов в ядре всегда релятивист- ское, то для его описания необходимо теперь составить релятивист- ское уравнение движения.

Известно, что формула для полной энергии релятивистской части- цы впервые была предложена австрийским физиком Хазенхергеном (см. Реферативный журнал 18. Физика. 1998, №12, стр. 1-2, 12 А8). В дальнейшем эта формула была использована Эйнштейном, но без со- ответствующей ссылки на первого автора.

Итак, полная энергия p -мезона

e = mc2 .                                  (4.7.1)

Импульс p -мезона

p = mv .                                  (4.7.2)

Подставим значение массы p -мезона из (4.7.2) в (4.7.1):

a 2 = 2ma e   или   e v = pc .                      (4.7.3)

                                                         

1             h2                 c


Так как масса движущегося p -мезона определяется по формуле Лоренца, то после подстановки значения массы


1

 
m =        m0


(4.7.4)


 

     v 2  2


 

 
1-  


 

в (4.7.1) получаем


      c  


e2 - e


2 v 2

c


= (m0c


2 )2.


(4.7.5)


   


В формуле (4.7.5)


m0 – масса покоя частицы. Далее, в (4.7.5) под-


2 v 2


ставим значение e  из формулы (4.7.3):


c


e2 = ( pc)2 + (m c2 )2.


(4.7.6)


0

 
Запишем правую часть уравнения (4.7.6) в операторной форме:

Fˆ  = (rˆ  2 )2 + (m c2 )2 = -(hÑc2 )2 + (m c2)2 ,


 

где


pc           0


0

 

 

ˆ

 
r

p = i.


По определению потенциал p -мезона в поле ядерных сил

jp  = Up ,

m0


где


Up – потенциальная энергия p -мезона в поле сил одного из ну-


клонов ядра. Отсюда


Fˆ j


=  - (hc2Ñ)2 + (m c2 )2 j  .


p                         0               p

а так как у  p -мезонов барионный заряд отсутствует, то Fˆ jp  = 0

- (hc2Ñ)2 + (m c2)2 j   = 0


 

или


                    0              p

 

        m c2 2 


Ñ2 -    0        


jp = 0 .


 

 
             h     

                    


 

Обозначим


h    = R m0c2


– радиус действия ядерных сил, тогда


Ñ2 - 1 j

 


= 0  или j¢  + 2 j¢  -  j

 


= 0 .       (4.7.7)


 

 
        R2 p


p r p R2 p


Решением уравнения (4.7.7) является

j  = A exp r  ,                          (4.7.8)


p      r       R

   

где A – постоянная интегрирования. Следовательно, масса p -мезона


m   =   h   .                                   (4.7.9)

0 Rc2

Из (4.7.6) и (4.7.8) находим силу, действующую на нуклон со сто- роны p -мезона (силу ядерного взаимодействия):


dU                  1


1  r


Fя = - p = -m0A-          +


e R ,


dr

mA    1


   r 2

1  r


rR


(4.7.10)


Fя =


-

r      r


+        e R .

R


Здесь возможны три случая:


1.         r = R ,

2.         r < R ,

3.         r > R ,


Fя = 0 ,

Fя > 0 , (сила отталкивания),

Fя < 0 , (сила притяжения).


Если в (4.7.9) положить


R = 1,4 Ф , то масса виртуального p -мезона


m0 = 275,6 × me . Эксперимент дает следующий результат:


mp±  = 273,2 m ,

mp0  = 264,2 me ,

где me – масса покоя электрона.


t = 2,6 ×10-8 c

t = 1,6 ×10-16 c


, q = ±e ;

, q = 0 ,


Следовательно, на расстоянии r < R


между нуклонами ядра проис-


p

 
ходит обмен p± - мезонами, ибо, согласно (4.7.9), чем больше m ± , тем


меньше радиус ядерного взаимодействия R . На расстояниях


r > R


обмен между нуклонами происходит преимущественно


p0 - мезонами,


у которых


mp0  < mp± . Как следствие этого, радиус действия ядерных


сил увеличивается.


В заключение отметим основные особенности мезонной теории ядерного взаимодействия.

Достоинства теории:

1.    объясняет физическую причину наличия короткодействия ядерных сил, а также знакопеременность действия ядерных сил;

2.    объясняет причину независимости действия ядерных сил от вели- чины и знака электрического заряда;

3.    достаточно проста и наглядна. Недостатки теории:

1.           не объясняет физическую причину возникновения сил отталкива- ния между нуклонами на расстояниях, меньших 0,2Ф;

2.           не объясняет физическую причину насыщения ядерных сил;

3.           не учитывает влияние спина нуклона на особенности взаимодейст- вия между ними.

За создание теории ядерного взаимодействия Юкава в 1949 г. по- лучил Нобелевскую премию.

 

             Модель ядерных оболочек

 

Модель ядерных оболочек применима для неколлективных невоз- бужденных ядер с любым числом нуклонов в ядре. Она хорошо объ- ясняет:

1.  физический смысл магических чисел нуклонов в ядре,

2.  эффект насыщения ядерных сил,

3.  особенности заполнения нуклонных оболочек в ядре,

4.  физическую причину стабильности ядер.

В этой модели используются следующие предположения.

1.  Каждый нуклон находится в самосогласованном поле ближайших нуклонов ядра.

2.  Нуклоны ядра участвуют в орбитальном движении вокруг центра ядра, несмотря на отсутствие в нем силового центра. Действие не существующего в ядре силового центра заменяют силы поверхно- стного натяжения.

3.  Энергия нуклонов в ядре дискретна, т.е. она квантуется.

4.  Каждый нуклон имеет орбитальный и собственный моменты им- пульсов, а также собственный магнитный момент. Заметим, нали- чие собственного магнитного момента у нейтрона можно объяс- нить неравномерным по объему распределением электрического заряда. Это связано с тем, что нейтрон состоит из трех кварков, пространственно по-разному расположенных в нем.


5.  Между соседними нуклонами существует спин-орбитальное взаи- модействие.

6.  Нуклон представляем в виде тороида, вращающегося вокруг оси симметрии с большой угловой скоростью.

Из мезонной теории ядерных сил следует, что ядерные силы явля- ются короткодействующими, они обладают свойством насыщения. Поэтому каждый нуклон может взаимодействовать лишь с ограничен- ным числом нуклонов ядра, с несколькими соседними нуклонами. Так как все нуклоны находятся в непрерывном движении, то каждый ну- клон относительно соседнего нуклона будет перемещаться с мгновен- ной скоростью u , поэтому относительно мгновенного центра ядра он

будет  обладать  мгновенным  орбитальным  моментом  импульса  Ll и

собственным моментом импульса Ls . Кроме того, нуклон как  система


кварков должен обладать собственным магнитным моментом


pms и


при орбитальном движении будет создавать соответствующее магнит-


ное поле


Bl . В результате каждый из нуклонов ядра будет обладать


энергией спин-орбитального взаимодействие, физическая причина возникновения которого была разъяснена ранее на примере объясне- ния происхождения энергии спин-орбитального взаимодействия ва- лентного электрона атома. Сказанное в равной степени относится как к протону, так и к нейтрону.

Как было показано ранее, энергия спин-орбитального взаимодейст- вия у каждого нуклона ядра определяется выражением


DW = - r × B .


(4.8.1)


pms        l

Собственный магнитный момент нуклона

r

pms = -2gLs .

Магнитное поле, созданное нуклоном в результате орбитального движения всех нуклонов ядра,

r       m r          r


B» 2pr3 pml  = g pml

Орбитальный магнитный момент нуклона

r

pml  = -gLl ,


где


g = e ,

m


Ls – собственный момент импульса,


Ll – орбитальный мо-


мент импульса, g – гиромагнитное отношение нуклона.

После подстановки найденных значений в (4.8.1) получаем:


DW = -2g 2g Ls Ll .                         (4.8.2)


Теперь найдем скалярное произведение векторов полный момент импульса нуклона

Lj = Ll + Ls ,


Ll × Ls . Так как


то

L2 = L × L


= L2 = L2 + 2L L


+  L2


или


j              j          j              j

 

r r     1    2

 


l                 l   s            s

 

 

2           2


Ll Ls = 2 (Lj - Ll - Ls ),

где j – внутреннее квантовое число.


(4.8.3)


l

 

s

 
Полный, орбитальный и собственный моменты импульсов по од- ному и тому же закону зависят от соответствующих квантовых чисел:


j

 
L2 = h2 j( j + 1) ,


L2 = h2l(l + 1) ,


L2 = h2s(s + 1) .


(4.8.4)


После подстановки значений (4.8.4) в (4.8.3) получаем:


r × r = h( j( j + 1) - l(l + 1) - s(s + 1)).             (4.8.5)

Le   Ls     2

В общем случае внутреннее квантовое число

j = l ± s = l ± 1 .

2

Подставим в формулу (4.8.2) следующие значения внутренних квантовых чисел:


 

 

Тогда


= l + 1 .

1                   2


DW = g 2h2g(l + 1 )(l + 3) - l(l + 1) - 1 × 3  = g 2h2gl .



1                                           2

 
2                                          2


2  2


Обозначим


DW0 = g 2h2g


1

 
DW = l × D


W0 .                           (4.8.6)


 

Далее при


     2

 

j   = l - 1

2                  2


DW    = g 2h2g(l - 1 )(l + 1 ) - l(l + 1) + 1 × 1  = -lDW



1                          

- 2                                2        2


(  )         0

2    2


 

D1  = -lDW0 .                            (4.8.7)

-

2

l

j

D W 1

±

2

D W 0

 

T

0

± 1 2

0

s1

2

 

1

± 1 2 ,

3 2

 

1, - 1

p1 , p3

2          2

2

3 2 ,

5 2

2, - 2

d 3 , d 5

2         2

3

5 2 ,

7 2

3, - 3

f 5 , f 7

2         2

 

Таблица 4.8.1. Энергии спин-орбитального взаимодействия для раз- личных значений орбитальных квантовых чисел

 

В табл. 4.8.1 приведены относительные значения энергии спин-


орбитального взаимодействия


DW 1

±


для различных значений орби-


2

тальных квантовых чисел и соответствующие обозначения термов ну- клонов в ядре.

Из табл. 4.8.1 видно, что каждый терм расщепляется на два, причем


величина относительного расщепления


D W ± 1

2


равна квантовому числу


D W 0

l; чем больше l, тем больше будет величина расщепления.

В модели ядерных оболочек последовательное заполнение состоя- ний нуклонами происходит по воображаемым нуклонным оболочкам. В заполненной оболочке нуклоны наиболее прочно связаны между собой. Всего в ядре может быть не более 7 нуклонных оболочек, каж- дая из них характеризуется определенным набором термов. В табл.

4.8.2 приводятся первые пять ядерных оболочек, а также число нукло-


нов, заполняющих каждую из них, и магические числа нуклонов для каждой из оболочек. Цифры 1 и 2 перед термами обозначают номера уровней.

При наличии в ядре полностью заполненных одной или нескольких нуклонных оболочек ядро оказывается особенно устойчивым, а следо- вательно более стабильным относительно радиоактивного распада, у таких ядер энергия связи является наибольшей по сравнению с энер- гией связи у ядер с незаполненными нуклонными оболочками.

 

№ обо-

лочки

 

T

N j

N

I

1s1

2

2

2

II

1p3 ,1p1

2             2

4 + 2 = 6

2 + 6 = 8

III

1d 5 ,1d 3 , 2s1

2            2              2

6 + 4 + 2 = 12

2 + 6 + 12 = 20

IV

1 f 7

2

8

20 + 8 = 28

V

1 f 5 , 2 p3 , 2 p1 ,1g 9

                                                                      

2             2              2              2

6 + 4 + 2 + 10 = 22

28 + 22 = 50

 

Таблица 4.8.2. Конфигурация первых пяти ядерных оболочек ( T – ус- ловное обозначение терма с указанием внутреннего


квантового числа;


N j – число нуклонов в заполнен-


ной нуклонной оболочке; N – магическое число ну- клонов в ядре)

 

Модель ядерных оболочек позволяет выявить существующие в природе стабильные ядра. Если за наиболее вероятное значение маги- ческого числа в VII протонной оболочке принять Z = 126 , а в VIII ней-


тронной оболочке


N = 240 , то, по-видимому, ядра с указанными чис-


лами нуклонов


366

126


должны обладать повышенной стабильностью и


X

 

Pb

 
необычными физическими свойствами. Опыт показывает, что после


изотопа


208

82


все более тяжелые изотопы, полученные искусствен-


ным путем, являются нестабильными, у них с увеличением массового


числа A период полураспада постепенно уменьшается. Тогда по мере


приближения к изотопам с массовыми числами


A = 366


должен уве-


103

 
личиваться период полураспада. Однако изотопы с указанными мас- совыми числами в настоящее время получить весьма проблематично. Один из таких "островков" стабильности в слабом его проявлении на- блюдается у трансуранового элемента 260Lr , что видно из табл. 4.8.3.

 

AX

Z

254Es

99

257Fm

100

258Md

101

259No

102

260Lr

103

261Ku

104

262 Ns

105

T1

2

1,3

года

100

дней

56

дней

58 мин

90

дней

65 с

34 с

Таблица 4.8.3. Стабильность некоторых изотопов

 

Остановимся вкратце на предсказаниях модели ядерных оболочек относительно возможных спинов четно-четных ядер в основном со- стоянии. При застройке оболочек нуклоны объединяются в пары с противоположной ориентацией их собственных моментов импульса

Ls . Поэтому основное состояние всех ядер с четным числом протонов и четным числом нейтронов не должно иметь результирующего соб- ственного момента импульса, отличного от нуля. Это полностью соот- ветствует опыту. Отсюда получается, что собственный момент им- пульса, собственный магнитный момент у таких ядер отсутствует. Как следует из опыта, ядра, состоящие из четно-нечетных или нечетно- четных протонов и нейтронов, имеют суммарное спиновое квантовое число


j = N + 1 ,

2


N £ 6 .


Таким образом, спиновое квантовое число ядра j в основном со-


стоянии либо кратно


1 , либо равно 0 .

2


Область применения модели ядерных оболочек ограничена описа- нием ядер, находящихся в основном или слабо возбужденном состоя- ниях. Нами довольно подробно рассмотрены две модели ядра. Но су- ществуют и другие модели ядра, например, обобщенная модель ядра, которая дает правильное описание свойств некоторых ядер. В этой модели предполагается, что нечетный нуклон движется в поле акси- альной симметрии, образованной всеми нуклонами остова. В какой-то


степени эта модель напоминает атом щелочноземельного элемента. Более подробное изложение этой и других моделей ядра (модель пар- ных корреляций, статистическая модель и др.) выходит за пределы курса общей физики высшей школы.

 

             Направленность радиоактивных превращений

 

Из опыта известно, что в природе совершенно не встречаются ядра атомов, состоящие только из протонов, кроме ядра H , или только из нейтронов, хотя неоднократно подчеркивалось, что ядерные силы


притяжения между же здесь дело?


p-p, n-n,


p-n


совершенно одинаковы. Так в чем


Опыт показывает, что свободных нейтронов в природе не сущест-

вует: раз возникнув, они через некоторое время распадаются. Таким образом, свободный нейтрон является радиоактивной частицей и, сле- довательно, имеет ограниченное время жизни. Иными словами, энер- гетический уровень свободного нейтрона всегда располагается выше энергетического уровня свободного протона, поэтому реакция распада свободного нейтрона всегда идет с выделением энергии Q :


n = p+  0e+ 0v~


+  Q ,


-1        0   e


Q = 0,79 МэВ ,


Tn = 11,7 мин ,


Tp = ¥ , Tn


и Tp – соответственно время


жизни нейтрона и протона в свободном состоянии.

Переход нейтрона в протон сопровождается испусканием электро- на и электронного антинейтрино, их появление вызвано тем, что при переходе нуклона из нейтронного в протонное состояние должны вы- полняться законы сохранения электрического, барионного и лептон- ного зарядов, а также закон сохранения энергии. В самом деле, если нуклон перешел из нейтронного состояния в протонное, то у нуклона в протонном состоянии возникает положительный заряд, и для его компенсации необходимо, чтобы в процессе распада появилась части- ца, компенсирующая этот заряд. Такой частицей является электрон. Но электрон принадлежит к классу лептонов, он, кроме электрическо- го заряда, имеет еще лептонный заряд. Для компенсации положитель- ного лептонного заряда электрона должна возникнуть частица с отри- цательным лептонным зарядом. Такой частицей является электронное

антинейтрино   0v~ .  На  рис.  4.9.1  представлена  схема  радиоактивного

0 e

распада свободного нейтрона.



n

 

 

Рис. 4.9.1. Схема радиоактивного распада свободного нейтрона

 

Рассмотрим особенности заполнения уровней полных энергий про- тонами и нейтронами в ядре, используя модель ядерных оболочек. В этой модели предполагается независимое друг от друга движение ну- клонов в потенциальной яме самосогласованного поля ядра, потенци- ал поля не вычисляется, а подбирается и зависит от расстояния до центра ядра. Потенциал подбирается таким, чтобы имело место наи- лучшее согласие с опытом. В соответствии с моделью ядерных оболо- чек на рис. 4.9.2 приведена эмпирическая последовательность распо- ложения нуклонных уровней в ядре без учета электромагнитного взаимодействия между протонами.

Изображенные на рис. 4.9.2 уровни полной энергии нуклонов яв- ляются вырожденными. Кратность вырождения N определяется зна- чениями квантового числа

j = l + s ,

где l , s – орбитальное и спиновое квантовые числа, и вычисляется по формуле

N = 2 j + 1 .

Так как при построении уровней электромагнитное взаимодействие между протонами не учитывалось, то протонные и нейтронные уровни изображены совпадающими.

В табл. 4.9.1 приводится распределение нуклонов в стабильных яд- рах по состояниям, в том числе и в ядрах с магическими числами 2, 8, 20, 28, 50, в модели ядерных оболочек с учетом изменения энергии протонов из-за их электромагнитных взаимодействий. В результате при большом числе протонов протонные уровни должны располагать- ся выше соответствующих нейтронных. При малом числе протонов кулоновские силы отталкивания незначительно увеличивают полную энергию взаимодействия. Однако при возрастании числа протонов с


Z > 20


кулоновские силы начинают играть все более заметную роль,


и компенсация расталкивающего действия кулоновских сил теперь происходит за счет увеличения дополнительного числа нейтронов и, следовательно, увеличения сил ядерного притяжения. Стало быть, в


стабильных ядрах,


Z > 20 , как правило, число нейтронов всегда


должно быть больше числа протонов. Содержание табл. 4.9.1 под- тверждает указанный вывод.

 


Nm

126 1i

3 p


11 2


                            1 2          13 2


 

2 f

 

1h                      


                                3 2

5 2

7 2

9 2


82 3s

2d


1 2     3 2


 

11 2


                                           5 2

7 2

1g                                                                   1 2

5 2

 
2 p                                                                     9 2

1 f                                                                   3 2

28

7 2

20                                                                       3 2

1d                                       

2s                                                               1 2 5 2

8                                                                     1 2

1 p


2                                                                         

1s


      3          2 1 2


Рис. 4.9.2. Расположение нуклоных уровней в ядре ( e – полная энер-


гия ядерного взаимодействия между нуклонами, гические числа нуклонов в ядре)


Nm – ма-


Nm

AX

Z

Np

Nn

 

1H

1

1s1

2

-

 

2 H

1

1s1

2

1s1

2

 

 

3He 2

2 ´ (1s1 )

2

1s 1

2

2

 

4He 2

2 ´ (1s1 )

2

2 ´ (1s1 )

2

 

6Li

3

2 ´ (1s1 ),1p3

2                 2

2 ´ (1s1 ),1p3

2                2

 

7Li

3

2 ´ (1s1 ),1p3

2                 2

2 ´ (1s1 ), 2 ´ (1p3 )

2                            2

 

9Be

4

2 ´ (1s1  ), 2 ´ (1p3 )

2                             2

2 ´ (1s1  ) , 3´ (1p3  )

2                            2

 

10B

5

2 ´(1s1 ) ,3´(1p3 )

2                           2

2 ´ (1s1  ) ,3´ (1p3  )

2                            2

 

11B

5

2 ´(1s1 ) ,3´(1p3 )

2                           2

2 ´ (1s1  ) , 4 ´ (1p3  )

2                            2

 

12C

6

2 ´ (1s1 ), 4 ´ (1p3 )

2                           2

2 ´ (1s1  ) , 4 ´ (1p3  )

2                            2

 

13C

6

2 ´ (1s1 ), 4 ´ (1p3 )

2                           2

2 ´(1s1 ), 4´(1p3 ),1p1

2                           2                2

 

14N

7

2 ´ (1s1 ), 4 ´ (1p3 ),1p1

2                           2                2

2 ´(1s1 ), 4´(1p3 ),1p1

2                           2                2

 

15N

7

2 ´ (1s1 ), 4 ´ (1p3 ),1p1

2                           2                2

2 ´ (1s1 ) , 4 ´ (1p3 ) , 2 ´ (1p1 )

2                          2                          2

 

8

16O

8

2 ´ (1s1  ) , 4 ´ (1p3  ) , 2 ´ (1p1 )

2                        2                       2

2 ´(1s1 ) , 4 ´ (1p3 ) , 2 ´(1p1 )

2                          2                          2

17O

8

2 ´(1s1 ), 4 ´(1p3 ) , 2 ´(1p1 )

2                         2                         2

2 ´ (1s1 ), 4 ´ (1p3 ) , 2 ´ (1p1 ),1d 5

2                      2                      2            2

20

40Ca

20

..., 6 ´ (1d5  ) , 2 ´ (2s1 ) , 4 ´ (1d 3 )

2                       2                       2

..., 6 ´(1d5  ) , 2 ´(2s1 ) , 4 ´(1d 3  )

2                       2                       2

28

58Ni

28

...,8´ (1 f7 )

2

...,8´ (1 f7 )

2

50

120Sn

50

..., 4 ´ (2 p3 ), 6 ´ (1 f 5 ),

2                       2

10 ´ (1g9 ) , 2 ´ (2 p1 )

2                         2

..., 4´(2p3 ),6´(1f5 ),10´(1g9 ),

2                  2                    2

2´(2 p1 ),8´(1g7 ), 6´(2d5 ),12´(1h11 ),

2                  2                    2                    2

4´(2d3 ), 2´(3s1 ),10´(1h9 ),8´(2 f7 ),

2                  2                    2                  2

6´(2 f5 ), 4´(3p9 ),10´(1i13 )

2                    2                    2

 

Таблица 4.9.1. Распределение нуклонов в ядрах по состояниям


В табл. 4.9.1 обозначено:


Nm – магические числа протонов;


Np , Nn – соответственно, числа протонов и нейтронов в ядрах; ´


знак        умножения,        например,

4 ´ (1p) = 1p,1p,1p,1p. )

2                   2             2             2             2


2 ´ (1s1 ) = 1s1 ,1s1

2                   2            2


или


Пусть по какой-то причине число нейтронов N в ядре оказалось больше числа протонов  Z , соответствующих стабильному состоянию

ядра.  Это  означает,  что  отношение   N  Z   возросло  по  сравнению с

N  Z , характерным для стабильных изотопов. Уменьшить эту величи-

ну до значения N/Z у стабильных изотопов можно путем уменьшения числа нейтронов в ядре. Значит, в ядре должен произойти переход од- ного нуклона из нейтронного в протонной состояние (см. рис. 4.9.3, а).

1

 

0

 

e

 
При этом будут испускаться кванты энергии  -0e+ 0v~ .

Если же ядро пересыщено протонами, то будет иметь место пере- ход одного из протонов ядра в нейтрон с испусканием кванта энергии

0e+ 0v м. рис. 4.9.3, б). В первом случае возникает    e = b- распад,

+1        0   e                                                                                                                                                        -1


1

 
во втором случае возникает + e = b +


распад.


 


p           e + v~            n                                     p                               n

-1           e                                       


 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.9.3. Схемы переходов: а – из нейтронного в протонное состоя- ние, б – из протонного в нейтронное состояние

 

Таким образом, опыт показывает, у самых легких стабильных ядер,


у которых


Z £ 20 , отношение


N Z » 1, т.е. число протонов примерно


равно числу нейтронов. Но с возрастанием  отношение  N  Z  посте-

82

 
пенно увеличивается,  и у  тяжелых стабильных  ядер, например, у та-


ких, как


208Pb , оно достигает величины, примерно равной 1, 537. Из


анализа экспериментальных данных также следует, что для стабиль- ных или долго живущих ядер справедлива следующая эмпирическая формула:

N  Z = a0 + a1Z + a2Z 2 + a3Z 3 ,              (4.9.1)


где


a0 =0,817 ,


a1 = 0,0166,


a2 = -1,552×10-4, a3 = 7,279 ×10-7 ,    причем


10 < Z <126 .

Формула (4.9.1) позволяет вычислить число нейтронов в ядре при


Z = 126


и тем самым предсказать "островок" стабильности, который,


несомненно, должен существовать у некоторых трансурановых эле- ментов. Ядра таких элементов должны иметь повышенную стабиль- ность относительно спонтанного деления и -распада.

 

                 Радиоактивность

 

В природе существуют стабильные и радиоактивные ядра атомов. Особенностью радиоактивных ядер является самопроизвольный их распад с испусканием одной или нескольких частиц. В процессе распа- да у ядра могут измениться как зарядовое Z , так и массовое A числа.

Радиоактивность ядер, существующих в природных условиях, на- зывают естественной. Радиоактивность ядер, синтезированных с по- мощью ядерных реакций в лабораториях, называют искусственной. Различия в естественной и искусственной радиоактивности не суще- ствует, законы радиоактивности у них одинаковы.

Основными характеристиками радиоактивного распада являются: время протекания (период полураспада), тип испускаемых частиц, энергия частиц – продуктов распада, направления вылета частиц – продуктов распада.

К числу радиоактивных процессов относятся:

1)         a - распад;

2)        b- - распад;

3)        b+ - распад;

4)         e -захват;

5)         g - излучение ядер;

6)       спонтанное деление тяжелых ядер.


4.10.1 Закон радиоактивного распада

 

Радиоактивный распад ядер протекает самопроизвольно без всяко- го внешнего воздействия. Это процесс статистический, и для отдельно взятого ядра можно лишь указать вероятность его распада в данный момент времени. Однако закономерность в распаде большего числа ядер вскрывается лишь через случайность каждого из них. Основной характеристикой радиоактивного распада является постоянная распа- да l .

Постоянная распада l – это есть вероятность распада ядра за 1 с. Важнейшей  особенностью радиоактивного распада является  неза-

висимость постоянной  распада от  времени. Пусть  dw  вероятность

распада за время  dt . Тогда  dw = ldt . Число распавшихся ядер за вре-


мя dt будет


dN = -Ndw , N – число нераспавшихся ядер в момент


времени t . Подставим вместо dw найденное выше значение:

dN  = -lNdt ,                           (4.10.1.1)


знак


(-)


означает, что в процессе радиоактивного распада число ма-


теринских ядер убывает. Из (4.10.1.1) следует


0

 
= × e-lt ,                         (4


N0 – число исходных ядер в начальный момент времени.

Уравнение (4.10.1.2) называется законом радиоактивного распада.

Введем понятие активность препарата a , определив его как число распадов ядер за 1 с:


a = - dN = lN

dt          0


× e-lt = lN


(4.10.1.3)


[a]  =


распад/с = Беккерель = Бк ; 1Бк = 1 распад/с.


88

 
В настоящее время кроме единицы активности, используемой в СИ, Беккерель, широко применяется внесистемная единица активно- сти Кюри . По первоначальному определению 1 Кюри - это актив-


ность 1г изотопа радия


226Ra . Однако для удобства измерений это


определение в дальнейшем было заменено:

1 Ки = 3, 700 ×1010 распад/с .

Таким образом, активность 1 Кюри =1 Ки есть активность нуклида,


в котором за время 1с происходит


3, 700 ×1010


актов распада.


Из (4.10.1.2) и (4.10.1.3) следует, что активность препарата со вре- менем убывает по экспоненциальному закону, значит, и масса данного препарата убывает по экспоненциальному закону.

Теперь предположим, что препарат состоит из смеси двух радиоак- тивных нуклидов, причем второй изотоп возникает в результате рас- пада первого.

Запишем дифференциальные уравнения, описывающие в препарате распад первого и второго нуклидов:


dN1 = -l1N1dt,           


(4.10.1.4)


dN   = l N dt - l         


2            1 1


2 N2dt.


Второе дифференциальное уравнение системы уравнений (4.10.1.4) описывает изменение числа вторичных дочерних ядер в процессе ра- диоактивного распада, причем первое слагаемое в нем отображает прирост вторичных дочерних радиоактивных ядер в результате распа- да первичных ядер, т.е. число первичных распавшихся ядер за время dt , второе слагаемое равно числу вторичных дочерних ядер, выбыв- ших из препарата за время dt .

Решения дифференциальных уравнений (4.10.1.4) имеют вид:

 
N1 = N10 × e-l1t ,                                    


N2 = N20


× e-l 2t +


l1N1

l2 - l1


(1 - e-(l 2 -l1 )t ),

 


(4.10.1.5)


где


N10 ,


N20


– первоначальное число материнских и дочерних радио-


активных ядер.

Если l2 >> l1 и N20 = 0 , то


2

 
 » l1N1 (1 - e-l2t )

l


(4.10.1.6)


2

Тогда при l2t > 4,5 из (4.10.1.6) получаем

 
l1N1 = l12 N2 , .                        (4.10.1.7)

a1 = a2.         

Уравнение (4.10.1.7) называется вековым уравнением равновесия. Физический смысл его ясен из следующего. Так как lN = a есть число распадов за 1с, то уравнение (4.10.1.7) означает, что число распадов ядер материнского вещества за 1с равно числу распадов ядер дочерне- го вещества за 1с.


Вековое уравнение широко используется для определения периода


полураспада


T1 . Но при этом следует помнить, что оно справедливо

2


лишь тогда, когда период полураспада материнских ядер много боль-


ше периода полураспада дочерних ядер и, кроме того,


N20 = 0 .


Если в препарате происходит ряд последовательных радиоактив- ных превращений, то с учетом указанных выше ограничений вековое уравнение можно продолжить, записав


l1N1 = l2N2 = ... = lnNn.


(4.10.1.8)


Конечным продуктом цепочки радиоактивных превращений всегда является стабильный изотоп, который накапливается в препарате по мере распада материнского вещества. По величине начального и ко- нечного (стабильного) вещества можно определить возраст горных пород, в которых эти вещества содержатся.

Рассмотрим примеры, поясняющие практическую значимость уравнения (4.10.1.8).

1.   

82

 
Необходимо определить возраст минерала, в котором на три


атома


238

U

 
92


приходится один атом изотопа свинца


206Pb , считая, что в


начальный момент времени в составе минерала указанный изотоп


свинца отсутствовал. У


238

U

 
92


период полураспада T1 = 4,5 ×109

2


лет, он


92

 
на несколько порядков величин превышает периоды полураспада всех


остальных нуклидов радиоактивного семейства


238U . Поэтому с


большой точностью можно считать, что


238

U

 
92


непосредственно пре-


вращается в


206Pb . Тогда число материнских ядер


238U , которые в


82

 

92

 
данный момент времени сохранились в горной породе, будет

1             10

 
N  =  × e-l1t ,  где

l   = 0,693 .

1        T1

2


82

 
Число вновь образовавшихся ядер сюда


206Pb равно


N2 = N10 - N1 . От-


N1

 
N1 N2 = N - N


= 3 или


N10


N1 = 4 3 .


1

 
10            1


С другой стороны, отношение


N10


N  = el1t .  Тогда


t = ln 4 - ln 3 4,5 ×109 = 1,9 ×109 лет .

0,693

Именно таким способом определяется возраст пород, когда необ- ходимо проследить различные фазы геологической жизни минералов, входящих в состав горной породы.

2.  Метод определения даты археологических раскопок.

При изучении событий прошлого археологам важно правильно ус- тановить, к какому периоду развития человеческого общества отно- сится та или иная археологическая находка. Археологи умеют это оп- ределять по письменным источникам, по последовательности наслое- ний пластов земли, содержащих остатки древней культуры, по рисун- кам годичных колец на срезах стволов деревьев, использованных для древних построек. Но перечисленные выше методы не всегда дают однозначный количественный ответ в абсолютной форме.

В 1948 г. американский ученый Либби предложил радиоуглерод- ный метод хронологической маркировки ископаемых находок органи- ческого происхождения. Такой способ хронологической маркировки получил название радиоуглеродного метода. В 1960 г. за разработку этого метода ему была присуждена Нобелевская премия по физике.

Идея радиоуглеродного метода заключается в измерении остаточ- ной радиоактивности найденного предмета и сравнения ее с некото- рым стандартным значением. Чем сильнее такое различие, тем древ- нее предмет.

Известно, что в процессе обмена веществ растение усваивает из


воздуха углекислый газ


CO2 . Основная часть углерода, входящая в


состав углекислого газа, представлена стабильными изотопами угле-


рода


12C (99%) и 13C ( » 1%).


6                                    6

Однако, кроме них, в составе CO2 имеется незначительная примесь


радиоактивного изотопа


14C (10-10 %). Этот изотоп возникает в атмо-


6

 
сфере благодаря ядерной реакции

14N + 1n®14C+1p ,

7             0              6           1

причем нейтроны, необходимые для этой реакции, появляются в атмо- сфере за счет процессов, вызываемых космическими протонами. В результате изотоп 14С усваивается растениями вместе с основными


изотопами 12C и 13C . А так как содержание изотопа 14C


в атмосфере


6                  6                                                                                                                6

с течением времени практически не меняется, а если меняется, то оно


6

 
легко учитывается, то и процентное содержание изотопа 14C


в живом


6

 
растении также является практически неизменным. Так, 1 г углерода в древесине живого растения содержит сегодня примерно такое же ко- личество изотопа 14C , как, скажем, 10000 лет назад. Это обстоятель-

ство и позволяет располагать археологические находки во времени.

6

 
Рассмотрим конкретный пример.


Активность изотопа


14C , содержащегося в деревянном предмете,


составляет 0,6 активности того же изотопа в свежесрубленном дереве:


a1(t0 + Dt ) =  lN1  =  N1  = 0,6 .

a2 (t0 )      lN2     N2


6

 
Изотоп 14C


испытывает b- -распад, T1

 

2


= 5570


лет:


14C b - ®14N +  0e+ 0v~ .


Тогда


6                               7             -1         0 e


 a1 =


N10


e-l(t0 +Dt )

t

 
-l


= e-lDt


= 0,6 , Dt = -


ln 0,6 ;


Dt = 4106 лет.


a2       N10e    0                                                                               l

Таким методом можно определить дату события, если при археоло- гических раскопках найдены деревянные предметы того времени, ко- торые могут быть использованы для хронологических исследований.

 

                       a - распад

X

 
a - распадом называется самопроизвольный процесс испускания


Z

 
ядрами a - частиц, при котором материнское ядро A


превращается в


дочернее ядро


A-4Y . Распад протекает по схеме AX ®A-4Y + 4He . Не-


Z -2                                                                                                    Z                Z - 2          2

X

 
обходимое условие энергетической возможности a - распада состоит  в том, что масса материнского ядра должна быть больше общей массы дочернего ядра и a -частицы. Предполагается, что a - частица образу-


Z

 
ется внутри ядра A


еще до момента возникновения распада и неко-


торое весьма малое время существует в нем самостоятельно.

Согласно капельной модели, невозбужденное ядро имеет сфериче- скую форму, на нуклоны ядра действуют ядерные силы притяжения, преобладающие над расталкивающим действием кулоновских сил между протонами. Но за пределами ядра на вылетевшую a -частицу действует только кулоновская сила отталкивания.


Пусть до столкновения нуклоны в ядре находились в основном, т.е. невозбужденном состоянии, и поэтому занимали нижние уровни пол- ной энергии (см. рис. 4.10.2.1). После одновременного столкновения двух протонов и двух нейтронов в ядре возникает a -частица, у кото- рой оказываются полностью заполненными первые протонная и ней- тронная ядерные оболочки, при этом высвобождается дополнительная энергия, равная дефекту массы. В результате a -частица может занять один из свободных уровней полной энергии e1, e2 , e3 .

 


U , МэВ

 

e

 
10

2

 

5

e3

0

 

- 5


 

 

 

 

 

 

0,5


 

 

 

 

 

 

1,0

 

y


 

 

 

 

 

 

1,5


ua

 

 

 

2,0


 

 

ua

 

2,5


 

 

 

 

 

 

3,0           y


e1                                      1                             R           R


 

- 10


y=    1  , y =  1

Rя               Rя


 

-15

 

- 20

 

 

- 60

 


Рис. 4.10.2.1. Уровни полной энергии ядра

2

 
Так как a -частица представляет собой ядро атома


4He2 , то дефект


массы, возникший при образовании a -частицы, будет Dm = 0,029267

а.е.м., что эквивалентно выделяемой энергии De = 27,25 МэВ.

Возникшая a -частица находится в поле ядерных сил притяжения нуклонов и отталкивания протонов. Обладая энергией возбуждения, частица в ядре непрерывно сталкиваются как с нуклонами ядра, так и со стенкой потенциальной ямы. Если толщина потенциальной ямы


бесконечно велика, то процесс будет продолжаться до тех пор пока

a -частица не распадется на составляющие ее нуклоны. Этому про- цессу соответствует энергия e1 , в ядре не происходит a -распад.

Если энергия  a - частицы  e > 0 , то ядерные силы не в состоянии

удержать в ядре образовавшуюся a -частицу. Первоначально возник- нув, она под действием сил кулоновского отталкивания вылетит за пределы ядра, при этом в пространстве возникнут две частицы: дочер- нее ядро и a - частица. И хотя вероятность такого распада очень ма- ла, но все же она отлична от нуля. Здесь могут встретиться два случая:


1.   Энергия a - частицы


e3 < U max . На пути движения a - частицы


находится потенциальный барьер конечной весьма малой толщины. Поэтому всегда существует заметная вероятность преодолеть его при помощи туннельного эффекта. Итак, в результате одного из таких удачных столкновений a - частица может преодолеть потенциальный барьер туннельным способом. Следовательно, за пределами ядра a - частица должна иметь ту же энергию, что и в материнском ядре перед столкновением с потенциальным барьером. А так как внутри ядра уровни полной энергии квантованы, то и за пределами ядра a - частицы должны обладать дискретными значениями полной энергии. Опыт подтверждает эту точку зрения. Состояния с такими значениями энергии называются метастабильными. Из рис. 4.10.2.1 следует, что


чем больше энергия


e3 , тем меньше должна быть толщина потенци-


ального барьера и тем больше вероятность возникновения a - распада.


2.  Энергия a - частицы


e2 > U max . В этом случае a - частица поки-


дает материнское ядро классическим способом, но энергия a - частицы по-прежнему дискретна. Однако на осуществление такого процесса необходима слишком большая энергия возбуждения, поэто- му вероятность такого процесса весьма мала.

Вылетевшая за пределы материнского ядра a -частица теперь на-

ходится в поле короткодействующих ядерных сил притяжения и рас- талкивающих кулоновских сил протонов дочернего ядра. Но вблизи дочернего ядра электрические силы, действующие на a -частицу, не являются строго кулоновскими, ведь теперь взаимодействие a - частицы происходит не с точечным зарядом дочернего ядра и даже не с его сферически распределенным электрическим зарядом, а с объем- ным зарядом дочернего ядра, форма которого в результате взаимодей- ствия с электрическим зарядом a - частицы несколько отличается от сферической.


На рис. 4.10.2.2 изображены мгновенные положения дочернего яд- ра и a - частицы. Заменим распределенный электрический заряд до- чернего ядра воображаемым эффективным электрическим зарядом. Теперь положение эффективного заряда в общем случае не совпадает с центром симметрии ядра, мгновенное положение эффективного за-


ряда будет смещено на величину


DR . Так как a -распад происходит


только в ядрах с большим числом нуклонов, причем число протонов в ядре всегда намного меньше числа нейтронов, то можно считать, что форма дочернего ядра практически не изменится, она останется сфе- рически симметричной. В дальнейшем положение a -частицы будем отсчитывать от центра симметрии ядра.

 

q* = Ze

R

 

Рис. 4.10.2.2. Схема расположения дочернего ядра и a - частицы

 

Пусть точка A – точка касания a - частицы с воображаемой по- верхностью дочернего ядра. В точке A потенциалы электрических полей дочернего ядра и a - частица равны между собой:


 

 

Отсюда


jА(RЯ ) = jА(Ra ) или


q*

Rя + DRmax


= qa .

Ra


q* = qa

Ra


Rя ,          (4.10.2.1)


где


Rя – эффективный радиус дочернего ядра,


Ra – эффективный ра-


диус a - частицы. Дальнейшие рассуждения проведем применительно к радиоактивному распаду радия


226Ra138 a®222Rn136 + 4He2

88                                     86                     2             .

1,6×103 лет

Оценки показывают, что эффективные радиусы ядер радона и a -


частицы равны


R (222Rn) » 8 ×10-15 м, Ra » 0,8 ×10-15м, т.е. Ra


Rя » 0,1 .


я

 

86

 
Кроме того, q*


qa = Z 2 .


Найденные значения поставим в (4.10.2.1):


 

 

где


0,1 Z = 1 + Dy

2


max ,


Dymax


= DRmax ,

R


откуда для радона получаем:

Dymax


я

 

= 0,1× 86 - 1 = 3,3 .

2


Предположим, что относительное смещение Dy


эффективного за-


ряда, возникающего под действием электрического поля a - частицы, равно

max

 
Dy = Dy    e1- y 2 .                        (4.10.2.2)

Сила, действующая на a - частицу со стороны дочернего ядра (рис.

4.10.2.2),

F  = 4pe                 .                    (4.10.2.3)(R + DR)

 
q*qa

a                                                 2

0

Подставим в (4.10.2.3) значения из формул (4.10.2.1) и (4.10.2.2).

Тогда


4e2

Fa =

0,1 4pe0RЯ


1+ Dy   .

2 ( y + Dy)2


Величину   потенциальной   энергии   взаимодействия   между   a -

частицей и дочерним ядром можно вычислить после интегрирования:

y   1 + 3,3e1- y2

U = -U0ò ( +       1- y 2 )2 dy ,             (4.10.2.4)


 

где


1  y    3,3e

 

e2

 


 

 

 

-15


0

 

Я

 
U0 = 0,1 pe R


, U0 = 7,19МэВ RЯ  = 8 ×10     м .


На рис. 4.10.2.1 приведен график потенциальной энергии, постро-


енный по формуле (4.10.2.4). На рис. 4.10.2.1


y = 1 – граница дочерне-


го ядра,


y1 = R1 RЯ


– относительная координата точки туннельного


вылета a - частицы за пределы ядра. Оценим вероятность вылета a -

частицы за пределы материнского ядра.

В разделе 1.7.5 рассматривалось прохождение электронов туннель- ным эффектом через потенциальный барьер прямоугольной формы. Такая форма потенциального барьера была выбрана не случайно и преследовала две цели: одна – показать в общих чертах, как решаются в квантовой механике подобные задачи; другая – какие физические выводы вытекают из полученного решения. Точно такой же подход к решению подобной задачи можно применить не только для электро- нов, но и для микрочастиц иной физической природы, в частности и для a - частиц, двигающихся в сторону потенциального барьера ко- нечной толщины. Тогда аналогичное выражение для коэффициента прозрачности потенциального барьера будет справедливо и для a - частиц. Напомним его:

 2


4 3 

D =                    a1


2

 
,       (4.10.2.5)


     2       2     


4 a3

a1


+  a3

 
a1


-1

 


sh2(a3l )


где l – толщина потенциального барьера;


2m                2m


 a 2 U - e


a2 = a e ,  a2 = a (U - e) ;


  3   =           ;

 


1             h2                   3        h2


a          e


   1

2               (        )2    

 
 ea3l - e-a3l 2

sh  (a3l) = sh(a3l)    =                       .

2

 
                

                

Если выполняется условие  ea3l  >> e-a3l , то

2               1       2l                    1


 

sh  (a3l) =    exp   (2ma (U - e))2  .

h

 
4

                         

Подставим найденные значения в (4.10.2.5). После некоторых пре- образований получаем:


 2l


1


D = D0 exp   2ma(U - e) 2  ,            (4.10.2.6)

h                    


 

где


 

D0 =


   

 

16

       e


 

2 2


 

.               (4.10.2.7)


4 + 1 -           

     U - e  

             

Величина коэффициента прозрачности сильно зависит от высоты потенциального барьера. Оценим его величину на примере a - распа- да радия. Высоту потенциального барьера вычислим по формуле:

2Ze2


0

 

Rn

 

Я

 
U max = 4pe (R


+  Ra


.                (4.10.2.8)

)


Так как у


222

86


Z = 86 ,


RЯ = 8 ×10-15 м,   радиус    a -частицы


Ra = 0,8 ×10-15 м, то после вычислений по формуле (4.10.2.8) получаем

2 × 86 ×1,6 ×10-19 ×10-6

U max = 4p × 8,85 ×10-12 × 8,8 ×10-15 = 28,3 МэВ .

По формуле (4.10.2.6) можно вычислить коэффициент прозрачно- сти потенциального барьера, однако по физическому смыслу он отли- чается от вероятности вылета a - частицы за пределы ядра. Для опре- деления вероятности вылета из ядра за 1 с (постоянная распада) необ- ходимо умножить коэффициент прозрачности на число столкновений

a - частицы с потенциальным барьером за 1 с. Поэтому


l =  va

2RЯ


D ,                            (4.10.2.9)


где va – средняя скорость a - частицы в материнском ядре.


Для оценки величины va

ленности:


воспользуемся соотношением неопреде-

 

maDua × Dr = h


Полагаем, что скорость a - частицы va


равна неопределенности ско-


рости в потенциальном барьере  Dva , а неопределенность ее координаты

Dравна  толщине  стенки  потенциального  барьера  l на уровне полной


энергии,  va  =  h 

mal


Тогда число столкновений с барьером за 1 с


n =   va

2RЯ


=         h

ma × l × 2RЯ


и после подстановки значений в (4.10.2.9) получаем


l =        h


- 2l (2m  (U - e))1  .(4.10.2.10)



ma × l × 2RЯ


D0 exp            a            2

    h                      


Из (4.10.2.10) видно, что постоянная распада очень сильно зависит от толщины потенциального барьера: чем толще потенциальный барь- ер l , тем меньше вероятность a - частице преодолеть его туннельным эффектом, тем меньше постоянная распада l и тем больше будет пе-


риод полураспада


T1 . Следовательно, быстрым a - частицам должен

2


88

 
соответствовать меньший период полураспада, медленным – больший, что полностью соответствует экспериментальным наблюдениям.


Известно, что у


226Ra , возникающего в радиоактивном ряду


238

U ,

 
92


период полураспада


T1 = 1,6 ×103

2


лет = 5,04 ×1010


с. Подстановка соот-


ветствующих значений в (4.10.2.8) и (4.10.2.10) позволяет определить толщину  стенки  потенциального  барьера  на  уровне  полной  энергии

e = 4,2 МэВ.  Вычисления  по формуле (4.10.2.10) дали  следующий ре-

зультат: l = 9,072 ×10-15 м, что представляется вполне правдоподобным. К настоящему времени установлено из опыта несколько законов

a - распада.

1.        a - излучение для каждого изотопа практически однородно. Ха- рактерной константой a - излучения является пробег a - частицы в веществе. Между пробегом a - частицы в воздухе и ее начальной ско- ростью существует зависимость, выражаемая формулой Гейгера


v3 = aR


,                            (4.10.2.11)


0          0

23 м2                            м



где a = 1,08 ×10


с , [v0 ] = с , [R0 ] = м .


2.       Зависимость между величиной пробега частицы и постоянной распада четно-четных ядер описывается формулой Гейгера-Нэттола

lgl = b1 + b2 lg R0 ,                     (4.10.2.12)

где b1 и b2 – коэффициенты, каждый из которых имеет свои значения

в различных радиоактивных семействах.

3.       Пробег R a - частиц в любом веществе приближенно можно определить при помощи уравнения Брэгга - Климена:


R     1

R = 0,3   0 A2 ,                     (4.10.2.13)

r

[ R ] = [R0 ] = м ; r – плотность вещества, кг/м, A – массовое число.

                      b- распад

Под общим названием  b - распад в настоящее время понимаются

три самостоятельные процесса: b+ , b- , e- – захват. Между ними име- ется много общего. b - распад сопровождается g -излучением, по- скольку при  b - распаде дочернее ядро находится в возбужденном со-

стоянии. В настоящее время установлено, что примерно 46% сущест- вующих в природе искусственных и естественных нуклидов испыты- вают  b- - распад.  b+ - распад связан с испусканием позитрона, он воз-

никает только у ядер, полученных в лабораторных установках, в есте- ственных условиях не наблюдается. Около 11% всех известных изото-


пов распадаются с испусканием позитрона.


b+ - распад имеет место


главным образом у легких ядер. e- - захват наблюдается лишь у тяже- лых ядер, это вызвано тем, что некоторые тяжелые ядра могут захва- тывать ближайшие электроны из электронной оболочки своего атома. При этом заряд ядра уменьшается на единицу. Если захват электрона происходит с ближайшей к ядру  K -оболочки, т.е. захватывается элек-

трон  1s ,  то  такой  процесс  называется  K -захватом,  если  же захват

электрона происходит с L -оболочки, т. е. захватывается один из электронов слоя 2s 2 p , то такой процесс называется L -захватом. Обычно вероятность  L -захвата во много раз меньше вероятности  K -

захвата. На   K -захват приходится примерно 25% всех радиоактивных

распадов в природе.

Важнейшие особенности b -распада.

1.   b- - распад характерен для пересыщенных нейтронами ядер, ко- гда один из нейтронов ядра переходит в протонное состояние и при этом испускает электрон и антинейтрино. Например,

3H ® 3H +  0e+ 0v~ ;   = 12 лет. Энергия вылетающего электрона   0e  и

1               2            -1        0   e           1                                                                                                                                             -1

2

антинейтрино  v~ :  e(  0e + v~ ) = 18 кэВ.

e             -1              e


2.   b+ - распад характерен для пересыщенных протонами ядер, когда один из протонов ядра переходит в нейтронное состояние и при этом


испускает   позитрон   и    нейтрино.   Например,


11C®11B+ 0e + v ;


6               5          +1             e


e

 

+1

 
T1 = 20,4 мин. Энергия вылетающего позитрона  0 2


равна 970 кэВ.


3.  При K -захвате существует заметная вероятность ядру захватить ближайший к нему K -электрон, при этом один из протонов ядра пе- реходит в нейтронное состояние, а из ядра вылетает нейтрино. На-


пример,


7Be+ 0e®7Li + v ; T


= 53,6 дня.


4             -1           3                 e          1

2

4.    Энергетический спектр электронов и позитронов непрерывен (рис. 4.10.3.1). Непрерывность спектра, на первый взгляд, кажется удивительной, так как энергия любой частицы в ядре, также как и в атоме, должна быть квантована, сами частицы должны находиться на определенном уровне энергии.

dN dK

 

 

 

 

 

 

 

 

0        e max                                                                                                      e max                    K

 

Рис. 4.10.3.1. Энергетический спектр электронов и позитронов

 

Объяснение физической причины непрерывности спектра было да- но В. Паули. Он предположил, что в данном процессе наряду с элек- троном одновременно из ядра вылетает какая-то новая частица, кото- рая на опыте не обнаруживается.  Эту  частицу  Э.  Ферми  назвал ней-

трино (маленький нейтрон). В настоящее время считается, что при b- -

e

 
распаде вместе с электроном из ядра вылетает антинейтрино  v~  , а при


b+ -  распаде  вместе  с  позитроном  из  ядра  вылетает  нейтрино   ve .

Дальнейшими исследованиями было установлено, что нейтрино это


частицы, у которых Z = 0 ,


A = 0 , масса покоя mv £ 2,5 эВ, барионный


заряд B = 0 , спиновое квантовое число


sv = 1 2 .


Из таблицы элементарных частиц следует, что нейтрино


ve , элек-


трон


-1e , мюон m обладают одной важнейшей характеристикой, а


именно, лептонным зарядом l. У всех этих частиц l = 1, а у осталь-

ных частиц, в том числе и у фотонов, лептонный заряд отсутствует. У антилептонов l = -1 .

В природе, наряду с другими законами сохранения, выполняется закон сохранения лептонного заряда. Поэтому в ядерных реакциях общий лептонный заряд всегда сохраняется неизменным.

Нейтрино – очень распространенные в природе частицы. Так, на массу потока нейтрино приходится примерно 25% от общей массы излучаемой солнцем материи. То же самое можно сказать и о звездах. Важнейшей особенностью нейтрино является очень слабое взаимо- действие с другими частицами материи. Насколько слабо это взаимо- действие, свидетельствует тот факт, что обычно нейтрино пролетает через всю Землю, так и не провзаимодействовав с частицами вещества земли. Для нейтринных потоков Земля является практически прозрач- ной средой. Для обнаружения нейтрино применяют специальные ус- тановки, спектрометры нейтрино, представляющие собой цистерны,


заполненные


C2Cl4 . Один из таких спектрометров создан в США


18

 
(Брукхейвен, 1968 г), он расположен на глубине 1480 м в бывшей со- ляной шахте. Там находится цистерна, содержащая 610 т C2Cl4 . Реги- страция нейтрино основана  на  счете  числа  радиоактивных  атомов  37 Ar , образующихся в ядерной реакции:

37Cl + v ®37Ar+ 0e ; 37Ar®37Cl+ 0e + v ; 0e+ 0e ® 2g .


17                  e        18


-1         18


17             +1


e     -1        +1


В спектрометре регистрируются 2g


кванта, разлетающиеся по за-


кону  сохранения  импульса  в  противоположные  стороны.   Заметим,

Cl

 

17

 
37           стабильный изотоп, в природе его 24,6%. Наряду с ним суще-


ствует стабильный изотоп


35Cl , в природе его 75, 4%.


17

 
Нейтрино рождаются при высоких температурах в недрах солнца и звезд в результате протекающих там ядерных реакций. Поэтому изу- чение углового распределения потоков нейтрино позволяет как бы заглянуть в глубь солнца и даже некоторых звезд.


Исходя из сказанного, реакции


b- - распад можно записать в виде ядерной


AX b- ®   AY +  0e + v~  + Q .

Z                             Z +1         -1              e            1

Этот процесс при b- - распаде происходит потому, что в ядре один из нуклонов переходит из нейтронного в протонное состояние:

1

 

e

 
n ® p+-0e + v~ .

Становится понятной физическая причина возникновения антиней-


трино. При


b- - распаде один из нуклонов перешел из нейтронного


состояния в протонное, этот процесс сопровождается испусканием электрона, что необходимо для выполнения закона сохранения элек- трического заряда. Но рождение электрона означает, что возникла


частица, у которой лептонный заряд


l = +1 . И для того, чтобы не на-


рушился закон сохранения лептонного заряда, необходимо появление


античастицы, у которой лептонный заряд ляется антинейтрино.


l = -1 . Такой частицей яв-


b+ - распад происходит по следующей схеме:

AX b+ ®   AY +  0e + v  + Q  ,

Z                             Z -1         +1              e             2

при этом в ядре происходит превращение одного из протонов в нейтрон:

1

 

e

 
p ® n++0e + v  .

Здесь для выполнения законов сохранения электрического и леп- тонного зарядов необходимо появление позитрона и нейтрино.

При e- -захвате имеет место поглощение ядром ближайшего к нему атомного электрона из K - или L - слоя:

AX +  0e®   AY + +v  + Q  ,

Z             -1                     Z -1                   e            3

при этом в ядре протон поглощает электрон, и возникают нейтрон и нейтрино:

1

 

e

 
p+-0e ® n + v  .

                   Ядерные реакции

Ядерными реакциями называются процессы превращения атомных ядер, происходящие в результате их взаимодействия с элементарными частицами или с другими ядрами. Обычно ядерная реакция вызывает- ся бомбардировкой ядер некоторого вещества потоком ускоренных частиц: протонов, нейтронов, a - частиц и др.


X

 

Z

 
В результате интенсивного взаимодействия исходного ядра A и

сталкивающейся частицы a образуется новое ядро – ядро-продукт

Y

 

Z

 
A1 и некоторая частица b , разлетающиеся в разных направлениях от

1

места столкновения.

Ядерные реакции символически записываются следующим обра- зом:


 AX + a


или


AX (a, a) AX - упругое рассеяние,


 Z

 AX * + a


или


Z               Z

AX (a, a) AX * - неупругое рассеяние,


AX + a ®  Z                               Z               Z

Z                    A1Y + b  или     AX (a, b) A1Y ,


Z1


Z               Z1


 A1Y + g


или


AX (a, g) A1Y


-  радиационный захват.


Z1


Z               Z1


При большой энергии частицы a вместо одной частицы b могут возникнуть несколько новых частиц b1 , b2 , ... .

Ядерные реакции могут протекать как с выделением, так и с по-

глощением энергии. В качестве примера приведем две реакции:

14N + 4He®17O+1p , сокращенное обозначение 14N(a, p)17O = N(a, p)O ;

7          2                8         1                                                                                               7                       8

9Be+ 4He®12C+ 1n , сокращенное обозначение 9Be(a, n)12C = Be(a, n)C .

4            2                6         0                                                                                              4                       6


Ядерные реакции типа


AX (a, b) A1Y


сопровождаются перестройкой


Z                         Z1

атомных ядер. Однако при этом всегда выполняются следующие зако- ны сохранения: электрического, барионного зарядов, полной энергии, импульса, момента импульса и некоторых других характеристик атомного ядра.

Исследование ядерных реакций позволило установить эксперимен- тальные закономерности, на основании которых было дано теоретиче- ское объяснение процессов ядерных превращений. Одна из этих тео- рий, теория составного ядра, впервые была предложена Н. Бором в 1936 г. Она удовлетворительно объясняет ядерные превращения при энергии бомбардирующих частиц до 50 МэВ.


Ядерная реакция   AX (a,b) A1Y


по этой теории протекает в два эта-


Z

па. На первом этапе ядро


Z1

X

 

Z

 
A           захватывает частицу a . В результате


образуется составное ядро


AcY * в возбужденном состоянии:

Z

 
c


AX + a® Ac Y * .

Z                            Zc


Энергия возбуждения


eвоз


составного ядра складывается из энер-


гии связи eсв частицы a в составе ядра и части кинетической энергии частицы, преобразующуюся затем в энергию покоя ядра


eвоз


= eсв +


Aa      K  ,

A + Aa        a


где A – массовое число ядра, Aa – массовое число налетающей части-

цы, Ka – кинетическая энергия налетающей частицы.


Если


A >> Aa , то e


воз


» eсв


+   Aa K .

A    a


В результате сильных взаимодействий между нуклонами ядра и непрерывных столкновений нуклонов между собой энергия возбужде- ния, которая привносится в ядро налетающей частицей a , быстро пе- рераспределяется между остальными нуклонами. Благодаря флуктуа- циям в определенный момент времени значительная часть энергии возбуждения оказывается сосредоточена на одном из нуклонов вблизи поверхности ядра. Допустим, что этой энергии вполне хватает для вы- лета частицы b за пределы составного ядра. Тогда наступает второй


Y

 

Z

 
этап реакции распад составного ядра на ядро  A1

1

AcY *® A1Y + b .


и частицу b :


Zc           Z1

Из опыта следует, что время жизни составного ядра t ³ 10-14 c .

На  рис.  4.11.1  условно  изображено  невозбужденное  ядро  урана

92

 
238U . С ним сталкивается налетающая частица a . В диаметре ядра укладывается примерно 26 нуклонов. Значит, возбуждение передается от одного края ядра к другому путем последовательных столкновений

0

 
в цепочке из 26-ти нуклонов. Время передачи возбуждения


t0 = 2RЯ


с ; t = 6 ×10-15


3 ×108 = 2 ×1023 с ,


RЯ – радиус ядра, с = 3 ×108 м/с.

0

 
Следовательно, отношение t t =1×10-14 2 ×10-23 = 5 ×108 .


Таким образом, относительное время жизни


t t0


составного ядра


настолько велико, что составное ядро как бы успевает "забыть" о при-


чине своего возбуждения, и спустя время


t = 10-14 с составное ядро


распадается по законам радиоактивного распада с учетом вероятности протекания того или иного распада.


 

 

Я

 
2R » 6 ×10-15 м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.11.1. Схема соударения a - частицы с ядром

 

В качестве примера приведем различные ядерные реакции, приво- дящие к возникновению одного и того же составного ядра, а также к появлению различных каналов распада составного ядра; разумеется, вероятности реализации различных каналов распада здесь разные, способ распада составного ядра определяется величиной энергии воз- буждения.

 

11

 

11

 
23Na + a                                                     23Na + a

 

 


 

12

 
25Mg + d


27         *                                 

Al

 
13


25Mg + d


 

 


12

 

13

 
27 Al + g


27 Al + g


 

13

 

2

 
Примечание. В приведенной схеме ядерных реакций использованы


следующие обозначения:


a = 4He , a - частица (ядро атома гелия);


1

 
d = 2H , дейтрон (ядро тяжелого изотопа водорода); квант).


g = hn (гамма-


                   Эффективное сечение ядерной реакции

 

Для оценки вероятности протекания ядерной реакции широко пользуются понятием эффективное сечение реакции или эффектив- ное сечение взаимодействия частиц A и a .

Для определения вероятности взаимодействия частицы с ядром рассмотрим плоскую мишень, изготовленную из однородного вещест- ва (см. рис. 4.12.1). В случае толстой мишени число частиц a , про- шедших через слой x , меняется с глубиной. Поэтому для оценки чис- ла частиц, прошедших через определенный слой вещества, должно быть составлено дифференциальное уравнение для некоторого слоя толщиной dx , расположенного на глубине x .

 

l

N0                                                                                                       N (l)

a

a

a

a                                                                                                                a

 

 

 

Рис. 4.12.1. Взаимодействие частиц с ядрами мишени

 

Тогда число частиц  dN , вступивших в ядерную реакцию за время  t , т.е. число частиц, выбывших из первичного пучка за время t после прохождения потока через слой толщиной dx ,

dN = -sN (x)ndx ,                      (4.12.1)

где s характеризует вероятность того, что ядро A в результате попа- дания в него частицы а превратится в ядро B с испусканием частицы


b , s – эффективное сечение реакции;


N (x)


– число частиц a , до-


шедших до слоя dx на глубине x за время t ; n - концентрация ядер

A в мишени. После интегрирования (4.12.1) получаем

N (x) = N0 exp(-ns x) ,                      (4.11.2)

N0 – число частиц а, падающих на наружную поверхность мишени A .

Тогда через мишень толщиной l пройдет число частиц N (l) :


N (l) = N0 exp(-nsl) .                      (4.12.3)

По определению, вероятность протекания ядерной реакции на глу- бине x в слое толщиной dx пропорциональна как концентрации ядер, так и толщине слоя dx , причем коэффициентом пропорциональности служит эффективное сечение взаимодействия s :

dw = s ndx .


Отсюда


s =  1 dw .                             (4.12.4)

n dx


Из формулы (4.12.4) следует, что размерность эффективного сече-


ния


м2 . Из (4.12.3) после логарифмирования получаем выражение для


эффективного сечения ядерной реакции:


s = 1 ln

nl


N0

N (l)


.                      (4.12.5)


Как следует из (4.12.5), для определения эффективного сечения взаимодействия потока частиц а с ядрами мишени A достаточно в специальных опытах измерить ослабление потока частиц а в слое ми-


шени толщиной l . Эффективное сечение измеряется в барнах: 1 барн = 1×10-28 м2 .

             Деление тяжелых ядер при захвате нейтрона


м2 , либо в


 

В 1919 г. Э. Резерфорд открыл реакцию превращения одного ядра в другое:

14N + 17O + p ,

7                            8

или в сокращенной форме записи

14N (a, p)17O .

7                          8

Во все последующие годы вплоть до 1938 г. физики наблюдали ядерные реакции типа

AX (a,b) A1Y .

Z                         Z1

Но в 1938–39 гг. при облучении тяжелых ядер потоком нейтронов была обнаружена реакция нового типа; оказалось, что наряду с обыч-

ной ядерной реакцией   AX (a,b) A1Y , где  a нейтрон, возникает реак-

Z                         Z1

ция деления ядра на осколки:


AX (n,3n)( A1Y + A2 Y ) .

Z                               Z1           Z 2

Таким образом, было установлено, что в составном ядре, возник- шем после поглощения материнским ядром нейтрона, в ядре происхо- дит столь сильная перестройка состояний нуклонов, что оно делится на две неравные по величине части с испусканием двух или трех ней- тронов.

Может возникнуть вопрос: почему такое деление ядер не наблюда- лось ранее?

Ответ может быть таким. Реакции с нейтронами могли быть прове- дены лишь после открытия нейтронов. Но нейтроны были открыты лишь в 1932 г., и потребовались годы исследований, пока не выяснили все особенности ядерных реакций с участием нейтронов.

Почему же из всех видов столкновений частиц с тяжелыми ядрами столкновения с нейтронами приводят к качественно новым результа- там по сравнению со столкновениями других элементарных частиц? Все дело в том, что нейтрон – электрически нейтральная частица. По- этому при движении в сторону тяжелого ядра нейтрон без изменения своей кинетической энергии, без изменения направления движения может вплотную подойти к ядру и проникнуть внутрь его. Для ней- трона нет силы, препятствующей его движению в сторону ядра. Про- тону и другим положительно заряженным частицам для проникнове- ния в ядро необходимо предварительно затратить энергию, необходи- мую для преодоления силы электростатического отталкивания, кото- рые оказываются особенно большими вблизи ядра. Кроме того, нали- чие силы отталкивания приводит к тому, что в процессе движения протон, a -частица, как правило, отклоняются в сторону от ядра. Все это приводит к тому, что вероятность столкновения заряженных час- тиц с ядром оказывается гораздо меньше вероятности столкновения нейтральной частицы с ядром. Наконец, положительно заряженная частица, сталкиваясь с ядром, постепенно теряет свою кинетическую энергию. Стало быть, не всякая заряженная частица может проник- нуть в ядро, а лишь та, у которой кинетическая энергия больше потен- циальной энергии сил отталкивания. Что же касается электронов, то они могут проникать в ядро, об этом свидетельствует наличие в при-


роде явления


e- -захвата. Но если кинетическая энергия электронов


меньше 1 МэВ, то проникновение электрона в ядро не вызовет деле- ния ядра на осколки. Что же касается других отрицательно заряжен-


ных частиц, например, различных видов гиперонов, то потоки их большой плотности в настоящее время получить очень трудно.

Как уже отмечалось ранее, теоретически вопросы деления тяжелых ядер впервые рассматривались Бором, Уилером и независимо от них Френкелем в 1939 г. В основу своих рассуждений они положили мо- дель жидкой капли. В результате проведенного анализа они пришли к выводу, что способность ядер к делению определяется соотношением сил электростатического расталкивания протонов ядра и ядерных сил притяжения. Процесс деления можно представить следующим обра- зом.

На материнское ядро падает нейтрон, проникает в него. В резуль- тате возникает составное ядро, находящееся в возбужденном состоя- нии. Энергия возбужденного ядра после проникновения в него ней-


трона, как это следует из графика


eсв


A = f ( A) , порядка 6 МэВ. Эта


энергия столь значительна, что возникает сильное возбуждение ядра.

Процесс символически можно записать следующим образом:

AX + 1n® A+1X * ,

Z              0                 Z


где


A+1X * – возбужденное составное ядро.


Z

 
Энергия возбуждения составного ядра складывается из двух со- ставляющих: энергии связи нейтрона в составном ядре и кинетиче- ской энергии налетающего нейтрона


eвоз


= eсв +

A


A K ,

A + 1 n


Kn – кинетическая энергия налетающего нейтрона.

Опыт показывает, что энергия возбуждения составного ядра у раз- личных тяжелых ядер находится в интервале

5,8 МэВ £ eвоз £ 6,9 МэВ .

В результате возбуждения ядро приходит в колебательное движе- ния, вытягиваясь то в одну, то в другую стороны, ядро испытывает непрерывную деформацию своего объема (рис. 4.13.1).


Если энергия возбуждения


eвоз


превышает некоторую минималь-


ную энергию, энергию активации


eа , то деформация составного ядра


достигает такой величины, при которой у ядра возникает перетяжка, и силы расталкивания между положительными электрическими заряда- ми различных частей составного ядра становятся больше ядерных сил притяжения. В результате ядро делится на два осколка. Следователь- но, если бы ядро было бы электрически нейтрально, то наличие пере-


тяжки не привело бы к делению ядра на две части: деление ядра воз- никает потому, что между протонами ядра существуют силы электри- ческого расталкивания. Таким образом, нейтроны ответственны за возбуждение, а протоны – за деление ядра.

 

 

 


1n un


        A+1


 *                                                            


X

 

X

 
0                                                                                                                                                A+1 *

Z                                       Z

 

 


t0                           <


t1               <          t2


 

Рис. 4.13.1. Деформация ядра

 

У возникших осколков отношение числа нейтронов к числу прото- нов больше, чем такое же отношение у стабильных ядер:

N/Z > (N/Z ) стаб .


При делении тяжелого составного ядра


A+1 *

X

 
Z


в каждом акте деле-


ния выбрасывается в среднем два или три нейтрона. А так как состав- ное ядро находится в сильно возбужденном состоянии, то часть энер- гии возбуждения, кроме того, высвечивается в виде g -квантов. Наря-


ду с этим, возбужденное ядро


A+1 *

X

 
Z


также может испустить избыточ-


ный нейтрон или испытать b- - распад.

Вследствие больших сил электростатического расталкивания меж- ду осколками b-осколки разлетаются в разные стороны с большими скоростями, доходящими до 1/30 скорости света. При столкновении этих осколков с другими ядрами препарата происходит преобразова- ние кинетической энергии осколков в внутреннюю энергию других частиц с выделением большого количества тепла.

Осколки, образовавшиеся в момент деления, пересыщены нейтро- нами. При этом форма осколков сильно отличается от сферической. Из математики известно, что площадь поверхности сферы при неиз- менном объеме минимальна по сравнению с другими поверхностями. Поэтому в процессе образования сферической поверхности, соответ- ствующей невозбужденному состоянию ядра, осколки выделяют из-


быточную энергию в виде g -квантов или b- -излучения. Если же воз-


буждение


eвоз , привнесенное в ядро, меньше энергии активации


eа ,


то возникающая деформация ядра не достигнет критического значе- ния, ядро не испытает деления на осколки, избыточная энергия будет растрачена в результате столкновения с другими ядрами, а также в

результате a , b- -распадов.

Следовательно, деление ядра может быть вызвано лишь такими нейтронами, у которых


K + eсв ³ e

n       А       а


A

, A + 1


» 1.           (4.13.1)


Такие простые представления, основанные на капельной модели ядра, позволяют понять, почему одни ядра делятся под действием как тепловых, так и быстрых нейтронов, а другие делятся только под дей- ствием быстрых нейтронов, у которых Kn > 1 МэВ.

На рис. 4.13.2 изображена последовательность изменения состоя- ний составного ядра во времени до момента его распада после попа- дания в материнское ядро нейтрона.

 


X

 

X

 
A                                   A+1 *

Z                                      Z

 

n

 

u

 
1

0                          n


A+1 *

X

 
Z


 

 

õ 1


A1 *

Y

 
Z1


A2 *

Y

 
Z 2

n

 
1

0


 

 

 

  u2


 

 


t0 <


t1       <             t2                      <


 

Рис. 4.13.2. Распад составного ядра

 

Из рис. 4.13.2 видно, что в момент разрыва из области перетяжки вылетают два или три мгновенных нейтрона, а сами осколки разлета- ются в противоположные стороны, причем направления движения ос- колков и мгновенных нейтронов определяются законами сохранения энергии и импульса.

Как следует из выражения (4.13.1), при выполнении неравенства


eсв > e

А       а


составное ядро будет делиться при любой величине кинети-


ческой энергии падающего на ядро нейтрона, в том числе и при теп-


ловой. Минимальная кинетическая энергия, которой может обладать нейтрон в препарате, не может быть меньше средней кинетической энергии хаотического движения частиц. Поэтому нейтроны, обла- дающие такой кинетической энергией, называются тепловыми ней- тронами. Тепловые нейтроны – это нейтроны, которые находятся в состоянии динамического равновесия с другими частицами радиоак- тивного препарата, с другими частицами облучаемого нейтронами вещества.


Если же в уравнении (4.13.1)


eсв < e

А       а


, то энергия возбуждения со-


ставного ядра, возникающая в результате дефекта массы нейтрона в ядре, оказывается недостаточной для возникновения в ядре перетяж- ки. Стало быть, такой энергии оказывается недостаточно для деления ядер на два осколка. Для возникновения реакции деления тяжелого ядра должно выполняться неравенство (4.13.1) или, что то же самое,


Kn ³ eа


-   eсв

А


.                             (4.13.2)


В табл. 4.13.1 приводятся некоторые характеристики ядер, а также типы нейтронов, вызывающих деление тяжелых ядер.

 

% со- держа- ние

в при-

роде

Обо- значе- ние нуклида

 

eвоз

МэВ

 

eа

МэВ

 

Kn

min

 

Вид ней- трона

 

p

-

233U

92

5,9

5,5

0,025 эВ

Тепловой

0,91

0,006

234U

92

5,8

6,2

0,4 МэВ

Быстрый

0

0,712

235U

92

6,8

6,6

0,025 эВ

Тепловой

0,83

99,282

238U

92

5,7

7,1

1,4 МэВ

Быстрый

0

-

239Pu

94

6,9

5,1

0,025 эВ

Тепловой

0,65

 

Табл. 4.13.1. Ядра и типы нейтронов


В табл. 4.13.1 приняты следующие обозначения:


eвоз


энергия


возбуждения составного ядра после поглощения теплового нейтрона;


eа – энергия активации;


Kn

min


    минимальная кинетическая энергия,


которой должен обладать нейтрон для соответствующего деления яд- ра; p – вероятность распада ядра под действием тепловых нейтронов.

Z

 
Из табл. 4.13.1 следует, что энергия активации оказывается разной у различных ядер. Это связано с тем, что в разных ядрах энергия связи


нейтронов в ядре оказывается не одинакова. Составное ядро


A+1X * ,


возникшее после поглощения материнским ядром одного нейтрона, может не только делиться, но и излучать g - кванты, нейтроны, быст-

рые электроны. Опыт показывает, что вероятности деления тяжелых ядер нейтронами весьма сильно различаются у различных ядер. В табл. 4.13.2 приводятся эффективные сечения s ядерных реакций под действием тепловых нейтронов, в барнах.

 

Тип ядерной реакции

233U

92

235U

92

238U

92

239Pu

94

Природ- ный уран

 

AX (n,3n)(A1Y + A2Y )

Z                               Z1           Z 2

 

532

 

549

 

0

 

664

 

3,9

AX (n, n) AX *

Z                       Z

(неупругое рассеяние)

 

0

 

8,2

 

8,2

 

0

 

8,2

 

AX (n,g )A+1X Z                        Z

( радиационный захват)

 

52

 

101

 

2,8

 

360

 

3,5

 

Таблица 4.13.2. Эффективные сечения s ядерных реакций под дейст- вием тепловых нейтронов

 

94

 
Из анализа табл. 4.13.2 следует, что для реакции деления как будто


Pu

 
бы выгоднее всего использовать ядра


235

U

 
92


или


239Pu . Однако это да-


леко не так. Так,


239

94


в естественных минералах практически не со-


92

 
держится. Что же касается изотопа


235U , то он в природе встречается


редко, а изотоп 233U – еще реже. Разделение 238U


и 235U


на отдельные


92                                                                                      92                  92

фракции – это очень сложный процесс, он основан на использовании метода газовой диффузии. Промежуточными продуктами этого метода являются крайне агрессивные вещества, которые вступают в химиче- ские соединения практически со всеми другими веществами.


92

 
Из табл. 4.13.2 также видно, что 238U


под действием тепловых ней-


тронов практически не делится, деление происходит только под дей- ствием быстрых нейтронов. Но тогда процесс будет протекать столь быстро, что может произойти ядерный взрыв, и необходимо приме- нять специальные методы для замедления ядерной реакции.

Итак, мы рассмотрели физическую причину деления тяжелых ядер под действием нейтронов. Может возникнуть вопрос: а почему под действием нейтронов на осколки делятся только тяжелые ядра? При- чина здесь следующая. В тяжелых ядрах присутствует значительное число положительно заряженных частиц, протонов. Поэтому в них существуют значительные силы кулоновского расталкивания. Избы- ток энергии ядерных сил притяжения над потенциальной энергией сил отталкивания определяется как раз величиной той энергии, которую привносит в тяжелое ядро дополнительный нейтрон. В легких ядрах энергия, связанная с попаданием нейтрона в ядро, оказывается недос- таточной для того, чтобы вызвать деление ядра. У легких ядер отно- шение кулоновских к ядерным силам гораздо меньше подобного от- ношения у тяжелых ядер, и поэтому относительное значение энергии активации у легких ядер во много раз больше относительной энергии активации у тяжелых ядер.

92

 
В настоящее время, несмотря на всю сложность процесса сепара-


ции при получении изотопа


235U , в ядерной энергетике эти изотопы


находят самое широкое применение из-за того, что деление ядер этих изотопов происходит под действием тепловых нейтронов, стало быть, и меньшие требования предъявляются к экологической безопасности.

 

                   Продукты деления урана под действием тепловых нейтронов

 


Ядро изотопа урана


235

U

 
92


под действием теплового нейтрона чаще


всего делится на два осколка. Но массовые числа осколков оказыва-


ются разными в интервале значений


72 <


A <161 . Для характери-


стики распределения возникающих осколков по массовым числам


вводится понятие выхода осколков на одно деление. Выход осколков на деление равен отношению числа делений с образованием данного осколка деления к общему числу делений. График выхода осколков на


одно деление

4.14.1.


235

U

 
92


как функция массового числа A приведен на рис.


 

w ,%

10

 

 

1

 

0,1

 

0,01

 


0,001


95      115      140                            A


 

92

 
Рис. 4.14.1. Выход осколков на одно деление 235U

 

На графике выхода имеется группа легких осколков деления, со- стоящая из ядер с массовыми числами от 80 до 110 и имеется группа тяжелых осколков деления, состоящая из ядер с массовыми числами от 125 до 155. Деление ядра на два осколка с массовыми числами от 110 до 125 происходит крайне редко. Следовательно, при делении яд- ра наиболее вероятно образование легкого и тяжелого осколков.

Важнейшей особенностью продуктов деления составного ядра яв- ляется его радиоактивность. Это связано с тем, что в образовавшихся осколках имеет место избыток нейтронов по сравнению с числом ней- тронов в стабильных изотопах. Так, двум максимумам на графике рис.

4.14.1 соответствуют  массовые  числа 94 и 140, что соответствует  ра-

Sr

 

54

 

38

 
диоактивным изотопам  94       и  140Xe .  Массовые  числа стабильных

Sr

 
ядер стронция и ксенона равны 88 и 136. Поэтому радиоактивное ядро


38

 
стронция 94


имеет в избытке шесть нейтронов, а радиоактивное яд-


54

 
ро ксенона 140Xe – четыре нейтрона.


Осколки деления дают начало радиоактивным цепочкам


b- -


распадов, которые всегда заканчиваются стабильным ядром. В качест- ве примера приведем одну из возможных цепочек:

94Sr b- ®94Y b- ® 94Zr b- ®94Nbb- ® 94Mo .

38                             39                         40                             41                              42

Осколки деления и продукты их радиоактивного распада называют продуктами деления. При каждом делении ядра возникает несколько нейтронов деления. Нейтроны деления подразделяются на мгновенные и запаздывающие. Мгновенные нейтроны испускаются в момент де- ления, запаздывающие – спустя некоторое время после момента деле- ния ядра, они испускаются осколками. Мгновенные нейтроны выле- тают из шейки гантелеобразного  ядра (рис. 4.13.2, момент времени    t2 ), где практически нет протонов, так как из-за кулоновского оттал- кивания они сосредотачиваются в удаленных от шейки частях ядра.


Поэтому при разрыве шейки (рис. 4.13.2, момент времени


t3 ) из нее


вылетают мгновенные нейтроны. Энергия большинства мгновенных нейтронов находится в интервале от 0,1 МэВ до 10 МэВ. Запазды- вающие нейтроны составляют менее 1% от числа нейтронов деления, они испускаются осколками. Среднее время запаздывания нейтронов не превышает 1 часа. Осколки деления ядер радиоактивны, они пере- сыщены нейтронами и находятся в возбужденном состоянии. Возбуж- дение осколков снимается испусканием запаздывающих нейтронов и

g - квантов, если энергия возбуждения больше, чем энергия отделения

нейтрона из ядра. Наличие запаздывающих нейтронов имеет важное практическое значение, так как с помощью специальных процессов позволяет регулировать цепную ядерную реакцию.


При делении


235

U

 
92


выделяется огромная энергия, которая распре-


деляется следующим образом.

Кинетическая энергия осколков деления


K ( A1Y ,A2 Y )


166, 2 МэВ


Z1      Z 2

Энергия мгновенных и запаздывающих нейтронов                4, 8 МэВ Энергия мгновенных g -квантов                                                           8, 0 МэВ

Энергия быстрых электронов                                                 7, 0 МэВ

Энергия  g - квантов, вылетающих из осколков                       7, 2 МэВ

Энергия антинейтрино                                                            9, 6 МэВ

----------------------------

Итого                                                                                   202, 8 МэВ


                   Цепная ядерная реакция

 

Реакция деления тяжелых ядер нашла широкое практическое при- менение. Важнейшее значение имеет высвобождение большого коли- чества энергии, которое имеет место при каждом акте деления, и по- явление при этом двух или трех мгновенных нейтронов. Если бы каж- дый из этих нейтронов, взаимодействуя с ближайшими ядрами деля- щегося вещества, в свою очередь, вызывал в них реакцию деления, то в природе происходило бы лавинообразное нарастание числа актов деления. Возникла бы цепная ядерная реакция. Но предположение, что каждый из нейтронов захватывается делящимися ядрами, в дейст- вительности не реализуется. Большинство мгновенных нейтронов по- падает в ядра атомов, которые под действием нейтронов вообще не делятся. Некоторое их число может просто выйти за пределы актив- ной зоны, т. е. той части пространства, в которой происходит цепная реакция. Эти потери могут быть столь значительными, что в объеме рабочего вещества цепная реакция либо вовсе не возникает, либо, воз- никнув, быстро затухает.

92

 
Рассмотрим сначала размножение нейтронов в бесконечной среде делящегося вещества. Размножение нейтронов удобно представить в виде ряда циклов размножения. Для примера пусть это будет вещест-


во, состоящее из смеси изотопов


235

U

 
92


и 238U . Отдельный цикл раз-


92

 
множения состоит из последовательных этапов: поглощение ядрами


U

 
235

92


тепловых нейтронов, деление


235U , деление


238

U

 
92


быстрыми


нейтронами. Если бы не было поглощения и утечки нейтронов за пре- делы объема, то размножение нейтронов происходило бы по схеме, показанной на рис. 4.15.1.

 

 

1- е поколение

 

 

2 - е поколение

 

 

3 - е поколение

 

 

Рис. 4.15.1. Схема размножения нейтронов в цепной реакции деления


Для характеристики цепной реакции вводится коэффициент ис- пользования тепловых нейтронов q . q показывает, какое относитель-


ное число тепловых нейтронов поглощается ядрами которое число нейтронов теряется в замедлителе, то


235U . Так как не-

92

 
q < 1. Размноже-


ние на тепловых нейтронах характеризуется коэффициентом размно-

жения k . k есть отношение числа нейтронов во втором поколении к числу нейтронов в первом поколении с учетом всех возможных потерь нейтронов.

С уменьшением размеров активной зоны увеличивается число ней- тронов, выходящих за ее пределы, при этом уменьшается возможность дальнейшего развития цепной реакции. Так как число нейтронов, вы- ходящих за пределы активной зоны, пропорционально площади по- верхности, а число вновь возникших нейтронов пропорционально объему делящегося вещества, то оценить относительное число выхо- дящих из цепной реакции нейтронов вследствие утечки можно из со- отношения


=  4pR2  = 3

,

V     4 pR3     R

3

где S – площадь поверхности активной зоны, V – объем активной зо-

ны.

Следовательно, с уменьшением радиуса активной зоны R увели- чивается число нейтронов, вылетающих из активной зоны. Мини- мальный размер активной зоны, при которой возможно осуществле- ние цепной ядерной реакции, называется критическим размером. Масса делящегося вещества, находящегося в критическом объеме, на- зывается критической массой. Величина критической массы зависит от способа ее размещения в системе. Для увеличения вероятности протекания цепной реакции возможны несколько способов размеще- ния массы делящегося вещества, при помощи которых удается уменьшить критическую массу. Остановимся на некоторых из них.

1.  Использование отражателей. Отражатель – это вещество, кото- рое отражает выходящий за пределы критической массы нейтроны. Термин "отражатель" не вполне точен, поскольку в природе не суще- ствует материала, способного полностью отражать нейтроны в обрат- ном направлении. Механизм работы отражателя состоит в том, чтобы нейтроны, двигающиеся беспорядочно по случайным траекториям, от объема отражателя испытывали обратное рассеяние. А поскольку ко-


эффициент обратного рассеяния


r < 1 , то в результате многократных


столкновений с ядрами вещества отражателя некоторое число нейтро- нов рассеивается в обратном направлении. Поэтому ядра отражателей не должны захватывать и поглощать нейтроны, они должны лишь рас- сеивать их. Отражателями являются графит, бериллий, вода, углево- дороды.

2.  

92

 
Использование замедлителей. Замедлитель представляет собой материал, замедляющий быстрые нейтроны (мгновенные нейтроны),


возникающие при делении


235U . В результате столкновений быстрых


нейтронов с ядрами замедлителя быстрые нейтроны в каждом акте столкновения теряют энергию, и после многократных столкновений их энергия снижается до тепловой. К замедлителям относятся графит, бериллий, вода, углеводороды, причем бериллий является одним из лучших замедлителей. При облучении бериллия нейтронами происхо- дит следующая ядерная реакция:

4

 
9Be(n,2n)2a


Замедлителем может быть также и


238

U

 
92


для тех быстрых нейтро-


нов, энергия которых меньше 1, 4 МэВ. Тогда при столкновении бы-


строго нейтрона с ядром


235

U

 
92


деления ядра не происходит, возникает


возбужденное составное ядро.

3. Тщательная сепарация – отделение делящихся ядер от других с целью снижения захвата нейтронов ядрами неделящегося вещества.

48

 
Для управления цепной реакцией используются поглотители. Их изготовляют в виде стержней, которые в процессе выгорания ядерного вещества постепенно извлекают из активной зоны. Из природных элементов с большим сечением поглощения тепловых нейтронов ши-


5

 
роко применяются бор 11B


и кадмий 112Cd


как в чистом виде, так и в


72

 
различных соединениях и сплавах, а также гафний 178Hf .

В литературе приводятся значения критических размеров и крити- ческих масс чистых нуклидов. Они представлены в табл. 4.15.1.

 

Нуклид

233U

92

235U

92

239Pu

94

Rкр ,см

6

8,5

6

mкр , кг

16

48

17

 

Таблица 4.15.1. Критические размеры и массы нуклидов


Найдем теперь закон размножения нейтронов в активной зоне.


Пусть


N1 = N – число нейтронов в первом поколении. Тогда во


втором поколении число нейтронов будет

ент размножения нейтронов.


N2 = k × N , k – коэффици-


Прирост числа нейтронов за одно поколение за время t = t будет

DN = N2 - N1 = k × N - N = N × (k - 1) ,

где t – среднее время между двумя последовательными актами деле- ния ядер.

Изменение числа нейтронов в активной зоне за 1 с

D= N (k - 1) .                            (4.15.1)

             

t           t

Обычно нейтрон в замедлителе испытывает от 20 до 180 столкно- вений, в процессе столкновений с ядрами замедлителя нейтрон рас- трачивает свою избыточную энергию. Средний промежуток между


столкновениями составляет


0, 5 см < l < 3 см , а весь процесс замед-


ления до момента захвата ядром


235

U

 
92


длится


10-5 с £ t £ 10-3 с , и за


это время нейтрон в среднем проходит путь по ломанной траектории порядка 30 м и может удаляться от места своего возникновения на расстояние от 2 см до 100 см. Поэтому с достаточной точностью в


формуле (4.15.1) можно положить t = dt


и записать:


D=  dN .

             

t       dt

После подстановки найденного значения в (4.15.1) получаем диф- ференциальное уравнение


dN = (k - 1) N

            


,                           (4.15.2)


dt

решением которого является

= N


t

 

 

 
exp k - 1 t  ,                         (4.15.3)



0                t    


где


N0 – число актов деления в начальный момент реакции, N – чис-


92

 
ло активных нейтронов в момент времени t , t – средний промежуток времени между двумя последовательными актами деления ядра 235U .

Из уравнения (4.15.3) видно, что закон изменения числа активных нейтронов от времени существенно зависит от величины коэффициен- та размножения нейтронов k , а стало быть, и от знака скобки (k - 1) .

Здесь могут встретиться три частных случая:


·       k - 1 >


0, k


> 1, N


> N0 , число нейтронов со временем растет;


это развивающаяся цепная реакция.


·       k - 1 =


0, N = N0 , число нейтронов во времени не меняется; это


самоподдерживающаяся цепная реакция.


·       k - 1 <


0, k


< 1, N <


N0 , число нейтронов со временем убывает;


это затухающая цепная реакция.

Для получения управляемой цепной реакции необходимо иметь ко- эффициент размножения k » 1 . В этом случае число активных нейтронов будет меняться столь незначительно, что таким потоком нейтронов легко управлять. Для этого в активную зону вводят специальные стержни замедлители ядерной реакции. Вводя и выводя из активной зоны такие стержни, можно управлять ходом цепной реакции, делая ее самоподдер- живающейся. В зависимости от величины коэффициента размножения k можно получить три режима работы: k = 1 – критический режим, k > 1 – надкритический режим, k < 1 – подкритический режим.


Система, состоящая только из ядер


238U , не может находиться в


92

 
критическом режиме, поскольку у


238

U

 
92


вероятность поглощения бы-


строго нейтрона с энергией


eк > 1,4 МэВ и последующего деления со-


ставного ядра меньше вероятности неупругого рассеяния быстрого


нейтрона примерно в 3 раза. Таким образом, ществляет неупругое рассеяние по схеме

238U (n, n')238U *,


238

U

 
92


очень хорошо осу-


92                92

при этом потеря энергии у быстрых нейтронов происходит за весьма короткое время.

Для протекания самоподдерживающейся ядерной реакции необхо-


димо


k = 1 . Но в данном случае из трех нейтронов только один вызо-


вет деление, а два испытают неупругое рассеяние. Значит, величина    k = 1 может быть только в идеальном случае, а с учетом возникающих здесь дополнительных потерь реальное значение k оказывается


меньше единицы. Таким образом, получается, что при


k = 1


цепная


реакция оказывается затухающей. Итак, для того чтобы цепная само- поддерживающаяся ядерная реакция шла на быстрых нейтронах, не-


обходимо, чтобы коэффициент размножения


k > 1 , а само делящееся


вещество было бы обогащено ядрами


235

U

 
92


или ядрами другого деля-


щегося под действием тепловых нейтронов вещества.


                   Реакции синтеза легких ядер

 

                      Термоядерные реакции

Ранее мы подробно рассмотрели процесс деления тяжелых ядер, возникающий в результате поглощения тяжелым ядром одного ней- трона. Такое ядро делится на два осколка, обладающих огромной ки- нетической энергией, и, кроме того, в пространство вылетают два или три мгновенных нейтрона. Общая энергия, которая выделяется в ре- зультате реакции деления тяжелых ядер, составляет примерно 200 МэВ.

Но, наряду с делением тяжелых ядер, в природе существуют реак- ции синтеза, т.е. реакции образования более тяжелых ядер из легких, сопровождающехся выделением энергии большей, чем при реакции деления.

Для того чтобы понять физическую причину выделения большой энергии в процессе синтеза легких ядер, обратимся еще раз к анализу


графика


eсв , приведенного на рис. 4.3.1. Из опыта следует:

A


 

eсв (2H 1) = 1,2 МэВ, eсв (3H 2) = 1,8 МэВ,  eсв ( 4He2) = 7,2 МэВ.

                                                                                                                                                                                                                          

A  1                                                       A  1                                                     A 2

 


 

Как видно из рис. 4.3.1, экспериментальное значение


eсв ( 4He2 )


A 2


 

далеко выходит за пределы графика усредненных значений


eсв . По-

A


этому, если из двух нуклонов


2H 1 образуется ядро


4He2 , то такое яд-


1

 

2

 
ро должно находиться в возбужденном состоянии, поскольку при этом высвобождается энергия, равная энергии связи. Нечто подобное имеет место и при синтезе других легких ядер. Конечно, было бы заманчи- вым в какой-то точке пространства вызвать столкновение сразу четы- рех протонов с последующим образованием ядра атома гелия. Однако такое четверное столкновение – событие маловероятное, оно осущест- вляется чрезвычайно редко. Поэтому гораздо проще осуществить столкновения двух дейтронов с последующим образованием ядра

2

 
4He2 .

Возможные ядерные реакции синтеза будут иметь следующий вид:


2H 1+2H 1®3H 2+1H 0 + 4,03


МэВ ,


1              1                1              1


2H 1+2H 1® 3He1+ 1n1 + 3,25


МэВ ,


1              1                 2                0


2H 1+3H 1® 4He2+ 1n1 +17,6


МэВ .


1              1                2                  0

92

 
Из приведенных ядерных реакций мы видим, что при этом выделя- ется значительная энергия. Следует подчеркнуть, что в этих реакциях выделение энергии в расчете на единицу массового числа A в не- сколько раз превышает выделение энергии, которое имеет место при


реакции деления тяжелых ядер, например,


235U , под действием ней-


трона. В самом деле, применительно к этому случаю, мы можем запи- сать:

235U + 1n ®(236U *)®A1Y + A2Y + k × n + 205 МэВ ,


92           0                  92


Z1          Z 2


где k = 2 или 3 . Но


A = A1 + A2 + k = 236 , поэтому


e A = 205 236 = 0,85 МэВ .

В случае же реакции синтеза имеем

3H (2H , 1n) 4He +17,6 МэВ ,

1          1        0        2

 

и A = 4 + 1 = 5 . Тогда

e* A = 17,6 5 = 3,5 МэВ .

Таким образом, при реакции синтеза высвобождение энергии на один нуклон оказывается примерно в четыре раза больше, чем при реакции деления. И если сравнивать между собой ядерную реакцию деления с ядерной реакцией синтеза, то между этими реакциями с энергетической точки зрения нет принципиальной разницы: реакция синтеза в расчете на одну а.е.м. дает выигрыш в энергии примерно в четыре раза больше по сравнению с реакцией деления. Тем не менее, в настоящее время ученые многих стран стремятся овладеть управляе- мой реакцией синтеза. В чем же здесь причина? А дело здесь в том, что исходный продукт реакции синтеза в природе встречается в очень большом количестве. Известно, что в природной воде всегда в не- большом количестве имеются изотопы дейтерия и трития. Так, 1 л во- ды содержит 0, 033 л дейтерия, а всего в океанах Земли содержится


около


5 ×1013 т дейтерия.   При современном уровне энергетических


потребностей запасов дейтерия на Земле могло бы хватить на 20 мил- лиардов лет. И если человечество сумеет овладеть этой реакцией, за- ставит ее служить на свою пользу, то оно на многие столетия вперед освободит себя от заботы о дешевом источнике энергии. Тогда во


многих странах проблема энергетического голода не будет стоять так остро, как сейчас.

Вот почему взоры всех ученых энергетиков привлекает заманчивая картина овладения термоядерной реакцией синтеза.

В чем же состоит особенность реакций синтеза легких ядер? Син- тез должен осуществляться либо из легких ядер, либо из нуклонов.


При этом у них отношение


eсв

A


должно находиться на возрастающей


2

 
части графика рис. 4.3.1. К нуклонам, как мы знаем, относятся лишь протоны и нейтроны. Однако нейтроны в свободном состоянии в при- роде не существуют. Поэтому синтез ядер из нейтронов в природных условиях осуществить в заметных количествах не удается, это можно сделать только из протонов, а также из ядер дейтерия и трития. Но ядра этих изотопов имеют электрический заряд. Поэтому в ядерных реакциях синтеза существенную роль играют кулоновские силы от- талкивания, препятствующие преодолению потенциального барьера между сталкивающимися частицами. Если полная кинетическая энер- гия сталкивающихся частиц невелика, то ядерная реакция на заряжен- ных частицах не произойдет вообще. У легких ядер кулоновский по- тенциальный барьер сравнительно невысок, но все же для сближения


двух дейтронов и последующего образования ядра атома


4He


необ-


ходимо, чтобы их полная кинетическая энергия была не менее 0,1

МэВ.

В самом деле, для того чтобы произошел синтез двух дейтронов, их необходимо сблизить на расстояние около 3 Ф , т.е. на удвоенный ра- диус сталкивающихся дейтронов. На таком расстоянии между ядрами потенциальная энергия отталкивания


eпот

max


e2

=                .                      (4.16.1) 4pe0 (2R)


Так как столкновения дейтронов в большом количестве возможны только в достаточно плотной среде, то для осуществления такой реак- ции необходима кинетическая энергия сталкивающихся дейтронов

e    = 3 kT .                          (4.16.2)

к            2

Решая уравнения (4.16.1) и (4.16.2) совместно, получим

e2

T =                .                       (4.16.3)

12pe0kR


После   подстановки   в   (4.16.3)   табличных   значений,   а   также

R = 1, 5 Ф и  выполнения  вычислений  получаем   T = 3,7 ×109 K .  Эта

температура столь высока, что превышает температуру в центральной области Солнца, которая примерно равна 1,5 ×107 K .

Так как процессы слияния ядер в массовом количестве возникают

лишь в результате хаотических столкновений при очень высокой тем- пературе, то рассмотренные выше реакции синтеза называются тер- моядерными реакциями.

Таким образом, термоядерные реакции – это реакции синтеза атомных ядер, эффективно протекающие при сверхвысоких темпера- турах и способствующие поддержанию этой температуры за счет большого энерговыделения. Для поддержания термоядерной реакции необходима температура порядка 109 К, а в то же время в центральной области Солнца температура достигает величины порядка 107 К. Тем не менее считают, что огромная энергия, излучаемая Солнцем в окру- жающее пространство, возникает за счет протекающих в нем термо- ядерных реакций.

Так в чем же здесь дело? Оказывается, реакции синтеза могут про-

H

 
текать и при температуре, значительно меньшей, чем 109 К. Правда, при этом в реакции должны участвовать только ограниченное число ядер. Рассмотрим более подробно эти процессы.


1.  

1

 
Если два дейтрона 2


движутся навстречу друг другу, то они


могут преодолеть потенциальный барьер сил отталкивания туннель- ным эффектом и затем войти в соприкосновение и испытать слияние, образуя ядро атома гелия, a - частицу. На протекание такого процесса требуется энергия в 10–100 раз меньшая, чем при прямом слиянии ядер дейтерия.

Известно, чем больше энергия налетающей частицы, тем меньше толщина потенциального барьера, тем больше становится вероятность преодолеть такой барьер туннельным эффектом. Оценки показывают, что вероятность таких столкновений имеет заметную величину.

2.   При достаточно высокой температуре оголенные ядра дейтерия имеют максвелловское распределение по скоростям. Ядра, у которых скорости хаотического движения во много раз больше их средних скоростей в распределении Максвелла, обладают настолько большой энергией, что при их столкновении может произойти синтез ядер ато- мов гелия (рис. 4.16.1). Из рис. 4.16.1 видно, что, хотя количество та- ких ядер и невелико, они в объеме все-таки существуют.


 

f (u )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.16.1. Распределение Максвелла по скоростям движения

 

Таким образом, в плазме, состоящей из оголенных ядер и электро- нов при температуре 107 К, всегда имеются частицы с энергией, дос- таточной для возбуждения термоядерной реакции. Вот почему темпе- ратура, при которой могут реально происходить термоядерные реак- ции синтеза, находится в интервале 107 - 108 К .

Итак, для протекания термоядерной реакции синтеза легких ядер в


объеме необходима температура порядка


107 К и наличие условий,


при которых количество энергии, выделяющейся при термоядерной реакции, превышало бы возможные энергетические потери. Если же энергетические потери будут превышать выделяющуюся энергию, то температура плазмы будет постепенно понижаться, и реакция синтеза в конце концов прекратится. В настоящее время в земных условиях такая температура может быть создана либо при помощи взрыва атомной бомбы, либо с помощью магнитных ловушек, которые позво- ляют сконцентрировать плазму в малом объеме, отделив ее при этом от стенки экспериментальной установки и тем самым уменьшив раз- личные виды потери энергии, возникающие при контакте горячей плазмы со стенкой. Но работа на термоядерных реакторах как в ста- ционарном, так и в импульсном режимах при генерации избыточной энергии в настоящее время не привела пока к положительным резуль- татам. Физической причиной возникающих трудностей является на- личие в объеме горячей плазмы множества мелкомасштабных неус- тойчивостей, нарушающих стабильную работу реактора.


                      Термоядерные источники энергии Солнца

Спектроскопические исследования показывают, что в состав Солн- ца входят протоны (80%), ядра атомов гелия (19%) и ядра атомов уг- лерода, азота, кислорода – всего 1%.

Поэтому главное значение для поддержания постоянства излучения Солнца имеют реакции синтеза ядер водорода.

В настоящее время принято, что на Солнце осуществляются два цикла синтеза легких ядер:

а. протонно-протонный цикл


1. 1H +1H ®2H + e + v


+ 0,421


МэВ ,


1       1         1       +1        e


1H +1H ®2H + e + v


+ 0,421


МэВ ,


1       1         1       +1        e

t = 1,4 ×1010 лет, t – средняя продолжительность реакции.


2. +1e+-1e ® g +1,02


МэВ ,


+1e+-1e ® g +1,02


МэВ ,


t = 0 .


3. 2H +1H ® 3He + g + 5,49


МэВ ,


1       1         2


2H +1H ® 3He + g + 5,49


МэВ ,


t = 5,7 с .


1       1         2


4. 3He+ 3He® 4He +21H + 12,85


МэВ ,


t = 1×106


лет.


2         2           2            1

Следовательно,   полная   энергия,   выделяющаяся   за    1    цикл,

Q = 26,71 МэВ. Тогда все реакции синтеза протонно-протонного цик- ла можно сокращенно записать в виде одной обобщенной:


41H ® 4He +2 e + 2v


+ 2g + Q .


1              2                   +1                  e

б. углеродно-азотный цикл

Этот цикл достаточно интенсивно протекает лишь при более высо- кой температуре, чем протонно-протонный. Поэтому условия для его осуществления в недрах Солнца менее благоприятные. Углеродно- азотный цикл состоит из шести последовательных циклов, причем ка- ждый из них имеет свою продолжительность.


1. 12C+1H ®13N + g + 1,95


МэВ ,


t = 1,3 ×10


лет.


6      1          7


2. 13N ®13C+ e + v


+ 2,2


МэВ ,


t = 7


мин.


7          6       +1        e


3. 13C+1H ®14N + g + 7,54


МэВ ,


t = 2,7 ×106


лет.


6       1          7


4. 14N +1H ®15O + g + 7,35


МэВ ,


t = 3,3 ×108 лет.


7       1          8


5. 15O®15N + e + v


+ 2,71


МэВ ,


t = 82 c.


8          7       +1         e


6. 15N +1H ®12C+ 4He + 4,96


МэВ ,


t = 1,1×105 лет.


7       1          6       2

В итоге при сокращенной форме записи имеем:


41H ® 4He +2 e + 2v


+ 3g + 26,73


МэВ .


1         2            +1           e


6

 
Ядро 12C


является реагентом, оно синтезирует ядро


4He


из четы-


2

 
рех протонов. Так как температура в ядре Солнца порядка 107 К, то в нем преимущественно протекает протонно-протонный цикл. При бо- лее высокой температуре, по-видимому, будет преобладать углеродно- азотный цикл. Стало быть, для поддержания равновесного состояния возникают условия, при которых энергетические потери в окружаю- щую среду равны энергии, выделившейся в результате реакций синте- за.

В 1967 г. немецкому ученому Хансу Бете была присуждена Нобе- левская премия за его вклад в теорию ядерных реакций, особенно за открытия, относящиеся к источникам энергии звезд.

Из приведенных выше термоядерных реакций синтеза следует, что одним из побочных продуктов реакций являются нейтрино. Наиболь- ший поток нейтрино будет вылетать из тех объемов ядра Солнца, где наиболее интенсивно протекают термоядерные реакции, т.е. из облас- тей ядра Солнца с наиболее высокой температурой. Следовательно, изучая распределение нейтрино в пространстве по направлениям, можно определить размеры ядра Солнца, интенсивность термоядер- ных реакций и объем, в пределах которого они протекают.

Разогретая плазма в ядре Солнца удерживается в сжатом состоянии внешними гравитационными силами, действующими снаружи на ядро Солнца. Этим обеспечивается естественное течение самоподдержи- вающихся термоядерных реакций. В результате протекания термо- ядерных реакций синтеза содержание протонов в Солнце постепенно уменьшается, и после того, как весь водород выгорит, термоядерные реакции прекратятся, излучение Солнца постепенно будет затухать. Но процесс этот весьма и весьма длительный, он займет многие мил- лиарды лет.


Приложение

 

Рассмотрим многоэлектронный атом, в электронной оболочке ко- торого имеется лишь один валентный электрон. Для наглядности та- кой атом можно представить состоящим из остова, т.е. ядра с элек-


трическим зарядом


Ze > 0


и электронной оболочки с зарядом


(Z -1)e < 0 , и валентного электрона с зарядом e < 0 . Следовательно, эффективный электрический заряд остова атома q* = e > 0 . Так как электронная оболочка атома не обладает сферической симметрией,  то

электрическое поле остова атома должно отличаться от кулоновского,

оно не обладает сферической симметрией. В результате вырождение состояний по орбитальному квантовому числу l теперь снимаются, каждому значению l соответствует свое значение полной энергии электрона.

Движущийся вокруг остова атома валентный электрон создает ор- битальный ток Ie (рис. 1).

 

 

 

 

 

 

I l

 

 

 

u(-e)

 

Рис. 1

 

По определению, вектор мгновенного орбитального магнитного момента

r

pml = Iesk

 

где


T

 
I   =  > 0

l

l

 

Tl- период обращения валентного электрона вокруг остова, Rl-

радиус мгновенной окружности, по которой движется валентный электрон; k - единичный вектор, направленный вдоль оси oz .

Мгновенный орбитальный ток создает магнитное поле, вектор ин-

дукции которого на оси симметрии

 

Bl = Blk

 

 

 

На рис. 1 u(-e) - вектор мгновенной скорости валентного электро- на, u(+e) -вектор скорости воображаемого положительного заряда, на-

правление движения которого совпадает с направлением мгновенного тока Il, u(-e) = u(+e) .


Но кроме мгновенного орбитального магнитного момента


pml у


электрона всегда имеется собственный магнитный момент


pms , воз-


никающий в результате вращения электрона вокруг оси симметрии с


угловой скоростью ws


(рис. 2).


 


Рис. 2


По определению, собственный магнитный момент электрона

 

pms  = Isss

 


где


I = e ,


T

 
s

s

Ts - период вращения электрона вокруг оси симметрии, электрона.

Тогда


Rs - радиус


T

 
p    =  e pR2

ms                          s

s

 

Собственный момент импульса электрона

L= Iws

 


где


m R 2

I = e s ,

2


I    - момент инерции электрона относительно собственной оси


вращения,


ws - угловая скорость вращения электрона вокруг собст-


венной оси вращения.

Следовательно, отношение собственного магнитного момента к собственному моменту импульса есть

 


 pms =


        2              -1

m R    2p

 

e

 

e

 

s

 
pR2   e    s                    =       = g

                                                                                                                                   


Ls            Ts


s     2


Ts         me


 

или

pms = gs Ls

 

 

 

gs - гиромагнитное отношение электрона.


Движение валентного электрона по воображаемой орбите можно представить в виде движения по мгновенной круговой траектории, результатом которого является возникновение мгновенного кругового тока. Вектор индукции магнитного поля такого кругового тока


r      m0


pml


Bl = 2p   r3

 


Но так как


p    = e pR2l


L = m R2


T

 
ml                                                                                                                                               l               e e

l

то после подстановки соответствующих значений имеем

 


pml =

Ll


e

2me


= gl


 

 


gl =


e

2me


- гиромагнитное отншение при орбитальном движении


электрона вокруг остова атома.

Тогда

pml = glLl

 

 

 

Из сравнения (2) и (3) находим

 

gs = 2gl

 

 

 

Наличие у электрона собственного магнитного момента приводит к изменению его полной энергии. Для оценки такого изменения введем собственную для электрона систему отсчета. В этой системе отсчета остов атома вращается вокруг электрона. В результате теперь элек-


трон находится в магнитном поле, созданном движущимся эффектив- ным зарядом q* остова(рис. 3).

 

 

 

 

 

 

y1

 

 

 

Рис. 3

 

В месте расположения электрона вектор индукции магнитного по- ля с учетом (4)

r       m0               r


Bl = 2pr 3 glLl

 

Теперь валентный электрон находится в магнитном поле, создан- ным самим же электроном в результате орбитального движения во- круг остова атома, поэтому у валентного электрона возникает допол- нительное изменение полной энергии r

De = - pms Bl


или после подстановки значений


pms и Bl получаем


 


 

De = -g g


m0 r r

 


= -g 2 m0 r r



s    l 2pr 3 Ls Ll                    l pr 3 Ls Ll

 

 


Скалярное произведение


Ls Ll найдем, используя соответствующие


формулы квантовой механики.

Для валентного электрона справедливо равенство

Lj = L+ Ll

из которого следует


L 2 = L × L = L2 + 2L L


+  L2


 

Откуда

r r


j                 j           j              l

 

 

= 1 (r2 - r2 - r2 )


l   s             s


LlLs

 

 

j

 

j

 
Так как


2 Lj


Ll Ls

 

 

ˆ2

 
r

Ljy j


 

 

= L2y


(8)


 

 

ˆ2

 
r

Lly l


 

 

L2 = h2 j( j + 1) L2 = h2l(l + 1) L2 = h2s(s + 1)

l                                                l                                              s

 

j - внутреннее квантовое число, то после постановки найденных значений в (8) получаем


r r

Ls Ll


r r

= -LlLs


= - h2 (

2


j( j


+ 1)


- ë(l+ 1) -


s(s


+ 1))


(9)


 


Значение


Ls Ll из (9) подставляем в (7):


 


De =


m h2

2       0 (

 
gl pr3


j( j


+ 1)


- ë(l + 1) -


s(s


+ 1))


 

Итак, изменение полной энергии (10), возникающее из-за спинор- битального взаимодействия, зависит от значений квантовых чисел j ,

l, s . Кроме того, с ростом Z радиус орбиты валентного электрона r возрастает, поэтому возможное расщепление уровней полных энергий должно быть значительным только у атомов с малым Z , что и под- тверждается опытом.


Предметный указатель


Автоэлектронная эмиссия, 69

Адиабатическое приближение, 169

Адроны, 273

Активная зона делящегося вещества, 353

Активность препарата, 317

Акцепторный уровень, 195

Атомная единица массы

(а.е.м.), 282

Барионная асимметрия Вселенной, 278

Барионный заряд, 284

Барионы, 284

Безизлучательный переход, 249

Беккерель, 317

Бета-распад позитронный, 331

электронный, 331

Бозоны, 274

Валентный электрон, 92

Вековое уравнение, 319

Вектор трансляции, 171

Вероятность события, 23

Вероятность спонтанного перехода, 237

Взаимодействие обменное между атомами, 117

Взрывная миссия, 256

Виртуальнй фотон, 290

Виртуальные пи-мезоны, 303

Виртуальный процесс обмена частицами, 289

Внешняя контактная разность потенциалов, 201

Внутреннее квантовое число, 104

Внутренний фотоэффект, 227

Внутренняя контактная разность потенциалов, 206

Волновая функция, 20

Волновое спектроскопическое число, 91

Волновой вектор, 172


Вращательные энергетические уровни, 124

Время жизни атома в возбужденном состоянии, 237

Входной и выходной каналы ядерной реакции, 337

Вырожденние состояний в атоме водорода, 83

Вырожденные состояния электронов в твердом теле, 138

Гармонический осциллятор квантовый, 48

классический, 45

Гетеропереход, 252

Гиромагнитное отношение, 84

Глюоны, 275

Гравитационное взаимодействие, 274

Граничные условия, 55

Деление ядра, 342

Дефект массы, 281

Диамагнетизм сверхпроводников, 162

Диоды полупроводниковые, 223

Диффузионная длина неосновных носителей заряда, 217

Диффузионный поток квазичастиц, 202

Длина волны де Бройля, 14

Донорный уровень, 192

Дырки, 182

Закон Гейгера-Нэттола сохранения барионного

заряда, 331

Замедлитель, 356

Запаздывающие нейтроны, 352

Заряд

лептонный, 275

мюонный, 275

таонный, 275


Зарядовая независимость ядерных сил, 284

Зона

валентная, 176

запрещенная, 176

проводимости, 176

Зоны Бриллюэна, 173

Изобары, 279

Изотопы, 279

Импульс фотона, 13

Инверсная населенность, 243

Индуцированные переходы, 239

Инжекция носителей заряда, 225

Интеграл обменного взаимодействия, 118

Интегральные микросхемы, 226

Ионные кристаллы, 127, 129

Квазиимпульс электрона, 228

Квазиэлектроны, 151

Квантовый выход фотоэффекта, 233

Квантовый дефект главного квантового числа, 94

Квантовый осциллятор, 48

Кварки, 275

К-захват, 332

Классический осциллятор, 45

Ковалентные кристаллы, 127,

130

Колебания ионов аккустические, 150

оптические, 150

тепловые, 150

Колебательное квантовое число, 121

Контакт металл -

полупроводник, 209

Концентрация носителей заряда в полупроводнике примесном, 199

собственном, 196

Коэффициент выпрямления, 222


прозрачности потенциального барьера, 261

Коэффициенты Эйнштейна, 240

Критическая

масса делящегося вещества, 354

температура сверхпроводника, 161

Куперовская пара (к. п.), 162

Кюри (единица активности нуклида), 317

Лазер

гелий-неоновый, 243

полупроводниковый, 251

с двойной гетероструктурой, 253

Лазеры, 236

Лептон, 271

Магические числа нуклонов, 283

Магнитное квантовое число, 77

Масса эффективная электронов, 157

Массовое число, 279

Массой эффективная дырок, 183

Мгновенные нейтроны, 352

Металлические кристаллы, 132

Метод разделения переменных Фурье, 51

Модель

жидкой капли, 291

ядерных оболочек, 304

Молекулярные кристаллы, 132 Насыщение ядерных сил, 286 Невырожденые состояния

электронов в твёрдом теле, 138

Нейтроны запаздывающие, 352

мгновенные, 352

Нестационарное уравнение Шредингера, 40

Носители заряда


 

неосновные, 195

основными, 195

Нуклид, 278

Нулевая энергия, 49

Нулевые колебания, 50

Обменное взаимодействие между нуклонами, 288

Оператор Гамильтона, 41

импульса, 42

момента импульса, 73

Оптрон, 236

Оптронная пара, 235

Орбитальное квантовое число, 76

"Островок" стабильности изотопов, 315 Относительный показатель

преломления в электронной оптике, 12

Отражатель, 354

Переход электронно-дырочный

(n-p), 203

Период полураспада, 280

Плотность вероятности, 25

Плотность тока квазиэлектронов и дырок, 220

Плотность энергии равновесного излучения абсолютно черного тела, 241

Подвижность электронов, 135

Полная энергия электрона в атоме водорода, 82

в молекуле водорода, 123

Полупроводник дырочный (р-типа), 195

электронный (n-типа), 195

Полупроводниковый диод, 223

Полупроводниковый инжекционный лазер, 247

Постоянная распада, 317

Потенциальный барьер, 62

Правила отбора в дипольном излучении, 96


335

Приближение почти свободных электронов, 171

Принцип дополнительности, 35

Продукты деления радиоактивного распада, 350

Протонно-протонный цикл, 364

Псевдопотенциал, 170

Работа выхода, 256

Радиоуглеродный метод, 320

Распределение Максвелла- Больцмана, 241

Режим

критический, 358

надкритический, 358

подкритический, 358

Самоподдерживающаяся реакция, 358

Самосогласованное поле, 170

Сверхпроводники 1-го и 2-го рода, 166

Светодиоды, 234

Свободная энергия, 141

Связь в атомах нормальная, 103

сильная, 103

Сериальная формула атома водорода, 92

Сильное взаимодействие, 273

Синтез ядра, 281

Скорость спонтанного распада, 237

Соединения в полупроводниках, 249

Соотношение Эйнштейна, 213

Соотношения неопределенностей, 28

Составное ядро, 338 Спектрального терм атома, 94 Спин

нуклона, 277

электрона, 100

Спин-орбитальное взаимодействие, 304

Спонтанное излучение, 240


Среднее время жизни атома в возбужденном состоянии при спонтанном переходе, 236

Средние значения физических величин, 26

Стационарное уравнениие Шредингера, 40

Структурная единица движения, 148

материи, 148

Твердый раствор, 251

Температура Дебая, 149

Тепловые нейтроны, 347

Термодинамическая вероятность, 141

Термоядерная ракция, 358

Ток

обратный, 222

прямой, 222

Транзистор, 223

Туннельный эффект, 68 Углеродная единица массы, 282 Углеродно-азотный цикл, 365 Угловая скорость прецессии, 85 Управляемая цепная реакция,

357

Уравнение плоской электромагнитной волны, 19

Уравнение Шредингера в операторной форме, 41

Уровень Ферми, 162

Условие нормировки, 25

Условное обозначение нуклида, 279

Фазовое пространство координат и импульсов, 138

Ферми-газ (ЭФГ), 257

Фонон, 148

Фононный газ, 148

Формула Вейцзеккера, 295

Формула Гейгера, 330

Фотогальванический эффект, 230


Фотодиод, 230

Фотон как элементарная частица, 274

Фоторезистор, 228

Фотоэлектронная эмиссия, 264

Фотоэлемент, 234

Функция Бозе-Эйнштейна, 148

Функция Ферми-Дирака, 139

Цепная реакция, 353

Ширина запрещенной зоны, 189

Электромагнитное взаимодействие, 312

Электропроводность полупроводников, 208

Электрохимический потенциал полупроводника, 210

Элементарные частицы, 275

Энергетическая зона, 175

Энергетический поток, 22

Энергия активации, 193

возбуждения ядра, 339

квантового состояния, 142

колебания микрочастицы, 49

связи, 280

спин-орбитального взаимодействия, 107

Ферми, 153

фотона, 13

Энтропия носителей заряда

примесного полупроводника, 143

собственного полупроводника, 186

системы частиц, 141

Эффект Мейснера, 161

Эффективное сечение реакции, 341

Эффективный диполь, 87

Ядерная реакция, 337


 

Скачано с www.znanio.ru