Конспект урока "Транзисторы"

  • Разработки уроков
  • docx
  • 18.04.2018
Публикация на сайте для учителей

Публикация педагогических разработок

Бесплатное участие. Свидетельство автора сразу.
Мгновенные 10 документов в портфолио.

Изучив электрический ток в полупроводниках и познакомившись с p-n переходом, мы можем приступить к рассмотрению транзисторов. Транзисторы – это очень хитроумные приборы, без которых современная электроника просто немыслимаРассмотрим приборы, которые включают в себя два р-п перехода — транзисторы. Между двумя полупроводниками п-типа создается тонкая прослойка из полупроводника р-типа (на рисунке толщина полупроводников обозначена чисто условно, а не пропорционально их реальным размерам).
Иконка файла материала транзисторы.docx

Изучив электрический ток в полупроводниках и познакомившись с p-n переходом, мы можем приступить к рассмотрению транзисторов. Транзисторы – это очень хитроумные приборы, без которых современная электроника просто немыслима.

Конспект урока "Транзисторы"

  

Рассмотрим приборы, которые включают в себя два р-п перехода — транзисторы. Между двумя полупроводниками п-типа создается тонкая прослойка из полупроводника р-типа (на рисунке толщина полупроводников обозначена чисто условно, а не пропорционально их реальным размерам).

https://videouroki.net/videouroki/conspekty/fizika10/76-tranzistory.files/image001.png

Или же, можно сделать наоборот: между двумя полупроводниками р-типа помещают тонкую прослойку полупроводника п-типа.

https://videouroki.net/videouroki/conspekty/fizika10/76-tranzistory.files/image002.png

Соответственно, транзисторы делятся на два типа: рпр транзисторы и прп транзисторы. Прослойку, находящуюся между полупроводниками одного типа называют базой (иногда основанием). Транзистор может быть включен в цепь, представленную на рисунке.

https://videouroki.net/videouroki/conspekty/fizika10/76-tranzistory.files/image003.png

Обратите внимание на то, как подключена первая батарея: ток обусловлен движением основных носителей, то есть пэ эн переход в левой части схемы является прямым. В этом случае, полупроводник в левой части нашей схемы называетсяэмиттером. Обратимся теперь к правой части нашей схемы. Вторая батарея включена таким образом, что ток обусловлен движением неосновных носителей, то есть этот р-п переход является обратным. В этом случае, полупроводник в правой части схемы называется коллектором. На нашей схеме для наглядности мы подробно показали транзистор, но на стандартных схемах он обозначается более компактно.

https://videouroki.net/videouroki/conspekty/fizika10/76-tranzistory.files/image004.png

На условном обозначении транзистора вы можете найти букву Э, обозначающую эмиттер, букву К, обозначающую коллектор и букву Б, обозначающую база.

Давайте рассмотрим протекание тока в каждом из полупроводников, входящих в транзистор. Обратим внимание сначала нар-п переход между эмиттером и базой. Эмиттер является полупроводником р-типа в данном случае, поэтому основными носителями заряда в нем являются дырки. Эти дырки проникают в базу, где основными носителями заряда являются электроны. Но, поскольку толщина базы очень мала, число электронов там очень невелико, несмотря на то, что они являются основными носителями. Попавшие в базу дырки практически не объединяются с электронами, в результате чего проникают в коллектор посредством диффузии.

Теперь обратим внимание на р-п переход между базой и коллектором. Этот переход обратный, и образовывает заслон для основных носителей базы, то есть, электронов. Однако, дырки проникают в коллектор под воздействием электрического поля, в результате чего цепь замыкается. Сила тока в эмиттере равна сумме токов в базе и коллекторе: 𝐼э=𝐼б+𝐼к. Но ток в базе ничтожно мал, поэтому мы можем считать, что сила тока в коллекторе почти такая же, как и в эмиттере: 𝐼э 𝐼к.

Мы еще ни слова не сказали о сопротивлении, которое создается включенным в нашу цепь резистором. Надо сказать, это сопротивление практически не влияет на ток в коллекторе. Дело в том, что ток в коллекторе практически полностью обусловлен строением самого транзистора, а именно — свойствами полупроводников, из которых он изготовлен, и напряжением, которое подается на эмиттер. В данном случае, конечно, речь идет о применении источника переменного тока. Итак, сопротивление может быть довольно большим, но при этом оно не будет влиять на ток в коллекторе. Изменение же напряжения на эмиттере будет вызывать синхронное изменение напряжения на резисторе. Таким образом, если мы используем резистор с очень большим сопротивлением, мы сможем получать мощные сигналы на нем, создавая лишь небольшие изменения напряжения на эмиттере. Это свойство, так или иначе, используется во многих микросхемах, микропроцессорах и так далее. Транзисторы используются повсеместно: в приемниках, компьютерах и даже в приборах, предназначенных для космических исследований. Транзисторы с успехом заменили электронные лампы, которые были громоздкими и значительно менее безопасными. Первый компьютер, как раз, работал на электронных лампах, и занимал помещение, сравнимое с размерами спортзала. Сегодня в компьютерах используются маленькие микросхемы с транзисторами, каждый из вас знает, насколько меньшее пространство занимает современный компьютер, чем спортзал.

Возможно, вас впечатлит тот факт, что на сегодняшний день, на каждого жителя Земли приходится приблизительно 10 миллиардов транзисторов.