МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ ДОНЕЦКОЙ НАРОДНОЙ РЕСПУБЛИКИ
ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
«ДОНЕЦКИЙ ТЕХНИКУМ ПРОМЫШЛЕННОЙ АВТОМАТИКИ ИМЕНИ А.В.ЗАХАРЧЕНКО»
Методические рекомендации по
определению h-параметров биполярных транзисторов
для студентов 2 курса специальности
10.02.02 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем»
Выполнила:
преподаватель
Рожкова И.В.
Донецк, 2021
Вторичные параметры. Система h-параметров.
Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 1).
Рис.1
Помимо первичных транзисторы характеризуются вторичными параметрами. Они характеризуют связь между переменными составляющими напряжений и токов на входе (u1, i1) и выходе (u2, i2).
Система z-параметров предусматривает определение величины сопротивления из опытов холостого хода (х.х.) на входе и выходе транзистора.
Система y-параметров характеризует свойства четырехполюсника при помощи четырех проводимостей, определяемых из опытов короткого замыкания (к.з.).
Система h-параметров является смешанной, т.к. параметры имеют различный физический смысл.
Коэффициенты уравнений равны:
Из этих выражений видно, что
§ h11 и h21 – входное сопротивление и коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) при коротком замыкании на выходе транзистора;
§ h12 и h22 – параметры, измеряемые при холостом ходе на входе транзистора. h12 характеризует степень влияния выходного напряжения на режим входной цепи транзистора (коэффициент обратной связи по напряжению). h22 –выходная проводимость.
При обозначении h – параметров, внизу, в зависимости от схемы включения, к цифровым индексам добавляется буква. Для схемы с общим эмиттером это h11Э, h12Э, h21Э, h22Э ; для схемы с общим коллектором —
h11К, h12К, h21К, h22К ; для схемы с общей базой это h11б, h12б, h21б, h22б .
Определение параметра h11Э
Для нахождения параметра h11Э:
- построить произвольно треугольник, вершинами касающийся обеих характеристик;
- сделать сноски из вершин на ось токов и на ось напряжений;
- определить численные значения;
- по формуле сделать расчёт:
Определение параметра h12Э
Для нахождения параметра h12Э:
- использовать уже определённые для h11Э значения Uбэ;
- использовать значения Uкэ по характеристикам (выделено зелёным);
- по формуле сделать расчёт:
.
Разность значений Uкэ берём по модулю, т.е. положительной.
Определение параметра h21Э
Для нахождения параметра h21Э:
- на средней ветви семейства выходных характеристик поставить т.А;
- из т.А провести вертикальные линии вверх и вниз до касания верхней и нижней ветвей (т.b и т.c):
- сделать сноски из т.b и т.c на ось токов; определить численные значения Iк;
- определить значения Iб (выделены зелёным)
- по формуле сделать расчёт:
Определение параметра h22Э
Для нахождения параметра h22Э:
- на средней ветви семейства выходных характеристик построить произвольно треугольник (фиолетовый цвет);
- из вершин сделать сноски на ось токов и на ось напряжений;
- определить численные значения Iк и Uкэ;
- по формуле сделать расчёт:
© ООО «Знанио»
С вами с 2009 года.