Поделиться
Цифровые устройства памяти.ppt
Модуль 4.
Цифровые запоминающие устройства.
Устройства сопряжения аналоговых и цифровых схем.
ТЕМА 15.
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ).
Структура ПЗУ с прожиганием.
Программирование ПЗУ.
Классификация ПЗУ.
Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ).
Элемент статического ОЗУ.
Типовая структура ОЗУ.
Временная диаграмма работы
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)
ПЗУ представляет собой чисто комбинационную схему, имеющую n адресных входов и m выходов.
Рисунок 15.1 Схемное обозначение ПЗУ
Всевозможные конъюнкции с помощью дешифратор
C помощью схем “или” собираются все нужные конъюнкции.
ПЗУ организуются по двухъярусной структуре:
Структура ПЗУ
Работа схемы: если все плавкие перемычки целы, то при выборе любого адреса на входы всех дизъюнкторов будет поступать хотя бы по одной единице, поэтому
y0 = y1 = ··· = ym-1 = 1.
Для занесения в схему какой-либо информации некоторые перемычки пережигаются (ПЗУ с прожиганием), тогда на некоторых дизъюнкторах на все входы поступают “0” и на выход подается “0”.
Прожигаемая ПЗУ
Примером такой ПЗУ является К155РЕ3. ЕЕ структура 328 (32 слова по 8 битов каждое).
Рисунок 15.3 ПЗУ К155РЕ3
Если перемычка П0 – цела, то при выборе транзистора VT0 (по адресу 00000 открывается “0” выход дешифратора), тогда ток этого транзистора создает через делитель R1R2 на базе VT2 некоторый потенциал, VT2 открывается, и на выходе y0 появится “0”.
VT1 в это время закрыт, т.к. потенциал его базы равен 0. Чтобы на выходе у0 получить “1” необходимо перемычку П0 сжечь.
Для этого Uпит2 повышают до уровня 10-11 В; открывается стабилитрон VD, на базе VT1 появляется положительный потенциал, транзистор VT1 открывается и его ток сжигает перемычку.
Теперь на базе VT2 не будет положительного потенциала, VT2 – закрыт, следовательно у0 = 1.
Длительность прожигающего импульса выбирается в интервале 520мс.
ПЗУ с УФ стиранием
ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением в настоящее время наиболее широко используются в микропроцессорных системах. В БИС таких ПЗУ каждый бит хранимой информации отображается состоянием соответствующего МОП-транзистора с плавающим затвором (у него нет наружного вывода для подключения). Затворы транзисторов при программировании «1» заряжаются лавинной инжекцией, т.е. обратимым пробоем изолирующего слоя, окружающего затвор под действием электрического импульса напряжением 18 – 26 В. Заряд, накопленный в затворе, может сохраняться очень долго из-за высокого качества изолирующего слоя. Так, например, для ППЗУ серии К573 гарантируется сохранение информации не менее 15 – 25 тысяч часов во включенном состоянии и до 100 тысяч часов (более 10 лет) — в выключенном.
ПЗУ с электрическим стиранием
Они позволяют производить как запись, так и стирание (или перезапись) информации с помощью электрических сигналов. Для построения таких ППЗУ применяются структуры с лавинной инжекцией заряда, аналогичные тем, на которых строятся ППЗУ с УФ стиранием, но с дополнительными управляющими затворами, размещаемыми над плавающими затворами. Подача напряжения на управляющий затвор приводит к рассасыванию заряда за счет туннелирования носителей сквозь изолирующий слой и стиранию информации. По этой технологии изготовляют микросхемы К573РР2.
Достоинства ППЗУ с электрическим стиранием:высокая скорость перезаписи информации и значительное допустимое число циклов перезаписи — не менее 10000.
Рассматриваемые типы запоминающих устройств (ЗУ) применяются в компьютерах для хранения информации, которая изменяется в процессе вычислений, производимых в соответствии с программой, и называются оперативными (ОЗУ). Информация, записанная в них, разрушается при отключении питания.
Главной частью ЗУ является накопитель, состоящий из триггеров
Статические ОЗУ
ОЗУ
Рисунок 15.4 Матрица ЗУ
Накопитель двухкоордииатпого ЗУ состоит из нескольких матриц (рис.9-1), количество которых определяется числом разрядов записываемого слова. Запоминающие элементы(ЗЭ) одной матрицы расположены на пересечении адресных шин Х строк и Y столбцов, имеют одну общую для всех элементов разрядную шину. В ЗЭ одной матрицы записываются одноименные разряды всех слов, а каждое слово — в идентично расположенные запоминающие элементы ЗЭi, всех матриц, составляющие ячейку памяти. Таким образом, в двухкоординатное четырехматричное ЗУ, матрицы которого содержат по 16 запоминающих элементов (рис. 1), можно записать 16 четырехразрядных слов.
Динамические ОЗУ
В них запоминающий элемент содержит только один транзисторн.(рис.15.5)
Рисунок 15.5 Элемент динамической ОЗУ
Информация в таком элементе хранится в виде заряда на запоминающем конденсаторе , обкладками которого являются области стока МОП-транзистора и подложки. Запись и считывание ннформаини производятся путем открывания транзистора по затвору и подключения тем самым заноминаюшей емкости к схеме усилителя-регенератора. Последний, по существу является триггерным элементом ,который В зависимости от предварительной подготовки или принимает (считывает) цнформацию из емкоетной запоминающец ячейки, устаиавливаясь при этом в состояние 0 пли 1,или, наоборот, в режиме записи соотвегствующим образом заряжает ячейку, будучи иредварительно установленным в 0 нли 1
В режиме чтения триггер усилителя — регенератора в начале специальным управляющим сигналом устанавливается в неустойчивое равновесное состояние, из которого при подключении к нему запоминающей емкости он переключается в 0 или 1. При этом в начале он потребляет часть заряда, а затем при установке в устойчивое состояние , возвращает его ячейке осуществляя таким образом регенерацию ее состояния. В режиме хранения информации необходимо периодически производить регенерацию для компенсации естественных утечек заряда. максимальный период цикла регенерации для каждой из ячеек обычно составляет 1 — 2 мс.
Материалы на данной страницы взяты из открытых источников либо размещены пользователем в соответствии с договором-офертой сайта. Вы можете сообщить о нарушении.
